JPH0727641Y2 - 光起電力装置 - Google Patents

光起電力装置

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JPH0727641Y2
JPH0727641Y2 JP2782490U JP2782490U JPH0727641Y2 JP H0727641 Y2 JPH0727641 Y2 JP H0727641Y2 JP 2782490 U JP2782490 U JP 2782490U JP 2782490 U JP2782490 U JP 2782490U JP H0727641 Y2 JPH0727641 Y2 JP H0727641Y2
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JP
Japan
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electrode film
extension
power generation
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beam irradiation
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JP2782490U
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JPH03117853U (ja
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秀明 柴田
和夫 京極
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Description

【考案の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本考案は、複数の発電素子を直列接続した光起電力装置
に関する。
(ロ)従来の技術 基板の絶縁表面に複数の発電領域を設け、これらの領域
同士を電気的に直列接続された光起電力装置を、第3
図、第4図に示す。この光起電力装置は、ガラス、耐熱
性フィルム等の光透過性を有する絶縁性基板(1)上の
一表面の長手方向に整列区画された複数の発電領域毎
に、酸化インジウム錫(ITO)、酸化錫(SnO2)等から
なる透光性導電酸化物(TCO)の第一電極膜(2a)〜(2
d)を形成しており、この第一電極膜(2a)〜(2d)
は、絶縁性基板(1)の一方の周縁に向かって延出した
逆L字状の第一延長部(2ae)〜(2de)を有する。さら
に、第一電極膜(2a)〜(2d)を含む絶縁性基板(1)
のほぼ全面にわたって、半導体光活性層(3)をグロー
放電等により形成する。その後、半導体光活性層(3)
上面に、第一電極膜(2a)〜(2d)とほぼ重なるよう
に、アルミニウム(A1)、チタン(Ti)等を蒸着するこ
とによって第二電極膜(4a)〜(4d)が分割配置され
て、複数の発電素子が形成される。また、第二電極膜
(4a)〜(4d)は、第一電極膜(2a)〜(2d)と同じく
絶縁性基板(1)の一方の周縁に向かって延出した櫛型
形状の第二延長部(4ae)〜(4de)を有し、第二電極膜
(4a)〜(4d)に形成された第二延長部(4ae)〜(4d
e)は、それぞれ左隣りの第一電極膜(2a)〜(2c)の
第一延長部(2ae)〜(2ce)とほぼ重なり合うように逆
L字状に形成されている。なお、第一電極膜(2d)の第
一延長部(2de)と重なるように、半導体光活性層
(3)上に取出電極膜(5)が配置されている。さら
に、第二延長部(4ae)〜(4de)及び取出電極膜(5)
上から発電領域の配列方向に沿って、エネルギビーム照
射部分(6)…(6)にビームを照射する。この結果、
第一電極膜(2a)〜(2d)の第一延長部(2ae)〜(2d
e)のそれぞれと取出電極膜(5)及び第二電極膜(4
b)〜(4d)の第二延長部(4be)〜(4de)のそれぞれ
とが溶着されて、発電素子同士が直列接続される。即
ち、ビーム照射により第二延長部(4be)〜(4de)及び
取出電極膜(5)に孔が穿たれ、この孔を通してこの部
分の半導体光活性層(3)が蒸発除去された後、前記孔
の周囲の第二延長部(4be)〜(4de)及び取出電極膜
(5)は溶融されて、この孔を通して第一延長部(2a
e)〜(2de)まで達することによって発電素子同士が直
列接続される。
なお、第4図に示す断面図は、エネルギービーム照射部
分(6)…(6)と異なる位置の断面であるため、第二
延長部(4be)…(4de)及び取出電極膜(5)と第一延
長部(2ae)…(2de)とを電気的に接続する孔は示され
ていない。
その後、光起電力装置の出力端子部となる、第二延長部
(4ae)及び取出電極膜(5)を除いて、略絶縁基板全
面にわたって第二電極膜(4a)〜(4d)、第二延長部
(4ae)〜(4de)等の保護の為にエポキシ樹脂又はアク
リル樹脂等からなる被覆層(7)を形成している。
更に、前記第二延長部(4ae)及び取出電極膜(5)上
に、光起電力装置の起電力を取出すためのリード線等を
半田付けしやすくするために、導電性部材(8a)(8b)
を形成する。
