JPH07263847A - 支持板を有する装置並びに不動態ゲルを塗布するための方法 - Google Patents
支持板を有する装置並びに不動態ゲルを塗布するための方法Info
- Publication number
- JPH07263847A JPH07263847A JP7031180A JP3118095A JPH07263847A JP H07263847 A JPH07263847 A JP H07263847A JP 7031180 A JP7031180 A JP 7031180A JP 3118095 A JP3118095 A JP 3118095A JP H07263847 A JPH07263847 A JP H07263847A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frame
- gel
- support plate
- component
- passivating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
- Y10T29/49146—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with encapsulating, e.g., potting, etc.
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/23—Sheet including cover or casing
- Y10T428/239—Complete cover or casing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Securing Of Glass Panes Or The Like (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 構成素子を簡単に、安価にしかも迅速に不活
性化することにある。 【構成】 構成素子を不活性化するための装置及び方法
に関し、この場合、チキソトロープゲルがリング形状で
構成素子の周りに配置されていて、チキソトロープゲル
によって取り囲まれた内側スペースが、不動態ゲルによ
り構成素子を完全に覆うまで、不動態ゲルによって充填
されている。次いで、ゲルが硬化させられる。
性化することにある。 【構成】 構成素子を不活性化するための装置及び方法
に関し、この場合、チキソトロープゲルがリング形状で
構成素子の周りに配置されていて、チキソトロープゲル
によって取り囲まれた内側スペースが、不動態ゲルによ
り構成素子を完全に覆うまで、不動態ゲルによって充填
されている。次いで、ゲルが硬化させられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特許請求の範囲第１項
の上位概念に記載の形式の、不活性化された構成素子が
配置される支持板を有する装置、並びに、特許請求の範
囲第４項の上位概念に記載の形式の、構成素子に不動態
ゲルを塗布するための方法に関する。
の上位概念に記載の形式の、不活性化された構成素子が
配置される支持板を有する装置、並びに、特許請求の範
囲第４項の上位概念に記載の形式の、構成素子に不動態
ゲルを塗布するための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】西ドイツ国特許出願公開第２２１４１６
３号明細書から、支持板を有する装置が公知であり、こ
の場合、支持板上には電気的な構成素子が配置されてい
る。電気的な構成素子は給電部を介して電圧を供給され
る。給電部及び電気的な構成素子は防護層としての硬化
した不動態ゲルを介して外的作用及び損傷から防護され
ている。
３号明細書から、支持板を有する装置が公知であり、こ
の場合、支持板上には電気的な構成素子が配置されてい
る。電気的な構成素子は給電部を介して電圧を供給され
る。給電部及び電気的な構成素子は防護層としての硬化
した不動態ゲルを介して外的作用及び損傷から防護され
ている。
【０００３】第１の構成では防護層は電気的な構成素子
及び給電部を取り囲んでいる。不動態ゲルは流動状態で
電気的な構成素子に塗布されるので、この場合正確に規
定されたエリヤを防護層で覆うことは、不可能である。
それというのも、不動態ゲルは硬化前に互いに離反する
ように流れるからである。
及び給電部を取り囲んでいる。不動態ゲルは流動状態で
電気的な構成素子に塗布されるので、この場合正確に規
定されたエリヤを防護層で覆うことは、不可能である。
それというのも、不動態ゲルは硬化前に互いに離反する
ように流れるからである。
【０００４】別の配置形式では、フレームが給電部を備
えた電気的な構成素子の周りに配置されかつ次いでフレ
ームが防護層を成す不動態ゲルによって充填される。こ
の場合、支持板とフレームとの間で不気密性が生ずるの
で、不動態ゲルは支持板とフレームとの間を貫流しかつ
支持板の規定のエリヤを覆うことができない。
えた電気的な構成素子の周りに配置されかつ次いでフレ
ームが防護層を成す不動態ゲルによって充填される。こ
の場合、支持板とフレームとの間で不気密性が生ずるの
