JPH07258828A - Film formation - Google Patents

Film formation

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JPH07258828A
JPH07258828A JP5335894A JP5335894A JPH07258828A JP H07258828 A JPH07258828 A JP H07258828A JP 5335894 A JP5335894 A JP 5335894A JP 5335894 A JP5335894 A JP 5335894A JP H07258828 A JPH07258828 A JP H07258828A
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JP
Japan
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film
substrate
vapor
material
nozzle
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JP5335894A
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Japanese (ja)
Inventor
Sakuo Kamata
Takeshi Okamoto
Riyuuji Ootani
Yoshiyuki Uchinono
良幸 内野々
隆児 大谷
剛 岡本
策雄 鎌田
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
松下電工株式会社
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Publication date
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Abstract

PURPOSE: To form a dense high-quality vapor deposited film having high adhesion and reduced in electric resistance by irradiating a substrate in a high vacuum chamber with a vapor beam of film material, emitted from a vapor beam emitting chamber in the high vacuum chamber, into pattern state.
CONSTITUTION: A high vacuum chamber 12 is evacuated, and a substrate 9 is heated. Ar gas is introduced via a valve 14 and high frequency electric discharge is done by an antenna 13, and the substrate 1 is cleaned by the resulting Ar plasma. A film material 6 in a crucible 3 in a vapor beam emitting chamber 4 is heated by a heater 5 and evaporated, and the substrate 1 is irradiated with the resulting vapor beam 8 via a nozzle 7. At this time, the substrate 1 is irradiated, into pattern state, with the vapor beam 8 by moving an XY table 11 while turning the vapor beam 8 on and off by opening and closing a shutter 9, by which a vapor deposited film 15 of pattern state is directly formed. By this method, the vapor deposited film 15 to be a circuit pattern can be efficiently formed while obviating the necessity of intermediate stages such as etching.
COPYRIGHT: (C)1995,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は膜形成方法に関し、さらに詳しくは回路基板の製法に用いられる膜形成方法に関する。 The present invention relates to an film forming method, and more particularly to film forming method used in the preparation of the circuit board.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来、ガラス板、セラミックス板または有機絶縁基板上に膜を形成する方法として、めっきまたはスパッタリングのような湿式または乾式の成膜方法が行われている。 Conventionally, a glass plate, as a method for forming a film on a ceramic plate or an organic insulating substrate, wet or dry film forming methods such as plating or sputtering have been made. しかしながら、このような方法では基板全面に膜形成が行われるため、パターン状の膜を得ようとすると、この後、パターン状にエッチングする必要がある。 However, in such a method for film formation on the entire surface of the substrate is carried out, in order to obtain a patterned film, after this, it is necessary to etch a pattern. 従って、工程が複雑になるため、迅速なパターン膜の形成が困難であると共に多種類のパターンに迅速に対応することも困難である。 Therefore, because the process becomes complicated, it is difficult to respond quickly to a wide variety of patterns with rapid formation of pattern film is difficult. また、貴金属などの微粒子を溶剤およびバインダーなどと共に混合したペーストを、パターン状に塗布し、乾燥し、焼成して貴金属などの膜を形成する方法もあるが、ペーストの調整、塗布または焼成は煩雑であると共に長時間を要するものである。 Further, a paste obtained by mixing fine particles such as precious metals, such as with a solvent and a binder, is applied in a pattern, dried, and calcined to there is a method of forming a film such as a noble metal, adjusting the paste, coating or baking is complicated those requiring a long period of time along with it. また、焼成によって得られた膜にはバインダーが混在するため緻密な膜が得られないという欠点がある。 Further, the film obtained by firing the disadvantage that the binder is not a dense film can be obtained for a mixture.

【0003】以上のような欠点を改善する方法として、 [0003] As a method for improving the drawbacks described above,
粒径が1μm以下の超微粒子をノズルから基板上に吹きつけてパターン状の膜を形成する方法が特公平3─14 Particle size 1μm or less of a method of forming a blown by patterned film on a substrate ultrafine particles from the nozzle KOKOKU 3─14
512号公報に示されている。 It is shown in 512 JP. また、金属イオンビームによってパターン状の膜を形成する方法が特開平2─1 Further, a method of forming a patterned film by the metal ion beam Patent 2─1
81984号公報に示されている。 It disclosed in JP-81984.

