JPH07277825A - 導電性セラミックス - Google Patents
導電性セラミックスInfo
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- JPH07277825A JPH07277825A JP6107363A JP10736394A JPH07277825A JP H07277825 A JPH07277825 A JP H07277825A JP 6107363 A JP6107363 A JP 6107363A JP 10736394 A JP10736394 A JP 10736394A JP H07277825 A JPH07277825 A JP H07277825A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 87
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 29
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- -1 isopropylene alcohol Chemical compound 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 カーボンなどを含有させた樹脂よりも体積抵
抗率が低く、しかも一定している導電性を有したセラミ
ックスを提供すること。 【構成】 ＴｉＯ２粉末に０．０１〜１０ｍｏｌ％のＭ
２Ｏ５（Ｍ＝Ｎｂ、Ｓｂ又はＴａのうち少なくとも１
種）粉末を加えて混合、乾燥、成形した後、大気中にて
１０００〜１４００℃で焼成し、体積抵抗率を１０３〜
１０１０Ω・ｃｍとしたＴｉＯ２の導電性セラミックス
また、Ａｌ２Ｏ３粉末に１〜７０ｍｏｌ％のＴｉＯ２粉
末及び０．００５〜２ｍｏｌ％のＭ２Ｏ５粉末を加えて
混合、乾燥、成形した後、大気中にて１３００〜１５０
０℃で焼成し、体積抵抗率を１０３〜１０１２Ω・ｃｍ
としたＡｌ２Ｏ３の導電性セラミックス。さらにこのＡ
ｌ２Ｏ３の導電性セラミックスを、大気中にて１０００
〜１２００℃で熱処理し、体積抵抗率を１０６〜１０９
Ω・ｃｍとしたＡｌ２Ｏ３の導電性セラミックス。
抗率が低く、しかも一定している導電性を有したセラミ
ックスを提供すること。 【構成】 ＴｉＯ２粉末に０．０１〜１０ｍｏｌ％のＭ
２Ｏ５（Ｍ＝Ｎｂ、Ｓｂ又はＴａのうち少なくとも１
種）粉末を加えて混合、乾燥、成形した後、大気中にて
１０００〜１４００℃で焼成し、体積抵抗率を１０３〜
１０１０Ω・ｃｍとしたＴｉＯ２の導電性セラミックス
また、Ａｌ２Ｏ３粉末に１〜７０ｍｏｌ％のＴｉＯ２粉
末及び０．００５〜２ｍｏｌ％のＭ２Ｏ５粉末を加えて
混合、乾燥、成形した後、大気中にて１３００〜１５０
０℃で焼成し、体積抵抗率を１０３〜１０１２Ω・ｃｍ
としたＡｌ２Ｏ３の導電性セラミックス。さらにこのＡ
ｌ２Ｏ３の導電性セラミックスを、大気中にて１０００
〜１２００℃で熱処理し、体積抵抗率を１０６〜１０９
Ω・ｃｍとしたＡｌ２Ｏ３の導電性セラミックス。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックスに関し、
特に導電性セラミックスに関する。
特に導電性セラミックスに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ基板などの電気部品は、絶縁性が必
要な反面、静電破壊を起こすという問題がある。そのた
め、静電気対策としては、絶縁性の高い材料の電気抵抗
を低くすることにより対応している。用いる材料のうち
セラミックスでは電気抵抗を下げるのが難しいため、簡
単に電気抵抗を下げられる主にカーボン粉末を分散させ
て電気抵抗を下げた樹脂が使用されている。
要な反面、静電破壊を起こすという問題がある。そのた
め、静電気対策としては、絶縁性の高い材料の電気抵抗
を低くすることにより対応している。用いる材料のうち
セラミックスでは電気抵抗を下げるのが難しいため、簡
