JPH07281224A - 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 - Google Patents
強誘電体のドメイン反転構造形成方法Info
- Publication number
- JPH07281224A JPH07281224A JP7073394A JP7073394A JPH07281224A JP H07281224 A JPH07281224 A JP H07281224A JP 7073394 A JP7073394 A JP 7073394A JP 7073394 A JP7073394 A JP 7073394A JP H07281224 A JPH07281224 A JP H07281224A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- domain inversion
- ferroelectric substance
- ferroelectric
- mgo
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 非線形光学効果を有する強誘電体の一表面に
所定パターンの電極を形成するとともに、この一表面に
対面する他表面に対向電極を形成し、これら２つの電極
を介して強誘電体に電場を印加して、該強誘電体に上記
所定パターンに対応したドメイン反転部を形成する強誘
電体のドメイン反転構造形成方法において、強誘電体を
破壊することなく、ドメイン反転部を十分に深く形成す
る。 【構成】 ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板等の強誘電体１の
表面に形成される周期電極２および対向電極５の少なく
とも一方と強誘電体表面との間に、該強誘電体１よりも
比抵抗が高い高抵抗層４を配した状態で電場を印加す
る。
所定パターンの電極を形成するとともに、この一表面に
対面する他表面に対向電極を形成し、これら２つの電極
を介して強誘電体に電場を印加して、該強誘電体に上記
所定パターンに対応したドメイン反転部を形成する強誘
電体のドメイン反転構造形成方法において、強誘電体を
破壊することなく、ドメイン反転部を十分に深く形成す
る。 【構成】 ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板等の強誘電体１の
表面に形成される周期電極２および対向電極５の少なく
とも一方と強誘電体表面との間に、該強誘電体１よりも
比抵抗が高い高抵抗層４を配した状態で電場を印加す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、周期ドメイン反転構造
を有する光波長変換素子等を作成する等のために、非線
形光学効果を有する強誘電体に所定パターンのドメイン
反転構造を形成する方法に関するものである。
を有する光波長変換素子等を作成する等のために、非線
形光学効果を有する強誘電体に所定パターンのドメイン
反転構造を形成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】非線形光学効果を有する強誘電体の自発
分極（ドメイン）を周期的に反転させた領域を設けた光
波長変換素子を用いて、基本波を第２高調波に波長変換
する方法が既にＢleombergenらによって提案されている
（Ｐhys.Ｒev.,Vol.127,Ｎo.６，1918（1962）参照）。
この方法においては、ドメイン反転部の周期Λを、 Λｃ＝２π／｛β（２ω）−２β（ω）｝ ……(1) ただしβ（２ω）は第２高調波の伝搬定数 ２β（ω）は基本波の伝搬定数 で与えられるコヒーレント長Λｃの整数倍になるように
設定することで、基本波と第２高調波との位相整合を取
ることができる。非線形光学材料のバルク結晶を用いて
波長変換する場合は、位相整合する波長が結晶固有の特
定波長に限られるが、上記の方法によれば、任意の波長
に対して(1) を満足する周期Λを選択することにより、
効率良く位相整合を取ることが可能となる。
分極（ドメイン）を周期的に反転させた領域を設けた光
波長変換素子を用いて、基本波を第２高調波に波長変換
する方法が既にＢleombergenらによって提案されている
（Ｐhys.Ｒev.,Vol.127,Ｎo.６，1918（1962）参照）。
この方法においては、ドメイン反転部の周期Λを、 Λｃ＝２π／｛β（２ω）−２β（ω）｝ ……(1) ただしβ（２ω）は第２高調波の伝搬定数 ２β（ω）は基本波の伝搬定数 で与えられるコヒーレント長Λｃの整数倍になるように
設定することで、基本波と第２高調波との位相整合を取
ることができる。非線形光学材料のバルク結晶を用いて
波長変換する場合は、位相整合する波長が結晶固有の特
定波長に限られるが、上記の方法によれば、任意の波長
に対して(1) を満足する周期Λを選択することにより、
効率良く位相整合を取ることが可能となる。