で、不動態ゲルは支持板とフレームとの間を貫流しかつ
支持板の規定のエリヤを覆うことができない。
【０００５】更に、フレームを電気的な構成素子の周り
に配置しかつフレーム全体を支持板に密に接着すること
が、公知である。支持板にフレーム全体を接着するには
接着剤もしくはフレームを調整する際に高い精度が必要
になり、従ってかなり面倒である。
に配置しかつフレーム全体を支持板に密に接着すること
が、公知である。支持板にフレーム全体を接着するには
接着剤もしくはフレームを調整する際に高い精度が必要
になり、従ってかなり面倒である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上記
欠点を回避することにある。
欠点を回避することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題は本発明によれ
ば、特許請求の範囲第１項の特徴部分に記載の装置、並
びに、特許請求の範囲第４項の特徴部分に記載の方法に
よって解決された。
ば、特許請求の範囲第１項の特徴部分に記載の装置、並
びに、特許請求の範囲第４項の特徴部分に記載の方法に
よって解決された。
【０００８】
【発明の効果】特許請求の範囲第１項による本発明の装
置の利点は、チキソトロープゲルを用いて任意の形状の
流れ遮断部材を配置することができかつ不動態ゲルがチ
キソトロープゲルによって確実に制限される、というこ
とにある。これによって、構成素子は簡単に、安価にし
かも迅速に不活性化される。
置の利点は、チキソトロープゲルを用いて任意の形状の
流れ遮断部材を配置することができかつ不動態ゲルがチ
キソトロープゲルによって確実に制限される、というこ
とにある。これによって、構成素子は簡単に、安価にし
かも迅速に不活性化される。
【０００９】その他の請求項に記載の構成によって請求
項１に記載の装置の有利な構成及び改良が得られる。
項１に記載の装置の有利な構成及び改良が得られる。
【００１０】特に有利な構成では、フレームが構成素子
の周りに配置されかつ支持板とフレームとの間の中間ス
ペースがチキソトロープゲルによって充填されかつシー
ルされる。このようにして、支持板とフレーム全体の面
倒な密な接着が回避される。
の周りに配置されかつ支持板とフレームとの間の中間ス
ペースがチキソトロープゲルによって充填されかつシー
ルされる。このようにして、支持板とフレーム全体の面
倒な密な接着が回避される。
【００１１】更に、チキソトロープゲルは、支持板とフ
レームとの間の中間スペースを確実にシールするような
流れ特性を有している。
レームとの間の中間スペースを確実にシールするような
流れ特性を有している。
【００１２】特に有利には、フレームは支持板に点状の
接着層を介して固定される。このようにして、フレーム
全体を支持板に接着することなしに、フレームを配置す
る際の精度が高められかつフレームの滑落が阻止され
る。
接着層を介して固定される。このようにして、フレーム
全体を支持板に接着することなしに、フレームを配置す
る際の精度が高められかつフレームの滑落が阻止され
る。
【００１３】特許請求の範囲第４項による本発明の方法
の利点は、支持板上でもしくは接着層上でフレームを正
確に調整する必要がない、ということにある。更に有利
には、不動態ゲル及びチキソトロープゲルを乾燥過程な
しに順次塗布することができる。これによって、製法が
短縮され、装置が安価に構成されるようになる。
の利点は、支持板上でもしくは接着層上でフレームを正
確に調整する必要がない、ということにある。更に有利
には、不動態ゲル及びチキソトロープゲルを乾燥過程な
しに順次塗布することができる。これによって、製法が
短縮され、装置が安価に構成されるようになる。
【００１４】別の改良された方法では、フレームは別の
構成素子を介して配置される。これによって、構成素子
の選択された部分のみが不動態ゲルによって防護され、
これによって、不動態ゲルが節約されかつ方法が時間的
に短縮される。
構成素子を介して配置される。これによって、構成素子
の選択された部分のみが不動態ゲルによって防護され、
これによって、不動態ゲルが節約されかつ方法が時間的
に短縮される。
【００１５】
【実施例】第１図で図示の支持板１は切欠き４を有して
いて、この切欠き４内には、本実施例において集積回路
を備えたチップとして構成された別の構成素子３が挿入
されている。支持板１はアルミニウムから形成されてい
る。支持板を製作する別の材料として例えば銅及びプラ
スチックを使用できる。
いて、この切欠き４内には、本実施例において集積回路
を備えたチップとして構成された別の構成素子３が挿入
されている。支持板１はアルミニウムから形成されてい
る。支持板を製作する別の材料として例えば銅及びプラ
スチックを使用できる。
【００１６】切欠き４に隣接して支持板１には構成素子
２が配置されていて、この構成素子２はハイブリッド回
路を成している。構成素子２及び別の構成素子３は導線
８を介して電気的に互いに接続されている。
２が配置されていて、この構成素子２はハイブリッド回
路を成している。構成素子２及び別の構成素子３は導線
８を介して電気的に互いに接続されている。