【0004】これらの方法によれば、基板上にパターン状の膜を直接形成することができ、工程が短く簡単になり、様々な形状のパターンに迅速に対応することができるものである。 [0004] According to these methods, it is possible to form a patterned film on a substrate directly, process is simplified short, is capable to respond quickly to patterns of various shapes.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の従来例にあって、超微粒子を用いる方法では、これらの粒子が積み重なって膜形成されるため、超微粒子であっも粒子の境界部が異なる形態となると共にこの境界に空隙が残る場合もあり、十分に緻密な膜が得られないものである。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, in the conventional example above, the method using ultra-fine particles, since these particles are stacked with film formation, forms the boundary of even particles a ultrafine particles are different If the void to the boundary remains with becomes also there, and will fully dense film can not be obtained. そのため、この膜は電気抵抗がバルク金属の数倍以上と大きく、電子回路および半導体回路には不適当である。 Therefore, this film is as large as the electric resistance is more than several times of the bulk metal, which is unsuitable for the electronic circuit and semiconductor circuit. また、金属イオンビームを用いる方法では、イオン密度を高めて成膜スピードを速くすることが困難なため、生産性がよくないものである。 In the method using a metal ion beam, because it is difficult to increase the film forming speed by increasing the ion density, but has poor productivity.

【0006】本発明は、以上のような問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、直接パターン状の膜形成ができると共に緻密な膜質が得られ、その上、十分な成膜スピードの得られる生産性の高い膜形成方法を提供することにある。 The present invention, as described above has been made to solve the problems, and its object is dense film quality can be obtained it is directly patterned film is formed, Moreover, sufficient growth and to provide a high film forming method productivity obtained the film speed.

【0007】 [0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する請求項1記載の発明は、高真空室内に設けた蒸気ビーム発生室で膜材料を加熱して蒸気を発生させ、この蒸気をノズルから蒸気ビームとして高真空室内に配設した基板にパターン状に照射して、蒸着膜を形成することを特徴として構成している。 To solve the above problems SUMMARY OF THE INVENTION Claim 1 invention described heats the film material to generate steam in a steam beam generating chamber provided in a high vacuum chamber, the steam the steam from the nozzle by irradiating in a pattern on a substrate which is disposed in a high vacuum chamber as a beam, it constitutes a feature to form a deposited film.

【0008】請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、蒸着膜の上に、さらにめっき膜を重ねて形成するを特徴として構成している。 [0008] According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, on the deposited film, and constitutes a feature to form superimposed a further plating film.

【0009】請求項3記載の発明は、導電体材料、絶縁材料、誘電体材料または抵抗体材料の内の2種類以上の材料を同一基板上に重ねて形成した多層膜の少なくとも1層を請求項1または2記載の膜形成方法によって形成することを特徴として構成している。 [0009] The invention of claim 3, wherein, the conductive material, an insulating material, wherein the dielectric material or at least one layer of a multilayer film formed overlapping on the same substrate two or more materials of the resistor material constitute as characterized by forming the film forming method of claim 1 or 2 wherein.

【0010】請求項4記載の発明は、請求項1、2または3記載の発明において、蒸気ビーム発生室に設けた多孔体に膜材料を含浸保持して用いることを特徴として構成している。 [0010] The invention of claim 4, wherein, in the invention of claim 1, wherein, constitute as characterized by using impregnated hold the film material in the porous body formed in the vapor beam generating chamber.

【0011】請求項5記載の発明は、請求項1、2または3記載の発明において、蒸気ビーム発生室に少なくとも一方が膜材料となる電極を設け、電極間で放電させて蒸気を発生させることを特徴として構成している。 [0011] According to a fifth aspect, the the invention of claim 1, wherein, provided at least one is a membrane material electrode to the steam beam generating chamber, by discharge between electrodes to generate steam It is configured as a feature a.

【0012】請求項6記載の発明は、請求項1ないし請求項5のいずれかの請求項に記載の発明において、ノズルから出た蒸気ビームに高周波放電、電子シャワーまたはホローカソード放電を加えることを特徴として構成している。 [0012] According to a sixth aspect of the invention according to any of claims 1 to claim 5, high-frequency discharge in a vapor beam emitted from the nozzle, the addition of electron shower or hollow cathode discharge It is configured as a feature.

【0013】請求項7記載の発明は、請求項1ないし請求項6のいずれかの請求項に記載の発明において、ノズルを加熱またはノズルに超音波振動を加えることを特徴として構成している。 [0013] According to a seventh aspect of the invention according to any of claims 1 to claim 6, it constitutes a characterized by applying ultrasonic vibration to the nozzle to heat or nozzle.

