JPH0726212B2 - 表面処理方法 - Google Patents

表面処理方法

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JPH0726212B2
JPH0726212B2 JP60040981A JP4098185A JPH0726212B2 JP H0726212 B2 JPH0726212 B2 JP H0726212B2 JP 60040981 A JP60040981 A JP 60040981A JP 4098185 A JP4098185 A JP 4098185A JP H0726212 B2 JPH0726212 B2 JP H0726212B2
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    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はパルス状無線周波数プラズマからの固体基体表
面への表面薄層の蒸着（deposition）に関する。
従来の技術 基体材料の表面処理法としてプラズマ法及び特に低温グ
ロー放電プラズマ法は、非常に有用な方法となる可能性
を有する。それは高エネルギー放射源として基体表面に
物理的，化学的双方の変化をうながし、表面のエツチン
グ，粗面化，重合，架橋形成，接着促進，グラフテイン
グ及び被覆に使用される。ガス組成を変更するだけで基
体の表面エツチング，架橋形成及び層又は多重層蒸着を
次々に行うようにして処理中に複数の工程を行なうこと
も可能である。かかる方法により異なる蒸着層間に最大
限の接着及び相容性が確保され、急変化する境界に起因
する内部光反射の如き他の問題が回避される。
発明が解決しようとする問題点 しかし通常の放電では良好な無機被覆の蒸着のためには
基体温度が250℃を越える必要があり、例えば大部分の
プラスチツク基体には高温すぎる。これはおそらく通常
の放電では分子解離の程度が比較的低いためと思われ
る。従つて基体表面に達する種が、さらに分離し被覆を
構成するためにはエネルギーが更に必要である。このた
めに多くの材料、特にプラスチツク等の感熱材料の表面
処理にプラズマを使用するのに制限があつた。
かかる欠点を解決するため強力パルス状無線周波数プラ
ズマ技術が開発された。かかる方法は英国公開特許出願
No.2105729Aに記載されている。この出願は、基体表面
を平均パワーが低く少なくとも１リツトル当り数kWのパ
ワー密度を提供する強力無線周波数パルスプラズマに基
体表面を曝す感熱基体材料の表面処理方法を開示してい
る。一般的にはパルス電力は反応ガスに略完全な解離を
起こさせるのに充分である。
問題点を解決するための手段 本発明によれば、パルスプラズマ蒸着方法は、ガス交換
の速さと発生器パルスの繰返し速さを適合させることに
より最適化される。
本発明によれば、基体を閉鎖した室内に置き、減圧した
室中にガスを流通させ、基体表面が曝されるプラズマを
発生するよう室に強力パルス状無線周波数エネルギーを
印加し、パルスの繰返し速さ（周波数）は基体近傍のガ
ス交換に十分なパルス間の時間が得られるような繰返し
速さであることを特徴とする基体材料の表面処理方法が
提供される。
上述のように、本発明によるパルス状無線周波数プラズ
マ蒸着方法では、パルスの繰返し速さ、即ち周波数は、
ガス交換の速さに適合した値とされる。これはパルス幅
を50〜500マイクロ秒とし、パルスの繰返し速さ（周波
数）を、パルスとパルスの間の休止時間内において反応
領域中のガスが交換される速さに対応させることにより
行われる。ここで、パルスの繰返し速さは１秒間に発生
するパルスの数を表しており、パルスの繰返し周波数と
同義である。
本発明による基体の表面処理方法では、パルス状プラズ
マ処理は短くて強い放電の間にイオンが発生され、この
後にエネルギが供給されない時間が設けられる。このエ
ネルギが供給されない時間は放電時間に比べて十分長
く、このエネルギが供給されない時間において、前の放
電で発生したイオンが基体の表面上で反応する。エネル
ギの供給される時間は全デューティーサイクルの僅かな
部分であるため、全時間で平均したエネルギは低くな
る。よって、本発明による表面処理方法によれば、基体
の表面温度を大きく変化させること無く高エネルギのプ
ラズマ処理が可能となる。従って、例えばプラスチック
材料のように高温度で損傷を受けるような材料であって
も、高エネルギのプラズマ表面処理が可能となる。
本方法によれば空間的な欠乏勾配がなくなりガス利用が
改善される。
図面を参照するに、表面に被覆を設けようとする部材10
は真空室11内に置かれる。室11中の部材10が置かれる部
分は、パルス状無線周波数発生器13に接続されるコイル
12により囲まれている。発生器13のパワー出力値は重要
ではないが所望の表面蒸着を起こすに充分でなければな
らない。そのためには60kWの発生器が適当である。典型
的にはパワー出力は、少なくとも100w/ccのエネルギー
密度をもたらすのに充分である。より高度のプラズマ励
起を得るには1000w/ccまでのより大なるエネルギー密度
が使用される。室はポンプ15へ連なる排気口14から排気
され、入口管17を介して吸込マニホルド16からガス又は
蒸気を供給される。
使用時部材10は室11内へ挿入され次いで室11は排気口14
から排気される。部材が外部導線である場合には表面処
理を行なう前にマスキングクリツプ（図示せず）を取付
けてマスキングしてもよい。次いで入口17を介して洗浄
化ガス混合体が入れられ，以後の薄層蒸着のため、清浄
で活性化された部材表面が得られるようプラズマを開始
させるため発生器が稼働されるのが有利である。清浄化
ガスはフツ素，酸素，水素又はそれらの混合物であり、
好ましくはヘリウムが添加される。発生器は室に容量的
又は誘導的に結合させればよい。
次いで室11内のガスは、部材10に表面被覆を蒸着させる
ためのガス又は蒸気又はそれらの混合物に変えられる。
この蒸着を行なうため発生器のパルス繰返し速さは、プ
ラズマの解離速度と適合される。
パルスの繰返し速さをガス交換の速さに適合させるに
は、ポンプの体積流量及び室の容積から、反応器内のガ
ス交換に要する時間を計算する必要がある。一つのパル
スと次のパルスとの間の休止時間がこのガス交換時間に