【００１７】構成素子２はチキソトロープゲルから成る
閉じられた流れ遮断部材５によって取り囲まれていて、
この流れ遮断部材５は別の構成素子３を横切って案内さ
れているので、別の構成素子３の一部、導線８及び構成
素子２が流れ遮断部材５によって取り囲まれている。
閉じられた流れ遮断部材５によって取り囲まれていて、
この流れ遮断部材５は別の構成素子３を横切って案内さ
れているので、別の構成素子３の一部、導線８及び構成
素子２が流れ遮断部材５によって取り囲まれている。
【００１８】流れ遮断部材５の内側には外的作用及び損
傷から防護する防護層として不動態ゲル６が配置されて
いて、この場合、別の構成素子３の一部、導線８及び構
成素子２は不動態ゲル６によって覆われている。
傷から防護する防護層として不動態ゲル６が配置されて
いて、この場合、別の構成素子３の一部、導線８及び構
成素子２は不動態ゲル６によって覆われている。
【００１９】第１図Ａ−Ａ線に沿った断面図である第２
図から明らかなように、支持板１の切欠き４内には別の
構成素子３が挿入されている。この場合、チキソトロー
プゲルから形成された流れ遮断部材５はビード状の横断
面を有している。
図から明らかなように、支持板１の切欠き４内には別の
構成素子３が挿入されている。この場合、チキソトロー
プゲルから形成された流れ遮断部材５はビード状の横断
面を有している。
【００２０】流れ遮断部材５は支持板１及び別の構成素
子３上に配置されていてかつ流れ遮断部材５の内側には
別の構成素子３の一部が位置していて、この構成素子か
ら導線８が構成素子２に案内されている。
子３上に配置されていてかつ流れ遮断部材５の内側には
別の構成素子３の一部が位置していて、この構成素子か
ら導線８が構成素子２に案内されている。
【００２１】流れ遮断部材５の内側のスペースには不動
態ゲル６が注入されている。不動態ゲル６として標準ゲ
ルＱ３ ６５２７がかつチキソトロープゲルとしてワッ
カー（Ｗａｃｋｅｒ）社のセミコシル（Ｓｅｍｉｃｏｓ
ｉｌ）９００ＬＴが使用される。しかしながら別の不動
態ゲル及びチキソトロープゲルを使用することができ
る。
態ゲル６が注入されている。不動態ゲル６として標準ゲ
ルＱ３ ６５２７がかつチキソトロープゲルとしてワッ
カー（Ｗａｃｋｅｒ）社のセミコシル（Ｓｅｍｉｃｏｓ
ｉｌ）９００ＬＴが使用される。しかしながら別の不動
態ゲル及びチキソトロープゲルを使用することができ
る。
【００２２】第１図及び第２図で図示の装置の作用形式
は次ぎの通りである。
は次ぎの通りである。
【００２３】チキソトロープゲルを用いて流れ遮断部材
５が、ハイブリッド構成素子として構成された構成素子
２の周りに配置される。チキソトロープゲルはビード状
の閉じられたリングとして構成素子２の周りに設けられ
る。この場合第１図で図示されているように、チキソト
ロープゲルは別の構成素子３をも介して案内される。
５が、ハイブリッド構成素子として構成された構成素子
２の周りに配置される。チキソトロープゲルはビード状
の閉じられたリングとして構成素子２の周りに設けられ
る。この場合第１図で図示されているように、チキソト
ロープゲルは別の構成素子３をも介して案内される。
【００２４】チキソトロープゲルは剪断応力が加えられ
た場合に液状になりかつ剪断応力が加えられない場合に
固体状態になるという特性を有している。更に、チキソ
トロープゲルは熱処理により硬化させることができる。
た場合に液状になりかつ剪断応力が加えられない場合に
固体状態になるという特性を有している。更に、チキソ
トロープゲルは熱処理により硬化させることができる。
【００２５】更に、チキソトロープゲルは化学的にアグ
レッシブではないので、チキソトロープゲルは集積回路
を有するか又はハイブリッド回路を成す別の構成素子上
にも、集積回路又はハイブリッド回路を損傷することな
く、配置することができる。
レッシブではないので、チキソトロープゲルは集積回路
を有するか又はハイブリッド回路を成す別の構成素子上
にも、集積回路又はハイブリッド回路を損傷することな
く、配置することができる。
【００２６】更に、不動態ゲルとの毒化現象は生じな
い、即ち、接触した場合に不動態ゲルとチキソトロープ
ゲルとが混合されることはなくしかも不動態ゲルとチキ
ソトロープゲルとの化学的及び機械的な特性に影響が及
ぼされることもない。それ故第１図に相応して、チキソ
トロープゲルを流れ遮断部材５として配置しかつ流れ遮
断部材５によって取り囲まれたエリヤ内に不動態ゲル６
を設けることができる。
い、即ち、接触した場合に不動態ゲルとチキソトロープ
ゲルとが混合されることはなくしかも不動態ゲルとチキ
ソトロープゲルとの化学的及び機械的な特性に影響が及
ぼされることもない。それ故第１図に相応して、チキソ
トロープゲルを流れ遮断部材５として配置しかつ流れ遮
断部材５によって取り囲まれたエリヤ内に不動態ゲル６
を設けることができる。
【００２７】不動態ゲル６は離反流れが生じた場合流れ
遮断部材５によって阻止されかつ流れ遮断部材５によっ
て形成されたリングの内側の内側スペースを満たす。次
いで、チキソトロープゲル及び不動態ゲルは１８０度の
温度でかつ２時間半の時間に亘って硬化される。このよ
うにして、湿気のような外的作用から防護する、構成素
