JPH07282218A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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JPH07282218A
JPH07282218A JP6076777A JP7677794A JPH07282218A JP H07282218 A JPH07282218 A JP H07282218A JP 6076777 A JP6076777 A JP 6076777A JP 7677794 A JP7677794 A JP 7677794A JP H07282218 A JPH07282218 A JP H07282218A
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JP
Japan
Prior art keywords
wiring board
printed wiring
gnd
integrated circuit
semiconductor integrated
Prior art date
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Pending
Application number
JP6076777A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshio Kanno
利夫 管野
Takenao Sudou
健直 須藤
Mitsuya Tanaka
光矢 田中
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPH07282218A publication Critical patent/JPH07282218A/en
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Abstract

PURPOSE:To reinforce a GND line and to eliminate the need for the GND layer of a printed wiring board by electrically connecting the GND pin of an LSI package mounted on the printed wiring board to a housing through a conductive member. CONSTITUTION:The printed wiring board 3 mounted with the LSI package 2 is stored in the housing consisting of a metallic plate 6 such as an Al thin plate and a core 7. The metallic plate 6 is adhered to the core 7 through, for example, a heat-pressing bonding sheet. This memory card 1a is constituted by bending the GND pin among pin (lead) constituting the external terminals of the LSI package 2 mounted on the printed wiring board 3 toward the metallic plate 6 and directly connecting its tip to the reverse surface of the metallic plate 6. In this case, the GND pin and the reverse surface of the metallic pin 6 are coated with solder paste in advance, and the temperature of the heat- pressing bonding of the metallic plate 6 to the core 7 is set to the fusion temperature of solder, thereby soldering the pin to the reverse surface of the metallic plate 6.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特に、LSIパッケージを実装したプリント配線
基板を薄型の筐体内に収容したメモリカードなどの薄型
半導体集積回路装置に適用して有効な技術に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and is particularly effective when applied to a thin semiconductor integrated circuit device such as a memory card in which a printed wiring board on which an LSI package is mounted is housed in a thin housing. It is about technology.

【0002】[0002]

【従来の技術】ノートブック型パソコンや電子手帳など
の薄型電子機器では、本体のメモリを増設する手段とし
て、別売のメモリカードが利用されている。
2. Description of the Related Art In thin electronic devices such as notebook type personal computers and electronic notebooks, a memory card (sold separately) is used as a means for increasing the memory of the main body.

【0003】メモリカードは、DRAM、SRAMなど
のLSIパッケージを実装したプリント配線基板を薄型
の筐体内に収容した構造を有しており、メモリの増設時
にはこのメモリカードをノートブック型パソコンの本体
に実装して使用する。なお、ノートブック型パソコンや
電子手帳の実装技術については、工業調査会発行の「電
子材料(1992年 9月号)」 p37〜p51 などに記載があ
る。
A memory card has a structure in which a printed wiring board on which an LSI package such as DRAM or SRAM is mounted is housed in a thin casing, and this memory card is used as a main body of a notebook type personal computer when a memory is added. Implement and use. Note that the technology for mounting notebook computers and electronic notebooks is described in "Electronic Materials (September 1992)" p37-p51 issued by the Industrial Research Committee.

【0004】上記メモリカードは、通常、プリント配線
基板に実装されたLSIパッケージの静電破壊を防止す
るために、筐体の一部を金属で構成し、プリント配線基
板に設けた接地電位線などの規準電位線(以下、GND
線と称する)の一端(GNDパッド)と筐体とを金属製
のバネ部材などを介して電気的に接続している。
In order to prevent the electrostatic discharge damage of the LSI package mounted on the printed wiring board, the memory card usually has a case in which a part of the housing is made of metal, and a ground potential line or the like provided on the printed wiring board. Reference potential line (hereinafter referred to as GND
One end (referred to as a line) (GND pad) and the housing are electrically connected via a metal spring member or the like.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、前述したメ
モリカードに使用されるプリント配線基板は、信号層、
電源層、GND層を備えた多層配線構造で構成されるの
で製造コストが高く、ひいてはメモリカードが高価なも
のになってしまうという問題があった。
However, the printed wiring board used in the above-mentioned memory card has a signal layer,
Since it has a multilayer wiring structure including a power supply layer and a GND layer, there is a problem that the manufacturing cost is high and the memory card is expensive.

