JPS6047226A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPS6047226A JPS6047226A JP58154516A JP15451683A JPS6047226A JP S6047226 A JPS6047226 A JP S6047226A JP 58154516 A JP58154516 A JP 58154516A JP 15451683 A JP15451683 A JP 15451683A JP S6047226 A JPS6047226 A JP S6047226A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/676—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer
- G11B5/678—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer having three or more magnetic layers
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)・
本発明は鉄系の磁性材料を用いつつも保磁力が高く、耐
腐食性が改善された薄膜型の磁気記録媒体圧関するもの
である。
腐食性が改善された薄膜型の磁気記録媒体圧関するもの
である。
(従来技術)
近年、高密度磁気記録の要求の高まりに対応して真空蒸
着、スパッタリング、イオンブレーティング等の方法に
より非磁性基材上に強磁性金属からなる薄膜を形成した
薄膜型′J)磁気記録媒体が開発されており、中でもC
o 56磁性材料を斜方蒸着法により形成した薄膜を有
ザる磁気記録媒体は磁気特性がすぐれており、例えばマ
イクロカセットテープに利用されているなど、高密度記
録化の一翼を担っている。
着、スパッタリング、イオンブレーティング等の方法に
より非磁性基材上に強磁性金属からなる薄膜を形成した
薄膜型′J)磁気記録媒体が開発されており、中でもC
o 56磁性材料を斜方蒸着法により形成した薄膜を有
ザる磁気記録媒体は磁気特性がすぐれており、例えばマ
イクロカセットテープに利用されているなど、高密度記
録化の一翼を担っている。
しかしながらCO系磁性材料を使用するときはCo系金
属の材料費が高い上に斜方蒸着法の蒸着効率が低いこと
により、磁気記録媒体の価格が高くなり過ぎるため、他
の磁性材料への変換が望まれている。
属の材料費が高い上に斜方蒸着法の蒸着効率が低いこと
により、磁気記録媒体の価格が高くなり過ぎるため、他
の磁性材料への変換が望まれている。
一方、Fe系磁性劇料を使用して磁気記録媒体乞製造す
ると、価格的には大巾な低下が図れる可能性はあるが、
高い保磁力が得られず、又、Fe系磁性材料は耐腐食性
が不充分であるため、従来、種々の試みがなされている
にも拘らず未だ実用化には到っていない。
ると、価格的には大巾な低下が図れる可能性はあるが、
高い保磁力が得られず、又、Fe系磁性材料は耐腐食性
が不充分であるため、従来、種々の試みがなされている
にも拘らず未だ実用化には到っていない。
千七硼→十制→一
本発明者はFe系磁性材料を使用する際の欠点を克服す
るため研死の結果、次の■〜■の各点を見い出した。即
ち、 ■FeFe系磁性材料用して形成した薄膜の保磁力は膜
厚1OOOA付近を境とし、10θθ乞越えると急に低
下すること、 ■FeFe系磁性材料用して形成した薄膜を複数積層し
た場合、多層膜としての保磁力は同じ膜厚の単層膜の保
磁力よりは高いものの未だ充分ではないこと、 ■上記■の欠点を解消するには積層する薄膜の間に非磁
性金属層を形成すればよいが、却って耐腐食性が低下す
ること、および ■積層1−ろ薄膜の間に合成樹脂の層火設けると保磁力
が低下せず、かつ、耐腐食性も低下しないこと。
るため研死の結果、次の■〜■の各点を見い出した。即
ち、 ■FeFe系磁性材料用して形成した薄膜の保磁力は膜
厚1OOOA付近を境とし、10θθ乞越えると急に低
下すること、 ■FeFe系磁性材料用して形成した薄膜を複数積層し