単に電気抵抗を下げられる主にカーボン粉末を分散させ
て電気抵抗を下げた樹脂が使用されている。
【０００３】このようなカーボン粉末を分散させた樹脂
の電気抵抗は、樹脂中のカーボン粉末の量とカーボン粉
末同士の接触面積に依存する。そのため、樹脂の電気抵
抗の大きさは、カーボン粉末の樹脂中への混入量とその
分散度合いによって決まる。
の電気抵抗は、樹脂中のカーボン粉末の量とカーボン粉
末同士の接触面積に依存する。そのため、樹脂の電気抵
抗の大きさは、カーボン粉末の樹脂中への混入量とその
分散度合いによって決まる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来より使用
されているカーボン粉末を分散させた樹脂は、樹脂中に
混入するカーボン粉末が凝集して均一に分散しないこと
から、カーボン粉末の量が同じでも分散の度合いに大き
なばらつきが生じる。その結果としてカーボンの混入量
が一定であっても樹脂の電気抵抗が大きくばらついて変
動し、一定の電気抵抗値（体積抵抗率）を持つ樹脂が得
にくいため、静電気対策用としての樹脂の使用には問題
が生じていた。
されているカーボン粉末を分散させた樹脂は、樹脂中に
混入するカーボン粉末が凝集して均一に分散しないこと
から、カーボン粉末の量が同じでも分散の度合いに大き
なばらつきが生じる。その結果としてカーボンの混入量
が一定であっても樹脂の電気抵抗が大きくばらついて変
動し、一定の電気抵抗値（体積抵抗率）を持つ樹脂が得
にくいため、静電気対策用としての樹脂の使用には問題
が生じていた。
【０００５】本発明は、上述した電気部品に使う静電気
対策用に用いる樹脂が有する課題に鑑みなされたもので
あって、その目的は、樹脂に代えて体積抵抗率が低く、
しかも一定している導電性を有したセラミックスを提供
することにある。
対策用に用いる樹脂が有する課題に鑑みなされたもので
あって、その目的は、樹脂に代えて体積抵抗率が低く、
しかも一定している導電性を有したセラミックスを提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成するため、ＴｌＯ２粉末にＭ２Ｏ５（Ｍ＝Ｎｂ、
Ｓｂ又はＴａのうち少なくとも１種）粉末を加えて混
合、乾燥、成形、焼成すればＴｉＯ２の導電性セラミッ
クスになるとの知見を得て本発明を完成した。
を達成するため、ＴｌＯ２粉末にＭ２Ｏ５（Ｍ＝Ｎｂ、
Ｓｂ又はＴａのうち少なくとも１種）粉末を加えて混
合、乾燥、成形、焼成すればＴｉＯ２の導電性セラミッ
クスになるとの知見を得て本発明を完成した。
【０００７】また、上記のＴｉＯ２粉末とＭ２Ｏ５（Ｍ
＝Ｎｂ、Ｓｂ又はＴａのうち少なくとも１種）との粉末
を、さらにＡｌ２Ｏ３粉末に加えて同様に混合、乾燥、
成形、焼成すればＡｌ２Ｏ３の導電性セラミックスが得
られるとの知見も得た。
＝Ｎｂ、Ｓｂ又はＴａのうち少なくとも１種）との粉末
を、さらにＡｌ２Ｏ３粉末に加えて同様に混合、乾燥、
成形、焼成すればＡｌ２Ｏ３の導電性セラミックスが得
られるとの知見も得た。
【０００８】上記ＴｉＯ２粉末にＭ２Ｏ５粉末を加える
場合、Ｍ２Ｏ５粉末の含有量としては、ＴｉＯ２粉末に
対し０．０１〜１０ｍｏｌ％であるとした（請求項
２）。０．０１ｍｏｌ％より少ないと体積抵抗率は１０
１１Ω・ｃｍより高くなり、絶縁性が高くなって静電気
対策用の材料として用いるのは好ましくない。また、１
０ｍｏｌ％より多くなるとＭ２Ｏ５の体積割合が高くな
って、体積抵抗率が一定しなくなりしかも１０３Ω・ｃ
ｍを割るようになってしまう。
場合、Ｍ２Ｏ５粉末の含有量としては、ＴｉＯ２粉末に
対し０．０１〜１０ｍｏｌ％であるとした（請求項
２）。０．０１ｍｏｌ％より少ないと体積抵抗率は１０
１１Ω・ｃｍより高くなり、絶縁性が高くなって静電気
対策用の材料として用いるのは好ましくない。また、１
０ｍｏｌ％より多くなるとＭ２Ｏ５の体積割合が高くな
って、体積抵抗率が一定しなくなりしかも１０３Ω・ｃ
ｍを割るようになってしまう。
【０００９】上記粉末を混合、乾燥、成形した後の焼成