【０００３】上述のような周期ドメイン反転構造を形成
する方法の１つとして従来より、例えば特開平４−３３
５６２０号公報や同５−２１０１３２号公報に示される
ように、単分極化された非線形光学効果を有する強誘電
体の一表面に所定パターンの電極を形成するとともに、
この一表面に対面する他表面に対向電極を形成し、これ
ら２つの電極を介して該強誘電体に電場を印加して、そ
こに上記所定パターンに対応したドメイン反転部を形成
する、という方法が知られている。
する方法の１つとして従来より、例えば特開平４−３３
５６２０号公報や同５−２１０１３２号公報に示される
ように、単分極化された非線形光学効果を有する強誘電
体の一表面に所定パターンの電極を形成するとともに、
この一表面に対面する他表面に対向電極を形成し、これ
ら２つの電極を介して該強誘電体に電場を印加して、そ
こに上記所定パターンに対応したドメイン反転部を形成
する、という方法が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような２
つの電極を用いて強誘電体に電場を与える従来方法にお
いては、ドメイン反転部を深く形成するために電場印加
時間を長く設定したり、あるいは電場を強く設定する
と、強誘電体が破壊しやすいという問題が認められてい
た。したがってこの従来方法による場合は、強誘電体に
ドメイン反転部を十分に深く形成することは困難で、ド
メイン反転部はどうしても浅いものとなってしまう。
つの電極を用いて強誘電体に電場を与える従来方法にお
いては、ドメイン反転部を深く形成するために電場印加
時間を長く設定したり、あるいは電場を強く設定する
と、強誘電体が破壊しやすいという問題が認められてい
た。したがってこの従来方法による場合は、強誘電体に
ドメイン反転部を十分に深く形成することは困難で、ド
メイン反転部はどうしても浅いものとなってしまう。
【０００５】周期ドメイン反転構造を有する光波長変換
素子をレーザー共振器内に配置した場合、ドメイン反転
部が深く形成されていないと、光波長変換素子と基本波
光源等との相対位置関係が少し狂っただけで、基本波が
周期ドメイン反転構造から外れた部分を通過するように
なってしまい、波長変換効率が著しく低下したり、ある
いは全く波長変換がなされ得ないという事態を招く。
素子をレーザー共振器内に配置した場合、ドメイン反転
部が深く形成されていないと、光波長変換素子と基本波
光源等との相対位置関係が少し狂っただけで、基本波が
周期ドメイン反転構造から外れた部分を通過するように
なってしまい、波長変換効率が著しく低下したり、ある
いは全く波長変換がなされ得ないという事態を招く。
【０００６】そこで本発明は、強誘電体を破壊すること
なく、ドメイン反転部を十分に深く形成することができ
る、強誘電体のドメイン反転構造形成方法を提供するこ
とを目的とするものである。
なく、ドメイン反転部を十分に深く形成することができ
る、強誘電体のドメイン反転構造形成方法を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による強誘電体の
ドメイン反転構造形成方法は、前述したように、単分極
化された非線形光学効果を有する強誘電体の一表面に所
定パターンの電極を形成するとともに、この一表面に対
面する他表面に対向電極を形成し、これら２つの電極を
介して強誘電体に電場を印加して、該強誘電体に上記所
定パターンに対応したドメイン反転部を形成する強誘電
体のドメイン反転構造形成方法において、上記２つの電
極の少なくとも一方と強誘電体表面との間に、該強誘電
体よりも比抵抗が高い高抵抗層を配した状態で電場を印
加することを特徴とするものである。
ドメイン反転構造形成方法は、前述したように、単分極
化された非線形光学効果を有する強誘電体の一表面に所
定パターンの電極を形成するとともに、この一表面に対
面する他表面に対向電極を形成し、これら２つの電極を
介して強誘電体に電場を印加して、該強誘電体に上記所
定パターンに対応したドメイン反転部を形成する強誘電
体のドメイン反転構造形成方法において、上記２つの電
極の少なくとも一方と強誘電体表面との間に、該強誘電
体よりも比抵抗が高い高抵抗層を配した状態で電場を印
加することを特徴とするものである。
【０００８】
【作用および発明の効果】本発明者等の研究によると、
従来方法における強誘電体の破壊は、部分的に形成され
たドメイン反転部が強誘電体の一表面から他表面に達す
ると、その部分に電荷が集中して大電流が流れることに
起因していると考えられる。
従来方法における強誘電体の破壊は、部分的に形成され
たドメイン反転部が強誘電体の一表面から他表面に達す
ると、その部分に電荷が集中して大電流が流れることに
起因していると考えられる。
【０００９】そこで本発明の方法におけるように、２つ
の電極の少なくとも一方と強誘電体表面との間に高抵抗
層を配した状態で電場を印加すると、ドメイン反転部が
強誘電体の一表面から他表面に達しても、その部分に電