子２及び別の構成素子３の不活性化が得られる。
遮断部材５によって阻止されかつ流れ遮断部材５によっ
て形成されたリングの内側の内側スペースを満たす。次
いで、チキソトロープゲル及び不動態ゲルは１８０度の
温度でかつ２時間半の時間に亘って硬化される。このよ
うにして、湿気のような外的作用から防護する、構成素
子２及び別の構成素子３の不活性化が得られる。
【００２８】第３図で図示の支持板１は切欠き４を有し
ていて、この切欠き４内には別の構成素子３が挿入され
ている。別の構成素子３に隣接して支持板１には構成素
子２が配置されていて、この構成素子２及び別の構成素
子３は導線８を介して互いに電気的に接続されている。
ていて、この切欠き４内には別の構成素子３が挿入され
ている。別の構成素子３に隣接して支持板１には構成素
子２が配置されていて、この構成素子２及び別の構成素
子３は導線８を介して互いに電気的に接続されている。
【００２９】支持板１上にはプラスチックから成るフレ
ーム９が、別の構成素子３の一部と構成素子２とを取り
囲むように、配置されていて、別の構成素子３からは導
線８が出発している。
ーム９が、別の構成素子３の一部と構成素子２とを取り
囲むように、配置されていて、別の構成素子３からは導
線８が出発している。
【００３０】フレーム９は方形形状を有していて、この
場合、一方の横側は別の構成素子３上に位置している。
他方の横側は点状の接着層７によって支持板１に接着さ
れている。
場合、一方の横側は別の構成素子３上に位置している。
他方の横側は点状の接着層７によって支持板１に接着さ
れている。
【００３１】支持板１又は別の構成素子３に載着される
フレーム９の内縁は環状にチキソトロープゲルによって
充填されている。このようにして、フレーム９と支持板
１との間の間隙もしくはフレーム９と別の構成素子３と
の間の間隙が充填されてシールされている。
フレーム９の内縁は環状にチキソトロープゲルによって
充填されている。このようにして、フレーム９と支持板
１との間の間隙もしくはフレーム９と別の構成素子３と
の間の間隙が充填されてシールされている。
【００３２】フレーム９の内側に不動態ゲル６が注入さ
れた場合に、不動態ゲル６がフレーム９と支持板１もし
くは別の構成素子３との間を貫流することはない。
れた場合に、不動態ゲル６がフレーム９と支持板１もし
くは別の構成素子３との間を貫流することはない。
【００３３】第３図Ｂ−Ｂ線に沿った断面図である第４
図から明らかなように、支持板１内には、別の構成素子
３が挿入される切欠き４が設けられている。別の構成素
子３に隣接して支持板１には構成素子２が配置されてい
て、この構成素子２は導線８を介して別の構成素子３に
接続されている。
図から明らかなように、支持板１内には、別の構成素子
３が挿入される切欠き４が設けられている。別の構成素
子３に隣接して支持板１には構成素子２が配置されてい
て、この構成素子２は導線８を介して別の構成素子３に
接続されている。
【００３４】支持板１にはフレーム９が載着されてい
て、この場合、フレームは点状の接着層７を介して横側
で支持板１に接着されている。支持板１もしくは別の構
成素子３及びフレーム９によって形成されるコーナはチ
キソトロープゲル５によって充填されている。このよう
にして、支持板１もしくは別の構成素子３に対してフレ
ーム９がシールされる。
て、この場合、フレームは点状の接着層７を介して横側
で支持板１に接着されている。支持板１もしくは別の構
成素子３及びフレーム９によって形成されるコーナはチ
キソトロープゲル５によって充填されている。このよう
にして、支持板１もしくは別の構成素子３に対してフレ
ーム９がシールされる。
【００３５】チキソトロープゲル５はフレーム９の下を
流れる。次いで、フレーム９によって制限されたスペー
スの内側に、導線８及び構成素子２が完全に覆われるま
で、不動態ゲル６が注入される。
流れる。次いで、フレーム９によって制限されたスペー
スの内側に、導線８及び構成素子２が完全に覆われるま
で、不動態ゲル６が注入される。
【００３６】第３図及び第４図による装置は以下の方法
で製作される。別の構成素子３及び構成素子２が配置さ
れる支持板１にフレーム９が載着され、この場合、フレ
ーム９は同時に点状の接着層７を介して支持板１に不動
に結合される。このようにして、支持板１上でのフレー
ム９の位置が決められる。
で製作される。別の構成素子３及び構成素子２が配置さ
れる支持板１にフレーム９が載着され、この場合、フレ
ーム９は同時に点状の接着層７を介して支持板１に不動
に結合される。このようにして、支持板１上でのフレー
ム９の位置が決められる。
【００３７】次いで、フレーム９と支持板１との間もし
くはフレーム９と別の構成素子３との間に形成されるコ
ーナ内に、チキソトロープゲル５が充填される。チキソ
トロープゲル５としてワッカー社（Ｗａｃｋｅｒ）社の
ゲル セミコシル（Ｓｅｍｉｃｏｓｉｌ）９００ＬＴが
使用される。
くはフレーム９と別の構成素子３との間に形成されるコ
ーナ内に、チキソトロープゲル５が充填される。チキソ
トロープゲル５としてワッカー社（Ｗａｃｋｅｒ）社の
ゲル セミコシル（Ｓｅｍｉｃｏｓｉｌ）９００ＬＴが
使用される。
【００３８】チキソトロープゲル５はフレーム９と支持
