JP4046218B2 - Electronic equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子装置に関し、特に、テープ・キャリア・パッケージ(TCP:Tape Carrier Package)型半導体装置を組み込んだ電子装置に適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置として、TCP型と呼称される半導体装置が知られている。このTCP型半導体装置は、可撓性フィルムの表面に貼り付けられた金属箔にエッチング加工を施してリードを形成したテープキャリアを用いて製造されるので、金属板にプレス加工又はエッチング加工を施してリードを形成したリードフレームを用いて製造される半導体装置と比較して薄型化及び多ピン化を図ることができる。
【0003】
前記TCP型半導体装置は、主に、回路形成面(主面)に電極が形成された半導体チップと、半導体チップの電極に電気的に接続されるリードと、リードが固定された可撓性の絶縁性フィルムと、半導体チップの回路形成面を覆う樹脂とを有する構成になっている。リードの一端側はバンプを介して半導体チップの電極に接続され、リードの他端側は半導体チップの外側に引き出されている。リードの一端側と半導体チップの電極との接続は熱圧着にて行なわれている。バンプは、リードの一端側と半導体チップの電極とを接続するための接合材として用いられ、リードの一端側と半導体チップの電極とを接続する前の段階において、半導体チップの電極又はリードの一端側の接続部に予め形成されている。
【0004】
一方、半導体メモリは、大型コンピュータ、パーソナルコンピュータ、携帯機器など様々な情報機器に使用されており、必要とされる容量は年々増加している。大容量化に伴って半導体メモリの実装面積は増大し、機器の小型化を阻害する要因となっている。
【0005】
そこで、大容量化に好適な電子装置として、例えばDRAM(Dynamic Random Access Memory)が内蔵されたTCP型半導体装置を二段重ねで実装基板に実装した半導体モジュールが知られている。この半導体モジュールは、薄型化に好適なTCP型半導体装置を二段重ねで実装しているので、半導体チップ全体を樹脂封止体で封止するパッケージ構造の半導体装置、例えばTSOP(Thin Small Outline Package)型半導体装置を実装した半導体モジュールとほぼ同じ厚さで実質的に二倍の記憶容量を実現することができる。
【0006】
前記半導体モジュールは、実装基板の互いに反対側に位置する主面及び裏面(表裏面)に並列に二段重ねでTCP型半導体装置を複数個実装し、これらのTCP型半導体装置を例えば金属製のキャップ部材で覆った構成になっている。TCP型半導体装置としては下段用と上段用の二種類があり、何れも半導体チップの回路形成面が実装基板と向かい合う状態で実装されている。
【0007】
下段用及び上段用TCP型半導体装置のリードは、絶縁性フィルムに固定されたインナーリード部と、このインナーリード部と一体に形成され、かつ絶縁性フィルムから外部に突出するアウターリード部とを有し、アウターリード部は面実装型の一つであるガルウィング型に成形されている。ガルウィング型に成形されたアウターリード部は、絶縁性フィルムから外部に突出する第1の部分と、この第1の部分から半導体チップの厚さ方向に折れ曲がる第2の部分と、この第2の部分から第1の部分と同一方向に延びる第3の部分とを有する構成となり、第3の部分はTCP型半導体装置を実装基板に半田(はんだ)付け実装する時の接続用端子部として用いられる。下段用TCP型半導体装置のアウターリード部は、絶縁性フィルムから外部に突出する平面方向の突出長さ(投影長さ)、及び形状に沿う延べ長さ(延在長さ)が上段用TCP型半導体装置のアウターリード部よりも短くなっている。
【0008】
なお、TCP型半導体装置については、例えば、日経BP社発行の「VLSIパッケージング技術(下)」、1993年5月31日発行、第71頁乃至第103頁に記載されている。
また、二段重ねで複数のTCP型半導体装置を組み込んだ半導体モジュールについては、例えば、特開平11−40745号公報に記載されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
前述の半導体モジュールにおいて、TCP型半導体装置は、リードのアウターリード部と実装基板の接続部とを半田付けすることで実装される。TCP型半導体装置の半導体チップ(半導体素子)は動作時に発熱して温度上昇するが、半導体チップと実装基板の線膨張係数には差があるため、動作時にTCP型半導体装置のアウターリード部と実装基板の接続部とを接続する半田に大きな歪みが生じて半田接続部が破断し、接続不良に至ることが考えられる。そこで、従来は半導体チップと実装基板の線膨張係数差をアウターリード部の変形で吸収する事で、半田の歪みを低減して半田接続部の寿命を確保してきた。
【0010】
しかしながら、半導体メモリの大容量化によって半導体チップの平面サイズは大きくなっていることや高密度な実装を行うために、TCP型半導体装置のアウターリード部の突出長さは短くなっている。更に、TCP型半導体装置を積層実装する場合、下段用TCP型半導体装置は上段用TCP型半導体装置を実装した下の空間部(上段用TCP型半導体装置と実装基板との間の空間部)に実装する必要があるため、アウターリード部の突出長さは一層短くなる。一方、実装基板の接続部の長さ(アウターリード部の突出方向に沿う長さ)は、実装後のTCP型半導体装置に外力が加わった場合の接続不良等を防止するため1mm程度の長さを必要としてきた。これらのことからTCP型半導体装置のアウターリード部の突出長さと、実装基板の接続部の長さとの差は、年々縮まっていた。そして、半導体メモリの更なる大容量化と高密度実装化を目指すとき、アウターリード部の突出長さは実装基板の接続部の長さよりも短くする必要が生じた。しかしながら、アウターリード部の突出長さが実装基板の接続部の長さよりも短くなった場合、半田接続部の剛性が高くなり熱変形を吸収する効果が弱まる。これによって、TCP型半導体装置のアウターリード部と実装基板の接続部との半田に生じる歪みが大きくなり、半田寿命が低下して接続不良を起こすことが考えられる。
従って、このような大容量で高密度実装の半導体モジュール(電子装置)においては半田寿命を確保することが課題となる。
【0011】
本発明の目的は、電子装置の半田接続部の寿命を確保することが可能な技術を提供することにある。
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
前記目的は、半導体チップ(半導体素子)の下部への半田濡れ上がりを防止することで達成される。半田濡れ上がりを防ぐためには、TCP型半導体装置のベース部材である絶縁性フィルムと基板の接続部とが重ならないように絶縁性フィルムの外側に基板の接続部を設けること、又は、半導体チップと向かい合うリードの部分を封止樹脂で覆う、又は、半導体チップの下部のリードに樹脂を塗布するといった手段がある。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【0014】
(実施形態1)
本実施形態1では、TCP型半導体装置を組み込んだ半導体モジュールに本発明を適用した例について説明する。なお、TCP型半導体装置の製造技術は、その組立手段からTAB(Tape Automated Bonding)技術とも呼称されている。
【0015】
図1は、本発明の実施形態1である半導体モジュールの一部を切り欠いた状態の模式的平面図であり、
図2は、実施形態1の半導体モジュールの一部を示す要部模式的断面図であり、
図3は、図2の一部を拡大した要部模式的断面図であり、
図4は、図3の一部を拡大した要部模式的断面図であり、
図5は、図4の一部を拡大した要部模式的断面図であり、
図6は、実施形態1の半導体モジュールに使用された実装基板の一部を示す要部模式的平面図であり、
図7は、実施形態1の半導体モジュールに組み込まれた下段用TCP型半導体装置の概略構成を示す模式的平面図であり、
図8は、実施形態1の半導体モジュールに組み込まれた下段用TCP型半導体装置の概略構成を示す模式的断面図である。
【0016】
図1及び図2に示すように、本実施形態1の半導体モジュール(電子装置)1は、実装基板10の互いに反対側に位置する主面及び裏面のうちの主面側に、並列に二段重ねでTCP型半導体装置2を複数個実装した片面実装構造になっており、これらのTCP型半導体装置2は実装基板10に固定された金属性のキャップ部材17で覆われている。TCP型半導体装置2としては下段用(2a)と上段用(2b)の二種類が使用されている。下段用TCP型半導体装置2a及び上段用TCP型半導体装置2bは、基本的に同一の構成になっており、後で説明するアウターリード部7bの寸法が異なっている。
【0017】
TCP型半導体装置2(2a,2b)は、図7及び図8に示すように、半導体チップ3、ベース部材である可撓性の絶縁性フィルム6、複数のリード7からなる第1及び第2のリード群、封止樹脂8等を有する構成になっている。
【0018】