等しい場合が最良の適合となる。プラズマの活性成分の
分圧は典型的には10〜100m torrである。これはパルス
当り約0.3〜１の単一層の蒸着に対応する。
各無線周波数パルスによりプラズマガスは解離されるの
で室11内の活性ガス内容は激減する。パルスの持続時間
は短いため、一つのパルスの持続時間中に実質的なガス
の交換はなされない。即ち、パルスの持続時間中のガス
交換は非常に少なく、無視できる程の値である。このた
め室の容積全体に亘り略一様な蒸着状態が得られる。パ
ルス直後には室は高度に解離した略一様なプラズマを含
む。
反応ガスの解離速度は、数マイクロ秒以内に起こるプラ
ズマ形成より２桁以上遅い。蒸着効率は最大にするには
プラズマは少なくとも50マイクロ秒、好ましいくは75〜
500マイクロ秒の間維持されねばならない。多くのプラ
ズマの場合に100〜400マイクロ秒のパルス幅により最良
の蒸着状態が得られる。好ましいマークスペース比は1:
300乃至1:1200である。
第１の被覆工程の終了後所望の場合にはガスは排気口14
から排気され、別のバスが第２の工程を行なうよう入口
17から入れられる。所望の場合にはガスは第２のガスが
入れられる前に室11から全て除去されてもよく、あるい
は第２のガスは第１のガスが除去されるのと同時に入れ
られてもよい。このようにして２つの別々の表面処理段
階を順次行なうことができ、また上記の２番目の方法で
ガスを交換するならば表面処理段階間で表面の不連続性
はなくなる。
本方法が適用される材料に制限はないが、本方法は有機
無機両方の感熱材料の処理に特に適する。しかし鋼又は
アルミニウム等の他の材料の表面処理にも使用しうる。
ガスの選択は所要の工程に依存する。原子種は化学エネ
ルギーが非常に大きく対称構造を有するので有利であ
る。かかる放電は、プラスチツク表面に強固な架橋が形
成されるのを助ける紫外線の放射源となるという利点も
有する。部材10は、アクリル又はカーボネート等のプラ
スチツクを含む広い範囲の材料からなるものを使用しう
る。考えられる処理としては例えば光学素子の清浄化及
び活性化，光学的性質の適合するグラフトポリマーの被
着，及び炭化ケイ素又は窒化ケイ素等の高屈折率で耐摩
耗性の硬い材料からSiO2等の適当な屈折率の1/4波長
（λ/4）無機層及び最後の光学的に適合する撥水性フル
オロカーボンの薄層への緩かな移行などがある。
本方法は例えば赤外線レンズ又はフイルタ用の防水層の
形成に特に好ましく、また流動床装置中の粒子の被覆に
用いられる。電離の程度を強めるための磁界を印加して
もよい。部材10に最適の熱状態を造るため内部及び外部
熱源を付加してもよい。
例えばエツチング等の工程においては、部材10を活性領
域の外側に置くのが好ましいこともある。
ガス供給をパルス状にするのが好ましい場合もある。本
方法はケーブル用プラスチツクに不浸透性被覆を設ける
のに使用することができる。
上記に説明した方法を使用してプラスチツク基体に炭化
ケイ素薄層を蒸着させることができた。薄層は、圧力10
0m torrのシラン及びメタンの同体積混合物から蒸着さ
れた。使用された発生器の公称電力は60kWでありパルス
幅100μsec,繰返し周波数は10Hzである。観測された成
長速度は600Å/minであつた。
勿論様々な変形が可能である。反応ガスを、各発生器パ
ルス毎に１パルスの一連のパルスとして室内へ供給する
応用例がある。この方法をおしすすめて、各パルス毎に
ガスを異なる組成又は不活性ガスに変更する例がある。
この方法では例えば一連の単一層からなる多重層構造が
形成される。
本発明は特に薄層蒸着に関連して説明されたが、適当な
エツチングガス混合物を用いれば基体の表面エツチング
に使用しうる。本方法は例えば集積回路の製造時のマス
ク半導体構成のドライエツチングで使用される。
【図面の簡単な説明】
図はパルスプラズマ蒸着装置の概略図である。 10……部材、11……室、12……コイル、13……パルス状
無線周波数発生器、14……排気口、15……ポンプ、16…
…吸込マニホルド、17……入口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イアン ポール レウエリン イギリス国 エセツクス ハーロー フオ ース アベニユー ワイダブリユーシーエ ー （番地なし) (56)参考文献 特開 昭56−139672（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−215769（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−221436（ＪＰ，Ａ) 英国特許2105729（ＧＢ，Ａ)

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基体が減圧の下で強力パルス状無線周波数
    プラズマに曝され、プラズマのパルス繰返し速さはガス
    の交換に十分なパルス間の時間が得られるような繰返し
    速さである基体材料の表面処理方法であって、 プラズマの活性成分の分圧を10乃至100mtorrに制御し、 50乃至500マイクロ秒のプラズマのパルス幅を与え、 プラズマの高度の解離が生じるようにプラズマを100乃
    至1000W/ccのパワー密度に曝す ことを特徴とする表面処理方法。
  2. 【請求項２】プラズマのパルス幅は100乃至400マイクロ
    秒であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
    表面処理方法。
  3. 【請求項３】ガスは一連のパルスとして供給され、各ガ
    スパルスは発生器パルスに対応することを特徴とする特
    許請求の範囲第１項記載の表面処理方法。
  4. 【請求項４】ガスの成分は各パルス毎に変更されること
    を特徴とする特許請求の範囲第３項記載の表面処理方
    法。
  5. 【請求項５】ガスはエッチング剤からなることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項記載の表面処理方法。
  6. 【請求項６】基体は半導体構成からなることを特徴とす
    る特許請求の範囲第５項記載の表面処理方法。
  7. 【請求項７】基体表面に表面被覆が設けられることを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載の表面処理方法。