としては、大気中にて１０００〜１４００℃の温度で焼
成することとした（請求項３）。大気中で焼成するの
は、還元雰囲気下で焼成すると焼結体中のＴｉＯ２に酸
素欠陥が生じて焼結体の体積抵抗率が低くなりすぎるた
めである。また、焼成温度を１０００℃より低くすると
焼結が不十分となり、１４００℃を越えると粒子が異常
に成長して焼結体の強度が低くなり、いずれも製品とし
て使用できない。
としては、大気中にて１０００〜１４００℃の温度で焼
成することとした（請求項３）。大気中で焼成するの
は、還元雰囲気下で焼成すると焼結体中のＴｉＯ２に酸
素欠陥が生じて焼結体の体積抵抗率が低くなりすぎるた
めである。また、焼成温度を１０００℃より低くすると
焼結が不十分となり、１４００℃を越えると粒子が異常
に成長して焼結体の強度が低くなり、いずれも製品とし
て使用できない。
【００１０】また、上記Ａｌ２Ｏ３粉末にＴｉＯ２粉末
及びＭ２Ｏ５粉末を加える場合、ＴｉＯ２粉末及びＭ２
Ｏ５粉末の含有量としては、Ａｌ２Ｏ３粉末に対し１〜
７０ｍｏｌ％及び０．００５〜２ｍｏｌ％であるとした
（請求項５）。ＴｉＯ２粉末及びＭ２Ｏ５粉末の含有量
が１ｍｏｌ％及び０．００５ｍｏｌ％より少ないと体積
抵抗率が高くなりすぎ、７０ｍｏｌ％及び２ｍｏｌ％よ
り多いと体積抵抗率が一定せずまた１０３Ω・ｃｍを割
ってしまう。
及びＭ２Ｏ５粉末を加える場合、ＴｉＯ２粉末及びＭ２
Ｏ５粉末の含有量としては、Ａｌ２Ｏ３粉末に対し１〜
７０ｍｏｌ％及び０．００５〜２ｍｏｌ％であるとした
（請求項５）。ＴｉＯ２粉末及びＭ２Ｏ５粉末の含有量
が１ｍｏｌ％及び０．００５ｍｏｌ％より少ないと体積
抵抗率が高くなりすぎ、７０ｍｏｌ％及び２ｍｏｌ％よ
り多いと体積抵抗率が一定せずまた１０３Ω・ｃｍを割
ってしまう。
【００１１】これら粉末を混合、乾燥、成形した後の焼
成としては、大気中にて１３００〜１５００℃の温度で
焼成することとした（請求項６）。大気中で焼成するの
は、前述と同じく還元雰囲気下では体積抵抗率が低くな
りすぎ、また焼成温度を１３００℃より低くすると焼結
が不十分となり、１５００℃より高くすると焼結体の強
度が弱くなって前述と同様製品として使用できない。
成としては、大気中にて１３００〜１５００℃の温度で
焼成することとした（請求項６）。大気中で焼成するの
は、前述と同じく還元雰囲気下では体積抵抗率が低くな
りすぎ、また焼成温度を１３００℃より低くすると焼結
が不十分となり、１５００℃より高くすると焼結体の強
度が弱くなって前述と同様製品として使用できない。
【００１２】こうして作製されたセラミックスは導電性
セラミックスとなる。ＴｉＯ２の導電性セラミックスの
場合は、Ｍ２Ｏ５粉末の含有量を上記の範囲にすれば体
積抵抗率は１０３〜１０１０Ω・ｃｍとなり、また、Ａ
ｌ２Ｏ３の導電性セラミックスの場合は、ＴｉＯ２粉末
とＭ２Ｏ５粉末の含有量を同様上記の範囲にすれば体積
抵抗率は１０３〜１０１２Ω・ｃｍとなる。そして、含
有するＭ２Ｏ５粉末、またはＴｉＯ２粉末及びＭ２Ｏ５
粉末の含有量を加減することにより、体積抵抗率の大き
さを適宜調整することができるので、所望の体積抵抗率
を持つ導電性セラミックスを簡単に得ることができる。
セラミックスとなる。ＴｉＯ２の導電性セラミックスの
場合は、Ｍ２Ｏ５粉末の含有量を上記の範囲にすれば体
積抵抗率は１０３〜１０１０Ω・ｃｍとなり、また、Ａ
ｌ２Ｏ３の導電性セラミックスの場合は、ＴｉＯ２粉末
とＭ２Ｏ５粉末の含有量を同様上記の範囲にすれば体積
抵抗率は１０３〜１０１２Ω・ｃｍとなる。そして、含
有するＭ２Ｏ５粉末、またはＴｉＯ２粉末及びＭ２Ｏ５
粉末の含有量を加減することにより、体積抵抗率の大き
さを適宜調整することができるので、所望の体積抵抗率
を持つ導電性セラミックスを簡単に得ることができる。
【００１３】また、上記で作製したＡｌ２Ｏ３の導電性
セラミックスを、さらに大気中にて１０００〜１２００
℃の温度で熱処理することとした（請求項７）。この熱
処理により体積抵抗率が１０６〜１０９Ω・ｃｍとな