【0006】また、メモリカードに実装されるRAMの
大容量化に伴ってプリント配線基板の配線密度が高くな
り、信号配線とGND配線とが近接して配置されるよう
になると、信号配線にノイズが発生してメモリカードの
動作信頼性が低下するという問題が生じる。
Further, as the capacity of the RAM mounted on the memory card increases, the wiring density of the printed wiring board increases, and when the signal wiring and the GND wiring are arranged close to each other, noise is generated in the signal wiring. Occurs and the operation reliability of the memory card deteriorates.

【0007】本発明の目的は、メモリカードのような薄
型半導体集積回路装置の製造コストを低減することので
きる技術を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a technique capable of reducing the manufacturing cost of a thin semiconductor integrated circuit device such as a memory card.

【0008】本発明の他の目的は、メモリカードのよう
な薄型半導体集積回路装置の動作信頼性を向上させるこ
とのできる技術を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a technique capable of improving the operational reliability of a thin semiconductor integrated circuit device such as a memory card.

【0009】本発明の他の目的は、メモリカードのよう
な薄型半導体集積回路装置の静電破壊防止構造を容易に
実現することのできる技術を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a technique capable of easily realizing an electrostatic breakdown preventing structure for a thin semiconductor integrated circuit device such as a memory card.

【0010】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、以下の
通りである。
The typical ones of the inventions disclosed in the present application will be outlined below.

【0012】本発明の半導体集積回路装置は、LSIパ
ッケージを実装したプリント配線基板を導電性の筐体内
に収容し、プリント配線基板に実装されたLSIパッケ
ージのGNDピンと筐体とを導電部材を介して電気的に
接続したものである。
In the semiconductor integrated circuit device of the present invention, the printed wiring board on which the LSI package is mounted is housed in a conductive casing, and the GND pin of the LSI package mounted on the printed wiring board and the casing are connected via a conductive member. Electrical connection.

【0013】また、本発明の半導体集積回路装置は、L
SIパッケージを実装したプリント配線基板を導電性の
筐体内に収容し、プリント配線基板に実装されたLSI
パッケージのGNDピンと筐体とを直接接続したもので
ある。
Further, the semiconductor integrated circuit device of the present invention is L
An LSI in which a printed wiring board mounted with an SI package is housed in a conductive housing and mounted on the printed wiring board.
The GND pin of the package and the housing are directly connected.

【0014】[0014]

【作用】上記した手段によれば、プリント配線基板を収
容する筐体をGNDプレートとして利用することによ
り、GND線が強化され、プリント配線基板のGND層
が不要となる。
According to the above-mentioned means, the GND line is reinforced by utilizing the housing for accommodating the printed wiring board as the GND plate, and the GND layer of the printed wiring board becomes unnecessary.

【0015】これにより、プリント配線基板の配線層数
を低減し、製造コストを低減することができる。また、
信号配線にノイズが発生するのを防止することができ
る。
As a result, the number of wiring layers of the printed wiring board can be reduced and the manufacturing cost can be reduced. Also,
It is possible to prevent noise from being generated in the signal wiring.

【0016】[0016]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.

【0017】(実施例1)図1は本発明の一実施例であ
るメモリカードの断面図、図2は図1の要部拡大断面図
である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional view of a memory card according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged sectional view of a main part of FIG.

【0018】図1に示すように、本実施例のメモリカー
ド1aは、両面に複数個のLSIパッケージ2を実装し
たプリント配線基板3を有している。このプリント配線
基板3は、ポリイミドなどの合成樹脂基板に信号層およ
び電源層を設けた多層配線構造で構成され、その一端に
設けた接続ピン4を介してコネクタ5に接続されてい
る。
As shown in FIG. 1, the memory card 1a of this embodiment has a printed wiring board 3 having a plurality of LSI packages 2 mounted on both sides. The printed wiring board 3 has a multilayer wiring structure in which a signal layer and a power supply layer are provided on a synthetic resin substrate such as polyimide, and is connected to a connector 5 via a connection pin 4 provided at one end thereof.

