JPH07270592A - 原子炉構造材及びその防食方法 - Google Patents
原子炉構造材及びその防食方法Info
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- JPH07270592A JPH07270592A JP6059577A JP5957794A JPH07270592A JP H07270592 A JPH07270592 A JP H07270592A JP 6059577 A JP6059577 A JP 6059577A JP 5957794 A JP5957794 A JP 5957794A JP H07270592 A JPH07270592 A JP H07270592A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/30—Nuclear fission reactors
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- Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 原子炉寿命以上の長期間において、放射線及
び水中環境における原子炉構造材の防食性を向上させ、
かつ、メンテナンス性を高める。 【構成】 原子炉冷却水の内部に配される原子炉構造材
として、放射線またはチェレンコフ放射光により照射さ
れる構造材の表面に、チタン酸化物等の半導体層が一体
に配される構成を採用する。炉心からの放射線やチェレ
ンコフ放射光をチタン酸化物等の半導体層に照射し、非
消耗型のアノード反応を生じさせて半導体層近傍の原子
炉構造材の表面の腐食電位を下げ、金属が腐食されない
条件を形成する。
び水中環境における原子炉構造材の防食性を向上させ、
かつ、メンテナンス性を高める。 【構成】 原子炉冷却水の内部に配される原子炉構造材
として、放射線またはチェレンコフ放射光により照射さ
れる構造材の表面に、チタン酸化物等の半導体層が一体
に配される構成を採用する。炉心からの放射線やチェレ
ンコフ放射光をチタン酸化物等の半導体層に照射し、非
消耗型のアノード反応を生じさせて半導体層近傍の原子
炉構造材の表面の腐食電位を下げ、金属が腐食されない
条件を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、原子炉構造材及びその
防食方法に関するものである。
防食方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】水を冷却材としている軽水炉では、炉心
を囲んでいる原子炉圧力容器の内部構造物の大部分が、
高温状態の原子炉冷却水中に配されるため、構成材料の
品質管理について格別な配慮が必要であるとともに、原
子炉冷却水についても純水化を行なう等の配慮が払われ
ている。
を囲んでいる原子炉圧力容器の内部構造物の大部分が、
高温状態の原子炉冷却水中に配されるため、構成材料の
品質管理について格別な配慮が必要であるとともに、原
子炉冷却水についても純水化を行なう等の配慮が払われ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、内部構造物
は、炉心から放射される放射線の雰囲気で使用されるた
めに、原子炉冷却水に対する耐食性を確保することに加
えて、放射線の水分解による影響を考慮する必要があ
る。つまり、炉心の近傍では、放射線の水分解作用によ
って、Ｈ2 とＯ2 、Ｈ2Ｏ2が生成されるとともに、Ｏ2
濃度が上昇するので耐食性の上で厳しい環境となり、構
成材料の健全性要求度合いが高くなる。
は、炉心から放射される放射線の雰囲気で使用されるた
めに、原子炉冷却水に対する耐食性を確保することに加
えて、放射線の水分解による影響を考慮する必要があ
る。つまり、炉心の近傍では、放射線の水分解作用によ
って、Ｈ2 とＯ2 、Ｈ2Ｏ2が生成されるとともに、Ｏ2
濃度が上昇するので耐食性の上で厳しい環境となり、構
成材料の健全性要求度合いが高くなる。
【０００４】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