荷が集中して大電流として流れることがなくなり（キャ
リアが流れない）、よって強誘電体を破壊することなく
ドメイン反転部を均一に十分深く形成可能となる。
の電極の少なくとも一方と強誘電体表面との間に高抵抗
層を配した状態で電場を印加すると、ドメイン反転部が
強誘電体の一表面から他表面に達しても、その部分に電
荷が集中して大電流として流れることがなくなり（キャ
リアが流れない）、よって強誘電体を破壊することなく
ドメイン反転部を均一に十分深く形成可能となる。
【００１０】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の
方法を詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例によ
りドメイン反転構造を形成する様子を示している。この
図１において、１は非線形光学効果を有する強誘電体で
ある、ＭｇＯが一例として0.5 mol ％ドープされたＬｉ
ＮｂＯ3 の基板である。このＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3基板
１としては、その最も大きい非線形光学材料定数ｄ33が
有効に利用できるように、ｚ面で光学研磨されたｚ板が
使用されている。またこのＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板１
は、公知の方法により予め単分極化処理がなされた上
で、一例として厚さ0.3 ｍｍに形成されている。
方法を詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例によ
りドメイン反転構造を形成する様子を示している。この
図１において、１は非線形光学効果を有する強誘電体で
ある、ＭｇＯが一例として0.5 mol ％ドープされたＬｉ
ＮｂＯ3 の基板である。このＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3基板
１としては、その最も大きい非線形光学材料定数ｄ33が
有効に利用できるように、ｚ面で光学研磨されたｚ板が
使用されている。またこのＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板１
は、公知の方法により予め単分極化処理がなされた上
で、一例として厚さ0.3 ｍｍに形成されている。
【００１１】そしてこのＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板１の
＋ｚ面１ａには、所定周期Λで並ぶ櫛歯状部分を有する
厚さ30ｎｍのＴａ周期電極２が取り付けられる。このＴ
ａ周期電極２は、例えば上記＋ｚ面１ａ上にフォトリソ
グラフィーにより周期マスクパターンを形成した後、Ｔ
ａをスパッタしてＴａ薄膜を形成し、その後マスクを除
去する等の方法によって形成される。このＴａ周期電極
２は、所定周期で並ぶ櫛歯に相当する部分が１本の基部
によって互いに連結された櫛形状となっており、アース
線３を介して接地される。
＋ｚ面１ａには、所定周期Λで並ぶ櫛歯状部分を有する
厚さ30ｎｍのＴａ周期電極２が取り付けられる。このＴ
ａ周期電極２は、例えば上記＋ｚ面１ａ上にフォトリソ
グラフィーにより周期マスクパターンを形成した後、Ｔ
ａをスパッタしてＴａ薄膜を形成し、その後マスクを除
去する等の方法によって形成される。このＴａ周期電極
２は、所定周期で並ぶ櫛歯に相当する部分が１本の基部
によって互いに連結された櫛形状となっており、アース
線３を介して接地される。
【００１２】一方このＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板１の−
ｚ面１ｂには、スパッタ法により膜厚１μｍのＳｉＯ2
膜４が全面的に形成され、さらにその上に蒸着法によ
り、厚さ30ｎｍの平板状のＣｒ対向電極５が全面的に形
成される。なおＳｉＯ2 スパッタ膜の比抵抗は1015Ωcm
以上であり、ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 の比抵抗1012〜1013
Ωcmと比べて十分に高くなっている。
ｚ面１ｂには、スパッタ法により膜厚１μｍのＳｉＯ2
膜４が全面的に形成され、さらにその上に蒸着法によ
り、厚さ30ｎｍの平板状のＣｒ対向電極５が全面的に形
成される。なおＳｉＯ2 スパッタ膜の比抵抗は1015Ωcm
以上であり、ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 の比抵抗1012〜1013
Ωcmと比べて十分に高くなっている。
【００１３】Ｔａ周期電極２は図示のように接地してそ
の電位をゼロに保ち、一方Ｃｒ対向電極５を電源６に接
続して、ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板１に−800 μＡの電