半導体チップ3は、その厚さ方向と交差する平面形状が方形状で形成され、本実施形態では例えば縦幅3L×横幅3W=15.03mm×8.81mmの長方形で形成されている。また、半導体チップ3は、TCP型半導体装置2の薄型化を図るため、例えば0.28mm程度の薄い厚さで形成されている。ここで、縦幅とは第1の方向に沿う長さを意味し、横幅とは第1の方向と直行する第2の方向に沿う長さを意味する。
【0019】
半導体チップ3は、これに限定されないが、主に、半導体基板と、この半導体基板の主面に形成された複数のトランジスタ素子と、前記半導体基板の主面上において絶縁層、配線層の夫々を複数段積み重ねた多層配線層と、この多層配線層を覆うようにして形成された表面保護膜(最終保護膜)とを有する構成になっている。半導体基板は、例えば単結晶シリコンで形成されている。絶縁層は、例えば酸化シリコン膜で形成されている。配線層は、例えばアルミニウム(Al)、又はアルミニウム合金、又は銅(Cu)、又は銅合金等の金属膜で形成されている。表面保護膜は、例えば、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜等の無機絶縁膜及び有機絶縁膜を積み重ねた多層膜で形成されている。
【0020】
半導体チップ3には、集積回路として例えば256メガビットのDDRSDRM(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)回路が内蔵されている。この集積回路は、主に、半導体基板の主面に形成されたトランジスタ素子及び多層配線層に形成された配線によって構成されている。
【0021】
半導体チップ3の互いに反対側に位置する回路形成面(主面)3x及び裏面のうちの回路形成面3xには、複数の電極パッド(ボンディングパッド)4が設けられている。複数の電極パッド4は、半導体チップ3の多層配線層のうちの最上層の配線層に形成され、半導体チップ3の表面保護膜に形成されたボンディング開口部によって露出されている。複数の電極パッド4は、半導体チップ3の回路形成面3xの長手方向(長辺方向)の中心線に沿って配置されている。
【0022】
絶縁性フィルム6は、その厚さ方向と交差する平面形状が方形状で形成され、本実施形態では例えば縦幅6L×横幅6W=16.46×9.21の長方形で形成されている。即ち、絶縁性フィルム6は、半導体チップ3よりも若干大きい平面サイズになっている。
【0023】
第1及び第2のリード群のリード7は、絶縁性フィルム6の互いに反対側に位置する主面及び裏面のうちの主面に接着材を介在して接着固定されている。第1のリード群のリード7は、絶縁性フィルム6の互いに反対側に位置する二つの辺(本実施形態では長辺:6a,6b)のうちの一方の辺6aに沿って配置され、第2のリード群のリード7は、絶縁性フィルム6の他方の辺6bに沿って配置されている。
【0024】
第1のリード群のリード7は、絶縁性フィルム6の一方の辺6aを横切るようにして絶縁性フィルム6の内外に亘って延在し、第2のリード群のリード7は、絶縁性フィルム6の他方の辺6bを横切るようにして絶縁性フィルム6の内外に亘って延在している。第1のリード群のリード7は、絶縁性フィルム6の主面に接着固定されたインナーリード部6aと、このインナーリード部6aと一体に形成され、かつ絶縁性フィルム6の一方の辺6a側から外部に突出するアウターリード部6bとを有する構成になっている。第2のリード群のリード7は、絶縁性フィルム6の主面に接着固定されたインナーリード部6aと、このインナーリード部6aと一体に形成され、かつ絶縁性フィルム6の他方の辺6b側から外部に突出するアウターリード部6bとを有する構成になっている。即ち、本実施形態のTCP型半導体装置2は、ベース部材の互いに反対側に位置する二つの辺側に夫々リード群を配置した二辺リード配列構造になっている。
【0025】
半導体チップ3は、その回路形成面3xが絶縁性フィルム6の裏面と向かい合う状態で絶縁性フィルム6に接着固定されている。第1及び第2のリード群のリード7は、インナーリード部7aの先端部分が半導体チップ3の電極パッド4にバンプ(突起状電極)5を介在して電気的にかつ機械的に接続されている。バンプ5としては、例えばAuからなるスタッドバンプが用いられている。各リード7のインナーリード部7aの先端部分と各電極パッド4との接続は、熱圧着法にて行われている。なお、絶縁性フィルム6には、半導体チップ3の電極パッド4とリード7とを接続するためのボンディング開口部や、しわの発生を抑制するための開口部等が形成されている。
【0026】
半導体チップ3の電極パッド4とリード7との接続部は、封止樹脂8によって封止されている。封止樹脂8は、例えばエポキシ系樹脂に有機溶剤が添加された熱硬化性樹脂を半導体チップ3の回路形成面3xに塗布し、その後、熱処理を施して硬化させることによって形成される。
【0027】
絶縁性フィルム6の横幅6Wを半導体チップ3の横幅3Wよりも大きくし、封止樹脂8を半導体チップ3の側面及び絶縁性フィルム6の主面上に配置することで、半導体チップ3と絶縁性フィルム6との剥離を防止している。
【0028】
第1及び第2のリード群において、各々のリード7のアウターリード部7bは、面実装型リード形態の一つであるガルウィング型に折り曲げ成形されている。ガルウィング型のアウターリード部7bは、図4に示すように、絶縁性フィルム6から外部に突出する第1の部分7b1と、この第1の部分7b1から半導体チップ3(絶縁性フィルム6)の厚さ方向に折れ曲がる第2の部分7b2と、この第2の部分7b2から第1の部分7b1と同一方向に折れ曲がる第3の部分7b3とを有する構成となり、主に第3の部分7b3はTCP型半導体装置2を実装基板10に半田付け実装する時の接続用端子部として用いられる。
【0029】
TCP型半導体装置2は、テープキャリアを用いるTAB技術によって製造される。テープキャリアは、主に、一定幅で長尺状の可撓性フィルムの主面に複数のリード7からなる単位リードパターンがその長手方向に繰り返し形成された構成になっている。複数のリード7は、可撓性フィルムの主面に接着材を介して貼り付けられた金属箔をエッチングすることによって形成される。可撓性フィルムとしては、例えば75μm程度の厚さのポリイミド系樹脂からなる可撓性フィルムが用いられている。金属箔としては、例えば35μm程度の厚さの銅箔が用いられている。
【0030】
TCP型半導体装置2は、テープキャリアの単位リードパターン毎に半導体チップ3の電極パッド4とリード7のインナーリード部7aとを熱圧着にて接続し、その後、テープキャリアの単位リードパターン毎に半導体チップ3の回路形成面3xに液状の封止樹脂8を塗布し、その後、熱処理を施して封止樹脂8を硬化させることによって製造される。TCP型半導体装置2は、これに限定されないが、例えばテープキャリアに形成された状態で半導体モジュール1の組立工程に搬送される。半導体モジュール1の組立工程では、アウターリード部7bの切断及び折り曲げ成形を行う切断成型工程、テープキャリアからTCP型半導体装置2を切り取る切り取り工程等を施して単品のTCP型半導体装置2を形成した後、このTCP型半導体装置2を実装基板10に半田付け実装する。TCP型半導体装置2の絶縁性フィルム6は、テープキャリアの一部からなり、テープキャリアから切り取ることによって形成される。
【0031】
ここで、図4に示すように、下段用TCP型半導体装置2aのアウターリード部7bは、絶縁性フィルム6から外部に突出する平面方向の突出長さ(投影長さ)L4が上段用TCP型半導体装置2bのアウターリード部7bよりも短くなっている。また、下段用TCP型半導体装置2のアウターリード部7bは、第1の部分7b1と第3の部分7b3とのオフセット量(リード高さ)が上段用TCP型半導体装置2bのアウターリード部7bよりも小さくなっている。この下段用及び上段用は、アウターリード部7bの切断成形工程において、アウターリード部7bの切断位置及び折り曲げ位置を変えることによって形成される。即ち、下段用及び上段用TCP型半導体装置(2a,2b)は、アウターリード部7bを除いて共通の構造になっている。このように、アウターリード部7b以外の構造を共通とすることで、半導体モジュール1の低コスト化を図ることができる。
【0032】
図2及び図3に示すように、下段用及び上段用TCP型半導体装置(2a,2b)は、これらの半導体チップ3の回路形成面3xが実装基板10の主面と向かい合う状態で実装基板10の主面に実装されている。また、上段用TCP型半導体装置2bは、下段用TCP型半導体装置2a上に積層された状態で実装基板10の主面に実装されている。本実施形態では、高密度な実装を目的として、実装基板10に、下段用TCP型半導体装置2aと上段用TCP型半導体装置2bが上下に二段積層して実装されている。
【0033】