板１との間もしくはフレーム９と別の構成素子３との間
の中間スペース内に流れかつこのようにして中間スペー
スをシールする。次いで、硬化することなく不動態ゲル
６（Ｑ３６５２７）がフレームの内側に注入される。
板１との間もしくはフレーム９と別の構成素子３との間
の中間スペース内に流れかつこのようにして中間スペー
スをシールする。次いで、硬化することなく不動態ゲル
６（Ｑ３６５２７）がフレームの内側に注入される。
【００３９】次いで、１８０度の温度で２時間半の時間
に亘ってチキソトロープゲル５及び不動態ゲル６が硬化
させられる。
に亘ってチキソトロープゲル５及び不動態ゲル６が硬化
させられる。
【００４０】この簡単な方法によって構成素子は安価に
不活性化される。不動態ゲルを充填する前にチキソトロ
ープゲルを硬化させる必要はないので、製作時間が短縮
される。チキソトロープゲルによって有利にはほぼ１０
乃至３００×１０~6ｍのギャップ幅が確実にシールされ
る。
不活性化される。不動態ゲルを充填する前にチキソトロ
ープゲルを硬化させる必要はないので、製作時間が短縮
される。チキソトロープゲルによって有利にはほぼ１０
乃至３００×１０~6ｍのギャップ幅が確実にシールされ
る。
【００４１】チキソトロープゲルは０．６５ｍｍ直径の
カニューレによってコーナ範囲に充填される。チキソト
ロープゲル及び不動態ゲルは互いに化学的に安定して挙
動する。従って、ゲルの化学的もしくは機械的な特性が
変化することはない。
カニューレによってコーナ範囲に充填される。チキソト
ロープゲル及び不動態ゲルは互いに化学的に安定して挙
動する。従って、ゲルの化学的もしくは機械的な特性が
変化することはない。
【図１】チキソトロープゲルから成る流れ遮断部材を示
す図。
す図。
【図２】流れ遮断部材の横断面図。
【図３】フレームとチキソトロープゲルとから成る流れ
遮断部材を示す図。
遮断部材を示す図。
【図４】防護層の断面図。
１ 支持板 ２，３ 構成素子 ４ 切欠き ５ 流れ遮断部材 ６ 不動態ゲル ７ 接着層 ８ 導線 ９ フレーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ベルトラム ヴェスナー ドイツ連邦共和国 ベールヴァルデ ヴィ ントミューレンシュトラーセ ６
Claims (5)
- 【請求項１】 構成素子（２）が配置される支持板
（１）を有する装置であって、構成素子（２）が防護層
としての不動態ゲル（６）によって覆われていて、この
不動態ゲル（６）が側方で流れ遮断部材によって制限さ
れている形式のものにおいて、流れ遮断部材がチキソト
ロープゲル（５）を有していることを特徴とする、支持
板を有する装置。 - 【請求項２】 流れ遮断部材がフレーム（９）を有して
おり、フレーム（９）と支持板（１）との間及び／又は
フレーム（９）と構成素子（２）との間にシール部材と
してチキソトロープゲル（５）が配置されている、請求
項１記載の装置。 - 【請求項３】 フレーム（９）が支持板（１）に点状の
接着層（７）を介して固定されている、請求項２記載の
装置。 - 【請求項４】 支持板（１）に配置されかつフレーム
（９）によって取り囲まれた構成素子（２）に、不動態
ゲル（６）を塗布するための方法であって、フレーム
（９）を接着層（７）を介して支持板（９）に固定し、
不動態ゲル（６）をフレーム（９）の内側で構成素子
（２）上に注入し、次いで不動態ゲル（６）を硬化させ
る形式のものにおいて、フレーム（９）を小さな範囲で
のみ接着層（７）を介して支持板（９）に固定し、フレ
ーム（９）と支持板（１）とによって形成されるコーナ
範囲に、チキソトロープゲル（５）を充填し、次いで不
動態ゲル（６）をフレーム（９）の内側で構成素子
（２）上に注入しかつ次いで不動態ゲル（６）及びチキ
ソトロープゲル（５）を硬化させることを特徴とする、
不動態ゲル（６）を塗布するための方法。 - 【請求項５】 フレーム（９）を部分的に別の構成素子
（３）上に配置し、フレーム（９）と別の構成素子
（３）との間のコーナ範囲をチキソトロープゲル（５）
によって充填する、請求項４記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4405710.5 | 1994-02-23 | ||
| DE4405710A DE4405710A1 (de) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | Vorrichtung mit einer Trägerplatte und Verfahren zum Aufbringen eines Passivierungsgels |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263847A true JPH07263847A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=6510921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7031180A Pending JPH07263847A (ja) | 1994-02-23 | 1995-02-20 | 支持板を有する装置並びに不動態ゲルを塗布するための方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5547730A (ja) |