た場合、多層膜としての保磁力は同じ膜厚の単層膜の保
磁力よりは高いものの未だ充分ではないこと、 ■上記■の欠点を解消するには積層する薄膜の間に非磁
性金属層を形成すればよいが、却って耐腐食性が低下す
ること、および ■積層1−ろ薄膜の間に合成樹脂の層火設けると保磁力
が低下せず、かつ、耐腐食性も低下しないこと。
(発明の構成)
本発明は上記の見い出された事実に基づいてなされたも
のであって、不発明の磁気記録媒体は、非磁性基材上に
斜方蒸着法により形成された鉄もしくは鉄の合金の薄膜
層が複数積層されており、各薄膜層間には合成樹脂の中
間層を有していることv%徴とするものである。
のであって、不発明の磁気記録媒体は、非磁性基材上に
斜方蒸着法により形成された鉄もしくは鉄の合金の薄膜
層が複数積層されており、各薄膜層間には合成樹脂の中
間層を有していることv%徴とするものである。
以下、図面を用いながら本発明について詳細に説明す石
。
。
第1図は本1発明の磁気記録媒体の一実施例を示す断面
図であって、非磁性基材/の表面に磁性薄膜層ユ、中間
層3、磁性薄膜層ケ、中間層5、磁性薄膜層間の各層が
順に積層された構造をとっており、即ち、合計3つの磁
性薄膜層が非磁性基材上に積層されており、磁性薄膜層
−とグの間、及びグと乙の間にそれぞれ挿入された中間
層を有している。
図であって、非磁性基材/の表面に磁性薄膜層ユ、中間
層3、磁性薄膜層ケ、中間層5、磁性薄膜層間の各層が
順に積層された構造をとっており、即ち、合計3つの磁
性薄膜層が非磁性基材上に積層されており、磁性薄膜層
−とグの間、及びグと乙の間にそれぞれ挿入された中間
層を有している。
上記における各層の材料を説明すると、まず、非磁性基
材lとしてはポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリイ
ミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネ−1・樹脂等
のプラスチックフィルムが使用できる。
材lとしてはポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリイ
ミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネ−1・樹脂等
のプラスチックフィルムが使用できる。
磁性薄膜層コ、q1乙はFe系磁性材料を蒸着源とした
斜方蒸着法により形成されている。Fe系磁性材料とし
てはFe単独の他、Fe−Ni。
斜方蒸着法により形成されている。Fe系磁性材料とし
てはFe単独の他、Fe−Ni。
Fe−Co、 Fe −Ni −Co、 Fe−Rh、
Fe−Cu、 Fe−8m。
Fe−Cu、 Fe−8m。
Fe−Cr、Fe−8i等のFeを主体とした強磁性合
金が使用できろ。
金が使用できろ。
磁性薄膜層を形成するには例えば第2図に示すごと(巻
き出しり−ル7かう繰り出された非磁性基材lを冷却ド
ラムgに接触させて移動させつつ、ドラムgの下方に配
置された蒸着源7を用いて基材lの表面に蒸着する方法
などの刺方蒸着によって行なう。蒸着済の基材はリール
10に巻ぎ取られる。なお、ここで遮蔽板l/の位置を
水平に移動させることにより、基材Iに対する最小入射
角θを調節することができる。
き出しり−ル7かう繰り出された非磁性基材lを冷却ド
ラムgに接触させて移動させつつ、ドラムgの下方に配
置された蒸着源7を用いて基材lの表面に蒸着する方法
などの刺方蒸着によって行なう。蒸着済の基材はリール
10に巻ぎ取られる。なお、ここで遮蔽板l/の位置を
水平に移動させることにより、基材Iに対する最小入射
角θを調節することができる。
磁性薄膜層ユ、ダ、および乙のおのおのの厚みは100
0^以下とすることが望ましく、この理由は第3図のグ
ラフに示すごとく、厚みが100θAを越えると保磁力
が急激に低下する上、角形比も低下するからである。磁
性薄膜層の厚みの下限としては斜方蒸着の微結晶が十分
成長し斜方蒸着の効果が生じる点でコθoX以上とする
ことが望ましい。保磁力および角形比の望ましい値は、