実装基板10は、詳細に図示していないが、図2及び図3に示すように、コア材10aと、このコア材10aの互いに反対側に位置する主面及び裏面のうちの主面を覆うようにして形成された絶縁膜12と、このコア材10aの裏面を覆うようにして形成された絶縁膜(図示せず)とを有する構成になっている。コア材10aは、例えば、その主面、裏面及び内部に配線を有する多層配線構造になっている。コア材10aの各絶縁層は、例えばガラス繊維にエポキシ系若しくはポリイミド系の樹脂を含浸させた高弾性樹脂基板で形成されている。コア材10aの各配線層は、例えばCuを主成分とする金属膜で形成されている。コア材10aの主面上の絶縁膜12は、主にコア材10aの最上層の配線層に形成された配線11を保護する目的で形成され、コア材10aの裏面上の絶縁膜は、主にコア材10aの最下層の配線層に形成された配線(図示せず)を保護する目的で形成されている。コア材10aの主面上の絶縁膜12及び裏面上の絶縁膜は、例えば、二液性アルカリ現像液型ソルダーレジストインキ、若しくは熱硬化型一液性ソルダーレジストインキで形成されている。
【0034】
実装基板10の主面には、下段用TCP型半導体装置2aの複数のアウターリード部7bの夫々の先端部分(第3の部分)に対応して配置された複数の接続部11a、並びに、上段用TCP型半導体装置2bの複数のアウターリード部7bの夫々の先端部分(第3の部分)に対応して配置された複数の接続部11bが設けられている。この複数の接続部11a及び11bは、コア材10aの最上層の配線層に形成された複数の配線11の夫々の一部で構成されている。即ち、実装基板10の主面には、接続部11aを含む複数の配線11及び接続部11bを含む複数の配線11が延在している。
【0035】
絶縁膜12には、接続部11aの平面方向の大きさを規定する開口部13a、並びに接続部11bの平面方向の大きさを規定する開口部13bが形成されており、接続部11a及び11bの表面は、各々の開口部(13a,13b)によって露出されている。
【0036】
下段用TCP型半導体装置2aにおいて、絶縁性フィルム6の一方の辺6a側から外部に突出する複数のアウターリード部7bは、このアウターリード部7bに対応して実装基板10の主面に設けられた複数の接続部11aに半田15によって夫々電気的にかつ機械的に接続されている。絶縁性フィルム6の他方の辺6b側から外部に突出する複数のアウターリード部7bは、このアウターリード部7bに対応して実装基板10の主面に設けられた複数の接続部11aに半田15によって夫々電気的にかつ機械的に接続されている。
【0037】
上段用TCP型半導体装置2bにおいて、絶縁性フィルム6の一方の辺6a側から外部に突出する複数のアウターリード部7bは、このアウターリード部7bに対応して実装基板10の主面に設けられた複数の接続部11bに半田15によって夫々電気的にかつ機械的に接続されている。絶縁性フィルム6の他方の辺6b側から外部に突出する複数のアウターリード部7bは、このアウターリード部7bに対応して実装基板10の主面に設けられた複数の接続部11bに半田15によって夫々電気的にかつ機械的に接続されている。
【0038】
図5に示すように、下段用TCP型半導体装置2aの絶縁性フィルム6から外部に突出するアウターリード部7bの突出長さ(投影長さ)L4は、アウターリード部7bの突出方向に沿う接続部11a(開口部13a)の長さL2よりも短くなっている。また、図3乃至図6に示すように、下段用TCP型半導体装置2aの絶縁性フィルム6の一方の辺6a側から外部に突出するアウターリード部7bが接続された接続部11aと、下段用TCP型半導体装置2aの絶縁性フィルム6の他方の辺6b側から外部に突出するアウターリード部7bが接続された接続部11aとの間の距離(間隔)、換言すれば、絶縁性フィルム6の一方の辺6a側に位置する接続部11a(開口部13a)の内側の端部から絶縁性フィルム6の他方の辺6b側に位置する接続部11a(開口部13a)の内側の端部までの長さL1は、下段用TCP型半導体装置2aの絶縁性フィルム6の横幅6W(アウターリード部7bの突出方向に沿う長さ)よりも長くなっており、絶縁性フィルム6の一方の辺6a側に位置する接続部11a及び絶縁性フィルムの他方の辺6b側に位置する接続部11aは、絶縁性フィルム6と重ならないように絶縁性フィルム6よりも外側に配置されている。本実施形態では、下段用TCP型半導体装置2aのアウターリード部7bの突出長さL4は例えば0.85mm程度、接続部11aの長さL2は例えば0.9mm程度、絶縁性フィルム6の一方の辺6a側に位置する接続部11aと絶縁性フィルム6の他方の辺6b側に位置する接続部11aとの間の距離L1は例えば9.31mm程度、絶縁性フィルム6の横幅6Wは例えば9.21mm程度になっている。
【0039】
下段用及び上段用TCP型半導体装置(2a,2b)の実装においては、はじめに実装基板10の接続部11a及び11bにペースト状の半田を塗布する。次に、下段用TCP型半導体装置2aのアウターリード部7bの第3の部分7b3が実装基板10の接続部11a上に位置するように位置決めして実装基板10に下段用TCP型半導体装置2aを仮置きする。次に、上段用TCP型半導体装置2bのアウターリード部7bの第3の部分7b3が実装基板10の接続部11b上に位置するように位置決めして実装基板10に下段用TCP型半導体装置2bを仮置きする。下段用及び上段用TCP型半導体装置の仮置きが終了した後、リフロー炉を通過させることで半田接続を行う。このような手順で実装を行うことで、一回のリフロー工程で上下二段のTCP型半導体装置を実装できるため、半導体モジュール1の製造コストを削減できる。また、リフロー工程が一回で済むため、半田の溶解時間を短くすることができ、金属間化合物の成長等による接続不良を防止することができる。
【0040】
ところで、半導体チップ(半導体素子)3と実装基板10の線膨張係数には10ppm/℃以上の差がある。従って、TCP型半導体装置2を実装基板10に実装した状態で、環境温度の変化や動作時の発熱などが生じた場合、TCP型半導体装置2のアウターリード部7bと実装基板の接続部(11a,11b)との半田接続部に熱応力が発生する。アウターリード部7bには、これらの熱応力を自らの変形によって緩和し、半田接続部の半田に生じる歪みを低下させる働きがある。ここで、半田の低サイクル寿命は、塑性歪み範囲の値に支配されることが知られている。従って、アウターリード部7bによって半田の歪みを低下させることは、半田接続部の寿命向上に有効であった。
【0041】
しかしながら、本実施形態のように、実装基板10に上下二段積みでTCP型半導体装置2を実装する場合においては、下段用TCP型半導体装置2aのアウターリード部7bの延在長さ(リードの成形形状に沿う延べ長さ)を上段用TCP型半導体装置2bのアウターリード部7bの延在長さよりも短くする必要がある。本実施形態では、下段用TCP型半導体装置2aのアウターリード部7bの延在長さは0.9mmとしている。
【0042】
従って、上段用TCP型半導体装置2bと比較して下段用TCP型半導体装置2aのアウターリード部7bは短く、相対的に熱応力を緩和する効果は小さい。また、半田15はリフロー時にアウターリード部7bを伝わって半導体チップ3の方向へ濡れ上がる。実装基板10の接続部11a間の長さL1が絶縁性フィルム6の横幅6Wよりも小さい場合、半田15の濡れ上がりによって半田15が半導体チップ3の下側に配置されることが考えられる。この場合、半田接続部の剛性が高まり、半導体チップ3と実装基板10の線膨張係数差の影響が直接半田15に伝わるため、半田15には大きな歪みが生じて、半田15の寿命が低下する。
【0043】
そこで、本実施形態では、下段用TCP型半導体装置2aの絶縁性フィルム6の一方の辺6a側に位置する接続部11aと、下段用TCP型半導体装置2aの絶縁性フィルム6の他方の辺6b側に位置する接続部11aとの間の距離L1を下段用TCP型半導体装置2aの絶縁性フィルム6の横幅6Wよりも大きくすること、換言すれば、絶縁性フィルム6の一方の辺6a側に位置する接続部11a及び絶縁性フィルムの他方の辺6b側に位置する接続部11aを絶縁性フィルム6よりも外側に配置して絶縁性フィルム6と重ならないようにすることで、半田15が濡れ上がった場合でも半田15が半導体チップ3の下側に配置されないようにした。この結果、半田接続部の剛性は低下して、半田15に生じる歪みが低下するので、半田接続部の寿命を確保できる。
【0044】
図9は、下段用TCP型半導体装置2aを実装基板10に実装した状態で温度を低下させた場合の、有限要素解析による変形図である。同図は実装状態の側面図を示し、形状の対称性を考えて半分の形状について示したものである。また、変形量は拡大して示している。実装基板10の方が半導体チップ3より線膨張係数が大きいため、温度が低下した場合には実装基板10の方が半導体チップ3よりも収縮量が多い。収縮量の差によって、半導体チップ3は、その裏面が凸面となる方向に曲げ変形している。
【0045】
図10は、半導体チップ3の下に半田15が無い場合の半田15の塑性歪み分布を示す図であり、図11は、半導体チップ3の下に半田15が有る場合の半田15の塑性歪み分布を示す図である。図10は、本実施形態のように半導体チップ3の下側に半田15が配置されないようにした場合を示し、図11は、接続部11a間の距離L1を図10の場合よりも100μm程度小さくし、半導体チップ3の下側に半田15が濡れ上がるようにした場合を示している。
【0046】