| JP (1) | JPH07263847A (ja) |
| KR (1) | KR950035543A (ja) |
| CN (1) | CN1113070A (ja) |
| DE (1) | DE4405710A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7617600B2 (en) | 2003-06-20 | 2009-11-17 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Process of making an electronic circuit device having flexibility and a reduced footprint |
| JP2019530980A (ja) * | 2016-09-30 | 2019-10-24 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングＲｏｂｅｒｔ Ｂｏｓｃｈ Ｇｍｂｈ | 特に変速機制御モジュール用の電子アセンブリを製造する方法及び電子アセンブリ |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2725637B2 (ja) * | 1995-05-31 | 1998-03-11 | 日本電気株式会社 | 電子回路装置およびその製造方法 |
| US5786631A (en) * | 1995-10-04 | 1998-07-28 | Lsi Logic Corporation | Configurable ball grid array package |
| US5700981A (en) * | 1996-02-08 | 1997-12-23 | Micron Communications, Inc. | Encapsulated electronic component and method for encapsulating an electronic component |
| CN1067508C (zh) * | 1996-08-22 | 2001-06-20 | 英群企业股份有限公司 | 电路板上芯片保护层固定方法及其装置 |
| US5972738A (en) * | 1997-05-07 | 1999-10-26 | Lsi Logic Corporation | PBGA stiffener package |
| US6365979B1 (en) * | 1998-03-06 | 2002-04-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US6092281A (en) | 1998-08-28 | 2000-07-25 | Amkor Technology, Inc. | Electromagnetic interference shield driver and method |
| DE10038508A1 (de) * | 2000-08-08 | 2002-02-21 | Bosch Gmbh Robert | Elektrische Baugruppe und Verfahren zur Herstellung der elektrischen Baugruppe |
| JP3663120B2 (ja) | 2000-09-04 | 2005-06-22 | 株式会社日立製作所 | 自動車用エンジンコントロールユニットの実装構造及び実装方法 |
| US6562663B2 (en) * | 2001-03-28 | 2003-05-13 | Motorola, Inc. | Microelectronic assembly with die support and method |
| US6614102B1 (en) | 2001-05-04 | 2003-09-02 | Amkor Technology, Inc. | Shielded semiconductor leadframe package |
| US20090289350A1 (en) * | 2005-09-29 | 2009-11-26 | Nec Corporation | Semiconductor package, substrate, electronic device using such semiconductor package or substrate, and method for correcting warping of semiconductor package |
| JP5197175B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録ヘッドおよびその製造方法 |