流を印加した。この電場印加により、基板１の両電極
２、５に挟まれる部分の分極が反転し、Ｔａ周期電極２
の櫛歯状部分の形状に対応して所定周期Λで繰り返すパ
ターンを有するドメイン反転部７が形成される。ここで
上記の周期Λは、ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 の屈折率の波長
分散を考慮して、基板１のｘ方向に沿って946 ｎｍ近辺
で１次の周期となるように4.6 μｍとした。
の電位をゼロに保ち、一方Ｃｒ対向電極５を電源６に接
続して、ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板１に−800 μＡの電
流を印加した。この電場印加により、基板１の両電極
２、５に挟まれる部分の分極が反転し、Ｔａ周期電極２
の櫛歯状部分の形状に対応して所定周期Λで繰り返すパ
ターンを有するドメイン反転部７が形成される。ここで
上記の周期Λは、ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 の屈折率の波長
分散を考慮して、基板１のｘ方向に沿って946 ｎｍ近辺
で１次の周期となるように4.6 μｍとした。
【００１４】本実施例では、ドメイン反転部７がＭｇＯ
−ＬｉＮｂＯ3 基板１の＋ｚ面１ａから−ｚ面１ｂに到
達するまで電場印加を３秒間続けた。このようにして、
ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板１にはそれを貫通する、つま
り深さが0.3 ｍｍのドメイン反転部７が形成されるが、
そこまで電場印加を続けてもＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板
１が破壊することはなかった。
−ＬｉＮｂＯ3 基板１の＋ｚ面１ａから−ｚ面１ｂに到
達するまで電場印加を３秒間続けた。このようにして、
ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板１にはそれを貫通する、つま
り深さが0.3 ｍｍのドメイン反転部７が形成されるが、
そこまで電場印加を続けてもＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板
１が破壊することはなかった。
【００１５】＜比較例＞なお、上記実施例に対する比較
例として、従来法によりＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3基板１に
ドメイン反転部７を形成した。この比較例の方法は、図
２に示すように、ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板１の−ｚ面
１ｂにＳｉＯ2 膜４を形成せずに、この−ｚ面１ｂに直
接Ｃｒ対向電極５を全面的に形成し、このＣｒ対向電極
５およびＴａ周期電極２を介して基板１に−600 μＡの
電流を印加するものである。
例として、従来法によりＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3基板１に
ドメイン反転部７を形成した。この比較例の方法は、図
２に示すように、ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板１の−ｚ面
１ｂにＳｉＯ2 膜４を形成せずに、この−ｚ面１ｂに直
接Ｃｒ対向電極５を全面的に形成し、このＣｒ対向電極
５およびＴａ周期電極２を介して基板１に−600 μＡの
電流を印加するものである。
【００１６】この比較例の場合は、ドメイン反転部７が
＋ｚ面１ａから基板厚さの１／３つまり0.1 ｍｍ程度ま
で到達した後、さらに電場印加を続けると、ＭｇＯ−Ｌ
ｉＮｂＯ3 基板１が破壊するか、あるいはドメイン反転
の周期性が失われるか、いずれかの問題が生じた。
＋ｚ面１ａから基板厚さの１／３つまり0.1 ｍｍ程度ま
で到達した後、さらに電場印加を続けると、ＭｇＯ−Ｌ
ｉＮｂＯ3 基板１が破壊するか、あるいはドメイン反転
の周期性が失われるか、いずれかの問題が生じた。
【００１７】上述した本発明の実施例においてこのよう
な問題が生じないのは、−ｚ面１ｂに形成された高抵抗
のＳｉＯ2 膜４を介してＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板１に
電場を印加しているので、ドメイン反転部７に電荷が集
中して大電流として流れることがなくなるためと考えら
れる。
な問題が生じないのは、−ｚ面１ｂに形成された高抵抗
のＳｉＯ2 膜４を介してＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板１に
電場を印加しているので、ドメイン反転部７に電荷が集
中して大電流として流れることがなくなるためと考えら
れる。
【００１８】次に、上記実施例で周期ドメイン反転構造