【0014】 [0014]

【作用】請求項1の発明では、高真空室内に蒸気ビーム発生室が設けられ、高真空中で蒸気を発生させているので、蒸気が結合して粒子化しにくくなっている。 [Action] In the present invention of claim 1, a steam beam generating chamber is provided in a high vacuum chamber, since the steam is generated in a high vacuum, which is difficult to particles by being bound steam. また、 Also,
蒸着膜となる蒸気をノズルから蒸気ビームとして高真空室内に配設した基板にパターン状に照射し、パターン状の蒸着膜が描画されて形成されている。 The vapor becomes deposited film is irradiated from the nozzle in a pattern to a substrate which is disposed in a high vacuum chamber as a vapor beam pattern of the deposited film is formed are drawn.

【0015】従って、蒸気は原子から成るので緻密な蒸着膜が得られると共に、蒸気が活性の高い原子から成るため、基板表面で界面反応が起こりやすくなっている。 [0015] Therefore, the vapor with dense deposited film is obtained because consisting atom, the steam consists of highly active atom, interfacial reaction is likely to occur at the substrate surface.

【0016】請求項2の発明では、蒸気ビームによって形成された蒸着膜の上に、さらに成膜スピードの速いめっき膜を重ねて形成しており、膜厚みを厚く形成している。 [0016] In the second aspect of the present invention, on the deposition film formed by a vapor beam forms further superposed fast plating films deposition speed, and forming a thick film thickness.

【0017】請求項3記載の発明では、多層膜の少なくとも1層が上記の請求項1または2記載の膜形成方法によって形成され、緻密な蒸着膜が得られると共に、この蒸着膜の形成される表面で界面反応が起こりやすくなっている。 [0017] In the invention of claim 3, wherein at least one layer of the multilayer film is formed by a film forming method of the above claim 1 or 2, wherein, with a dense deposited film is obtained, formed of the deposited film interfacial reaction is likely to occur at the surface. また、多層膜の材料としては、導電体材料、絶縁材料、誘電体材料または抵抗体材料のうちの2種類以上の材料が用いられ同一基板上に重ねて形成される。 As the material of the multilayer film, conductive material, insulating material, two or more materials are formed overlapping on the same substrate used of the dielectric material or resistor material.

【0018】請求項4記載の発明では、多孔体に蒸着膜となる材料が含浸保持されており、含浸保持される材料が液体となっても多孔体に保持されている。 [0018] In the present invention of claim 4, wherein the material to be deposited film to the porous body is impregnated retained, even when the material to be impregnated retained liquid is held in the porous body.

【0019】請求項5記載の発明では、固体の電極間で放電させて蒸気を発生させており、電極を三次元方向に動かすことが可能になっている。 [0019] In the present invention of claim 5, wherein, by discharge between the solid electrodes and to generate steam, it becomes possible to move the electrode in three-dimensional directions. また、蒸気原子の一部をイオン化させることができ、蒸気ビームのエネルギーを高くすることができる。 Further, a portion of the vapor atoms can be ionized, it is possible to increase the energy of the vapor beam.

【0020】請求項6記載の発明では、ノズルから出た蒸気ビームに高周波放電、電子シャワーまたはホローカソード放電が加えられ、蒸気ビームの一部がイオン化されエネルギーの高いイオンビームとなっている。 [0020] In the sixth aspect of the present invention, high-frequency discharge in a vapor beam emitted from the nozzle, electron shower or hollow cathode discharge is added, a portion of the vapor beam has a high ion beam energy is ionized.

【0021】請求項7記載の発明では、ノズルに付着する原子が加熱されるか、または、ノズルに付着する原子に超音波振動が加えられる。 [0021] In the invention of claim 7, wherein either atoms adhering to the nozzle is heated, or ultrasonic vibration is applied to the atom attached to the nozzle. 従って、この原子は蒸気となってノズルに付着することがない。 Therefore, the atom is not able to adhere to the nozzle becomes steam.

【0022】 [0022]

【実施例】本発明の実施例を添付図に基づいて以下に説明する。 It is described below with reference to the accompanying drawings an embodiment of the embodiment of the present invention.

【0023】実施例1を図1に基づいて説明する。 [0023] The first embodiment will be described with reference to FIG. 図1 Figure 1
は、本発明に係る膜形成方法を行う装置の概略構成の一例を示す説明図である。 Is an explanatory diagram showing an example of a schematic structure of an apparatus for performing the film forming method according to the present invention.