(ハ)考案が解決しようとする課題 前記光起電力装置において、導電性部材(8a)(8b)と
被覆層(7)との隙間では、エネルギビーム照射部分
(6)…(6)が露出している。従って、長時間にわた
って使用していると、この部分に水分等が浸入して、腐
食され易くなり、その結果、エネルギビーム照射部分
(6)…(6)の抵抗値が増加するため、光起電力装置
の電気特性を適切に外部に取出せなくなってしまう。
(ニ)課題を解決するための手段 本考案は、絶縁基板表面の複数の発電領域毎に、分割配
置された第一延長部を有する第一電極膜と、この第一電
極膜及び第一延長部を含んで、前記絶縁基板表面の略全
面に形成された半導体光活性層と、この半導体光活性層
上の第一電極膜と略重なり、隣接する発電領域の前記第
一延長部上まで延在して、第一延長部とエネルギビーム
照射によって電気的に接続された第二延長部を有する第
二電極膜と、前記複数の発電領域の一端部の発電領域に
配されると共にこの発電領域に隣接する発電領域の第二
電極膜の第二延長部と電気的に接続されていない第一電
極膜の第一延長部と重なり、エネルギビーム照射によっ
て電気的に接続された取出電極膜と、前記発電領域の他
端部の第二電極膜の第二延長部及び前記取出電極膜を除
いて前記絶縁基板全面にわたって形成された被覆層と、
前記発電領域の他端部の第二電極膜の第二延長部及び前
記取出電極膜上に形成された導電性部材と、を備え、少
なくとも前記取出電極膜上の導電性部材は、前記被覆層
から露出しているエネルギビーム照射部分を覆って、前
記被覆層上まで延在していることを特徴とする。
(ホ)作用 第二延長部及び取出電極膜上のエネルギビーム照射部分
を含んで、更に被覆層上まで僅かに延在する如く、導電
性部材を形成する。
(ヘ)実施例 本考案の実施例を第1図並びに第2図に基づいて説明
し、従来例と同一構成のものについては、同一番号を付
してある。
本考案であり光起電力装置の特徴は、第二延長部(4a
e)及び取出電極膜(5)上のエネルギビーム照射部分
(6)…(6)を含んで、更に被覆層(7)上まで延在
する如く、導電性部材(8a)(8b)を形成することであ
る。従って、前記の如く、導電性部材(8a)(8b)を形
成することによって、エネルギビーム照射部分(6)…
(6)に水分等が浸入しない。
なお、第二延長部(4be)左端部から左方向では、第二
延長部(4ae)は、電気的接続に関係ないため、実際エ
ネルギビーム照射部分(6)…(6)を施さなくても良
いが、本考案である光起電力装置では、生産性の向上の
ために、エネルギビーム照射(6)…(6)を光起電力
装置の右端部から左端部まで行っている。このため、導
電性部材(8b)と同様に、前記エネルギビーム照射部分
(6)…(6)部分から水分等が浸入しない様に、導電
性部材(8b)と同様に、第二延長部(4ae)において
も、導電性部材(8a)を形成している。
(ト)考案の効果 本考案の光起電力装置では、露出しているエネルギビー
ム照射部分を導電性部材で覆うことによって、その照射
部分の腐食を防止することができ、長時間にわたって使
用しても光起電力装置の電気特性を外部に適切に取出す
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本考案の光起電力装置の上面図、第2図は、
第1図のエネルギービーム照射部分と異なる位置である
A−A′線の断面図、第3図は、従来の光起電力装置の
上面図、第4図は、第3図のエネルギービーム照射部分
と異なる位置であるB−B′線の断面図である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁基板表面の複数の発電領域毎に、分割
    配置された第一延長部を有する第一電極膜と、この第一
    電極膜及び第一延長部を含んで、前記絶縁基板表面の略
    全面に形成された半導体光活性層と、この半導体光活性
    層上の第一電極膜と略重なり、隣接する発電領域の前記
    第一延長部上まで延在して、第一延長部とエネルギビー
    ム照射によって電気的に接続された第二延長部を有する
    第二電極膜と、前記複数の発電領域の一端部の発電領域
    に配されると共にこの発電領域に隣接する発電領域の第
    二電極膜の第二延長部と電気的に接続されていない第一
    電極膜の第一延長部と重なり、エネルギビーム照射によ
    って電気的に接続された取出電極膜と、前記発電領域の
    他端部の第二電極膜の第二延長部及び前記取出電極膜を
    除いて前記絶縁基板全面にわたって形成された被覆層
    と、前記発電領域の他端部の第二電極膜の第二延長部及
    び前記取出電極膜上に形成された導電性部材と、を備
    え、少なくとも前記取出電極膜上の導電性部材は、前記
    被覆層から露出しているエネルギビーム照射部分を覆っ
    て、前記被覆層上まで延在していることを特徴とする光
    起電力装置。
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JPH03117853U JPH03117853U (ja) 1991-12-05
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