が形成されたＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3基板１から作成した
光波長変換素子について説明する。基板１のｘ面および
−ｘ面を研磨してそれぞれ光通過面10ａ、10ｂとするこ
とにより、図３に示すように周期ドメイン反転部７を有
するバルク結晶型の光波長変換素子10が得られる。この
バルク結晶型光波長変換素子10を、同図に示すレーザー
ダイオード励起ＹＡＧレーザーの共振器内に配置した。
が形成されたＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3基板１から作成した
光波長変換素子について説明する。基板１のｘ面および
−ｘ面を研磨してそれぞれ光通過面10ａ、10ｂとするこ
とにより、図３に示すように周期ドメイン反転部７を有
するバルク結晶型の光波長変換素子10が得られる。この
バルク結晶型光波長変換素子10を、同図に示すレーザー
ダイオード励起ＹＡＧレーザーの共振器内に配置した。
【００１９】このレーザーダイオード励起ＹＡＧレーザ
ーは、波長809 ｎｍのポンピング光としてのレーザービ
ーム11を発するレーザーダイオード12と、発散光状態の
レーザービーム11を収束させる集光レンズ13と、Ｎｄ
（ネオジウム）がドーピングされたレーザー媒質であっ
て上記レーザービーム11の収束位置に配されたＹＡＧ結
晶14と、このＹＡＧ結晶14の前方側（図中右方）に配さ
れた共振器ミラー15とからなる。光波長変換素子10は結
晶長が１ｍｍとされ、共振器ミラー15とＹＡＧ結晶14と
の間に配置されている。
ーは、波長809 ｎｍのポンピング光としてのレーザービ
ーム11を発するレーザーダイオード12と、発散光状態の
レーザービーム11を収束させる集光レンズ13と、Ｎｄ
（ネオジウム）がドーピングされたレーザー媒質であっ
て上記レーザービーム11の収束位置に配されたＹＡＧ結
晶14と、このＹＡＧ結晶14の前方側（図中右方）に配さ
れた共振器ミラー15とからなる。光波長変換素子10は結
晶長が１ｍｍとされ、共振器ミラー15とＹＡＧ結晶14と
の間に配置されている。
【００２０】ＹＡＧ結晶14は波長809 ｎｍのレーザービ
ーム11により励起されて、波長946ｎｍのレーザービー
ム16を発する。この固体レーザービーム16は、所定のコ
ーティングが施されたＹＡＧ結晶端面14ａと共振器ミラ
ー15のミラー面15ａとの間で共振し、光波長変換素子10
に入射して波長が１／２すなわち473 ｎｍの第２高調波
17に変換され、ほぼこの第２高調波17のみが共振器ミラ
ー15から出射する。なお基本波としての固体レーザービ
ーム16と第２高調波17は、周期ドメイン反転領域におい
て位相整合（いわゆる疑似位相整合）する。
ーム11により励起されて、波長946ｎｍのレーザービー
ム16を発する。この固体レーザービーム16は、所定のコ
ーティングが施されたＹＡＧ結晶端面14ａと共振器ミラ
ー15のミラー面15ａとの間で共振し、光波長変換素子10
に入射して波長が１／２すなわち473 ｎｍの第２高調波
17に変換され、ほぼこの第２高調波17のみが共振器ミラ
ー15から出射する。なお基本波としての固体レーザービ
ーム16と第２高調波17は、周期ドメイン反転領域におい
て位相整合（いわゆる疑似位相整合）する。
【００２１】本例においては、レーザーダイオード12の
出力が200 ｍＷのとき、10ｍＷと高出力の第２高調波17
が得られた。この効率は、光波長変換素子10をそのドメ
イン反転部７の深さ方向（図３中の上下方向）に移動さ
せても、該素子10にレーザービーム11が入射している限
り、何ら変わるところがなかった。
出力が200 ｍＷのとき、10ｍＷと高出力の第２高調波17
が得られた。この効率は、光波長変換素子10をそのドメ
イン反転部７の深さ方向（図３中の上下方向）に移動さ
せても、該素子10にレーザービーム11が入射している限
り、何ら変わるところがなかった。
【００２２】また、前述の比較例の方法で周期ドメイン
反転構造が形成されたＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板１から
も同様に光波長変換素子を作成し、その光波長変換素子
を図３のレーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーに適用
した。その場合は、基板１の＋ｚ面１ａ近傍に当たる位
置にレーザービーム11を入射させると、上記と同様の効
率が得られたが、レーザービーム11の入射位置がそこか
ら少しドメイン反転部７の深さ方向にずれると、この効
率は著しく低下した。
反転構造が形成されたＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板１から
も同様に光波長変換素子を作成し、その光波長変換素子
を図３のレーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーに適用