り、熱処理前に比べて体積抵抗率の巾を狭くすることが
できる。このことは、Ａｌ２Ｏ３粉末に含むＴｉＯ２粉
末及びＭ２Ｏ５粉末の含有量が多少変動しても、あるい
は焼成温度が多少変動しても体積抵抗率は変動しないこ
とを示していることになる。つまり体積抵抗率がより一
定なものが得られることになる。１０００℃より低い温
度で熱処理しても変わらず、また１２００℃より高い温
度で熱処理すると体積抵抗率が高くなってしまう。
セラミックスを、さらに大気中にて１０００〜１２００
℃の温度で熱処理することとした（請求項７）。この熱
処理により体積抵抗率が１０６〜１０９Ω・ｃｍとな
り、熱処理前に比べて体積抵抗率の巾を狭くすることが
できる。このことは、Ａｌ２Ｏ３粉末に含むＴｉＯ２粉
末及びＭ２Ｏ５粉末の含有量が多少変動しても、あるい
は焼成温度が多少変動しても体積抵抗率は変動しないこ
とを示していることになる。つまり体積抵抗率がより一
定なものが得られることになる。１０００℃より低い温
度で熱処理しても変わらず、また１２００℃より高い温
度で熱処理すると体積抵抗率が高くなってしまう。
【００１４】従来の樹脂に比べて、本発明で作製した導
電性セラミックの方が体積抵抗率が一定であるのは、樹
脂では混入するカーボン粉末の量と分散の度合いで体積
抵抗率が左右されるが、本発明のＴｉＯ２の導電性セラ
ミックスでは、Ｍ２Ｏ５の量と焼成温度に依存している
からである。これは、Ｍ２Ｏ５粉末の量と焼成温度を一
定にすれば、それに応じてセラミックスを構成している
個々の粒子が一定の導電性を有することによる。このこ
とから、Ｍ２Ｏ５の量は正確に量れるので一定にできる
し、また焼成温度もかなり正確に一定にすることができ
るので、Ｍ２Ｏ５の量と焼成温度を決めればそれに応じ
た一定の体積抵抗率を持つ導電性セラミックスを得るこ
とができることになる。Ａｌ２Ｏ３の導電性セラミック
スの場合も同じである。
電性セラミックの方が体積抵抗率が一定であるのは、樹
脂では混入するカーボン粉末の量と分散の度合いで体積
抵抗率が左右されるが、本発明のＴｉＯ２の導電性セラ
ミックスでは、Ｍ２Ｏ５の量と焼成温度に依存している
からである。これは、Ｍ２Ｏ５粉末の量と焼成温度を一
定にすれば、それに応じてセラミックスを構成している
個々の粒子が一定の導電性を有することによる。このこ
とから、Ｍ２Ｏ５の量は正確に量れるので一定にできる
し、また焼成温度もかなり正確に一定にすることができ
るので、Ｍ２Ｏ５の量と焼成温度を決めればそれに応じ
た一定の体積抵抗率を持つ導電性セラミックスを得るこ
とができることになる。Ａｌ２Ｏ３の導電性セラミック
スの場合も同じである。
【００１５】また、セラミックスを構成している導電性
の粒子の他にその導電性の粒子よりもより低い体積抵抗
率を有する粒子が余分に必要以上に入り込むと、樹脂と
同じくその低い導電性を持った粒子の分散性だけに体積
抵抗率の大きさがが左右されることになる。そのため、
ＴｉＯ２粉末にＭ２Ｏ５粉末を多く入れすぎると、ある
いはＡｌ２Ｏ３粉末にＴｉＯ２粉末及びＭ２Ｏ５粉末を
多く入れすぎると体積抵抗率が一定しなくなることにな
る。
の粒子の他にその導電性の粒子よりもより低い体積抵抗
率を有する粒子が余分に必要以上に入り込むと、樹脂と
同じくその低い導電性を持った粒子の分散性だけに体積
抵抗率の大きさがが左右されることになる。そのため、
ＴｉＯ２粉末にＭ２Ｏ５粉末を多く入れすぎると、ある
いはＡｌ２Ｏ３粉末にＴｉＯ２粉末及びＭ２Ｏ５粉末を
多く入れすぎると体積抵抗率が一定しなくなることにな
る。
【００１６】以上の通り、ＴｉＯ２粉末にＭ２Ｏ５（Ｍ
＝Ｎｂ、Ｓｂ又はＴａのうち少なくとも１種）粉末を、
あるいはＡｌ２Ｏ３粉末にＴｉＯ２粉末とＭ２Ｏ５粉末
を加えて混合、乾燥、成形、焼成すれば、体積抵抗率が
低く一定した導電性セラミックスが得られる。またこの
セラミックスは、有機物である樹脂に比べ耐熱性に極め
て優れているため、高電圧を印加しても発熱による熱変
形がほとんどない利点があり、さらに、負荷する印加電