ので、原子炉寿命以上の長期間において、放射線及び水
中環境における原子炉構造材の防食性を向上させ、か
つ、メンテナンス性を高めることを目的としているもの
である。
ので、原子炉寿命以上の長期間において、放射線及び水
中環境における原子炉構造材の防食性を向上させ、か
つ、メンテナンス性を高めることを目的としているもの
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】原子炉冷却水の内部に配
される原子炉構造材として、放射線またはチェレンコフ
放射光により照射される構造材の表面に、チタン酸化物
等の半導体層が一体に配される構成を採用する。構造材
の対象が、炉心を囲むシュラウドとされ、チタン酸化物
等の半導体層が、構造材の上表面に形成される。原子炉
構造材の防食方法として、構造材の表面にチタン酸化物
等の半導体層を一体に配しておき、放射線またはチェレ
ンコフ放射光の照射時に、アノード反応により半導体層
近傍の原子炉構造材の表面の腐食電位が下がって防食性
が生じることを利用する。
される原子炉構造材として、放射線またはチェレンコフ
放射光により照射される構造材の表面に、チタン酸化物
等の半導体層が一体に配される構成を採用する。構造材
の対象が、炉心を囲むシュラウドとされ、チタン酸化物
等の半導体層が、構造材の上表面に形成される。原子炉
構造材の防食方法として、構造材の表面にチタン酸化物
等の半導体層を一体に配しておき、放射線またはチェレ
ンコフ放射光の照射時に、アノード反応により半導体層
近傍の原子炉構造材の表面の腐食電位が下がって防食性
が生じることを利用する。
【０００６】
【作用】原子炉の運転時には、炉心から大量の放射線が
放出されるとともに、可視光線であるチェレンコフ放射
光が発生する。チタン酸化物等の半導体層は、放射線ま
たはチェレンコフ放射光の照射時に、非消耗型のアノー
ド反応を生じて半導体層近傍の原子炉構造材の表面の腐
食電位を下げ、金属が腐食されない条件が出現する。シ
ュラウドの内面に半導体層が形成されている場合には、
炉心からの放射線に基づく水分解によって、シュラウド
の内面がＯ2 濃度の高い雰囲気となるが、露出している
表面の腐食電位の低下により腐食防止がなされる。半導
体層が、構造材の上表面に形成されている場合には、放
射性物質が堆積する現象を伴うが、上表面まで回り込む
放射線やチェレンコフ放射光に加えて、放射性物質から
放出される放射線によってもアノード反応が生じて、金
属が腐食されない条件が出現する。原子炉圧力容器の内
部の大部分においては、原子炉構造材の表面が鏡面状と
なっており、光線の反射が繰り返されるため、これらの
表面にチタン酸化物等の半導体層を配しておくことによ
り、チェレンコフ放射光が回り込んで防食効果が向上す
る。
放出されるとともに、可視光線であるチェレンコフ放射
光が発生する。チタン酸化物等の半導体層は、放射線ま
たはチェレンコフ放射光の照射時に、非消耗型のアノー
ド反応を生じて半導体層近傍の原子炉構造材の表面の腐
食電位を下げ、金属が腐食されない条件が出現する。シ
ュラウドの内面に半導体層が形成されている場合には、
炉心からの放射線に基づく水分解によって、シュラウド
の内面がＯ2 濃度の高い雰囲気となるが、露出している
表面の腐食電位の低下により腐食防止がなされる。半導
体層が、構造材の上表面に形成されている場合には、放
射性物質が堆積する現象を伴うが、上表面まで回り込む
放射線やチェレンコフ放射光に加えて、放射性物質から
放出される放射線によってもアノード反応が生じて、金
属が腐食されない条件が出現する。原子炉圧力容器の内
部の大部分においては、原子炉構造材の表面が鏡面状と
なっており、光線の反射が繰り返されるため、これらの
表面にチタン酸化物等の半導体層を配しておくことによ
り、チェレンコフ放射光が回り込んで防食効果が向上す
る。
【０００７】
【実施例】以下、本発明に係る原子炉構造材及びその防
食方法の一実施例について、図１ないし図３に基づいて
説明する。これらの各図にあって、符号１は原子炉圧力
容器、２は炉心、３はシュラウド、４は上部格子板、５
は炉心支持板、６はシュラウドサポート、Ｘは構造材、