どのようなシステムにおいて使用されるかにより異なる
ので一概には言えないが、マイクロカセットテープとし
て使用する場合には市販のマイクロカセットレコーダの
設定バイアス電流から判断すると、保磁力の値としては
t100〜7000e程度であり、角形比の値としては
0.75以上であることが望ましい。
0^以下とすることが望ましく、この理由は第3図のグ
ラフに示すごとく、厚みが100θAを越えると保磁力
が急激に低下する上、角形比も低下するからである。磁
性薄膜層の厚みの下限としては斜方蒸着の微結晶が十分
成長し斜方蒸着の効果が生じる点でコθoX以上とする
ことが望ましい。保磁力および角形比の望ましい値は、
どのようなシステムにおいて使用されるかにより異なる
ので一概には言えないが、マイクロカセットテープとし
て使用する場合には市販のマイクロカセットレコーダの
設定バイアス電流から判断すると、保磁力の値としては
t100〜7000e程度であり、角形比の値としては
0.75以上であることが望ましい。
中間層qおよびSは合成樹脂の層からなっている。中間
層qおよび夕は磁性薄膜層コ、グ、および乙を磁気的に
遮断でき、かつ表面が良好な塗膜状態を有するものであ
ればいずれでもよ(、例えば、次のような樹脂から選択
して用いた塗料と公知の塗布方法により、下層のFe系
磁性薄膜層に関するスペーシングロスが生じナイようO
,Sμm程度あるいはそれ以下とするのがよい。中間層
を構成するための樹脂としてはポリビニルブチラール樹
脂、塩化ビニル/酢酸ビニル共重合樹脂、ニトロセルロ
ース・エチルセルロース等のセルロース系樹脂、ポリウ
ソタン樹脂・エポキシ樹脂・アルキッド樹脂等の架橋型
樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、環化ゴム等が
例示できる。
層qおよび夕は磁性薄膜層コ、グ、および乙を磁気的に
遮断でき、かつ表面が良好な塗膜状態を有するものであ
ればいずれでもよ(、例えば、次のような樹脂から選択
して用いた塗料と公知の塗布方法により、下層のFe系
磁性薄膜層に関するスペーシングロスが生じナイようO
,Sμm程度あるいはそれ以下とするのがよい。中間層
を構成するための樹脂としてはポリビニルブチラール樹
脂、塩化ビニル/酢酸ビニル共重合樹脂、ニトロセルロ
ース・エチルセルロース等のセルロース系樹脂、ポリウ
ソタン樹脂・エポキシ樹脂・アルキッド樹脂等の架橋型
樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、環化ゴム等が
例示できる。
以上の説明では、磁性薄膜層を3層と中間層を2層有す
る例について述べたが、本発明はこれに限定されること
な(、磁性薄膜層を2層と中間層を1層有する場合や、
磁性薄膜層をグ層以上と各磁性薄膜層間の中間層とから
なるものでもよい。
る例について述べたが、本発明はこれに限定されること
な(、磁性薄膜層を2層と中間層を1層有する場合や、
磁性薄膜層をグ層以上と各磁性薄膜層間の中間層とから
なるものでもよい。
又、本発明の磁気記録媒体には最表層に表面の保護の意
味で合成(ガ↑脂からなる保護層を設けてもよい。保護
層を構成する合成樹脂としては、例えばポリビニルブチ
ラール樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アルキ
ッド樹脂等の架橋型樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル
樹脂等、はぼ中間層を構成ずろ樹脂と同様のものが使用
できる。
味で合成(ガ↑脂からなる保護層を設けてもよい。保護
層を構成する合成樹脂としては、例えばポリビニルブチ
ラール樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アルキ
ッド樹脂等の架橋型樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル
樹脂等、はぼ中間層を構成ずろ樹脂と同様のものが使用
できる。
以下、本発明をより具坏的に説明するための実施例を掲
げる。
げる。
実施例!