圧の違いによる体積抵抗率の変化が小さいことから、例
えば何等かの理由で印加電圧が変動しても体積抵抗率の
変動に与える影響が少ない利点もある。
＝Ｎｂ、Ｓｂ又はＴａのうち少なくとも１種）粉末を、
あるいはＡｌ２Ｏ３粉末にＴｉＯ２粉末とＭ２Ｏ５粉末
を加えて混合、乾燥、成形、焼成すれば、体積抵抗率が
低く一定した導電性セラミックスが得られる。またこの
セラミックスは、有機物である樹脂に比べ耐熱性に極め
て優れているため、高電圧を印加しても発熱による熱変
形がほとんどない利点があり、さらに、負荷する印加電
圧の違いによる体積抵抗率の変化が小さいことから、例
えば何等かの理由で印加電圧が変動しても体積抵抗率の
変動に与える影響が少ない利点もある。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と共に挙げ、
本発明をより詳細に説明する。
本発明をより詳細に説明する。
【００１８】（実施例１〜１０） （１）ＴｉＯ２の導電性セラミックスの作製 ＴｉＯ２の粉末原料に対し、Ｎｂ２Ｏ５の粉末原料、Ｓ
ｂ２Ｏ５の粉末原料、またはＴａ２Ｏ５の粉末原料を表
１となるように配合し、それらをＩＰＡ（イソプロピレ
ンアルコール）中に浸積してボールミルで混合した。得
られたスラリーをエバポレータにより乾燥し、１００メ
ッシュの篩に通した粉末を成形した後、大気中で１００
０〜１４００℃で３時間焼成してＴｉＯ２の導電性セラ
ミックスを作製した。
ｂ２Ｏ５の粉末原料、またはＴａ２Ｏ５の粉末原料を表
１となるように配合し、それらをＩＰＡ（イソプロピレ
ンアルコール）中に浸積してボールミルで混合した。得
られたスラリーをエバポレータにより乾燥し、１００メ
ッシュの篩に通した粉末を成形した後、大気中で１００
０〜１４００℃で３時間焼成してＴｉＯ２の導電性セラ
ミックスを作製した。
【００１９】（実施例１１〜１９） （２）Ａｌ２Ｏ３の導電性セラミックスの作製 Ａｌ２Ｏ３の粉末原料に対し、ＴｉＯ２の粉末原料にさ
らにＮｂ２Ｏ５の粉末原料、Ｓｂ２Ｏ５の粉末原料、ま
たはＴａ２Ｏ５の粉末原料を表２となるように配合し、
それらをＩＰＡ中に浸積してボールミルで混合した。得
られたスラリーをエバポレータにより乾燥し、１００メ
ッシュの篩に通した粉末を成形した後、大気中で１３０
０〜１５００℃で３時間焼成してＡｌ２Ｏ３の導電性セ
ラミックスを作製した。
らにＮｂ２Ｏ５の粉末原料、Ｓｂ２Ｏ５の粉末原料、ま
たはＴａ２Ｏ５の粉末原料を表２となるように配合し、
それらをＩＰＡ中に浸積してボールミルで混合した。得
られたスラリーをエバポレータにより乾燥し、１００メ
ッシュの篩に通した粉末を成形した後、大気中で１３０
０〜１５００℃で３時間焼成してＡｌ２Ｏ３の導電性セ
ラミックスを作製した。
【００２０】（実施例２０〜２８） （３）Ａｌ２Ｏ３の導電性セラミックスの熱処理 上述で作製したＡｌ２Ｏ３の導電性セラミックスの体積
抵抗率を測定した後、さらに大気中で表３に示す温度で
熱処理した。
抵抗率を測定した後、さらに大気中で表３に示す温度で
熱処理した。
【００２１】（４）評価 得られた導電性セラミックスの体積抵抗率を、表１、２
及び３に示す印加電圧を負荷して２端子法により測定し
た。それらの結果を表１、２及び３に示す。
及び３に示す印加電圧を負荷して２端子法により測定し
た。それらの結果を表１、２及び３に示す。
【００２２】（比較例１〜３）比較のために、表１のよ
うにＮｂ２Ｏ５粉末の含有量を本発明の範囲外にした場
合、即ち加えなかった場合（比較例１）、多く加えた場
合（比較例２）または焼成温度を１０００℃より低くし
た場合（比較例３）の導電性セラミックスを実施例と同
じ方法で作製し、評価した。それらの結果を表１に示
す。
うにＮｂ２Ｏ５粉末の含有量を本発明の範囲外にした場
合、即ち加えなかった場合（比較例１）、多く加えた場
合（比較例２）または焼成温度を１０００℃より低くし
た場合（比較例３）の導電性セラミックスを実施例と同
じ方法で作製し、評価した。それらの結果を表１に示
す。
