DE1439443B2 - Verfahren zur herstellung von magnetischen speichermatrizen - Google Patents
Verfahren zur herstellung von magnetischen speichermatrizenInfo
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- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
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Description
3 4
Speicherelementen zu bedampfenden Trägerunterlage c) die Aufdampf rate und die Temperatur der Trägerüberwiegt,
während die bekannte, eingangs erwähnte unterlage werden derart gewählt, daß die Einfalls-Einfallswinkelanisotropie
vorwiegend bei niederen winkelanisotropie senkrecht zur Einfallsebene
Temperaturen der Trägerunterlage auftritt. durch die parallel zur Einfallsebene auftretende
Ausgehend von der vorstehend aufgeführten Er- S Einfallswinkelanisotropie kompensiert wird,
kenntnis und dem aufgezeigten Untersuchungsergebnis
kenntnis und dem aufgezeigten Untersuchungsergebnis
hinsichtlich der für das Auftreten der einen oder an- Die Forderung nach Erhöhung der Aufdampfraten
deren Art der Einfallswinkelanisotropie wirksamen mit steigender Trägertemperatur hat sich dabei als not-Temperaturen
liegt der vorliegenden Erfindung die wendig erwiesen, da nämlich Untersuchungen gezeigt
weitere Erkenntnis zugrunde, daß es bei Auffinden io haben, daß die Trägertemperatur, wie sie zur Erzielung
eines bestimmten Bereiches für die Temperatur, mit geringer Winkelabweichungen der magnetischen Vorder
die Trägerunterlage aufgeheizt werden soll, möglich zugsachsen zueinander erforderlich ist, zusätzlich von
sein muß, die in ihrer magnetischen Vorzugsrichtung der Aufdampfrate abhängt.
zueinander senkrecht gerichteten unterschiedlichen Dieses Verfahren schließt den Vorteil in sich ein, daß
Einfallswinkelanisotropien gegenseitig aufzuheben. Auf 15 die Streuung der Anisotropiefeldstärke ein Minimum
diese Weise ist es aber dann möglich, daß trotz der wird.
beim Bedampfungsvorgang schräg einfallenden Me- Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel wurde
tallatome die Richtungsabweichungen der magneti- die Trägerunterlage auf eine Temperatur von etwa
sehen Vorzugsachse der einzelnen Speicherelemente 220° C aufgeheizt und aus einem Tiegel aus Titanvon
dem gewünschten Wert überall, also auch am 20 carbid oder Titanborid mit einer mittleren Aufdampf-Rande
der Trägerunterlage, auf ein Minimum herab- rate von etwa 50 Ä/Sek. quantitativ, d. h. durch vollgedrückt werden, das hinreichend weit unterhalb der ständiges Verdampfen der Einwaage mit Permalloy
zulässigen Abweichung von der gewünschten magneti- bedampft. Bei einem Einfallswinkel von z. B. 10°
sehen Vorzugsrichtung liegt. zwischen der Richtung der einfallenden Metallatome
Bei einem Verfahren zur Herstellung von magneti- 25 und der Normalen zur Trägerunterlage wurde eine
sehen Speichermatrizen mit zueinander im wesentlichen maximale Neigung der magnetischen Vorzugsachsen
parallelen magnetischen Vorzugsachsen der durch einzelner Speicherelemente gegen die entsprechende
Aufdampfen dünner magnetischer, magnetostriktions- Längskante der Trägerunterlage von nur ±1° gefreier
Ni-Fe-Schichten in einem magnetischen Gleich- messen. Winkelabweichungen gleicher Größe der
feld auf einen ebenen Träger aufgebrachten Speicher- 30 magnetischen Vorzugsachsen von dem gewünschten
element sieht die Erfindung zur Lösung der obenge- Wert haben sich ergeben, wenn die magnetische
nannten Aufgabe die folgenden Verfahrensmerk- Schicht bei einer Trägertemperatur von 140° C mit
male vor: einer mittleren Aufdampfrate von 0,5 A/Sek. auf den
. ^. „ . , , , . . . Träger aufgedampft worden ist.
a) Die Speicherelemente werden mit einer im wesent- 35 Als Trägerunterlage f ür die zu Speichermatrizen oder
liehen konstanten Aufdampfrate auf einen auf eine sogenannten Speicherblöcken zusammengefaßten einTemperatur
zwischen 100 und 250 C erhitzten zdnen magnetischen Speicherelemente haben sich da-1
rager autgedampit, bei Träger aus Glas>
mit einer silber. und darüber auf_
b) die Aufdampfrate wird durch die Temperatur der gebrachten Siliziummonoxidschichten überzogene Trä-Trägerunterlage
bestimmt und bei höherer Tempe- 40 ger aus Aluminium oder Silber als zweckmäßig erratur
der Trägerunterlage erhöht, wiesen.
