JPH07263478A - ボンディングツ−ル - Google Patents

ボンディングツ−ル

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JPH07263478A
JPH07263478A JP6048339A JP4833994A JPH07263478A JP H07263478 A JPH07263478 A JP H07263478A JP 6048339 A JP6048339 A JP 6048339A JP 4833994 A JP4833994 A JP 4833994A JP H07263478 A JPH07263478 A JP H07263478A
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bonding
bonding tool
wire
flat portion
tool
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Kenjiro Watabe
健次郎 渡部
Toshikane Yoshimatsu
稔兼 吉松
Minoru Maruta
稔 丸田
Mitsuo Kato
光雄 加藤
Ryoichi Kajiwara
良一 梶原
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】超音波エネルギを効率良く接合界面に伝え、接
合部のネック強度を向上させる接合を行なうために好適
なボンディングツ−ルを提供することにある。 【構成】ボンディングツ−ルの先端の接合界面の長手方
向に複数の平坦部を設け、各々の平坦部間に段差を設
け、外側平坦部が中央平坦部より短いことを特徴とする
ボンディングツ−ル。 【効果】ツ−ルとワイヤ間での滑りを抑制し、ワイヤ損
傷を防止して短時間に高品質、高信頼性の接合部が得ら
れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子装置の接続端子ま
たはパッドとリ−ド線またはワイヤをウエッジボンディ
ング法によって接合するときに用いるボンディングツ−
ルの形状に係り、特に、効率良く高信頼性を有する接合
を可能とするボンディングツールに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、電子部品の接続端子またはパッド
とリ−ド線またはワイヤを接合する場合や、半導体素子
のパッドとリ−ドフレ−ム間をワイヤで接続する場合な
どにおける接合には、超音波ウエッジボンディング法が
用いられている。
【0003】接続端子やパッド等の非接合材、及びリ−
ド線やワイヤ等の接合材の大きさに応じて接合に用いら
れるボンディングツールの先端形状もいろいろなものが
ある。 図3は従来のボンディングツ−ル先端部の断面
形状を示す図であり、図4は図3の超音波ボンディング
ツ−ルにより接合されたワイヤ7の接合部24の断面形
状を表している。図3に示されるようにボンディングツ
ール先端の接合界面22が一様に平坦な先端形状では、
接合時にボンディングツ−ルとワイヤ間で滑りが発生し
やすい。
【0004】この問題を解決するため、ボンディングツ
ール先端の接合界面22に凹部が形成されたものあるい
は凹状の丸みを帯びた凹みが形成されたもの等がスペシ
ャルボンディングツールズ:スモール プレシション
ツールズ,1998に開示されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
ボンディングツ−ル先端形状では、平坦部が大きいこと
により、接合時に加える超音波エネルギを損失し、接合
時間が長くなるため、ワイヤ表面へのキズ付けやワイヤ
表面の切粉でパット間が短絡する等の欠陥が発生する。
さらに、接合時の加圧力及び超音波エネルギによって、
被接合材であるワイヤが大きく変形するため、接合ワイ
ヤの断面積が減少し、接合部のネック強度が弱くなる。
また、接合部のネック強度向上のため、接合材であるワ
イヤの変形を極力抑えて接合を行うと接合界面から剥離
するなどの接合欠陥が多数発生するなど品質に問題があ
った。
【0006】本発明の目的は、超音波ウエッジボンディ
ング法による接合時に加圧力及び超音波エネルギを効率
良く接合界面からワイヤへ伝え、ボンディングツ−ルと
ワイヤ間での滑りを防止し、接合剤の剥離欠陥の発生が
なく、接合部のネック強度を向上させ、高品質で信頼性
の高い接合を行うためのボンディングツ−ルを提供する
ことにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、ボンディングツ−ル先端の接合界面の長手方
向に複数の平坦部を設け、各々のツ−ル先端平坦部間に
段差を付け、さらにボンディングツ−ル先端の接合界面
の接合材後側の外側平坦部がボンディングツ−ル先端の
接合界面の接合材先端部側の中央平坦部より短い構成と
する。
【0008】さらに、上記ボンディングツ−ル先端の接
合界面の端部に傾斜領域を設ける。
【0009】
【作用】上記した本発明の超音波ウエッジボンディング
ツ−ルによれば、ボンディングツ−ルの先端の接合界面