図10では、図に示す半田15のA点とB点に歪みの大きい領域があり、B点付近は下に凸の変形をしている。これは、A点付近には主に半導体チップ3と実装基板10の線膨張係数差によって生じるせん断力に起因する歪みが生じ、B点付近は半導体チップ3の曲げ変形に起因する歪みが生じているからである。このように、せん断力に起因する歪みと曲げ変形に起因する歪みの集中する位置をずらして歪みを分散させることで、歪みの最大値は低下して、半田寿命を確保することができる。
【0047】
一方、図11のように、接続部11a間の距離L1が100μm小さく、半田15が半導体チップ3の下まで濡れ上がっている場合、半田15の歪みがA点に集中している。図10の場合と比較して歪みの最大値は2倍となっており、図10の場合と比較して半田寿命は短い。これらのことから、半田15が半導体チップ3の下側に濡れ上がることを防止することが、半田寿命の向上に有効であることが分かる。
【0048】
(実施形態2)
図12は、本発明の実施形態2である半導体モジュールの一部を示す模式的断面図である。
図12に示すように、下段用TCP型半導体装置2aのアウターリード部7bが半田15によって接続された接続部11aの長さL2は、上段用TCP型半導体装置2bのアウターリード部7bが半田15によって接続された接続部11bの長さ(アウターリード部7bの突出方向に沿う長さ)L3よりも短くなっている。
【0049】
本実施形態のように上下二段の積層実装を行った場合、上段用TCP型半導体装置2bには搬送時や組み立て時などに外部から荷重が加わることがある。それらの荷重による半田接合部の破壊を防止するため、上段用TCP型半導体装置2bのアウターリード部7bの第3の部分7b3の長さ及び実装基板10の接続部11bの長さL3を大きくし、半田接続部の剛性を上げている。この時、上段用TCP型半導体装置2bのアウターリード部7bは下段用TCP型半導体装置2aと比較して長く、アウターリード部7bの変形によって熱変形を吸収できるので、半田接続部の剛性を高めても半田寿命は確保できる。
【0050】
一方、上段用TCP型半導体装置2bを実装した後の下段用TCP型半導体装置2aは、上段用TCP型半導体装置2bで覆われるため、外部から加重が加わることは無い。このため、下段用TCP型半導体装置2aのアウターリード部7bが接続される接続部11aの長さL2は、上段用TCP型半導体装置2bのアウターリード部7bが接続される接続部11bの長さL3よりも小さくすることができる。また、実施形態1で示したように、下段用TCP型半導体装置2aの半田接合部は剛性を小さくした方が半田寿命の確保に適している。これらのことから、本実施形態では、下段用TCP型半導体装置2aのアウターリード部7bが接続される実装基板10の接続部11aの長さL2を上段用TCP型半導体装置2bのアウターリード部7bが接続される実装基板10の接続部11bの長さL3よりも小さくしている。このように、実装基板10において、接続部11aの長さL2を接続部11bの長さL3よりも小さくすることで、接続部11a及び接続部11bの長さ(L2,L3)を同じとした場合よりも高密度の実装が可能になる。
【0051】
(実施形態3)
図13は、本発明の実施形態3である半導体モジュールの一部を示す要部模式的断面図である。
図13に示すように、リード7のインナーリード部7aは、半導体チップ3と向かい合う部分が封止樹脂8で覆われている。封止樹脂8で覆われたリード部分には、リフロー時に半田15が濡れ上がることは無い。従って、半導体チップ3の下部まで半田15が濡れ上がることを防止でき、半田寿命を確保できる。この時、リード7を覆うための樹脂として半導体チップ3の電極パッド4とリード7との接続部を封止する樹脂と同じ樹脂を用いることで、半導体モジュール1の製造工程を増加させることなく実施できる。
なお、絶縁性フィルム6と向かい合うインナーリード部7aの全体を封止樹脂8で覆っても良い。
【0052】
(実施形態4)
図14は、本発明の実施形態4である半導体モジュールの一部を示す要部模式的断面図である。
図14に示すように、リード7のインナーリード部7aは、半導体チップ3と向かい合う部分が封止樹脂8及びこの封止樹脂8と異なる樹脂16で覆われている。このようにインナーリード部7aの半導体チップ3と向かい合う部分を封止樹脂8及び樹脂16で覆うことにより、半導体チップ3の下部に半田15が塗れ上がることを防ぎ、半田寿命を確保できる。
【0053】
(実施形態5)
図15は、本発明の実施形態4である半導体モジュールの一部を示す要部模式的断面図である。
前述の実施形態1〜4では、TCP型半導体装置を組み込んだ半導体モジュールに本発明を適用した例について説明したが、本実施形態5ではTCP型半導体装置の代わりにTSOP(Thin Small Outline Package)型半導体装置を組み込んだ半導体モジュールに本発明を適用した例である。
【0054】
図15に示すように、本実施形態5の半導体モジュール(電子装置)20は、実装基板10の主面側にTSOP型半導体装置21を実装した構成になっている。TSOP型半導体装置21は、半導体チップ22、複数のリード24、ダイパッド25、複数のボンディングワイヤ26、ベース部材である樹脂封止体27等を有する構成になっている。
【0055】
半導体チップ22の回路形成面には複数の電極パッド(ボンディングパッド)23が設けられており、この複数の電極パッド23には、複数のボンディングワイヤ26を介して複数のリード24が夫々電気的に接続されている。半導体チップ22は、その裏面がダイパッド25と向かい合う状態でダイパッド25に接着固定されている。複数のリード24は、インナーリード部24aと、このインナーリード部24aと連なるアウターリード部24bとを有する構成になっており、アウターリード部24bは、前述のTCP型半導体装置と同様に、ガルウィング型に折り曲げ成形されている。
【0056】
半導体チップ22、複数のリード24の夫々のインナーリード部24a、ダイパッド25、複数のボンディングワイヤ等は、樹脂封止体27によって封止されており、半導体チップ22及び複数のリード24はベース部材である樹脂封止体27に固定されている。
【0057】
複数のリード24は二つのリード群に分割され、第1のリード群のリード24は、樹脂封止体27の互いに反対側に位置する二つの辺(第1の辺,第2の辺)のうちの第1の辺に沿って配置され、第2のリード群のリード24は、樹脂封止体27の第2の辺に沿って配置されている。
【0058】
第1のリード群のリード24のアウターリード部24bは、樹脂封止体27の第1の辺側から外部に突出し、第2のリード群のリード24のアウターリード部24bは、樹脂封止体27の第2の辺側から外部に突出している。
【0059】
第1のリード群のリード24のアウターリード部24bは、このアウターリード部24bに対応して実装基板10の主面に設けられた接続部11aに半田15によって電気的にかつ機械的に接続されている。第2のリード群のリード24のアウターリード部24bは、このアウターリード部24bに対応して実装基板10の主面に設けられた接続部11aに半田15によって電気的にかつ機械的に接続されている。
【0060】
樹脂封止体27から突出するアウターリード部24bの突出長さ(L4)は、アウターリード部24bの突出方向に沿う接続部11a(開口部13a)の長さ(L2)よりも短くなっている。また、樹脂封止体27の第1の辺側に位置する接続部11a(開口部13a)の内側の端部から樹脂封止体27の第2辺側に位置する接続部11a(開口部13a)の内側の端部までの長さ(L1)は、樹脂封止体27の横幅(アウターリード部24bの突出方向に沿う長さ)よりも長くなっており、樹脂封止体27の第1及び第2の辺側に置する接続部11aは、絶樹脂封止体27と重ならないように樹脂封止体27よりも外側に配置されている。
【0061】
このように、TSOP型半導体装置21を組み込んだ半導体モジュール20においても、本発明を適用することで、半田15に生じる歪みが低下するので、半田接続部の寿命を確保できる。
【0062】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【0063】
例えば、前述の実施形態1では、片面実装構造の半導体モジュールについて説明したが、本発明は、実装基板10の互いに反対側に位置する主面及び裏面に、並列に二段重ねでTCP型半導体装置2を複数個実装した両面実装構造の半導体モジュールにおいても適用できる。
【0064】
また、前述の実施形態1では、実装基板10の長辺にベース部材(絶縁性フィルム6)の長辺が沿う状態で実装基板10にTCP型半導体装置2を実装した半導体モジュールについて説明したが、本発明は、実装基板10の長辺にベース部材(絶縁性フィルム6)の短辺が沿う状態で実装基板10にTCP型半導体装置2を実装したモジュールにおいても適用できる。
【0065】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
本発明によれば、半田接続部の寿命を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1である半導体モジュールの一部を切り欠いた模式的平面図である。
【図2】実施形態1の半導体モジュールの一部を示す要部模式的断面図である。
【図3】図2の一部を拡大した要部模式的断面図である。
【図4】図3の一部を拡大した要部模式的断面図である。