Ｙは半導体層（チタン酸化物層）、Ｒは原子炉冷却水で
ある。
食方法の一実施例について、図１ないし図３に基づいて
説明する。これらの各図にあって、符号１は原子炉圧力
容器、２は炉心、３はシュラウド、４は上部格子板、５
は炉心支持板、６はシュラウドサポート、Ｘは構造材、
Ｙは半導体層（チタン酸化物層）、Ｒは原子炉冷却水で
ある。
【０００８】図１及び図２に示す構造材Ｘは、原子炉圧
力容器１の内部において、炉心２の回りを囲んでいるシ
ュラウド３であり、原子炉冷却水Ｒに浸された状態に配
され、ＳＵＳ３０４ステンレス鋼等により構成される。
力容器１の内部において、炉心２の回りを囲んでいるシ
ュラウド３であり、原子炉冷却水Ｒに浸された状態に配
され、ＳＵＳ３０４ステンレス鋼等により構成される。
【０００９】該構造材Ｘの表面には、空気中または酸素
濃度の高い状態でＴｉを溶射する方法によって、シュラ
ウド３の内表面を覆うように、半導体層（ＴｉＯ2 ：チ
タン酸化物層またはＳｉＣ層）Ｙが形成される。チタン
酸化物層Ｙにあっては、空気中または酸素濃度の高い状
態でＴｉを溶射する方法によって形成される。この溶射
作業では、シュラウド３の内表面等の必要箇所に、全面
または面方向に間隔を空ける等の方法で、Ｔｉの高い活
性を利用してＴｉＯ2 の状態でチタン酸化物層Ｙが一体
に形成される。チタン酸化物層Ｙの厚さは、例えば１μ
ｍないし数１０μｍ程度に設定される。
濃度の高い状態でＴｉを溶射する方法によって、シュラ
ウド３の内表面を覆うように、半導体層（ＴｉＯ2 ：チ
タン酸化物層またはＳｉＣ層）Ｙが形成される。チタン
酸化物層Ｙにあっては、空気中または酸素濃度の高い状
態でＴｉを溶射する方法によって形成される。この溶射
作業では、シュラウド３の内表面等の必要箇所に、全面
または面方向に間隔を空ける等の方法で、Ｔｉの高い活
性を利用してＴｉＯ2 の状態でチタン酸化物層Ｙが一体
に形成される。チタン酸化物層Ｙの厚さは、例えば１μ
ｍないし数１０μｍ程度に設定される。
【００１０】一方、図３に示す構造材Ｘは、炉心支持板
５であり、該炉心支持板５が水平状態に配されることに
より、上方を臨んだ状態の上表面が生じる。この炉心支
持板５にあっても、半導体層（ＴｉＯ2 ：チタン酸化物
層）Ｙが一体に形成される。
５であり、該炉心支持板５が水平状態に配されることに
より、上方を臨んだ状態の上表面が生じる。この炉心支
持板５にあっても、半導体層（ＴｉＯ2 ：チタン酸化物
層）Ｙが一体に形成される。
【００１１】このような原子炉構造材であると、原子炉
の運転時に、炉心２から大量の放射線が放出されるとと
もに、可視光線であるチェレンコフ放射光が発生する。
放射線（中性子線、γ線及びβ線）にあっては、直進ま
たは拡散する等により原子炉圧力容器１の各部の構造材
Ｘを照射し、チェレンコフ放射光にあっては、原子炉圧
力容器１の各部の構造材Ｘが、金属光沢を有する表面を
有して鏡面状態となっていることにより、光線の反射が
繰り返されて、原子炉圧力容器１の全域を照射する。
の運転時に、炉心２から大量の放射線が放出されるとと
もに、可視光線であるチェレンコフ放射光が発生する。
放射線（中性子線、γ線及びβ線）にあっては、直進ま
たは拡散する等により原子炉圧力容器１の各部の構造材
Ｘを照射し、チェレンコフ放射光にあっては、原子炉圧
力容器１の各部の構造材Ｘが、金属光沢を有する表面を
有して鏡面状態となっていることにより、光線の反射が
繰り返されて、原子炉圧力容器１の全域を照射する。
【００１２】この際に、構造材Ｘの表面にチタン酸化物
等の半導体層Ｙが一体に配されていると、放射線または
チェレンコフ放射光の照射によりチタン酸化物層Ｙが非
消耗型のアノード反応を起こす。このアノード反応によ
りチタン酸化物層Ｙに接触している構造材Ｘの表面の腐
食電位を下げ、構造材Ｘの露出表面が腐食されない条件
が出現する。つまり、ＴｉＯ2 は、ｎ型半導体の一種で
あるから、自身は消耗することなく、水を電気分解して
下記の酸素発生反応を生じ、金属自身の電位を負の方へ
移行させる。 ２Ｈ2 Ｏ→Ｏ2 ＋４Ｈ+ ＋４ｅ- この場合の鋼の電位は、概略−１００ｍＶないし−数１
００ｍＶの負となり、ステンレス鋼等の表面を還元状態