【0024】図1において、1はその表面に蒸着膜15 [0024] In FIG. 1, 1 is deposited on the surface of the film 15
の形成される基板であって、様々な絶縁性の材料を用いることができる。 A substrate formed of, it is possible to use various insulating materials. その主なものを例示すると、アルミナ、窒化アルミニウムまたはサイアロンなどのセラミックス基板、ポリイミド、フェノールまたはエポキシなどの熱硬化性樹脂基板、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリフタルアミドまたは液晶ポリマーなどの耐熱性熱可塑性樹脂基板、並びに、表面に絶縁層を形成したアルミニウム、銅、鉄またはステンレスなどの合金の金属板が用いられる。 To illustrate the main ones, alumina, ceramic substrates such as aluminum nitride or sialon, a polyimide, a phenol or a thermosetting resin substrate such as epoxy, polyether imide, polyphenylene sulfide, polyether sulfone, polysulfone, polyphthalamide, or heat-resistant thermoplastic resin substrate such as a liquid crystal polymer, as well as aluminum forming an insulating layer on the surface, a copper plate of a metal alloy such as iron or stainless steel is used. また、この基板1は、基板ヒーターを内蔵した基板ホルダー2に取り付けられるようになっている。 Furthermore, the substrate 1 is adapted to be attached to a substrate holder 2 with a built-in substrate heater.

【0025】3は蒸気ビーム発生室4内に設けられる蒸気を発生させるるつぼであって、周囲にヒーター5が配設されている。 [0025] 3 is a crucible for generating steam provided to the steam beam generating chamber 4, the heater 5 is disposed around. そして、このるつぼ3内に入れられる膜材料6が加熱されて蒸気となってるつぼ3の上端のノズル7より、蒸気ビーム8として基板1の表面に照射されるようになっている。 Then, from the nozzle 7 at the upper end of the pot 3 that is the film material 6 is placed in a crucible 3 is heated by the steam, and is irradiated onto the surface of the substrate 1 as a vapor beam 8. また、10は熱遮蔽板であり、9 Further, 10 is a heat shielding plate, 9
は蒸気ビーム8をオンオフするシャッターである。 Is a shutter for turning on and off the vapor beam 8.

【0026】また、蒸気ビーム発生室4はXYテーブル11上に設けられ、XY方向に移動できるようになっており、基板1上に蒸気ビーム8をパターン状に照射して、パターン状に蒸着膜15を形成するものである。 Further, the steam beam generating chamber 4 is provided on the XY table 11, which can move in the XY directions, by irradiating the vapor beam 8 in a pattern on the substrate 1, patterned the deposited film and forms a 15. なお、基板ホルダー3を移動してパターン状に蒸着膜15 Incidentally, the deposition film 15 in a pattern by moving the substrate holder 3
を形成することもできる。 It can also be formed.

【0027】以上の蒸気ビーム発生室4および基板ホルダー3は、真空ポンプによって減圧される高真空室12 The more steam beam generating chamber 4 and the substrate holder 3, a high vacuum chamber is depressurized by the vacuum pump 12
内に収容され、蒸気ビーム8の照射は高真空室12内で行われる。 Housed within, the irradiation of the vapor beam 8 is performed in a high vacuum chamber 12. また、13は高周波プラズマを発生させるためのアンテナであり、このアンテナ13には高周波電源が接続されており、バルブ14よりプラズマ発生用のガスとして、アルゴンガスなどが高真空室12内に導入される。 Further, 13 is an antenna for generating a high frequency plasma, this antenna 13 is connected to a high frequency power source, as a gas for plasma generation from the valve 14, such as argon gas is introduced into the high vacuum chamber 12 that.

【0028】以上の装置を用いて基板1にパターン状の蒸着膜15を形成するには、まず、基板1を基板ホルダー3にセットし、高真空室12を0.1〜0.01パスカルに減圧すると共に、基板1を100〜200℃に加熱する。 [0028] To form a patterned deposition film 15 on the substrate 1 by using the above apparatus, first, the substrate was set 1 on the substrate holder 3, a high vacuum chamber 12 to 0.1 to 0.01 pascals with vacuo, heating the substrate 1 to 100 to 200 ° C.. そして、このとき、アルゴンガスをバルブ14 At this time, the argon gas valve 14
より導入し、アンテナ13において高周波放電させてアルゴンプラズマを発生させ、基板1をこのプラズマによってクリーニングして基板1に形成される蒸着膜15の性能を高めることができる。 More introduced, an antenna 13 is frequency discharge to generate argon plasma, it is possible to enhance the performance of the deposited film 15 formed on the substrate 1 to clean the substrate 1 by the plasma.