【図5】図4の一部を拡大した要部模式的断面図である。
【図6】実施形態1の半導体モジュールに使用された実装基板の一部を示す要部模式的平面図である。
【図7】実施形態1の半導体モジュールに組み込まれた下段用TCP型半導体装置の模式的平面図である。
【図8】実施形態1の半導体モジュールに組み込まれた下段用TCP型半導体装置の模式的断面図である。
【図9】下段用TCP型半導体装置を実装基板に実装した状態で温度を低下させた場合の、有限要素解析による変形図である。
【図10】半導体チップの下に半田が無い場合の半田の塑性歪み分布を示す図である。
【図11】半導体チップの下に半田が有る場合の半田の塑性歪み分布を示す図である。
【図12】本発明の実施形態2である半導体モジュールの概略構成を示す模式的断面図である。
【図13】本発明の実施形態3である半導体モジュールの概略構成を示す模式的断面図である。
【図14】本発明の実施形態4である半導体モジュールの概略構成を示す模式的断面図である。
【図15】本発明の実施形態5である半導体モジュールの概略構成を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
1…半導体モジュール、2…TCP型半導体装置、3…半導体チップ(半導体素子)、4…電極パッド、5…バンプ、6…絶縁性フィルム、7…リード、7a…インナーリード部、7b…アウターリード部、8…樹脂、10…実装基板、10a…コア材、11…配線、11a,11b…接続部、12…絶縁膜、13a,13b…開口部、15…半田、16…樹脂、17…キャップ部材。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electronic device, and more particularly to a technique effective when applied to an electronic device incorporating a tape carrier package (TCP) type semiconductor device.
[0002]
[Prior art]
As a semiconductor device, a semiconductor device called a TCP type is known. Since this TCP type semiconductor device is manufactured using a tape carrier in which a metal foil attached to the surface of a flexible film is etched to form leads, the metal plate is pressed or etched. Thus, it is possible to reduce the thickness and increase the number of pins as compared with a semiconductor device manufactured using a lead frame in which leads are formed.
[0003]
The TCP type semiconductor device mainly includes a semiconductor chip having an electrode formed on a circuit formation surface (main surface), a lead electrically connected to the electrode of the semiconductor chip, and a flexible lead fixed It has the structure which has an insulating film and resin which covers the circuit formation surface of a semiconductor chip. One end of the lead is connected to the electrode of the semiconductor chip via a bump, and the other end of the lead is drawn to the outside of the semiconductor chip. The connection between one end of the lead and the electrode of the semiconductor chip is performed by thermocompression bonding. The bump is used as a bonding material for connecting one end of the lead and the electrode of the semiconductor chip. In the stage before connecting the one end of the lead and the electrode of the semiconductor chip, the bump or one end of the lead It is formed in advance on the side connection.
[0004]
On the other hand, semiconductor memories are used in various information devices such as large computers, personal computers, and portable devices, and the required capacity is increasing year by year. As the capacity increases, the mounting area of the semiconductor memory increases, which is a factor that hinders downsizing of the device.
[0005]
Therefore, as an electronic device suitable for increasing the capacity, for example, a semiconductor module in which a TCP type semiconductor device incorporating a DRAM (Dynamic Random Access Memory) is mounted on a mounting substrate in two stages is known. In this semiconductor module, a TCP type semiconductor device suitable for thinning is mounted in two layers, so that a semiconductor device having a package structure in which the entire semiconductor chip is sealed with a resin sealing body, for example, TSOP (Thin Small Outline Package) The storage capacity can be substantially doubled with substantially the same thickness as the semiconductor module on which the semiconductor device is mounted.
[0006]
In the semiconductor module, a plurality of TCP type semiconductor devices are mounted in parallel on the main surface and the back surface (front and back surfaces) located on opposite sides of the mounting substrate in a two-stage stack, and these TCP type semiconductor devices are made of, for example, metal The structure is covered with a cap member. There are two types of TCP type semiconductor devices, one for the lower stage and the other for the upper stage, both of which are mounted with the circuit formation surface of the semiconductor chip facing the mounting substrate.