の長手方向に複数の平坦部を設け、さらに各々のボンデ
ィングツ−ル先端の接合界面の平坦部間に段差を設ける
ことにより、ボンディングツ−ルとワイヤ間の滑りを抑
制して、超音波エネルギをパッドとワイヤ間に効率良く
伝え、短時間で欠陥のない接合ができる。
【0010】また、ボンディングツ−ル先端の接合界面
の外側平坦部がボンディングツ−ル先端の接合界面の中
央平坦部より短いことにより、ワイヤの接合面積を確保
して接合を確実に行い、界面剥離などの接合欠陥を防止
し、ボンディングツ−ル先端の接合界面の外側平坦部下
でのワイヤのつぶし量を抑制することにより、ボンディ
ングツ−ル先端の接合界面の外側平坦部下の接合部厚さ
を確保し、接合部のネック強度を向上させることができ
る。
【0011】また、ボンディングツール先端の平坦部間
の段差が大きい場合、中央平坦部で界面剥離などの接合
欠陥を防止し、接合面積を確保して接合を確実に行なえ
るが、外側平坦部下の接合材の接合面積が少ないため界
面剥離などの接合欠陥が発生しやすくなる。一方、この
平坦部間の段差が小さい場合、中央平坦部と外側平坦部
で接合部厚さが変化せず、接合部のネック強度が向上し
ない。そこで、平坦部間の段差をワイヤ径の1/5〜1
/10倍の範囲とすることで、界面剥離などの接合欠陥
を防ぐと共に接合部のネック強度も向上させることがで
きる。
【0012】また、ボンディングツール先端の接合界面
の平坦部の長さが短い場合、接合面積が少ないため、界
面剥離などの接合欠陥が発生しやすくなるが、平坦部の
長さが長い場合は、良好な接合部を得るために、超音波
エネルギを過大に投入するか、接合時間を長くするかし
なければならず、ボンディングパッド面及びワイヤに欠
陥が発生する確率が高くなる。
【0013】そこで、ボンディングツール先端の接合界
面の平坦部の長さをワイヤ径の2〜5倍の範囲内とする
ことで、接合面積を十分に確保し、接合欠陥の発生を防
止すると共に超音波エネルギをパッドとワイヤ間に効率
良く伝え、短時間で欠陥のない接合ができる。
【0014】また、中央平坦部と外側平坦部間に凹部を
設けることで、さらにボンディングツ−ルとワイヤ間の
滑りを抑制して、超音波エネルギをパッドとワイヤ間に
効率良く伝え、短時間で接合ができる。また接合部全体
の変形が大きくなった場合でも凹部領域で接合部及びワ
イヤの損傷を軽減できる。また凹部のエッジ領域で超音
波エネルギをパッドとワイヤ間に効率良く伝え、良好な
接合領域が形成されるため外側平坦部下の接合部に界面
剥離が発生しても凹部のエッジ領域で界面剥離が止ま
り、接合部のネック強度を確保でき、接合部の品質及び
信頼性が向上する。 さらに、ボンディングツ−ル先端
の接合界面の外側平坦部がボンディングツ−ル端部に傾
斜領域を持つことで、ボンディングツ−ル先端の接合界
面の外側平坦部下の接合部のワイヤに与える損傷をさら
に少なくでき、接合部のネック強度を向上させる。しか
し、過度の傾斜を設けると超音波エネルギ、振動がワイ
ヤの非接合部側に逃げやすくなり、接合不良やワイヤに
損傷を与える。
【0015】
【実施例】以下本発明の実施例について図面を用いて説
明する。
【0016】(実施例1)図1は、本発明の一実施例で
ある実施例1のボンディングツ−ルの先端部の断面形状
を示す図であり、図2は、図1の超音波ボンディングツ
−ルによるワイヤの接合部の断面形状を示す図である。
【0017】図1に示すように実施例1のボンディング
ツ−ルは、ボンディングツ−ル先端部1が中央平坦部
2、外側平坦部3、段差部4、傾斜部5、5´からなる
形状である。このボンディングツ−ルにより接合したワ
イヤ7は、図2に示すように、接合部6内に中央平坦部
2下のワイヤ7の変形が大きい接合領域8と、外側平坦
部3下のワイヤ7の変形が小さい接合領域9との2段階
である。このボンディングツ−ル形状は、中央平坦部2
で確実に接合部を形成し、接合界面からの剥離などの接
合欠陥の発生を防止し、中央平坦部2のワイヤへの食い
込みを防止し、段差部4でボンディングツ−ルとワイヤ
の滑りを防止し、潰し量の少ない外側平坦部3で接合部
のワイヤの断面積を確保し、接合領域9側でネック強度
を向上させる。
【0018】図7は超音波ウエッジボンディングを行う
ボンディング装置の構成を示す図であり、ホ−ン25、
ホ−ン上・下駆動部(加圧機構含)26、超音波発振制
御部27、ワ−ク取付台28から成っている。
【0019】図8は本発明におけるボンディングツール
を用いた超音波ウエッジボンディングが適用された製品
を示す図である。
【0020】図8に示すコアスライダ−29は、図7の
ワ−ク取付台28にクランプされ次にワイヤ7とパット
19との位置合せを行った後、図7に示すホ−ン上・下
駆動部26により図8に示す接合部6にツ−ル1を下降
・加圧、その後超音波発振制御部27で発振を開始、超
音波振動はホ−ン25を経由してホ−ン25の先端に取
付けたツ−ル1を振動させ、ワイヤとパッド間に超音波
エネルギを付加することにより接合を行う。
【0021】超音波の発振は、ワイヤ7のつぶれ量の計
測あるいは発振時間により制御し、良好な接合を確保す
るものである。
【0022】上記した実施例1のボンディングツ−ルと
図3に示される従来のボンディングツ−ルを用いて、0.