【0029】るつぼ3には、膜材料6として、例えば、 [0029] crucible 3, as film material 6, for example,
銅を入れておき、約1600℃に加熱することによって、蒸気圧が1トールとなるので十分な成膜速度が得られるようになる。 Previously put copper, by heating to about 1600 ° C., the vapor pressure becomes sufficient deposition rate can be obtained because the 1 Torr. また、ノズル7の径は描画するパターン幅に対応するように選ぶが、例えば200μm程度に選定する。 The diameter of the nozzle 7 is chosen to correspond to the pattern width to be drawn, selected, for example, about 200 [mu] m. そして、シャッター9を開閉して蒸気ビーム8をオンオフしながら、XYテーブル11を移動させて、基板1上に蒸気ビーム8をパターン状に照射してパターン状の蒸着膜15を形成することができる。 Then, while off vapor beam 8 by opening and closing the shutter 9, by moving the XY table 11, it is possible to form a patterned deposited film 15 by irradiating the vapor beam 8 in a pattern on the substrate 1 .

【0030】以上のように、この実施例では、基板1上に蒸気ビーム8をパターン状に描画して蒸着させ、パターン状の蒸着膜15を形成している。 [0030] As described above, in this embodiment, on the substrate 1 is deposited by drawing a vapor beam 8 in a pattern to form a patterned deposition film 15. 従って、エッチングなどの中間工程を経ることなく、直接パターン状の蒸着膜15が形成されており、効率よく回路パターンとなる蒸着膜15が形成される。 Therefore, rather than using an intermediate step such as etching, is directly patterned deposition film 15 is formed, the deposition film 15 serving as efficiently circuit pattern is formed.

【0031】また、高真空室12中で蒸気を発生させているので、蒸気が結合して粒子化しにくくなっており、 Further, since the steam is generated in a high vacuum chamber 12, and less likely to particles by being bound steam,
原子から成る蒸気ビーム8によって緻密な蒸着膜15が得られると共に、蒸気が活性の高い原子から成るため、 With dense deposited film 15 by vapor beam 8 consisting of atoms is obtained, the vapor consists of highly active atom,
界面反応が起こりやすく密着力よく基板1上に蒸着膜1 Good adhesion interfacial reaction easily occurs deposited on the substrate 1 layer 1
5を形成することができる。 5 can be formed. 従って、密着力が高く緻密で電気抵抗の低い高品質の蒸着膜15が形成される。 Therefore, a low adhesion high dense and electrical resistance high-quality deposition film 15 is formed.

【0032】実施例2を図2に基づいて説明する。 [0032] The second embodiment will be described with reference to FIG. 図2 Figure 2
は、この実施例の概略工程を示す説明図であり、この工程を以下に説明する。 Is an explanatory view showing a schematic process of this embodiment will be described the steps below.

【0033】この実施例ではパターン状に形成された蒸着膜15の全面または一部の上に、さらにめっき膜16 [0033] On the entire surface or a part of the deposited film 15 formed in a pattern in this embodiment, further plated film 16
を重ねて形成するようにしている。 Are to be formed overlapping the.

【0034】図2の(A)は実施例1と同様の方法によって、無電解めっきの核となる材料の蒸着膜15をパターン状に基板1に形成した状態を示している。 [0034] in FIG. 2 (A) in the same manner as in Example 1, shows the state of forming the substrate 1 a deposited film 15 in a pattern of material comprising the electroless plating nucleus. 蒸着膜1 Deposited film 1
5としては、パラジウムなどが用いられる。 The 5, palladium is used. この場合、 in this case,
実施例1のるつぼ3の加熱を約1650℃とすることによって、十分な成膜速度の得られる蒸気圧である0.1 By heating the crucible 3 in Example 1 and about 1650 ° C., a vapor pressure capable of obtaining a sufficient film forming rate 0.1
トールにすることができる。 It can be tall. このようにして0.02μ In this way, the 0.02μ
mの厚みの蒸着膜15を形成したものである。 It is obtained by forming a deposited film 15 having a thickness of m.

【0035】さらに、上記の基板1をプリント板用の無電解めっき液、例えば無電解銅めっき液に浸漬して、 Furthermore, the electroless plating solution for printed plate board 1 described above, for example by immersing in an electroless copper plating solution,
(B)に示す厚み10μmの銅のめっき膜16を蒸着膜15上に形成し、パターン状の膜を能率よく膜厚みを厚くして形成することができる。 The plated film 16 of copper having a thickness of 10μm as shown in (B) is formed on the deposited film 15 can be formed by thick efficiently membrane thickness a patterned film.