  8. 【請求項８】被覆は一連の単一層からなることを特徴と
    する特許請求の範囲第７項記載の表面処理方法。
  9. 【請求項９】基体は赤外線レンズ又はフィルタからなる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第８項記載の表面処理
    方法。
  10. 【請求項１０】被覆は炭化ケイ素からなることを特徴と
    する特許請求の範囲第８項記載の表面処理方法。
  11. 【請求項１１】被覆はシランとメタンの混合物から蒸着
    されることを特徴とする特許請求の範囲第10項記載の表
    面処理方法。
  12. 【請求項１２】パルス繰返し周波数は5Hz乃至10Hzであ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の表面処
    理方法。
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Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2291888B (en) * 1984-06-08 1996-06-26 Barr & Stroud Ltd Optical coating
JPS62216637A (ja) * 1986-03-19 1987-09-24 Anelva Corp プラズマ処理装置
DE3629000C1 (de) * 1986-08-27 1987-10-29 Nukem Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ausbilden einer Schicht durch plasmachemischen Prozess
DE3700633C2 (de) * 1987-01-12 1997-02-20 Reinar Dr Gruen Verfahren und Vorrichtung zum schonenden Beschichten elektrisch leitender Gegenstände mittels Plasma
DE3841730C2 (de) * 1988-12-10 1997-06-19 Widia Gmbh Verfahren zum Beschichten eines metallischen Grundkörpers mit einem nichtleitenden Beschichtungsmaterial
KR930011413B1 (ko) * 1990-09-25 1993-12-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 펄스형 전자파를 사용한 플라즈마 cvd 법
JP3042127B2 (ja) * 1991-09-02 2000-05-15 富士電機株式会社 酸化シリコン膜の製造方法および製造装置
CA2077773A1 (en) * 1991-10-25 1993-04-26 Thomas R. Anthony Microwave, rf, or ac/dc discharge assisted flame deposition of cvd diamond
US5442160A (en) * 1992-01-22 1995-08-15 Avco Corporation Microwave fiber coating apparatus
US5525392A (en) * 1992-12-10 1996-06-11 International Business Machines Corporation Magnetic recording medium having a fluorinated polymeric protective layer formed by an ion beam
KR100326488B1 (ko) * 1993-06-21 2002-06-20 조셉 제이. 스위니 플라즈마화학기상증착법
US5380566A (en) * 1993-06-21 1995-01-10 Applied Materials, Inc. Method of limiting sticking of body to susceptor in a deposition treatment
US5399388A (en) * 1994-02-28 1995-03-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of forming thin films on substrates at low temperatures
DE4429380C1 (de) * 1994-08-15 1996-04-25 Biotronik Mess & Therapieg Verfahren zur Herstellung einer nichtkollabierenden intravasalen Gefäßprothese (Stent)
US5643639A (en) * 1994-12-22 1997-07-01 Research Triangle Institute Plasma treatment method for treatment of a large-area work surface apparatus and methods
US5543605A (en) * 1995-04-13 1996-08-06 Avco Corporation Microwave fiber coating apparatus
US6253704B1 (en) 1995-10-13 2001-07-03 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for pulsed plasma processing of a semiconductor substrate
US5983828A (en) * 1995-10-13 1999-11-16 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for pulsed plasma processing of a semiconductor substrate