Claims (1)
1 2
Eine wesentliche Voraussetzung für die Verwendbarkeit der Speichermatrizen ist, daß die dünnen
Patentanspruch: magnetischen Schichten einachsiger Vorzugsrichtung
der Magnetisierung nicht nur für sich eine geringe
Verfahren zur Herstellung von magnetischen 5 Streuung der Vorzugsrichtung aufweisen, sondern daß
Speichermatrizen mit zueinander im wesentlichen auch die magnetischen Vorzugsrichtungen der einparallelen
magnetischen Vorzugsachsen der durch zelnen Speicherelemente untereinander gleich, d. h.
Aufdampfen dünner magnetischer, magnetostrik- parallel, gerichtet sind.
tionsfreier Ni-Fe-Schichten in einem magnetischen Diese Forderung wird verständlich, wenn man be-
Gleichfeld auf einen ebenen Träger aufgebrachten io rücksichtigt, daß alle üblicherweise auf die einzelnen
Speicherelemente, gekennzeichnet durch Speicherelemente aufgedampften Schreib- und Lesefolgende Verfahrensmerkmale: leitungen u. dgl. parallel bzw. senkrecht zu den magne-
a) Die Speicherelemente werden mit einer im tischen Vorzugsachsen der einzelnen Speicherelemente
wesentlichen konstanten Aufdampfrate auf verlaufen sollen, was bei einer größeren Richtungseinen
auf eine Temperatur zwischen 100 und 1S Abweichung der einzelnen magnetischen Vorzugs-2500C
erhitzten Träger aufgedampft, achsen von der R^htung der Schreib- und Leseleitun-
gen nur mangelhaft erfüllt ist.
b) die Aufdampfrate wird durch die Temperatur zur Erfüllung der Forderung nach nur geringer
der Trägerunterlage bestimmt und bei höherer Winkelabweichung der magnetischen Vorzugsrichtung
Temperatur der Trägerunterlage erhöht, 20 der einzelnen Speicherelemente voneinander hat man
c) die Aufdampfrate und die Temperatur der bereits die differenziertesten Verfahren entwickelt und
Trägerunterlage werden derart gewählt, daß z· B. die Matrizen durch Aufdampfen der dünnen
die Einfallswinkelanisotropie senkrecht zur magnetischen Schichten in einem homogenen Magnet-Einfallsebene
durch die parallel zur Einfalls- Ield hergestellt. Insbesondere bei nicht zu großen geoebene
auftretende Einfallswinkelanisotropie 25 metrischen Abmessungen der als gemeinsamer Träger
kompensiert wird. Iur die einzelnen magnetischen Speicherelemente dienenden
Unterlagen konnten durch diese Verfahren Speicherelemente hergestellt werden, deren magneti-
sehe Vorzugsachsen nur geringe Winkelabweichungen
30 von der gewünschten, vorzugsweise parallel zur einen
Längskante der Trägerplatte liegenden Richtung auf-
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung wiesen und damit ihrem Verwendungszweck als
von magnetischen Speichermatrizen mit Speicher- Speicherelemente durchaus Genüge leisteten,
elementen, die durch Aufdampfen dünner magneti- Es hat sich aber gezeigt, daß die Herstellung einer
scher, magnetostriktionsfreier Ni-Fe-Schichten in einem 35 Speichermatrix mit einer Vielzahl von einzelnen ma-
magnetischen Gleichfeld auf einen ebenen Träger auf- gnetischen Speicherelementen, was die Verwendung
gebracht sind. einer Trägerunterlage großer geometrischer Abmessun-
Dünne magnetische Schichten sind bereits Gegen- gen erfordert, nicht mehr wirtschaftlich durchführbar
stand zahlreicher Veröffentlichungen. So weist bei- ist, ohne daß die auf die Trägerunterlage aufgedampfspielsweise
eine in ETZ-A, Bd. 81, H. 25, Dezember 4° ten Metallatome zumindest auf die Randzonen der
1960, S. 913 bis 920, erschienene Abhandlung von Trägerfläche schräg auftreffen. Hierdurch entsteht
Proebster in allgemeinster Weise auf die Eignung jedoch die an sich bekannte Einfallswinkelanisotropie,
dünner magnetischer Schichten als Speicherelemente welche die Vorzugsachse der Magnetisierungsrichtung
hin. Der in »Journal of Appl. Physics«, Vol. 33, Nr. 3, gegen deren gewünschte Richtung verdrehen kann.