【0036】また、電界めっきを用いることもでき、この場合電解めっきの下地となる材料の蒸着膜15をパターン状に基板1に形成する。 [0036] It is also possible to use electrolytic plating, it is formed on a substrate 1 of material deposition film 15 serving as a base in this case electrolytic plating in a pattern. このための蒸着膜15としては、銅またはニッケルなどが用いられ、ニッケルの場合、実施例1のるつぼ3の加熱を約1700℃とすることによって、十分な成膜速度の得られる蒸気圧である0.1トールにすることができる。 The deposited film 15 for this, such as copper or nickel is used, in the case of nickel, by about 1700 ° C. The heating of the crucible 3 of Example 1, is the vapor pressure obtained sufficient deposition rate it is possible to to 0.1 torr. このようにして0. 0 in this way.
1μmの厚みの蒸着膜15を形成する。 Forming the deposited film 15 of 1μm thickness.

【0037】さらの、この基板1の蒸着膜15に電界銅めっきを行い、(B)に示す厚み10μmの銅のめっき膜16を蒸着膜15上に形成し、パターン状の膜厚みの厚い膜を形成する。 [0037] The further performs electroless copper plating deposition film 15 of the substrate 1, a plated film 16 of copper having a thickness of 10μm as shown in (B) is formed on the deposition film 15, thick patterned film thickness film to form. 特に前記の無電解めっきによる例よりも、電界めっきを用いるこの例の方がめっき膜16の析出スピードが速いので、さらに能率よく銅のめっき膜16が形成される。 Especially than example by electroless plating described above, since the direction of this example using the electrolytic plating is faster deposition speed of the plating film 16, further efficiently plated film 16 of copper is formed.

【0038】また、上記のいずれの例においても、下地となる蒸着膜15が密着性よく形成され、密着力の高い膜厚みの厚いパターン状の膜を形成することができるものである。 Further, in any of the above examples, the deposition film 15 serving as a base is formed with good adhesion, is capable of forming a thick patterned film having high adhesion film thickness.

【0039】なお、一部の蒸着膜15をめっきレジストによって覆ってめっきすることによって、選択的に蒸着膜15上に銅のめっき膜16を形成することができる。 It should be noted, by plating a portion of the deposited film 15 covered with the plating resist, it is possible to form a plating film 16 of copper on the selectively deposited film 15.

【0040】実施例3を以下に図3に基づいて説明する。 [0040] be described with reference to FIG. 3 Example 3 below. 図3は、この実施例の概略工程を示す説明図であり、この工程を以下に説明する。 Figure 3 is an explanatory view showing a schematic process of this embodiment will be described the steps below.

【0041】この実施例では、実施例1の膜材料6として、導電体材料、絶縁材料、誘電体材料または抵抗体材料を用い、これらの膜材料6のうち2種類以上の蒸着膜を同一の基板1上に重ねて形成して多層膜とし、抵抗およびコンデンサなどの素子を内蔵した多層回路板を形成している。 [0041] In this embodiment, as the film material 6 of Example 1, a conductive material, an insulating material, a dielectric material or a resistive material, the same two or more of the deposited film of these membrane materials 6 a multilayer film is formed overlapping on the substrate 1, to form a multilayer circuit board with a built-in elements such as resistors and capacitors.

【0042】また、膜材料6として具体的な材料を以下に例示すると、絶縁材料として、アルミナまたはガラスなどの無機材料並びにポリイミド、パリレンまたはエポキシなどの有機樹脂材料が用いられる。 Further, To illustrate specific material below as film material 6, as an insulating material, an inorganic material and a polyimide such as alumina or glass, an organic resin material such as parylene or epoxy used. 抵抗体材料としては、ニクロムまたは酸化ルテニウムなどが用いられる。 The resistor material, such as nichrome or ruthenium oxide is used. 誘電体材料としては、アルミナ、チタン酸鉛またはチタン酸バリウムなどが用いられる。 As the dielectric material, alumina, etc. lead titanate or barium titanate is used. また、導電体材料としては、銅、ニッケル、アルミニウム、パラジウム、 Further, as the conductive material, copper, nickel, aluminum, palladium,
銀または金などを用いることができる。 Such as silver or gold can be used.

【0043】図4において、(A)は、実施例1に示した基板1を示している。 [0043] In FIG. 4, shows a substrate 1 shown in (A) is Example 1. この基板1に、(B)に示すように、実施例1と同様にして、導電体材料として銅のそれぞれ独立するパターン状の蒸着膜15aを複数形成する。 This substrate 1, (B), the in the same manner as in Example 1, forming a plurality of patterned deposited film 15a of independent copper as a conductor material.