【００２３】（比較例４〜５）また比較のために、表２
のようにＡｌ２Ｏ３粉末に対し、ＴｉＯ２粉末とＮｂ２
Ｏ５粉末の含有量を本発明の範囲外にした場合、即ち加
えた量が少なくさらに焼成温度を高くした場合（比較例
４）、多く加えた場合（比較例５）の導電性セラミック
スを実施例と同じ方法で作製し、評価した。それらの結
果を表２に示す。
のようにＡｌ２Ｏ３粉末に対し、ＴｉＯ２粉末とＮｂ２
Ｏ５粉末の含有量を本発明の範囲外にした場合、即ち加
えた量が少なくさらに焼成温度を高くした場合（比較例
４）、多く加えた場合（比較例５）の導電性セラミック
スを実施例と同じ方法で作製し、評価した。それらの結
果を表２に示す。
【００２４】（比較例５〜６）さらにまた比較のため
に、実施例１１及び１５で作製した導電性セラミックス
をさらに表３で示す温度で実施例と同じ方法で熱処理
し、評価した。それらの結果を表３に示す。
に、実施例１１及び１５で作製した導電性セラミックス
をさらに表３で示す温度で実施例と同じ方法で熱処理
し、評価した。それらの結果を表３に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表２】
【００２７】
【表３】
【００２８】表１から明らかなように、実施例１〜１０
においては、ＴｉＯ２粉末に対しＭ２Ｏ５（Ｍ＝Ｎｂ、
Ｓｂ又はＴａのうち少なくとも１種）粉末の含有量と焼
成温度が本発明の範囲内にあるので、ＴｉＯ２セラミッ
クスの体積抵抗率はいずれも１０３〜１０１０Ω・ｃｍ
の範囲にあり、Ｍ２Ｏ５粉末を含まない時の体積抵抗率
（１０１１Ω・ｃｍ以上）より低くなって導電性を示し
ていた。なお、実施例２の組成と焼成温度で導電性セラ
ミックスを別に１０個作り、その体積抵抗率を測定した
ところ、２．０〜２．７×１０８Ω・ｃｍの範囲にあり
一定していた。
においては、ＴｉＯ２粉末に対しＭ２Ｏ５（Ｍ＝Ｎｂ、
Ｓｂ又はＴａのうち少なくとも１種）粉末の含有量と焼
成温度が本発明の範囲内にあるので、ＴｉＯ２セラミッ
クスの体積抵抗率はいずれも１０３〜１０１０Ω・ｃｍ
の範囲にあり、Ｍ２Ｏ５粉末を含まない時の体積抵抗率
（１０１１Ω・ｃｍ以上）より低くなって導電性を示し
ていた。なお、実施例２の組成と焼成温度で導電性セラ
ミックスを別に１０個作り、その体積抵抗率を測定した
ところ、２．０〜２．７×１０８Ω・ｃｍの範囲にあり
一定していた。
【００２９】また、表２から明らかなように実施例１１
〜１９においても、Ａｌ２Ｏ３粉末に対しＴｉＯ２粉末
及びＭ２Ｏ５粉末の含有量と焼成温度が本発明の範囲内
にあるのでＡｌ２Ｏ３セラミックスの体積抵抗率は１０
３〜１０１２Ω・ｃｍの範囲にあり、同様ＴｉＯ２粉末
とＭ２Ｏ５粉末を含まない時の体積抵抗率（１０１４Ω
・ｃｍ以上）より低くなって導電性を示していた。な
お、ＴｉＯ２セラミックスと同様に実施例１３と同し組
成と焼成温度で導電性セラミックスを別に１０個作り、
その体積抵抗率を測定したところ、３．９〜４．２×１
０５Ω・ｃｍの範囲にありこれも一定していた。
〜１９においても、Ａｌ２Ｏ３粉末に対しＴｉＯ２粉末
及びＭ２Ｏ５粉末の含有量と焼成温度が本発明の範囲内
にあるのでＡｌ２Ｏ３セラミックスの体積抵抗率は１０
３〜１０１２Ω・ｃｍの範囲にあり、同様ＴｉＯ２粉末
とＭ２Ｏ５粉末を含まない時の体積抵抗率（１０１４Ω
・ｃｍ以上）より低くなって導電性を示していた。な
お、ＴｉＯ２セラミックスと同様に実施例１３と同し組
成と焼成温度で導電性セラミックスを別に１０個作り、
その体積抵抗率を測定したところ、３．９〜４．２×１
０５Ω・ｃｍの範囲にありこれも一定していた。
【００３０】さらにまた、表３から明らかなように実施
例２０〜２７においては、表２の実施例での体積抵抗率
が１０３〜１０１２Ω・ｃｍであったのが、それを熱処
理することにより１０６〜１０９Ω・ｃｍと範囲が狭く
なっていた。
例２０〜２７においては、表２の実施例での体積抵抗率
が１０３〜１０１２Ω・ｃｍであったのが、それを熱処
理することにより１０６〜１０９Ω・ｃｍと範囲が狭く
なっていた。