【0019】上記LSIパッケージ2は、例えばTSO
P(Thin Small Outline Package)であり、その内部には
DRAM、SRAMなどのメモリLSIを形成した半導
体チップが封止されている。
The LSI package 2 is, for example, TSO.
P (Thin Small Outline Package), in which a semiconductor chip forming a memory LSI such as DRAM or SRAM is sealed.

【0020】上記LSIパッケージ2を実装したプリン
ト配線基板3は、例えばAlの薄板のような金属プレー
ト6とコア7とで構成された筐体の内部に収容されてい
る。金属プレート6は、例えば熱圧着シートを介してコ
ア7に接着されている。
The printed wiring board 3 on which the LSI package 2 is mounted is housed inside a casing composed of a metal plate 6 such as an Al thin plate and a core 7. The metal plate 6 is bonded to the core 7 via, for example, a thermocompression bonding sheet.

【0021】図2に拡大して示すように、本実施例1の
メモリカード1aは、プリント配線基板3に実装された
LSIパッケージ2の外部端子を構成するピン(リー
ド)8のうち、GNDピン8(GND)を金属プレート
6側に折り曲げ、その先端を金属プレート6の裏面に直
接接続した構成になっている。
As shown in the enlarged view of FIG. 2, the memory card 1a according to the first embodiment has the GND pin among the pins (leads) 8 constituting the external terminals of the LSI package 2 mounted on the printed wiring board 3. 8 (GND) is bent to the metal plate 6 side, and the tip thereof is directly connected to the back surface of the metal plate 6.

【0022】このメモリカード1aを組み立てるには、
まず、あらかじめGNDピン8(GND)を逆方向に折
り曲げたLSIパッケージ2をプリント配線基板3に面
実装し、次いでこのプリント配線基板3をコネクタ5に
接続した後、コア7に挿入し、最後に、金属プレート6
をコア7に熱圧着する。このとき、前以ってGNDピン
8(GND)と金属プレート6の裏面とに半田ペースト
を塗っておき、金属プレート6をコア7に熱圧着する際
の温度を半田の溶融温度(200℃前後)に設定してG
NDピン8(GND)を金属プレート6の裏面に半田付
けする。
To assemble this memory card 1a,
First, the LSI package 2 in which the GND pin 8 (GND) is previously bent in the opposite direction is surface-mounted on the printed wiring board 3, then the printed wiring board 3 is connected to the connector 5, and then inserted into the core 7, and finally. , Metal plate 6
Is thermocompression bonded to the core 7. At this time, a solder paste is previously applied to the GND pin 8 (GND) and the back surface of the metal plate 6, and the temperature at which the metal plate 6 is thermocompression bonded to the core 7 is set to the melting temperature of the solder (about 200 ° C.). ) To G
The ND pin 8 (GND) is soldered to the back surface of the metal plate 6.

【0023】このように、本実施例1のメモリカード1
aによれば、LSIパッケージ2のGNDピン8(GN
D)を金属プレート6の裏面に直接接続することによ
り、静電破壊防止構造を容易に実現することができる。
As described above, the memory card 1 of the first embodiment
According to a, the GND pin 8 (GN
By directly connecting D) to the back surface of the metal plate 6, an electrostatic breakdown preventing structure can be easily realized.

【0024】また、筐体の一部である金属プレート6を
GNDプレートとして利用することによりGND線が強
化され、プリント配線基板3のGND層が不要となる。
これにより、プリント配線基板3の配線層数を低減し、
その製造コストを低減することができるので、メモリカ
ード1aを安価に提供することができる。
Further, by using the metal plate 6 which is a part of the housing as a GND plate, the GND line is reinforced, and the GND layer of the printed wiring board 3 becomes unnecessary.
This reduces the number of wiring layers of the printed wiring board 3,
Since the manufacturing cost can be reduced, the memory card 1a can be provided at low cost.

【0025】また、プリント配線基板3の配線層数を低
減することにより、プリント配線基板3を薄型化するこ
とができるので、メモリカード1aの薄型化を促進する
ことができる。
Further, since the printed wiring board 3 can be thinned by reducing the number of wiring layers of the printed wiring board 3, the thinning of the memory card 1a can be promoted.