März 1962, S. 949 bis 954, veröffentlichte Aufsatz be- 45 Die vorliegende Erfindung hat sich daher die Auffaßt sich mit der Abhängigkeit der Fasertextur und der gäbe gestellt, ein Verfahren zu schaffen, bei dem die magnetischen Anisotropie aufgedampfter Eisenschich- durch Aufdampfen dünner magnetischer, magnetoten von der Schichtdicke, wobei die untersuchten striktionsf reier Ni-Fe-Schichten in einem magnetischen Schichten bei Trägertemperaturen von 75 bzw. 2000C Gleichfeld auf eine Trägerunterlage aufgebrachten in Schichtdicken von 350 Ä bzw. 1000 Ä und mit Auf- 50 magnetischen Speichermatrizen auch bei größeren Abdampfraten von 20 bis 60 Ä/Sek. aufgedampft wurden. messungen der Trägerunterlage nur geringfügige Win-Die Verbesserung der Eigenschaften von Ni-Fe-Schich- kelabweichungen der magnetischen Vorzugsachse der ten durch SiO-Unterlagen ist Gegenstand des in »Jour- einzelnen Speicherelemente zueinander aufweisen.
nal of Appl. Physics«, Vol. 33, Nr. 6, Juni 1962, S. 2026 Die Lösung dieser Aufgabe geht dabei von der Erbis 2030, erschienenen Aufsatzes von Bertelsen. 55 kenntnis aus, daß neben der vorerwähnten bekannten
März 1962, S. 949 bis 954, veröffentlichte Aufsatz be- 45 Die vorliegende Erfindung hat sich daher die Auffaßt sich mit der Abhängigkeit der Fasertextur und der gäbe gestellt, ein Verfahren zu schaffen, bei dem die magnetischen Anisotropie aufgedampfter Eisenschich- durch Aufdampfen dünner magnetischer, magnetoten von der Schichtdicke, wobei die untersuchten striktionsf reier Ni-Fe-Schichten in einem magnetischen Schichten bei Trägertemperaturen von 75 bzw. 2000C Gleichfeld auf eine Trägerunterlage aufgebrachten in Schichtdicken von 350 Ä bzw. 1000 Ä und mit Auf- 50 magnetischen Speichermatrizen auch bei größeren Abdampfraten von 20 bis 60 Ä/Sek. aufgedampft wurden. messungen der Trägerunterlage nur geringfügige Win-Die Verbesserung der Eigenschaften von Ni-Fe-Schich- kelabweichungen der magnetischen Vorzugsachse der ten durch SiO-Unterlagen ist Gegenstand des in »Jour- einzelnen Speicherelemente zueinander aufweisen.
nal of Appl. Physics«, Vol. 33, Nr. 6, Juni 1962, S. 2026 Die Lösung dieser Aufgabe geht dabei von der Erbis 2030, erschienenen Aufsatzes von Bertelsen. 55 kenntnis aus, daß neben der vorerwähnten bekannten
Das Ergebnis einer weiteren Untersuchung, die sich Einfallswinkelanisotropie, welche eine magnetische
mit der Frage befaßt, wieviele Gasmoleküle während Vorzugsrichtung senkrecht zur Einfallsebene erzeugt,
des Aufdampfens gleichzeitig mit den Metallatomen noch eine zweite Einfallswinkelanisotropie auftritt,
auf einen Träger auftreffen, ist in »Journal of Appl. welche parallel zur Einfallsebene gerichtet ist. Diese
Physics«, Vol. 33, Nr. 1, Januar 1962, S. 193 bis 196, 60 letztgenannte Art der Einfallswinkelanisotropie konnte
enthalten. Im Rahmen dieser Untersuchungen wurden bislang nur dann ermittelt werden, wenn der durch die
Aufdampfraten von 0,8 bis 1,0 Ä/Sek. gewählt. Der Normale zur Trägerebene und die Richtung des einAufsatz
von B 1 ο i s in »Journal of Appl. Physics«, fallenden Metallatoms gebildete Einfallswinkel größer
Vol. 26, Nr. 8, August 1955, S. 975 bis 980, besagt, daß als 70° war. Weitergehende Untersuchungen dieses
der Ordnungszustand von aufgedampften magnetischen 65 Phänomens haben dabei wiederum gezeigt, daß diese
Schichten durch Anpassung der Aufdampfrate an die letztere Art der Einfallswinkelanisotropie auch bei
Trägertemperatur beeinflußt werden kann. Als mini- kleineren Einfallswinkeln vorhanden ist und bei höhemale
Trägertemperatur wird 3000C angegeben. ren Temperaturen der mit den einzelnen magnetischen
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DES0093170 | 1964-09-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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DE1439443B2 true DE1439443B2 (de) | 1972-01-13 |
Family
ID=7517776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (3)
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GB (1) | GB1106710A (de) |
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Families Citing this family (3)
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US4144585A (en) | 1974-03-19 | 1979-03-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Bubble domain structures and method of making |
US5405702A (en) * | 1993-12-30 | 1995-04-11 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for manufacturing a thin-film EAS and marker |
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- 1964-09-16 DE DE19641439443 patent/DE1439443B2/de active Pending
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- 1965-09-14 NL NL6511956A patent/NL6511956A/xx unknown
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-
1972
- 1972-02-08 NL NL7201649A patent/NL7201649A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
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DE1439443A1 (de) | 1970-02-26 |
GB1106710A (en) | 1968-03-20 |
NL7201649A (de) | 1972-05-25 |
NL6511956A (de) | 1966-03-17 |
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