US6794301B2 (en) 1995-10-13 2004-09-21 Mattson Technology, Inc. Pulsed plasma processing of semiconductor substrates
KR970064327A (ko) * 1996-02-27 1997-09-12 모리시다 요이치 고주파 전력 인가장치, 플라즈마 발생장치, 플라즈마 처리장치, 고주파 전력 인가방법, 플라즈마 발생방법 및 플라즈마 처리방법
DE19640528A1 (de) * 1996-10-01 1998-04-02 Roland Dr Gesche Verfahren, Vorrichtung und Behälter für die Behandlung von Teilen mit vakuumtechnischen Prozessen
US5849628A (en) 1996-12-09 1998-12-15 Micron Technology, Inc. Method of producing rough polysilicon by the use of pulsed plasma chemical vapor deposition and products produced by same
US6627532B1 (en) * 1998-02-11 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Method of decreasing the K value in SiOC layer deposited by chemical vapor deposition
US6303523B2 (en) 1998-02-11 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US6054379A (en) 1998-02-11 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing a low k dielectric with organo silane
US6287990B1 (en) 1998-02-11 2001-09-11 Applied Materials, Inc. CVD plasma assisted low dielectric constant films
US6593247B1 (en) 1998-02-11 2003-07-15 Applied Materials, Inc. Method of depositing low k films using an oxidizing plasma
US6660656B2 (en) 1998-02-11 2003-12-09 Applied Materials Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US6147009A (en) 1998-06-29 2000-11-14 International Business Machines Corporation Hydrogenated oxidized silicon carbon material
US5985375A (en) * 1998-09-03 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Method for pulsed-plasma enhanced vapor deposition
US20010049181A1 (en) 1998-11-17 2001-12-06 Sudha Rathi Plasma treatment for cooper oxide reduction
US6355571B1 (en) 1998-11-17 2002-03-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing copper oxidation and contamination in a semiconductor device
DE19911046B4 (de) * 1999-03-12 2006-10-26 Robert Bosch Gmbh Plasmaverfahren
US6821571B2 (en) 1999-06-18 2004-11-23 Applied Materials Inc. Plasma treatment to enhance adhesion and to minimize oxidation of carbon-containing layers
ATE420454T1 (de) 1999-08-17 2009-01-15 Tokyo Electron Ltd Gepulstes plasmabehandlungsverfahren und vorrichtung
US6794311B2 (en) 2000-07-14 2004-09-21 Applied Materials Inc. Method and apparatus for treating low k dielectric layers to reduce diffusion
CN1257547C (zh) * 2000-08-02 2006-05-24 国际商业机器公司 多相低介电常数材料及其沉积方法与应用
US6709721B2 (en) 2001-03-28 2004-03-23 Applied Materials Inc. Purge heater design and process development for the improvement of low k film properties
DK1253216T3 (da) * 2001-04-27 2004-03-22 Europ Economic Community Fremgangsmåde og apparat til sekventiel plasmabehandling
CN100462475C (zh) * 2001-08-29 2009-02-18 东京电子株式会社 用于等离子处理的装置和方法
GB0211354D0 (en) * 2002-05-17 2002-06-26 Surface Innovations Ltd Atomisation of a precursor into an excitation medium for coating a remote substrate