| DE102008040676A1 (de) * | 2008-07-24 | 2010-01-28 | Robert Bosch Gmbh | Abdichtrahmen sowie Verfahren zum Abdecken eines Bauteils |
| DE102009016761B4 (de) * | 2009-04-07 | 2020-11-12 | SUMIDA Components & Modules GmbH | Kompaktes Zündmodul und Baugruppenträger für Zündmodul |
| JP2011176112A (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路及びその製造方法 |
| DE102010038294A1 (de) * | 2010-07-22 | 2012-01-26 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Elektronische Baugruppe mit einem von einer Vergussmasse umschlossenen Bauteil und Verfahren zu deren Herstellung |
| DE102010038801B4 (de) | 2010-08-02 | 2022-06-23 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung zur Erfassung einer Eigenschaft eines strömenden fluiden Mediums |
| DE102011005180A1 (de) | 2011-03-07 | 2012-09-13 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung zur Erfassung einer Eigenschaft eines strömenden fluiden Mediums |
| TWI590726B (zh) * | 2013-12-09 | 2017-07-01 | 群成科技股份有限公司 | 電子封裝件、封裝載板及此封裝載板的製造方法 |
| DE102016216137A1 (de) | 2016-08-29 | 2018-03-01 | Robert Bosch Gmbh | Steuermodul für ein Fahrzeug |
| DE102016216138A1 (de) * | 2016-08-29 | 2018-03-01 | Robert Bosch Gmbh | Steuermodul für ein Fahrzeug |
| DE102016216739A1 (de) * | 2016-09-05 | 2018-03-08 | Robert Bosch Gmbh | Loslagerbuchse für Leiterplatte |
| DE102016218610A1 (de) | 2016-09-27 | 2018-03-29 | Robert Bosch Gmbh | Steuermodul für ein Fahrzeug |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2214163A1 (de) * | 1972-03-23 | 1973-10-11 | Bosch Gmbh Robert | Elektrische schaltungsanordnung |
| US3885304A (en) * | 1972-03-23 | 1975-05-27 | Bosch Gmbh Robert | Electric circuit arrangement and method of making the same |
| US5324888A (en) * | 1992-10-13 | 1994-06-28 | Olin Corporation | Metal electronic package with reduced seal width |
| US5336931A (en) * | 1993-09-03 | 1994-08-09 | Motorola, Inc. | Anchoring method for flow formed integrated circuit covers |
-
1994
- 1994-02-23 DE DE4405710A patent/DE4405710A1/de not_active Withdrawn
-
1995
- 1995-01-23 US US08/376,515 patent/US5547730A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-02-20 JP JP7031180A patent/JPH07263847A/ja active Pending
- 1995-02-21 KR KR1019950003302A patent/KR950035543A/ko not_active Application Discontinuation