した。その場合は、基板１の＋ｚ面１ａ近傍に当たる位
置にレーザービーム11を入射させると、上記と同様の効
率が得られたが、レーザービーム11の入射位置がそこか
ら少しドメイン反転部７の深さ方向にずれると、この効
率は著しく低下した。
【００２３】以上の通り、本発明の方法を適用して形成
された光波長変換素子においては、レーザービーム11の
入射位置がドメイン反転部７の深さ方向全範囲に亘って
変化しても、常に高い波長変換効率が実現されたことに
より、本発明方法によればドメイン反転部７が基板１を
貫通するように深く形成され得ることが実証された。
された光波長変換素子においては、レーザービーム11の
入射位置がドメイン反転部７の深さ方向全範囲に亘って
変化しても、常に高い波長変換効率が実現されたことに
より、本発明方法によればドメイン反転部７が基板１を
貫通するように深く形成され得ることが実証された。
【００２４】なお上記実施例の方法は、バルク結晶型の
光波長変換素子を作成するために適用されているが、本
発明の方法はその他、光導波路型の光波長変換素子を作
成する等のために適用することも可能である。
光波長変換素子を作成するために適用されているが、本
発明の方法はその他、光導波路型の光波長変換素子を作
成する等のために適用することも可能である。
【００２５】さらに本発明方法は、上記実施例における
ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 の他、ＬｉＮｂＯ3 、ＭｇＯ−Ｌ
ｉＴａＯ3 、ＬｉＴａＯ3 、ＫＮｂＯ3 、ＫＴＰ等の強
誘電体にドメイン反転構造を形成する際にも、同様に適
用可能である。
ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 の他、ＬｉＮｂＯ3 、ＭｇＯ−Ｌ
ｉＴａＯ3 、ＬｉＴａＯ3 、ＫＮｂＯ3 、ＫＴＰ等の強
誘電体にドメイン反転構造を形成する際にも、同様に適
用可能である。
【００２６】また上記の実施例においては、ＭｇＯ−Ｌ
ｉＮｂＯ3 基板１の−ｚ面１ｂとＣｒ対向電極５との間
に高抵抗層としてのＳｉＯ2 膜４を配設しているが、Ｍ
ｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板１の＋ｚ面１ａとＴａ周期電極
２との間に高抵抗層を配設しても、さらには−ｚ面１ｂ
側と＋ｚ面１ａ側の双方に高抵抗層を配設しても、上記
と同様の効果が得られる。
ｉＮｂＯ3 基板１の−ｚ面１ｂとＣｒ対向電極５との間
に高抵抗層としてのＳｉＯ2 膜４を配設しているが、Ｍ
ｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板１の＋ｚ面１ａとＴａ周期電極
２との間に高抵抗層を配設しても、さらには−ｚ面１ｂ
側と＋ｚ面１ａ側の双方に高抵抗層を配設しても、上記
と同様の効果が得られる。
【００２７】またこのような高抵抗層は、前述したスパ
ッタ法によるＳｉＯ2 膜４に限らず、その他例えばＣＶ
ＤによるＳｉＯ2 膜、ＳｉＮ膜、有機ポリマー膜等から
形成されてもよい。
ッタ法によるＳｉＯ2 膜４に限らず、その他例えばＣＶ
ＤによるＳｉＯ2 膜、ＳｉＮ膜、有機ポリマー膜等から
形成されてもよい。
【図１】本発明の一実施例によるドメイン反転構造の形
成方法を説明する説明図
成方法を説明する説明図
【図２】従来のドメイン反転構造の形成方法を説明する
説明図
説明図
【図３】本発明によりドメイン反転構造が形成された光
波長変換素子を備えた固体レーザーの側面図
波長変換素子を備えた固体レーザーの側面図
１ ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板 １ａ ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板の＋ｚ面 １ｂ ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ3 基板の−ｚ面 ２ Ｔａ周期電極 ３ アース線 ４ ＳｉＯ2 膜（高抵抗層） ５ Ｃｒ対向電極 ６ 電源 ７ ドメイン反転部 10 光波長変換素子 11 レーザービーム（ポンピング光） 12 レーザーダイオード 13 集光レンズ 14 ＹＡＧ結晶 15 共振器ミラー 16 固体レーザービーム（基本波） 17 第２高調波
Claims (1)
- 【請求項１】 単分極化された非線形光学効果を有する
強誘電体の一表面に所定パターンの電極を形成するとと
もに、この一表面に対面する他表面に対向電極を形成
し、 これら２つの電極を介して前記強誘電体に電場を印加し
て、該強誘電体に前記所定パターンに対応したドメイン
反転部を形成する強誘電体のドメイン反転構造形成方法
において、 前記２つの電極の少なくとも一方と強誘電体表面との間
に、該強誘電体よりも比抵抗が高い高抵抗層を配した状
態で電場を印加することを特徴とする強誘電体のドメイ