【００３１】これに対して本発明の範囲外、即ち、Ｔｉ
Ｏ２粉末に対するＮｂ２Ｏ５粉末の含有量が範囲外の比
較例１〜２においては、体積抵抗率が１０１１Ω・ｃｍ
を超えていたり、１０３Ω・ｃｍを下回っていた。また
焼成温度が９００℃の比較例３では焼結しなかった。ま
た、Ａｌ２Ｏ３粉末に対しＴｉＯ２粉末及びＭ２Ｏ５粉
末の含有量が範囲外の比較例４〜５においては、体積抵
抗率が高すぎたり、低すぎたりしている。これをさらに
熱処理しても比較例６〜７に示すように体積抵抗率は変
わらず、また１０９Ω・ｃｍを上回っていた。
Ｏ２粉末に対するＮｂ２Ｏ５粉末の含有量が範囲外の比
較例１〜２においては、体積抵抗率が１０１１Ω・ｃｍ
を超えていたり、１０３Ω・ｃｍを下回っていた。また
焼成温度が９００℃の比較例３では焼結しなかった。ま
た、Ａｌ２Ｏ３粉末に対しＴｉＯ２粉末及びＭ２Ｏ５粉
末の含有量が範囲外の比較例４〜５においては、体積抵
抗率が高すぎたり、低すぎたりしている。これをさらに
熱処理しても比較例６〜７に示すように体積抵抗率は変
わらず、また１０９Ω・ｃｍを上回っていた。
【００３２】
【発明の効果】以上の通り、本発明にかかる組成と焼成
温度で作製されたセラミックスは、ＴｉＯ２の導電性セ
ラミックス、またはＡｌ２Ｏ３の導電性セラミックスと
なり、この導電性セラミックスはその組成と焼成温度を
変えることにより、容易に所望の体積抵抗率を有するセ
ラミックスが得られ、しかも有する体積抵抗率のばらつ
きが小さく一定のため、静電気対策用に問題なく用いる
ことができる。
温度で作製されたセラミックスは、ＴｉＯ２の導電性セ
ラミックス、またはＡｌ２Ｏ３の導電性セラミックスと
なり、この導電性セラミックスはその組成と焼成温度を
変えることにより、容易に所望の体積抵抗率を有するセ
ラミックスが得られ、しかも有する体積抵抗率のばらつ
きが小さく一定のため、静電気対策用に問題なく用いる
ことができる。
Claims (7)
- 【請求項１】 粉末を混合、乾燥、成形し、その成形体
を焼成して成るセラミックスにおいて、該粉末が、Ｔｉ
Ｏ２粉末とＭ２Ｏ５（Ｍ＝Ｎｂ、Ｓｂ又はＴａのうち少
なくとも１種）粉末からなることを特徴とする導電性セ
ラミックス。 - 【請求項２】 Ｍ２Ｏ５粉末の含有量が、ＴｉＯ２粉末
に対し０．０１〜１０ｍｏｌ％であることを特徴とする
請求項１記載の導電性セラミックス。 - 【請求項３】 成形体の焼成が、大気中にて１０００〜
１４００℃で焼成することを特徴とする請求項１又は２
記載の導電性セラミックス。 - 【請求項４】 粉末を混合、乾燥、成形し、その成形体
を焼成して成るセラミックスにおいて、該粉末が、Ａｌ
２Ｏ３粉末、ＴｉＯ２粉末及びＭ２Ｏ５（Ｍ＝Ｎｂ、Ｓ
ｂ又はＴａのうち少なくとも１種）粉末からなることを
特徴とする導電性セラミックス。 - 【請求項５】 ＴｉＯ２粉末及びＭ２Ｏ５粉末の含有量
が、Ａｌ２Ｏ３粉末に対し１〜７０ｍｏｌ％及び０．０
０５〜２ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項４記載
の導電性セラミックス。 - 【請求項６】 成形体の焼成が、大気中にて１３００〜
１５００℃で焼成することを特徴とする請求項４又は５
記載の導電性セラミックス。 - 【請求項７】 成形体の焼成が、大気中にて１３００〜
１５００℃で焼成した後、さらに１０００〜１２００℃
で熱処理することを特徴とする請求項４又は５記載の導
電性セラミックス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6107363A JPH07277825A (ja) | 1994-04-12 | 1994-04-12 | 導電性セラミックス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6107363A JPH07277825A (ja) | 1994-04-12 | 1994-04-12 | 導電性セラミックス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07277825A true JPH07277825A (ja) | 1995-10-24 |