として腐食が生じない環境を形成する。このような腐食
抑制作用は、金属表面に付着しているＴｉＯ2 が、光に
よる活性化によって、腐食流体である水が前述の酸素発
生反応を起こしている間、ＴｉＯ2 が犠牲陽極のような
働きをしている間継続する。
等の半導体層Ｙが一体に配されていると、放射線または
チェレンコフ放射光の照射によりチタン酸化物層Ｙが非
消耗型のアノード反応を起こす。このアノード反応によ
りチタン酸化物層Ｙに接触している構造材Ｘの表面の腐
食電位を下げ、構造材Ｘの露出表面が腐食されない条件
が出現する。つまり、ＴｉＯ2 は、ｎ型半導体の一種で
あるから、自身は消耗することなく、水を電気分解して
下記の酸素発生反応を生じ、金属自身の電位を負の方へ
移行させる。 ２Ｈ2 Ｏ→Ｏ2 ＋４Ｈ+ ＋４ｅ- この場合の鋼の電位は、概略−１００ｍＶないし−数１
００ｍＶの負となり、ステンレス鋼等の表面を還元状態
として腐食が生じない環境を形成する。このような腐食
抑制作用は、金属表面に付着しているＴｉＯ2 が、光に
よる活性化によって、腐食流体である水が前述の酸素発
生反応を起こしている間、ＴｉＯ2 が犠牲陽極のような
働きをしている間継続する。
【００１３】図２に示すように、シュラウド３の内表面
にチタン酸化物層Ｙが形成されている場合には、炉心２
からの放射線によって、その近傍の原子炉冷却水が分解
して、Ｏ2 濃度の高い雰囲気となり得るが、放射線照射
が行なわれている間は、原子炉圧力容器１の内表面が犠
牲陽極（例えば鉄に対する亜鉛の役割）のように、自身
が劣化することがなく、腐食防止を継続することにな
る。
にチタン酸化物層Ｙが形成されている場合には、炉心２
からの放射線によって、その近傍の原子炉冷却水が分解
して、Ｏ2 濃度の高い雰囲気となり得るが、放射線照射
が行なわれている間は、原子炉圧力容器１の内表面が犠
牲陽極（例えば鉄に対する亜鉛の役割）のように、自身
が劣化することがなく、腐食防止を継続することにな
る。
【００１４】一方、図３に示すように、構造材Ｘ（例え
ば炉心支持板５やシュラウドサポート６）の上表面に、
チタン酸化物層Ｙを形成した場合には、原子炉冷却水中
に混入した放射性粒子Ｇが堆積することが起こり得る
が、上表面まで回り込んだ放射線やチェレンコフ放射光
に加えて、放射性粒子Ｇから放出される放射線によって
もアノード反応が生じて、チタン酸化物層Ｙの近傍の上
表面が腐食されない条件が出現して、腐食防止がなされ
る。
ば炉心支持板５やシュラウドサポート６）の上表面に、
チタン酸化物層Ｙを形成した場合には、原子炉冷却水中
に混入した放射性粒子Ｇが堆積することが起こり得る
が、上表面まで回り込んだ放射線やチェレンコフ放射光
に加えて、放射性粒子Ｇから放出される放射線によって
もアノード反応が生じて、チタン酸化物層Ｙの近傍の上
表面が腐食されない条件が出現して、腐食防止がなされ
る。
【００１５】また、原子炉圧力容器１の内部に配される
各構造材Ｘにあっては、十分な品質管理がなされるとと
もに、表面仕上げ精度の高い鏡面状となっている場合が
多い。原子炉圧力容器１の内部においては、光線の反射
性が高く、反射の繰り返しと原子炉冷却水の透明度とに
より、チェレンコフ放射光が回り込むと考えられる。し
たがって、各構造材Ｘの表面の一部に、適宜間隔を空け
てチタン酸化物等の半導体層Ｙを配しておくことによ
り、原子炉圧力容器１の内部全域の腐食防止効果を向上
させることが可能となる。
各構造材Ｘにあっては、十分な品質管理がなされるとと
もに、表面仕上げ精度の高い鏡面状となっている場合が
多い。原子炉圧力容器１の内部においては、光線の反射
性が高く、反射の繰り返しと原子炉冷却水の透明度とに
より、チェレンコフ放射光が回り込むと考えられる。し
たがって、各構造材Ｘの表面の一部に、適宜間隔を空け
てチタン酸化物等の半導体層Ｙを配しておくことによ
り、原子炉圧力容器１の内部全域の腐食防止効果を向上
させることが可能となる。
【００１６】〔試験例〕図４は、ＴｉＯ2 被覆鋼（ただ
し母材：ＳＵＳ３０４ステンレス鋼）における放射線及
び紫外線照射時の母材の電位変化について試験した結果
を示すものである。ただし、試験条件として、０．３％
ＮａＣｌ水溶液中に、ＴｉＯ2 被覆鋼またはＳＵＳ３０