GB0212848D0 (en) * 2002-06-01 2002-07-17 Surface Innovations Ltd Introduction of liquid/solid slurry into an exciting medium
US8216986B2 (en) 2003-10-15 2012-07-10 Kajal Parekh Low-phosphorous lubricant additive
US8216982B2 (en) 2003-10-15 2012-07-10 Kajal Parekh Low-phosphorous lubricants
US20070193935A1 (en) * 2006-01-13 2007-08-23 Platinum Research Organization, L.P. System and method for providing continuous, in-situ, antiwear chemistry to engine oil using a filter system
KR20080082775A (ko) * 2007-03-09 2008-09-12 삼성전자주식회사 액정표시장치와 그 제조방법
US8791056B2 (en) 2010-06-24 2014-07-29 Board Of Regents, The University Of Texas System Alkylphosphorofluoridothioates having low wear volume and methods for synthesizing and using same
US9725669B2 (en) 2012-05-07 2017-08-08 Board Of Regents, The University Of Texas System Synergistic mixtures of ionic liquids with other ionic liquids and/or with ashless thiophosphates for antiwear and/or friction reduction applications

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2105729A (en) 1981-09-15 1983-03-30 Itt Ind Ltd Surface processing of a substrate material

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3108900A (en) * 1959-04-13 1963-10-29 Cornelius A Papp Apparatus and process for producing coatings on metals
GB1582231A (en) * 1976-08-13 1981-01-07 Nat Res Dev Application of a layer of carbonaceous material to a surface
JPS55155034A (en) * 1979-05-21 1980-12-03 Shin Etsu Chem Co Ltd Plasma treatment of surface of polyvinyl chloride resin molded article
DE3010314C2 (de) * 1980-03-18 1982-01-07 Beerwald, Hans, Dr.Rer.Nat., 5370 Kall Verfahren zur innenbeschichtung von elektrisch nicht leitfähigen Rohren mittels Gasentladungen
GB2079267B (en) * 1980-07-11 1983-10-26 Ass Elect Ind Manufacture of optical fibre preforms
US4422897A (en) * 1982-05-25 1983-12-27 Massachusetts Institute Of Technology Process for selectively etching silicon
US4401507A (en) * 1982-07-14 1983-08-30 Advanced Semiconductor Materials/Am. Method and apparatus for achieving spatially uniform externally excited non-thermal chemical reactions
US4500563A (en) * 1982-12-15 1985-02-19 Pacific Western Systems, Inc. Independently variably controlled pulsed R.F. plasma chemical vapor processing
JPS59128281A (ja) * 1982-12-29 1984-07-24 信越化学工業株式会社 炭化けい素被覆物の製造方法
DE3326020A1 (de) * 1983-07-20 1985-01-31 Schott Glaswerke, 6500 Mainz Plasmaverfahren zur chemischen behandlung von objekten und substanzen
US4510172A (en) * 1984-05-29 1985-04-09 International Business Machines Corporation Technique for thin insulator growth

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2105729A (en) 1981-09-15 1983-03-30 Itt Ind Ltd Surface processing of a substrate material

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