[0007]
The lower and upper TCP semiconductor device leads have an inner lead portion fixed to the insulating film and an outer lead portion formed integrally with the inner lead portion and projecting outside from the insulating film. The outer lead portion is formed into a gull wing type which is one of surface mount types. The outer lead portion formed into the gull wing type includes a first portion protruding outward from the insulating film, a second portion bent from the first portion in the thickness direction of the semiconductor chip, and the second portion. To the first portion and a third portion extending in the same direction, and the third portion is used as a connection terminal portion when the TCP type semiconductor device is soldered and mounted on the mounting substrate. The outer lead portion of the lower TCP type semiconductor device has a protruding length (projected length) in the planar direction protruding outward from the insulating film, and a total length (extending length) along the shape of the upper TCP type. It is shorter than the outer lead portion of the semiconductor device.
[0008]
The TCP type semiconductor device is described in, for example, “VLSI packaging technology (below)” issued by Nikkei BP, published on May 31, 1993, pages 71 to 103.
A semiconductor module in which a plurality of TCP type semiconductor devices are incorporated in two stages is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-40745.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
In the semiconductor module described above, the TCP type semiconductor device is mounted by soldering the outer lead portion of the lead and the connecting portion of the mounting substrate. Although the semiconductor chip (semiconductor element) of the TCP type semiconductor device generates heat during operation and rises in temperature, there is a difference in the coefficient of linear expansion between the semiconductor chip and the mounting substrate, so that it is mounted on the outer lead portion of the TCP type semiconductor device during operation. It is conceivable that a large distortion occurs in the solder connecting the connecting portion of the substrate, the solder connecting portion is broken, and connection failure is caused. Therefore, conventionally, the difference in the coefficient of linear expansion between the semiconductor chip and the mounting substrate is absorbed by the deformation of the outer lead portion, thereby reducing the distortion of the solder and ensuring the life of the solder connection portion.
[0010]
However, due to the increase in the capacity of the semiconductor memory, the planar size of the semiconductor chip is increased, and the protruding length of the outer lead portion of the TCP type semiconductor device is shortened in order to perform high-density mounting. Further, when the TCP type semiconductor device is stacked and mounted, the lower TCP type semiconductor device is located in a lower space portion (a space portion between the upper TCP type semiconductor device and the mounting substrate) where the upper TCP type semiconductor device is mounted. Since it is necessary to mount, the protruding length of the outer lead portion is further shortened. On the other hand, the length of the connecting portion of the mounting substrate (the length along the protruding direction of the outer lead portion) is about 1 mm in order to prevent a connection failure or the like when an external force is applied to the TCP type semiconductor device after mounting. Needed. For these reasons, the difference between the protruding length of the outer lead portion of the TCP type semiconductor device and the length of the connecting portion of the mounting substrate has been reduced year by year. And when aiming at further increase in capacity and high-density mounting of the semiconductor memory, it is necessary to make the protruding length of the outer lead portion shorter than the length of the connecting portion of the mounting substrate. However, when the protruding length of the outer lead portion is shorter than the length of the connecting portion of the mounting substrate, the rigidity of the solder connecting portion is increased and the effect of absorbing thermal deformation is weakened. As a result, the distortion generated in the solder between the outer lead portion of the TCP type semiconductor device and the connection portion of the mounting substrate increases, and it is considered that the solder life is reduced and connection failure occurs.
Therefore, in such a large capacity and high density mounting semiconductor module (electronic device), it is a problem to ensure the solder life.
[0011]
The objective of this invention is providing the technique which can ensure the lifetime of the solder connection part of an electronic device.
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
Of the inventions disclosed in this application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.
The object is achieved by preventing the solder from getting wet to the lower part of the semiconductor chip (semiconductor element). In order to prevent solder wetting up, a connecting portion of the substrate is provided outside the insulating film so that the insulating film which is the base member of the TCP type semiconductor device and the connecting portion of the substrate do not overlap, or the semiconductor chip and There are means such as covering the lead portions facing each other with a sealing resin or applying a resin to the lower leads of the semiconductor chip.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiment of the invention, and the repetitive description thereof is omitted.
[0014]
(Embodiment 1)
In the first embodiment, an example in which the present invention is applied to a semiconductor module incorporating a TCP type semiconductor device will be described. Note that the TCP type semiconductor device manufacturing technique is also called TAB (Tape Automated Bonding) technique because of its assembly means.
[0015]
FIG. 1 is a schematic plan view of a state in which a part of the semiconductor module according to the first embodiment of the present invention is cut away.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a main part showing a part of the semiconductor module of
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a main part in which a part of FIG. 2 is enlarged.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a main part in which a part of FIG. 3 is enlarged.
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a main part in which a part of FIG. 4 is enlarged.
FIG. 6 is a schematic plan view of a main part showing a part of a mounting substrate used in the semiconductor module of
FIG. 7 is a schematic plan view showing a schematic configuration of a lower-stage TCP type semiconductor device incorporated in the semiconductor module of
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a lower-stage TCP type semiconductor device incorporated in the semiconductor module of the first embodiment.
[0016]
As shown in FIGS. 1 and 2, the semiconductor module (electronic device) 1 according to the first embodiment is arranged in two stages in parallel on the main surface side of the main surface and the back surface located on the opposite sides of the mounting
[0017]
As shown in FIGS. 7 and 8, the TCP type semiconductor device 2 (2 a, 2 b) includes a
[0018]
The
[0019]
Although not limited to this, the
[0020]
The
[0021]
A plurality of electrode pads (bonding pads) 4 are provided on the circuit forming surface (main surface) 3x and the
[0022]
The insulating
[0023]
The leads 7 of the first and second lead groups are bonded and fixed to the main surface of the insulating
[0024]
The
[0025]
The
[0026]
The connection portion between the electrode pad 4 and the
[0027]
The
[0028]
In the first and second lead groups, the
[0029]
The TCP
[0030]
The TCP
[0031]
Here, as shown in FIG. 4, the
[0032]
As shown in FIGS. 2 and 3, the lower-stage and upper-stage TCP type semiconductor devices (2 a, 2 b) have the mounting
[0033]
Although not illustrated in detail, the mounting
[0034]
The main surface of the mounting
[0035]
In the insulating
[0036]
In the lower TCP
[0037]
In the upper-stage TCP
[0038]
As shown in FIG. 5, the protruding length (projected length) L4 of the
[0039]
In mounting the lower-stage and upper-stage TCP semiconductor devices (2 a, 2 b), first, paste solder is applied to the
[0040]
Incidentally, the linear expansion coefficient between the semiconductor chip (semiconductor element) 3 and the mounting
[0041]
However, when the TCP
[0042]
Accordingly, the
[0043]
Therefore, in the present embodiment, the
[0044]
FIG. 9 is a modified view by finite element analysis in the case where the temperature is lowered in a state where the lower
[0045]
FIG. 10 is a diagram showing a plastic strain distribution of the
[0046]
In FIG. 10, there are regions with large distortion at points A and B of the
[0047]
On the other hand, as shown in FIG. 11, when the distance L <b> 1 between the connecting
[0048]
(Embodiment 2)
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing a part of the semiconductor module according to the second embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 12, the length L2 of the connecting
[0049]
When the upper and lower two-stage stacked mounting is performed as in this embodiment, a load may be applied to the upper TCP
[0050]
On the other hand, since the lower
[0051]
(Embodiment 3)
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of an essential part showing a part of a semiconductor module according to
As shown in FIG. 13, the
The entire
[0052]
(Embodiment 4)
FIG. 14 is a schematic cross-sectional view of an essential part showing a part of a semiconductor module according to Embodiment 4 of the present invention.
As shown in FIG. 14, the
[0053]
(Embodiment 5)
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view of an essential part showing a part of a semiconductor module according to Embodiment 4 of the present invention.