４を浸し、初期電圧印加：１０分間、放射線等の照射開
始：６０分後の設定とした。試験結果は下記の通りであ
る。 ＴｉＯ2 被覆鋼にβ線を照射したときには、標準電極
電位（腐食電圧）が顕著に低下する現象を示した。 ＴｉＯ2 被覆鋼に波長３５０ｎｍの光線を照射したと
きにも、標準電極電位低下する現象を示したものの、
よりも低下の程度が小さくなった。 ＴｉＯ2 被覆鋼に、β線，光線のいずれも照射しなか
ったときは、有意義的な標準電極電位の変化が生じなか
った。 ＳＵＳ３０４母材にβ線，光線のいずれかを照射した
ときも、有意義的な標準電極電位の変化が生じなかっ
た。 結論 これらの結果を比較すると、ＴｉＯ2 被覆鋼に、β線，
光線等を照射すると、標準電極電位（腐食電圧）が低下
することが明らかで、ＴｉＯ2 被覆鋼及びそのＳＵＳ３
０４母材の耐食性を向上させることが可能になると結論
づけられる。なお、図４のβ線，光線照射時の曲線の傾
向から、波長が３５０ｎｍより短い可視光線照射でも効
果があることが類推される。
し母材：ＳＵＳ３０４ステンレス鋼）における放射線及
び紫外線照射時の母材の電位変化について試験した結果
を示すものである。ただし、試験条件として、０．３％
ＮａＣｌ水溶液中に、ＴｉＯ2 被覆鋼またはＳＵＳ３０
４を浸し、初期電圧印加：１０分間、放射線等の照射開
始：６０分後の設定とした。試験結果は下記の通りであ
る。 ＴｉＯ2 被覆鋼にβ線を照射したときには、標準電極
電位（腐食電圧）が顕著に低下する現象を示した。 ＴｉＯ2 被覆鋼に波長３５０ｎｍの光線を照射したと
きにも、標準電極電位低下する現象を示したものの、
よりも低下の程度が小さくなった。 ＴｉＯ2 被覆鋼に、β線，光線のいずれも照射しなか
ったときは、有意義的な標準電極電位の変化が生じなか
った。 ＳＵＳ３０４母材にβ線，光線のいずれかを照射した
ときも、有意義的な標準電極電位の変化が生じなかっ
た。 結論 これらの結果を比較すると、ＴｉＯ2 被覆鋼に、β線，
光線等を照射すると、標準電極電位（腐食電圧）が低下
することが明らかで、ＴｉＯ2 被覆鋼及びそのＳＵＳ３
０４母材の耐食性を向上させることが可能になると結論
づけられる。なお、図４のβ線，光線照射時の曲線の傾
向から、波長が３５０ｎｍより短い可視光線照射でも効
果があることが類推される。
【００１７】
【発明の効果】本発明に係る原子炉構造材及びその防食
方法にあっては、以下のような効果を奏する。 （１） 原子炉構造材として、放射線またはチェレンコ
フ放射光により照射される構造材の表面に、チタン酸化
物等の半導体層が一体に配される構成を採用することに
より、放射線及び水中環境における原子炉構造材の防食
性を著しく向上させることができる。 （２） 構造材の表面に、チタン酸化物等の半導体層を
一体に配して、放射線またはチェレンコフ放射光により
腐食電位を低下させるものであるから、原子炉の運転と
ともに耐食性が向上し、かつ半導体層が消耗しないた
め、原子炉寿命以上の長期間において防食性を向上させ
ることができる。 （３） 構造材の表面に、チタン酸化物等の半導体層を
取り付けたまま放置しておいてよく、格別なメンテナン
スを必要としない。 （４） シュラウドの内面、構造材の上表面にチタン酸
化物等の半導体層を配することにより、直接または回り
込む放射線やチェレンコフ放射光の照射で耐食性環境を
形成することができる。 （５） 原子炉圧力容器の内部の構造材が鏡面状となっ
ている場合には、任意の構造材の表面の一部等にチタン
酸化物等の半導体層を配することにより、各部まで回り
込む放射線やチェレンコフ放射光の照射で優れた耐食性
環境を形成することができ、かつ応用範囲を広げること
ができる。
方法にあっては、以下のような効果を奏する。 （１） 原子炉構造材として、放射線またはチェレンコ
フ放射光により照射される構造材の表面に、チタン酸化
物等の半導体層が一体に配される構成を採用することに
より、放射線及び水中環境における原子炉構造材の防食
性を著しく向上させることができる。 （２） 構造材の表面に、チタン酸化物等の半導体層を
一体に配して、放射線またはチェレンコフ放射光により
腐食電位を低下させるものであるから、原子炉の運転と