【0044】さらに、(C)に示すように、この基板1 [0044] Further, as shown in (C), the substrate 1
の一部の蒸着膜15aの上に、絶縁材料としてガラスの蒸着膜15bを形成し、絶縁層とする。 On a portion of the deposited film 15a of the deposition film 15b of the glass is formed as an insulating material, an insulating layer. このとき、るつぼ3に挂砂(SiO 2 )を入れて1150〜1200℃に加熱することによって、十分な成膜速度の得られる蒸気圧0.1トールにすることができる。 At this time, by heating to 1150 to 1200 ° C. Put挂砂(SiO 2) in the crucible 3 can be the vapor pressure 0.1 torr obtained sufficient deposition rate. そして、このようにして得られる蒸気ビーム8を、基板1を移動させながら、基板1上に照射して面状のガラスの蒸着膜15bのパターンを形成することができる。 Then, the vapor beam 8 obtained in this manner, while moving the substrate 1 is irradiated onto the substrate 1 to form a pattern of the deposited film 15b of the planar glass.

【0045】さらに、(D)に示すように、この絶縁層となるガラスの蒸着膜15bを介して先に形成した銅のパターン状の蒸着膜15aに交差する銅のパターン状の蒸着膜15cを形成して多層膜とし、基板1上に多層回路を形成している。 [0045] Further, the (D), the pattern of the deposited film 15c of copper that intersect in a pattern of the deposited film 15a of the copper previously formed through the deposition film 15b of the glass to be the insulating layer It formed as a multilayer film to form a multi-layer circuit on the substrate 1.

【0046】なお、上記の実施例において、ガラスの蒸着膜15bを誘電体材料の蒸着膜として、蒸着膜15a [0046] In the above embodiments, the deposition film 15b of the glass as a deposited film of dielectric material, the deposited film 15a
と蒸着膜15cとを電極とするコンデンサを形成することもでき、また、ガラスの蒸着膜15bを抵抗体材料の蒸着膜として、独立するパターン状の蒸着膜15a間に抵抗を形成することもできる。 A deposited film 15c can also be formed capacitor to the electrode, also, the deposition film 15b of the glass as a deposited film of resistor material, it is also possible to form a resistor between independently be patterned deposited film 15a and . さらに、これらのコンデンサおよび抵抗と前記の多層膜を組み合わせて、コンデンサおよび抵抗を内蔵した多層回路を形成することもできる。 Furthermore, by combining these capacitors and resistors and the multilayer film, it is also possible to form a multilayer circuit with a built-in capacitor and a resistor.

【0047】なお、上記のように全ての種類を蒸気ビーム8によって形成する必要はなく、従来のペースト材料の塗布、または、絶縁シートを貼着する方法などを組み合わせることもできる。 [0047] Incidentally, all kinds as described above need not be formed by the vapor beam 8, the application of conventional paste material, or may be combined or a method of sticking an insulating sheet.

【0048】以上のように、この実施例では、導体材料、絶縁材料、誘電体材料または抵抗体材料の蒸着膜が同一の基板1上に重ねて形成されることによって、多層膜が形成されている。 [0048] As described above, in this embodiment, the conductive material, an insulating material, by vapor deposition film of dielectric material or resistor material are formed overlapping on the same substrate 1, the multilayer film is formed there. このとき、それぞれの材料が基板1上に直接描画されることによって、それぞれの材料から成るパターン状の蒸着膜が緻密に密着力よく形成されることから、短時間で高品質の多層回路を形成することができるものである。 At this time, by the respective materials is drawn directly on the substrate 1, since the respective made of a material patterned deposition film is formed with good dense adhesion, a multilayer circuit for a short time with high quality formation it is those that can be.

【0049】実施例4を以下に図4および図5に基づいて説明する。 [0049] be described with reference to FIGS. 4 and 5 Example 4 below. 図4は、この実施例を実施する装置の概略構成を示す説明図であり、図5は蒸気ビーム8を照射している状態の斜視図ある。 Figure 4 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of a device for carrying out this embodiment, FIG. 5 is a perspective view of a state where the irradiation vapor beam 8.

【0050】図4において、17は多孔体であって、この実施例では多孔体17に蒸着膜15となる材料を含浸して実施例1ないし3のるつぼ3における膜材料6とするものである。 [0050] In FIG. 4, 17 is a porous body, in which a film material 6 in the first to third embodiments of the crucible 3 by impregnating the material for the deposited film 15 to the porous body 17 in this embodiment . 多孔体17はタングステンなどの高融点の金属粉末を焼結して形成することができる。 Porous body 17 may be formed by sintering a high melting point metal powder such as tungsten. そして、 And,
この多孔体17に蒸着膜15となる材料を、例えば溶融させるなどして、液体状態で接触させることによって、 A material this the deposited film 15 to the porous body 17, for example, such as by melting, by contacting in a liquid state,
含浸させて膜材料6とすることができる。 Impregnated may be a film material 6.