1μmtのAuパッド上に30μmφAu線(ワイヤ強度:15g
f)を超音波ウエッジボンディングし、各々50点製作
した。接合条件は、両ツ−ルとも同一で出力:0.4
W、荷重:120gf、時間:0.1sで行った。
【0023】なお、実施例1のボンディングツ−ル先端
部の寸法は、接合界面の長手方向の長さ:0.2mm、
中央平坦部2長さ:0.1mm、外側平坦部3長さ:
0.1mm、段差4の高さ:0.006mmであり、従
来のボンディングツ−ル先端部の寸法は、接合界面22
の長手方向の長さ:0.2mmのフラット型である。
【0024】その結果、実施例1におけるボンディング
ツ−ルによる接合部の厚さは接合領域8:約8μm、接
合領域9:約12μmであり、その接合部の強度は、約
10.5〜12.6gfで全て外側平坦部3下のワイヤ
6の変形が小さい接合領域9からのネック破断である。
これに対し、従来のフラット型ボンディングツ−ルによ
る接合部の厚さは約8μmであり、その接合部の強度
は、約6.8〜8.8gfで、全て接合部端部からのネ
ック破断である。本発明のボンディングツ−ルは、従来
のフラット型ボンディングツ−ルに比べ、接合部のネッ
ク強度が向上した。
【0025】(実施例2)図5は、ボンディングツール
先端の接合界面の平坦部間に設けた段差の一部又は全部
を凹部とした本発明における他の実施例の一つである実
施例2のボンディングツ−ルの断面形状を示す図であ
り、図6は、図5のボンディングツ−ルによる接合され
たワイヤの断面形状を示す図である。
【0026】図5に示すように、実施例2のボンディン
グツ−ルは、ボンディングツ−ル先端部10が中央平坦
部11、外側平坦部12、凹部13、傾斜部14、14
´からなる形状である。このボンディングツ−ルにより
接合したワイヤは、図6に示すように接合部15内に、
中央平坦部11下のワイヤ7の変形が小さい接合領域1
6、凸部接合領域18、外側平坦部12下のワイヤ7の
変形が小さい接合領域17の3段階から成る。
【0027】この形状により、中央平坦部11で確実に
接合部を形成し、接合界面からの剥離などの接合欠陥の
発生を防止し、凹部13でボンディングツ−ルとワイヤ
の滑りを防止し、凹部13のエッジ部で超音波エネルギ
を伝え、接合性を向上させ、外側平坦部12で接合部の
断面積を確保し、接合領域17側のネック強度を向上さ
せる。
【0028】上記した実施例2のボンディングツ−ルと
図3に示された従来のボンディングツ−ルを用いて、0.