ともに耐食性が向上し、かつ半導体層が消耗しないた
め、原子炉寿命以上の長期間において防食性を向上させ
ることができる。 （３） 構造材の表面に、チタン酸化物等の半導体層を
取り付けたまま放置しておいてよく、格別なメンテナン
スを必要としない。 （４） シュラウドの内面、構造材の上表面にチタン酸
化物等の半導体層を配することにより、直接または回り
込む放射線やチェレンコフ放射光の照射で耐食性環境を
形成することができる。 （５） 原子炉圧力容器の内部の構造材が鏡面状となっ
ている場合には、任意の構造材の表面の一部等にチタン
酸化物等の半導体層を配することにより、各部まで回り
込む放射線やチェレンコフ放射光の照射で優れた耐食性
環境を形成することができ、かつ応用範囲を広げること
ができる。
【図１】本発明に係る原子炉構造材及びその防食方法を
適用する沸騰水型原子炉の原子炉圧力容器及び炉内構造
物の例を示す正断面図である。
適用する沸騰水型原子炉の原子炉圧力容器及び炉内構造
物の例を示す正断面図である。
【図２】図１の原子炉圧力容器のシュラウドへの適用例
を示す拡大断面図である。
を示す拡大断面図である。
【図３】図１の原子炉圧力容器の炉心支持板への適用例
を示す拡大断面図である。
を示す拡大断面図である。
【図４】ＴｉＯ2 被覆鋼における放射線及び紫外線照射
時の母材の電位変化を示す時間−標準電極電位関係図で
ある。
時の母材の電位変化を示す時間−標準電極電位関係図で
ある。
１ 原子炉圧力容器 ２ 炉心 ３ シュラウド ４ 上部格子板 ５ 炉心支持板 ６ シュラウドサポート Ｘ 構造材（原子炉構造材） Ｙ 半導体層（チタン酸化物層） Ｒ 原子炉冷却水 Ｇ 放射性粒子
Claims (3)
- 【請求項１】 原子炉冷却水（Ｒ）の内部に配される原
子炉構造材であって、放射線またはチェレンコフ放射光
により照射される構造材（Ｘ）の表面に、チタン酸化物
等の半導体層（Ｙ）が一体に配されることを特徴とする
原子炉構造材。 - 【請求項２】 構造材（Ｘ）が、炉心（２）を囲むシュ
ラウド（３）であることを特徴とする請求項１記載の原
子炉構造材。 - 【請求項３】 原子炉圧力容器（１）の原子炉冷却水
（Ｒ）の内部に配される原子炉構造材の耐食性を向上さ
せる方法であって、構造材（Ｘ）の表面に一体に配した
チタン酸化物等の半導体層（Ｙ）に、放射線またはチェ
レンコフ放射光を照射し、アノード反応により半導体層
近傍の原子炉構造材の表面の腐食電位を下げることを特
徴とする原子炉構造材の防食方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6059577A JPH07270592A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 原子炉構造材及びその防食方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6059577A JPH07270592A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 原子炉構造材及びその防食方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07270592A true JPH07270592A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13117233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6059577A Pending JPH07270592A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 原子炉構造材及びその防食方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07270592A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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