- 1995-02-23 CN CN95102289A patent/CN1113070A/zh active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7617600B2 (en) | 2003-06-20 | 2009-11-17 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Process of making an electronic circuit device having flexibility and a reduced footprint |
| JP2019530980A (ja) * | 2016-09-30 | 2019-10-24 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングＲｏｂｅｒｔ Ｂｏｓｃｈ Ｇｍｂｈ | 特に変速機制御モジュール用の電子アセンブリを製造する方法及び電子アセンブリ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5547730A (en) | 1996-08-20 |
| DE4405710A1 (de) | 1995-08-24 |
| KR950035543A (ko) | 1995-12-30 |
| CN1113070A (zh) | 1995-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07263847A (ja) | 支持板を有する装置並びに不動態ゲルを塗布するための方法 | |
| US7037756B1 (en) | Stacked microelectronic devices and methods of fabricating same | |
| KR19980042937A (ko) | 반도체집적회로장치 및 그의 제조방법 | |
| US6357763B2 (en) | Seal for LCD devices and methods for making same | |
| EP2337070A1 (en) | Electronic device with non-linear resistive field grading and method for its manufacturing | |
| JPS646538B2 (ja) | ||
| KR20010024320A (ko) | 회로기판에 반도체소자를 실장하는 방법과, 반도체장치 | |
| GB2449596A (en) | Infrared sensor and method for manufacturing infrared sensor | |
| JPH0640560B2 (ja) | 電子機械式時計機構の回路担体用の導体軌道・ネットワ−クを装着する方法とそのネットワ−ク | |
| JPH09102515A (ja) | 電子構成部材と導電体を有する支持体 | |
| KR100271992B1 (ko) | 정전방전보호기능을갖는리드프레임과그의제조방법및패키지화된반도체장치 | |
| KR20130118225A (ko) | 자동차를 위한 캡슐화된 제어 모듈 | |
| US20090026589A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| US6309902B1 (en) | Method for coating semiconductor element with resin, coating resin, and liquid crystal display device | |
| US9414483B2 (en) | Method of manufacturing an electronic high-current circuit by means of gas injection technology and sealing with an insulating polymer | |
| JP2000340718A (ja) | 電力用半導体装置 | |
| US5614760A (en) | Tape carrier package semiconductor device | |
| JPH09237869A (ja) | 樹脂封止型パワーモジュール装置及びその製造方法 | |
| JP2001185769A (ja) | ペルチェモジュールとその製造方法 | |
| JPH0880537A (ja) | 集積回路を備えたモデュールで構成されるデータキャリア | |
| KR20050031984A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| JP3050224B1 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びそのリ―ド端子部分被覆法 | |
| JPH06334070A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| CN116264167A (zh) | 通过使用反应性带制造半导体器件模块的方法和半导体器件模块 | |
| JPH0653570A (ja) | 弾性表面波デバイスの製造方法 |