【0026】さらに、プリント配線基板3のGND層を
省略できることにより、プリント配線基板3の配線密度
を向上させても信号配線にノイズが発生しないので、メ
モリカード1aの高信頼化、高性能化を実現することが
できる。
Further, since the GND layer of the printed wiring board 3 can be omitted, noise is not generated in the signal wiring even if the wiring density of the printed wiring board 3 is improved, so that the memory card 1a can be made highly reliable and high performance. Can be realized.

【0027】(実施例2)図3は本発明の一実施例であ
るメモリカードの断面図、図4は図3の要部拡大断面図
である。
(Embodiment 2) FIG. 3 is a sectional view of a memory card according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is an enlarged sectional view of a main part of FIG.

【0028】図3に示す本実施例2のメモリカード1b
は、図4に拡大して示すように、プリント配線基板3に
実装されたLSIパッケージ2のGNDピン8(GN
D)に金属製のバネ9の一端を半田付けし、このバネ9
の他端を金属プレート6の裏面に接触させることによっ
て、GNDピン8(GND)と金属プレート6を電気的
に接続した構成になっている。
The memory card 1b of the second embodiment shown in FIG.
Is a GND pin 8 (GND pin) of the LSI package 2 mounted on the printed wiring board 3, as shown in FIG.
D) Solder one end of the metal spring 9 to the spring 9
By contacting the other end of the metal plate 6 with the back surface of the metal plate 6, the GND pin 8 (GND) and the metal plate 6 are electrically connected.

【0029】なお、バネ9は図4に示すようなU字状の
ものに限定されず、任意の形状のものを使用することが
できる。
The spring 9 is not limited to the U-shape as shown in FIG. 4, but any shape can be used.

【0030】本実施例2のメモリカード1bによれば、
前記実施例1と同様の効果を得ることができる。
According to the memory card 1b of the second embodiment,
The same effect as that of the first embodiment can be obtained.

【0031】(実施例3)図5は本発明の一実施例であ
るメモリカードの断面図、図6は図5の要部拡大断面図
である。
(Embodiment 3) FIG. 5 is a sectional view of a memory card according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is an enlarged sectional view of an essential part of FIG.

【0032】図5に示す本実施例3のメモリカード1c
は、図4に拡大して示すように、プリント配線基板3に
実装されたLSIパッケージ2のGNDピン8(GN
D)に導電性のゴム状弾性体10を接着し、このゴム状
弾性体10を介してGNDピン8(GND)と金属プレ
ート6を電気的に接続した構成になっている。
A memory card 1c of the third embodiment shown in FIG.
Is a GND pin 8 (GND pin) of the LSI package 2 mounted on the printed wiring board 3, as shown in FIG.
A conductive rubber-like elastic body 10 is adhered to D), and the GND pin 8 (GND) and the metal plate 6 are electrically connected via the rubber-like elastic body 10.

【0033】なお、ゴム状弾性体10は図4に示すよう
な楕円状のものに限定されず、種々の形状のものを使用
することができる。
The rubber-like elastic body 10 is not limited to the elliptical shape as shown in FIG. 4, and various shapes can be used.

【0034】本実施例3のメモリカード1cによれば、
前記実施例1、2と同様の効果を得ることができる。
According to the memory card 1c of the third embodiment,
The same effects as those of the first and second embodiments can be obtained.

【0035】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

【0036】LSIパッケージのGNDピンと金属プレ
ートを電気的に接続する手段は、バネ(実施例2)やゴ
ム状弾性体(実施例3)に限定されるものではなく、フ
レキシブル配線など各種の導電部材が利用可能である。
The means for electrically connecting the GND pin of the LSI package to the metal plate is not limited to the spring (Example 2) or the rubber-like elastic body (Example 3), but various conductive members such as flexible wiring. Is available.

【0037】また、本発明は、メモリカードに限定され
るものではなく、LSIパッケージを実装したプリント
配線基板を薄型の筐体内に収容した各種半導体集積回路
装置に広く適用することができる。
The present invention is not limited to a memory card, but can be widely applied to various semiconductor integrated circuit devices in which a printed wiring board on which an LSI package is mounted is housed in a thin casing.