非磁性基材としては厚み乙μmnのポリエチレンプレフ
タレートフィルムを用い、その表面にFeを蒸着源とし
て、第λ図に示した斜方蒸着により最小入射角乙O°に
て厚みgoo久の蒸着膜乞形成した。次にFe蒸着膜上
にエポキシ硬化型アクリル樹脂(東し■製、コータック
スKL’7乙/)?、< M E K / )ルエン=
/ / /の溶剤7用いて溶解した一%溶液を用い、グ
ラビアコーティングにより乾燥時厚みO,OSμmの中
間層ヶ設けた。
タレートフィルムを用い、その表面にFeを蒸着源とし
て、第λ図に示した斜方蒸着により最小入射角乙O°に
て厚みgoo久の蒸着膜乞形成した。次にFe蒸着膜上
にエポキシ硬化型アクリル樹脂(東し■製、コータック
スKL’7乙/)?、< M E K / )ルエン=
/ / /の溶剤7用いて溶解した一%溶液を用い、グ
ラビアコーティングにより乾燥時厚みO,OSμmの中
間層ヶ設けた。
以下、同様な操作乞繰り返すことにより、ポリエチレン
プレフタレートフィルム/ F e 蒸M 膜/中間層
/ F e蒸着膜の積層体とし、更に最表層にポリビニ
ルブチラール樹脂をMEK/)ルエンーi / tの溶
剤に溶解した2、5%溶液を用い、グラビアコーティン
グ乞行なって乾燥時厚み0、/μnLの保護層とした磁
気記録媒体を得た。
プレフタレートフィルム/ F e 蒸M 膜/中間層
/ F e蒸着膜の積層体とし、更に最表層にポリビニ
ルブチラール樹脂をMEK/)ルエンーi / tの溶
剤に溶解した2、5%溶液を用い、グラビアコーティン
グ乞行なって乾燥時厚み0、/μnLの保護層とした磁
気記録媒体を得た。
比較例/
実施例/で用いたのと同じ基セを用い、実施例1で行な
った。のと同様な方法によりFe蒸着膜を2. ’Iθ
OAの厚みになるよう形成し、その上に実施例1で行な
ったのと同様な方法により保護層を形成した。
った。のと同様な方法によりFe蒸着膜を2. ’Iθ
OAの厚みになるよう形成し、その上に実施例1で行な
ったのと同様な方法により保護層を形成した。
比較例コ
各中間層をアルミニウムを蒸着源とした平面蒸着により
形成した厚みqooXのアルミニウム薄膜とした以外は
実施例/と同様に行なった。
形成した厚みqooXのアルミニウム薄膜とした以外は
実施例/と同様に行なった。
以上の実施例及び比較例で得られた磁気記録媒体の静磁
気特性及び耐腐食性を次表Kまとめて示す。
気特性及び耐腐食性を次表Kまとめて示す。
以上の結果から明らかなように本発明によれば安価なF
e″を使用しつつも保磁力及び角形比の静磁気特性がす
ぐれており、なおかっ、耐腐食性もづ−ぐれている。
e″を使用しつつも保磁力及び角形比の静磁気特性がす
ぐれており、なおかっ、耐腐食性もづ−ぐれている。
第1図は本発明の磁気記録媒体の実施例の断面図、第2
図は斜方蒸着法の説明図、第3図は蒸着膜厚と静磁気特
性の関係を示すグラフである。 l・・・・・・・・・・・非磁性゛暴利ユ、ゲ、乙・・
・・・・磁性薄膜層 3、j・・・・・・・・・中 間 層 7 ・・・・・・・・・・・巻き出しリールg・・・・
・・・・・・・冷却ドラム ワ・・・・・・・・・・・蒸 着 源 lO・・・■」φ1] リ − ル l/・・・・・・・・・・遮 蔽 板 θ・・・・・・・・・・・最小入射角 才 1 図 保 牙2図 磁 力 才8図 500 1000 +5002000 膜厚[A]
図は斜方蒸着法の説明図、第3図は蒸着膜厚と静磁気特
性の関係を示すグラフである。 l・・・・・・・・・・・非磁性゛暴利ユ、ゲ、乙・・
・・・・磁性薄膜層 3、j・・・・・・・・・中 間 層 7 ・・・・・・・・・・・巻き出しリールg・・・・
・・・・・・・冷却ドラム ワ・・・・・・・・・・・蒸 着 源 lO・・・■」φ1] リ − ル l/・・・・・・・・・・遮 蔽 板 θ・・・・・・・・・・・最小入射角 才 1 図 保 牙2図 磁 力 才8図 500 1000 +5002000 膜厚[A]
Claims (1)
- 非磁性基祠上に、斜方蒸着法により形成された鉄もしく
は鉄の合衾の薄膜層が複数積層されており、各薄膜層間
には合成樹脂の中間層を有していることを特徴とする磁
気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58154516A JPS6047226A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58154516A JPS6047226A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6047226A true JPS6047226A (ja) | 1985-03-14 |
JPH0475571B2 JPH0475571B2 (ja) | 1992-12-01 |
Family
ID=15585953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58154516A Granted JPS6047226A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6047226A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS643073A (en) * | 1987-02-24 | 1989-01-06 | Teijin Ltd | Production of molded article of silicon carbide |
-
1983
- 1983-08-24 JP JP58154516A patent/JPS6047226A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS643073A (en) * | 1987-02-24 | 1989-01-06 | Teijin Ltd | Production of molded article of silicon carbide |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0475571B2 (ja) | 1992-12-01 |
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