In the first to fourth embodiments described above, an example in which the present invention is applied to a semiconductor module incorporating a TCP type semiconductor device has been described. However, in this fifth embodiment, a TSOP (Thin Small Outline Package) type is used instead of a TCP type semiconductor device. This is an example in which the present invention is applied to a semiconductor module incorporating a semiconductor device.
[0054]
As shown in FIG. 15, the semiconductor module (electronic device) 20 of the fifth embodiment has a configuration in which a TSOP
[0055]
A plurality of electrode pads (bonding pads) 23 are provided on the circuit formation surface of the
[0056]
The
[0057]
The plurality of
[0058]
The
[0059]
The
[0060]
The protruding length (L4) of the
[0061]
As described above, also in the
[0062]
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the above-described embodiment, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Of course.
[0063]
For example, in the first embodiment described above, the semiconductor module having a single-sided mounting structure has been described. However, in the present invention, the TCP type semiconductor device is stacked in parallel on the main surface and the back surface of the mounting
[0064]
In the first embodiment described above, the semiconductor module in which the
[0065]
【The invention's effect】
The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed in this application will be briefly described as follows.
According to the present invention, it is possible to ensure the life of the solder connection portion.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic plan view in which a part of a semiconductor module according to a first embodiment of the present invention is cut away.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a main part of a part of the semiconductor module according to the first embodiment.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a main part in which a part of FIG. 2 is enlarged.
4 is a schematic cross-sectional view of a main part in which a part of FIG. 3 is enlarged.
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a main part in which a part of FIG. 4 is enlarged.
6 is a schematic plan view of a main part showing a part of a mounting substrate used in the semiconductor module of
7 is a schematic plan view of a lower TCP type semiconductor device incorporated in the semiconductor module of
8 is a schematic cross-sectional view of a lower-stage TCP type semiconductor device incorporated in the semiconductor module of
FIG. 9 is a modified view by finite element analysis in the case where the temperature is lowered in a state where the lower TCP type semiconductor device is mounted on the mounting substrate.
FIG. 10 is a diagram showing a plastic strain distribution of solder when there is no solder under a semiconductor chip.
FIG. 11 is a diagram showing a plastic strain distribution of solder when there is solder under the semiconductor chip.
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a semiconductor module according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a semiconductor module according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a semiconductor module according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a semiconductor module according to a fifth embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (16)
前記半導体チップが固定され、その端部が前記半導体チップの端部よりも突出しているベース部材と、
前記ベース部材の下側に固定され、前記ベース部材から外部に突出するリードと、
前記リードが半田によって接続される接続部を有する実装基板とを備え、
前記接続部は、前記ベース部材よりも外側に配置され、
前記リードは、前記ベース部材から突出した部分及び前記ベース部材の下側にて前記半田に接続され、
前記半田は、前記リードの前記半導体チップよりも外側の部分まで濡れ、前記半導体チップの下側には濡れ上がっていないことを特徴とする電子装置。A semiconductor chip ;
A base member on which the semiconductor chip is fixed, and an end portion of which protrudes from an end portion of the semiconductor chip ;
A lead secured to said lower base member, protrudes from the front SL base member to the outside,
Comprising a mounting board having a connecting portion to which the lead is Ru are connected by soldering,
The connecting portion is disposed outside the base member ,
The lead is connected to the solder at a portion protruding from the base member and below the base member,
The electronic device is characterized in that the solder is wetted to a portion outside the semiconductor chip of the lead and is not wetted below the semiconductor chip .
前記実装基板は、前記接続部を含む配線と、前記配線を覆うようにして設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜に形成され、かつ前記接続部の大きさを規定する開口部とを更に有し、
前記開口部は、前記ベース部材よりも外側に配置されていることを特徴とする電子装置。The electronic device according to claim 1,
The mounting substrate further includes a wiring including the connection portion, an insulating film provided so as to cover the wiring, and an opening formed in the insulating film and defining a size of the connection portion. And
The electronic device is characterized in that the opening is disposed outside the base member.
前記ベース部材は、絶縁性フィルム、若しくは前記半導体チップを封止する封止体であることを特徴とする電子装置。The electronic device according to claim 1,
The electronic device according to claim 1, wherein the base member is an insulating film or a sealing body that seals the semiconductor chip.
前記第1のリードが半田によって接続された第1の接続部と、前記第2のリードが半田によって接続された第2の接続部とを有する実装基板とを有し、
前記第1及び第2のリードは、前記ベース部材から突出する突出長さが前記第1及び第2のリードの突出方向に沿う前記第1及び第2の接続部の長さよりも短く構成され、
前記第1の接続部は、前記ベース部材の第1の辺よりも外側に配置され、
前記第2の接続部は、前記ベース部材の第2の辺よりも外側に配置され、
前記第1及び第2のリードは、前記ベース部材から突出した部分及び前記ベース部材の下側にて前記半田に接続され、
前記半田は、前記第1及び第2のリードの前記半導体チップよりも外側の部分まで濡れ、前記半導体チップの下側には濡れ上がっていないことを特徴とする電子装置。A base member to which a semiconductor chip is fixed; a first lead which is fixed to the base member and protrudes outward from a first side of the base member; and is fixed to the base member; and A semiconductor device having a second lead projecting to the outside from the second side located on the side opposite to the first side;
A mounting substrate having a first connection portion to which the first lead is connected by solder and a second connection portion to which the second lead is connected by solder;
The first and second leads are configured such that the protruding length protruding from the base member is shorter than the length of the first and second connecting portions along the protruding direction of the first and second leads.
The first connection portion is disposed outside the first side of the base member,
The second connection portion is disposed outside the second side of the base member ,
The first and second leads are connected to the solder at a portion protruding from the base member and below the base member,
The electronic device according to claim 1, wherein the solder is wetted to a portion outside the semiconductor chip of the first and second leads, and is not wetted below the semiconductor chip .
前記実装基板は、前記第1の接続部を含む第1の配線と、前記第2の接続部を含む第2の配線と、前記第1及び第2の配線を覆うようにして形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に形成され、かつ前記第1の接続部の大きさを規定する第1の開口部と、前記絶縁膜に形成され、かつ前記第2の接続部の大きさを規定する第2の開口部とを更に有し、
前記第1の開口部は、前記ベース部材の第1の辺よりも外側に配置され、
前記第2の開口部は、前記ベース部材の第2の辺よりも外側に配置されていることを特徴とする電子装置。The electronic device according to claim 4 .
The mounting substrate is formed so as to cover the first wiring including the first connecting portion, the second wiring including the second connecting portion, and the first and second wirings. A film, a first opening formed in the insulating film and defining a size of the first connection portion, and a size formed in the insulating film and defining the size of the second connection portion. A second opening,
The first opening is disposed outside the first side of the base member,
The electronic device according to claim 1, wherein the second opening is disposed outside a second side of the base member.
前記第1の開口部と前記第2の開口部との間の距離は、前記ベース部材の第1の辺と第2の辺との間の距離よりも長いことを特徴とする電子装置。The electronic device according to claim 5 .
The electronic device according to claim 1, wherein a distance between the first opening and the second opening is longer than a distance between the first side and the second side of the base member.
前記ベース部材は、絶縁性フィルムであることを特徴とする電子装置。The electronic device according to claim 4 .
The electronic device according to claim 1, wherein the base member is an insulating film.