Family
ID=14457189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6107363A Pending JPH07277825A (ja) | 1994-04-12 | 1994-04-12 | 導電性セラミックス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07277825A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006089345A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Kyocera Corp | 導電性多孔質セラミックス焼結体およびその製造方法 |
| US7094718B2 (en) | 2000-11-21 | 2006-08-22 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | ESD dissipative ceramics |
| JP2007290875A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化チタン系焼結体およびその製造方法 |
| US8377607B2 (en) | 2005-06-30 | 2013-02-19 | GM Global Technology Operations LLC | Fuel cell contact element including a TiO2 layer and a conductive layer |
-
1994
- 1994-04-12 JP JP6107363A patent/JPH07277825A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7094718B2 (en) | 2000-11-21 | 2006-08-22 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | ESD dissipative ceramics |
| US7579288B2 (en) | 2000-11-21 | 2009-08-25 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Method of manufacturing a microelectronic component utilizing a tool comprising an ESD dissipative ceramic |
| JP2006089345A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Kyocera Corp | 導電性多孔質セラミックス焼結体およびその製造方法 |
| US8377607B2 (en) | 2005-06-30 | 2013-02-19 | GM Global Technology Operations LLC | Fuel cell contact element including a TiO2 layer and a conductive layer |
| JP2007290875A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化チタン系焼結体およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040609 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040706 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041124 |