ン反転構造形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7073394A JPH07281224A (ja) | 1994-04-08 | 1994-04-08 | 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7073394A JPH07281224A (ja) | 1994-04-08 | 1994-04-08 | 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07281224A true JPH07281224A (ja) | 1995-10-27 |
Family
ID=13440035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7073394A Withdrawn JPH07281224A (ja) | 1994-04-08 | 1994-04-08 | 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07281224A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0745883A1 (en) * | 1995-05-30 | 1996-12-04 | Eastman Kodak Company | Method of inverting ferroelectric domains by application of controlled electric field |
| EP1566689A1 (en) * | 2002-11-25 | 2005-08-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Polarization reversal structure constructing method and optical device having polarization reversal structure |
| US7177072B2 (en) * | 1999-08-27 | 2007-02-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical wavelength converting device and process for producing the same |
| CN100390651C (zh) * | 2002-11-25 | 2008-05-28 | 松下电器产业株式会社 | 光学元件的制造方法和具有极化反转结构的光学元件 |
| US7405512B2 (en) * | 2006-06-22 | 2008-07-29 | Gooch And Housego Plc | Acoustic transducers having localized ferroelectric domain inverted regions |
| US7440161B2 (en) | 2004-03-24 | 2008-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical element and method for forming domain inversion regions |
-
1994
- 1994-04-08 JP JP7073394A patent/JPH07281224A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0745883A1 (en) * | 1995-05-30 | 1996-12-04 | Eastman Kodak Company | Method of inverting ferroelectric domains by application of controlled electric field |
| US7177072B2 (en) * | 1999-08-27 | 2007-02-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical wavelength converting device and process for producing the same |
| EP1566689A1 (en) * | 2002-11-25 | 2005-08-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Polarization reversal structure constructing method and optical device having polarization reversal structure |