前記第1の半導体装置は、半導体チップが固定されたベース部材と、前記ベース部材に固定され、かつ前記ベース部材の第1の辺側から外部に突出する第1のリードと、前記ベース部材に固定され、かつ前記ベース部材の第1の辺とは反対側に位置する第2の辺側から外部に突出する第2のリードとを有し、
前記第2の半導体装置は、半導体チップが固定されたベース部材と、前記ベース部材に固定され、かつ前記ベース部材の第1の辺側から外部に突出する第1のリードと、前記ベース部材に固定され、かつ前記ベース部材の第1の辺とは反対側に位置する第2の辺側から外部に突出する第2のリードとを有し、
前記実装基板は、前記第1の半導体装置の第1のリードが半田によって接続された第1の接続部と、前記第1の半導体装置の第2のリードが半田によって接続された第2の接続部と、前記第2の半導体装置の第1のリードが半田によって接続された第3の接続部と、前記第2の半導体装置の第2のリードが半田によって接続された第4の接続部とを有する電子装置であって、
前記第1の半導体装置の第1及び第2のリードは、前記第1の半導体装置のベース部材から突出する突出長さが前記第1及び第2のリードの突出方向に沿う前記第1及び第2の接続部の長さよりも短く構成され、
前記第1の接続部と前記第2の接続部との間の距離は、前記第1の半導体装置のベース部材の第1の辺と第2の辺との間の距離よりも長くなっており、
前記第1及び第2のリードは、前記ベース部材から突出した部分及び前記ベース部材の下側にて前記半田に接続され、
前記半田は、前記第1及び第2のリードの前記半導体チップよりも外側の部分まで濡れ、前記半導体チップの下側には濡れ上がっていないことを特徴とする電子装置。A mounting substrate, a first semiconductor device mounted on the mounting substrate, and a second semiconductor device mounted on the mounting substrate in a state of being stacked on the first semiconductor device,
The first semiconductor device includes a base member to which a semiconductor chip is fixed, a first lead fixed to the base member and projecting outward from a first side of the base member, and the base member A second lead that is fixed and protrudes to the outside from a second side located opposite to the first side of the base member;
The second semiconductor device includes a base member to which a semiconductor chip is fixed, a first lead fixed to the base member and projecting outward from a first side of the base member, and the base member. A second lead that is fixed and protrudes to the outside from a second side located opposite to the first side of the base member;
The mounting substrate includes: a first connection portion in which a first lead of the first semiconductor device is connected by solder; and a second connection in which a second lead of the first semiconductor device is connected by solder. A third connection portion in which the first lead of the second semiconductor device is connected by solder, and a fourth connection portion in which the second lead of the second semiconductor device is connected by solder An electronic device comprising:
The first and second leads of the first semiconductor device have a protruding length protruding from a base member of the first semiconductor device along the protruding direction of the first and second leads. 2 is configured to be shorter than the length of the connecting portion,
Distance between the first connecting portion and the second connecting portion is longer than the distance between the first and second sides of the base member of the first semiconductor device ,
The first and second leads are connected to the solder at a portion protruding from the base member and below the base member,
The electronic device according to claim 1, wherein the solder is wetted to a portion outside the semiconductor chip of the first and second leads, and is not wetted below the semiconductor chip .
前記第1乃至第4の接続部の大きさは、絶縁膜に形成された各々の開口部で規定されていることを特徴とする電子装置。The electronic device according to claim 8 .
The size of the first to fourth connecting portions is defined by each opening formed in the insulating film.
前記第1の半導体装置のベース部材は、絶縁性フィルムであることを特徴とする電子装置。The electronic device according to claim 8 .
An electronic device, wherein the base member of the first semiconductor device is an insulating film.
前記第1及び第2の半導体装置のベース部材は、絶縁性フィルムであることを特徴とする電子装置。The electronic device according to claim 8 .
An electronic device, wherein the base member of the first and second semiconductor devices is an insulating film.
前記第1の半導体装置は、半導体チップが固定されたベース部材と、前記ベース部材に固定され、かつ前記ベース部材の第1の辺側から外部に突出する第1のリードと、前記ベース部材に固定され、かつ前記ベース部材の第1の辺とは反対側に位置する第2の辺側から外部に突出する第2のリードとを有し、
前記第2の半導体装置は、半導体チップが固定されたベース部材と、前記ベース部材に固定され、かつ前記ベース部材の第1の辺側から外部に突出する第1のリードと、前記ベース部材に固定され、かつ前記ベース部材の第1の辺とは反対側に位置する第2の辺側から外部に突出する第2のリードとを有し、
前記実装基板は、前記第1の半導体装置の第1のリードが半田によって接続された第1の接続部と、前記第1の半導体装置の第2のリードが半田によって接続された第2の接続部と、前記第2の半導体装置の第1のリードが半田によって接続された第3の接続部と、前記第2の半導体装置の第2のリードが半田によって接続された第4の接続部とを有する電子装置であって、
前記第1及び第2の接続部は、前記リードの突出方向に沿う長さが前記第3及び第4の接続部よりも短くなっており、
前記第1及び第2のリードは、前記ベース部材から突出した部分及び前記ベース部材の下側にて前記半田に接続され、
前記半田は、前記第1及び第2のリードの前記半導体チップよりも外側の部分まで濡れ、前記半導体チップの下側には濡れ上がっていないことを特徴とする電子装置。A mounting substrate, a first semiconductor device mounted on the mounting substrate, and a second semiconductor device mounted on the mounting substrate in a state of being stacked on the first semiconductor device,
The first semiconductor device includes a base member to which a semiconductor chip is fixed, a first lead fixed to the base member and projecting outward from a first side of the base member, and the base member A second lead that is fixed and protrudes to the outside from a second side located opposite to the first side of the base member;
The second semiconductor device includes a base member to which a semiconductor chip is fixed, a first lead fixed to the base member and projecting outward from a first side of the base member, and the base member. A second lead that is fixed and protrudes to the outside from a second side located opposite to the first side of the base member;
The mounting substrate includes: a first connection portion in which a first lead of the first semiconductor device is connected by solder; and a second connection in which a second lead of the first semiconductor device is connected by solder. A third connection portion in which the first lead of the second semiconductor device is connected by solder, and a fourth connection portion in which the second lead of the second semiconductor device is connected by solder An electronic device comprising:
The first and second connection portions are shorter in length along the protruding direction of the leads than the third and fourth connection portions ,
The first and second leads are connected to the solder at a portion protruding from the base member and below the base member,
The electronic device according to claim 1, wherein the solder is wetted to a portion outside the semiconductor chip of the first and second leads, and is not wetted below the semiconductor chip .
前記第1乃至第4の接続部の大きさは、絶縁膜に形成された各々の開口部で規定されていることを特徴とする電子装置。The electronic device according to claim 12 .
The size of the first to fourth connecting portions is defined by each opening formed in the insulating film.
前記第1及び第2の半導体装置のベース部材は、絶縁性フィルムであることを特徴とする電子装置。The electronic device according to claim 12 .
An electronic device, wherein the base member of the first and second semiconductor devices is an insulating film.
前記半導体チップが固定され、その端部が前記半導体チップの端部よりも突出しているベース部材と、
前記ベース部材の下側に固定され、前記ベース部材から外部に突出するリードと、
前記リードが半田によって接続される接続部を有する実装基板とを備え、
前記接続部は、前記ベース部材よりも外側に配置され、
前記リードは、前記ベース部材から突出した部分及び前記ベース部材の下側にて前記半田に接続され、
前記リードは、前記半導体チップと向かい合う部分が樹脂で覆われており、
前記半田は、前記リードの前記半導体チップよりも外側の部分まで濡れ上がっていることを特徴とする電子装置。 A semiconductor chip;
A base member on which the semiconductor chip is fixed, and an end portion of which protrudes from an end portion of the semiconductor chip ;
Fixed to the lower side of the base member, and lapis lazuli over de protruding before Symbol base member or al outside,
And a mounting board having a connecting portion for front fog over de is Ru are connected by soldering,
The connecting portion is disposed outside the base member,
The lead is connected to the solder at a portion protruding from the base member and below the base member,
Before cut over de, the portion facing to the semiconductor chip is covered with resin,
2. The electronic device according to claim 1, wherein the solder is wetted to a portion outside the semiconductor chip of the lead .
前記ベース部材は、絶縁性フィルムであることを特徴とする電子装置。The electronic device according to claim 15 .
The electronic device according to claim 1, wherein the base member is an insulating film.
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