1μmtのAuパッド上に30μmφAu線(ワイヤ強度:15g
f)を超音波ウエッジボンディングし、各々50点製作
した。接合条件は、両者とも同一で出力:0.4W、荷
重:120gf、時間:0.1sで行った。
【0029】なお、本発明のボンディングツ−ル先端の
寸法は、接合界面の長手方向の長さ:0.2mm、中央
平坦部11の長さ:0.085mm、凹部13の長さ:
0.03mm、凹部13の深さ:0.02mm、外側平
坦部12の長さ:0.085mm、中央平坦部11と外
側平坦部13の段差:0.006mmであり、従来のボ
ンディングツ−ル先端の寸法は、ボンディングツ−ル先
端の接合界面22の長手方向の長さ:0.2mmのフラ
ット型である。
【0030】その結果、本発明のボンディングツ−ルに
よる接合部の厚さは接合領域16:約8μm、凸部接合
領域18:約18μm、接合領域17:約12μmであ
り、その接合部の強度は、約11.2〜12.3gfで
全て外側平坦部12下のワイヤ6の変形が大きい接合領
域9からのネック破断である。これに対し、従来のフラ
ット型ボンディングツ−ルによる接合部の厚さは約8μ
mであり、その接合部の強度は、約6.8〜8.8gf
で、全て接合部端部からのネック破断である。本発明の
ボンディングツ−ルは、従来のフラット型ボンディング
ツ−ルに比べ、接合部のネック強度が向上した。
【0031】
【発明の効果】本発明によれば、ボンディングツ−ルと
ワイヤの滑りを防止し、エネルギを効率良く伝え、接合
性を向上させ、短時間接合が可能となるとともに接合部
のネック強度を向上させ、高品質、高信頼性の接合が可
能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例におけるボンディングツ
−ルの断面形状を示す図。
【図2】図1のボンディングツ−ルによる接合部の断面
形状を示す図。
【図3】従来のボンディングツ−ルの断面形状を示す
図。
【図4】図3のボンディングツ−ルによる接合部の断面
形状を示す図。
【図5】本発明の第2の実施例のボンディングツ−ルの
断面形状を示す図。
【図6】図5のボンディングツ−ルによる接合部の断面
形状を示す図。
【図7】本発明が適用されたボンディング装置の構成を
示す図。
【図8】本発明のボンディングツールを用いて接合を行
なった製品を示す図。
【符号の説明】
1,10,21…ボンディングツ−ル先端部 2,1
1,22…中央平坦部 3,12…外側平坦部 4…段差部 5,5′,14,14′,23,23′…傾斜部 6,15…接合部 7…ワイヤ 8,9,16,17,
24…接合領域 13…凹部 18…凸部接合領域 19…パッド 20
…基板 25…ホ−ン 26…ホ−ン上・下駆動部 27…超音
波発振制御部 28…ワ−ク取付台 29…コアスライダ 30…サス
ペンション
フロントページの続き (72)発明者 加藤 光雄 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 梶原 良一 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ウエッジボンディング法により被接合材と
    接合材の接合を行うときに使用するボンディングツ−ル
    において、該ボンディングツ−ル先端の前記接合材との
    接合界面に複数の平坦部を設け、該平坦部間に段差を設
    けることを特徴とするボンディングツ−ル。
  2. 【請求項2】前記平坦部は、前記接合材の先端部側を接
    合する中央平坦部と、前記接合材の後側を接合する外側
    平坦部を有し、該外側平坦部の長さは該中央平坦部より
    短かいことを特徴とする請求項1記載のボンディングツ
    −ル。
  3. 【請求項3】前記外側平坦部のボンディングツール端部
    に傾斜部を設けたことを特徴とする請求項2記載のボン
    ディングツ−ル。
  4. 【請求項4】前記平坦部間の段差の一部または全部を凹
    部としたことを特徴とする請求項3記載のボンディング
    ツ−ル。
  5. 【請求項5】前記平坦部間の段差の高さをワイヤ径の1
    /5〜1/10倍の範囲内としたことを特徴とする請求
    項3または4記載のボンディングツ−ル。
  6. 【請求項6】前記平坦部の長さをワイヤ径の2〜5倍の
    範囲内としたことを特徴とする請求項3または4記載の
    ボンディングツ−ル。
JP6048339A 1994-03-18 1994-03-18 ボンディングツ−ル Pending JPH07263478A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011009262A (ja) * 2009-06-23 2011-01-13 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp 加圧式超音波振動接合方法および加圧式超音波振動接合装置
CN104425311A (zh) * 2013-09-10 2015-03-18 株式会社东芝 接合用具、接合装置以及半导体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011009262A (ja) * 2009-06-23 2011-01-13 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp 加圧式超音波振動接合方法および加圧式超音波振動接合装置
CN104425311A (zh) * 2013-09-10 2015-03-18 株式会社东芝 接合用具、接合装置以及半导体装置
JP2015056426A (ja) * 2013-09-10 2015-03-23 株式会社東芝 ボンディング用ツール、ボンディング装置、および半導体装置

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