| US7230753B2 (en) | 2002-11-25 | 2007-06-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for forming domain-inverted structure and optical element with domain-inverted structure |
| CN100390651C (zh) * | 2002-11-25 | 2008-05-28 | 松下电器产业株式会社 | 光学元件的制造方法和具有极化反转结构的光学元件 |
| EP1566689B1 (en) * | 2002-11-25 | 2013-07-17 | Panasonic Corporation | Polarization reversal structure constructing method |
| US7440161B2 (en) | 2004-03-24 | 2008-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical element and method for forming domain inversion regions |
| US7405512B2 (en) * | 2006-06-22 | 2008-07-29 | Gooch And Housego Plc | Acoustic transducers having localized ferroelectric domain inverted regions |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5756263A (en) | Method of inverting ferroelectric domains by application of controlled electric field | |
| Harada et al. | Bulk periodically poled MgO‐LiNbO3 by corona discharge method | |
| US5522973A (en) | Fabrication of ferroelectric domain reversals | |
| WO2009015474A1 (en) | Method of ferroelectronic domain inversion and its applications | |
| JP3578469B2 (ja) | 光波長変換素子およびその作成方法 | |
| JPH07281224A (ja) | 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 | |
| JPH09218431A (ja) | 光波長変換素子およびその作成方法並びに光波長変換モジュール | |
| JP2010134425A (ja) | 分極反転部分の製造方法 | |
| US5748361A (en) | Ferroelectric crystal having inverted domain structure | |
| JP2852831B2 (ja) | 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 | |
| JP3318058B2 (ja) | 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 | |
| JP3415407B2 (ja) | 波長変換レーザー | |
| JP3260457B2 (ja) | 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 | |
| JP4201244B2 (ja) | 分極反転部の製造方法 | |
| JP2718259B2 (ja) | 短波長レーザ光源 | |
| JP2003195377A (ja) | 強誘電体の分極反転方法および光波長変換素子の作製方法 | |
| JP3049986B2 (ja) | 光波長変換素子 | |
| JPH06265956A (ja) | 光波長変換方法 | |
| JPH07261218A (ja) | 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 | |
| JP4646150B2 (ja) | 周期分極反転構造の製造方法 | |
| JPH07261212A (ja) | 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 | |
| JP3884197B2 (ja) | 分極反転構造の作製方法 | |
| JP3791630B2 (ja) | 光波長変換素子 | |
| JP3316987B2 (ja) | 分極反転格子と光導波路の形成方法 | |
| JP2982366B2 (ja) | 導波路型波長変換素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010703 |