【0038】[0038]

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in this application will be briefly described as follows.
It is as follows.

【0039】本発明によれば、薄型半導体集積回路装置
の静電破壊防止構造を容易に実現することができる。
According to the present invention, it is possible to easily realize an electrostatic breakdown preventing structure for a thin semiconductor integrated circuit device.

【0040】本発明によれば、薄型半導体集積回路装置
のGND線を強化することができる。
According to the present invention, the GND line of the thin semiconductor integrated circuit device can be strengthened.

【0041】本発明によれば、薄型半導体集積回路装置
を安価に提供することができる。
According to the present invention, a thin semiconductor integrated circuit device can be provided at low cost.

【0042】本発明によれば、薄型半導体集積回路装置
の薄型化を促進することができる。
According to the present invention, thinning of a thin semiconductor integrated circuit device can be promoted.

【0043】本発明によれば、薄型半導体集積回路装置
の高信頼化、高性能化を実現することができる。
According to the present invention, high reliability and high performance of a thin semiconductor integrated circuit device can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例であるメモリカードの断面図
である。
FIG. 1 is a sectional view of a memory card according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示すメモリカードの要部拡大断面図であ
る。
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the memory card shown in FIG.

【図3】本発明の他の実施例であるメモリカードの断面
図である。
FIG. 3 is a sectional view of a memory card according to another embodiment of the present invention.

【図4】図3に示すメモリカードの要部拡大断面図であ
る。
FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the memory card shown in FIG.

【図5】本発明の他の実施例であるメモリカードの断面
図である。
FIG. 5 is a sectional view of a memory card according to another embodiment of the present invention.

【図6】図5に示すメモリカードの要部拡大断面図であ
る。
6 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the memory card shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a〜1c メモリカード 2 LSIパッケージ 3 プリント配線基板 4 接続ピン 5 コネクタ 6 金属プレート 7 コア 8 ピン(リード) 8(GND) GNDピン 9 バネ 10 ゴム状弾性体 1a to 1c Memory card 2 LSI package 3 Printed wiring board 4 Connection pin 5 Connector 6 Metal plate 7 Core 8 Pin (lead) 8 (GND) GND pin 9 Spring 10 Rubber-like elastic body

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 25/10 25/11 25/18 Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 25/10 25/11 25/18

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 LSIパッケージを実装したプリント配
線基板を薄型の筐体内に収容した半導体集積回路装置で
あって、前記筐体の少なくとも一部を導電性の材料で構
成し、前記プリント配線基板に実装されたLSIパッケ
ージのGNDピンと前記筐体とを導電部材を介して電気
的に接続したことを特徴とする半導体集積回路装置。
1. A semiconductor integrated circuit device in which a printed wiring board on which an LSI package is mounted is housed in a thin housing, wherein at least a part of the housing is made of a conductive material, and the printed wiring board is mounted on the printed wiring board. A semiconductor integrated circuit device characterized in that a GND pin of a mounted LSI package and the case are electrically connected via a conductive member.
【請求項2】 前記導電部材は、ゴム状弾性体からなる
ことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the conductive member is made of a rubber-like elastic body.
【請求項3】 前記導電部材は、バネからなることを特
徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
3. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the conductive member is a spring.
【請求項4】 LSIパッケージを実装したプリント配
線基板を薄型の筐体内に収容した半導体集積回路装置で
あって、前記筐体の少なくとも一部を導電性の材料で構
成し、前記プリント配線基板に実装されたLSIパッケ
ージのGNDピンを前記筐体に直接接続したことを特徴
とする半導体集積回路装置。
4. A semiconductor integrated circuit device in which a printed wiring board on which an LSI package is mounted is housed in a thin housing, wherein at least a part of the housing is made of a conductive material, and the printed wiring board is mounted on the printed wiring board. A semiconductor integrated circuit device characterized in that a GND pin of a mounted LSI package is directly connected to the casing.
【請求項5】 メモリカードであることを特徴とする請
求項1、2、3または4記載の半導体集積回路装置。
5. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, which is a memory card.
JP6076777A 1994-04-15 1994-04-15 Semiconductor integrated circuit device Pending JPH07282218A (en)

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JP (1) JPH07282218A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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