【0051】以下、図4および図5に基づいて、さらに詳しく説明する。 [0051] Hereinafter, with reference to FIGS. 4 and 5 will be described in more detail. 図4において、多孔体17の上部にはヒーター5が設けられると共に、膜材料6が入れられているリザーバー18が形成されている。 4, the upper portion of the porous body 17 with the heater 5 is provided, the reservoir 18 to the film material 6 is placed is formed. ヒーター5によってリザーバー18内の膜材料6が加熱溶融させられて、多孔体17に含浸される。 Film material 6 in the reservoir 18 by the heater 5 is heated and melted, impregnated into the porous body 17. そして、ノズル7から蒸気ビーム8として基板1に照射される。 Then, it emitted from the nozzle 7 on the substrate 1 as a vapor beam 8. また、10は熱遮蔽板であり、9は蒸気ビーム8をオンオフするシャッターである。 Further, 10 is a heat shielding plate, 9 is a shutter for turning on and off the vapor beam 8. なお、アルゴンガスなどを補助ガス22として、多孔体17の外周からノズル7の方向に流すことによって、蒸気ビーム8の形成を助長してもよい。 Incidentally, argon gas or the like as an auxiliary gas 22, by flowing from the outer periphery of the porous body 17 in the direction of the nozzle 7 may be conducive to formation of vapor beam 8.

【0052】図5は、以上の構成の蒸気ビーム発生室4 [0052] Figure 5, the above configuration of the steam beam generating chamber 4
を三次元方向に移動させる例を示している。 It shows an example of moving in three-dimensional directions. この図において、1は立体形状の基板であって、蒸気ビーム発生室4はロボット19に取り付けられ、高真空室12内に収容されている。 In this figure, 1 is a substrate of the three-dimensional shape, a steam beam generating chamber 4 is mounted to the robot 19 are housed in a high vacuum chamber 12.

【0053】以上のようにして、基板1の立体形状に対応させて、蒸気ビーム発生室4を三次元方向に移動させることによって、基板1の表面に対して一定の角度で蒸気ビーム8を照射することができ、安定した膜品質の膜形成を行うことができる。 [0053] As described above irradiation, corresponding to the three-dimensional shape of the substrate 1, by moving the steam beam generating chamber 4 in three-dimensional directions, the vapor beam 8 at an angle to the surface of the substrate 1 it can be, it is possible to perform the film formation of a stable film quality. また、基板1の様々な角度の面に対する蒸気ビーム8の移動速度を一定として、蒸着させる量を立体形状の様々な面に対応させてコントロールすることができるので、立体形状であっても膜厚みを常に一定にコントロールすることもできる。 Further, the constant speed of movement of the vapor beam 8 with respect to the plane of the various angles of the substrate 1, because the amount to be deposited so as to correspond to various aspects of three-dimensional shape can be controlled, the membrane even three-dimensional shape Thickness always it can also be controlled at a constant level.

【0054】実施例5を以下に図6に基づいて説明する。 [0054] will be described based on Embodiment 5 in FIG. 6 below. 図6は、この実施例を実施する装置の要部を示す断面図である。 Figure 6 is a sectional view showing a main portion of the apparatus for carrying out this embodiment.

【0055】この実施例では実施例4のノズル7、多孔体17およびリザーバー18等の蒸気ビーム発生室4 The nozzle 7 of Example 4 in this embodiment, a steam beam generating chamber 4, such as porous body 17 and the reservoir 18
を、以下のように構成している。 A, it is configured as follows.

【0056】すなわち、20は膜材料6となる電極であり、銅、ニッケルまたは金などの金属ワイヤーを用いている。 [0056] That is, 20 is an electrode made of a film material 6, copper, a metal wire, such as nickel or gold. そして、この電極20を取り囲むタングステンなどから成る電極21との間にアーク放電させると共に、 Then, dissipate arc discharge between the electrode 21 made of tungsten that surrounds the electrode 20,
放電の補助ガス22としてアルゴンガスなどを両電極2 Argon gas and the electrodes 2 as an auxiliary gas 22 of the discharge
0、21間に流すことによって、電極20をから蒸気ビーム8を形成している。 By passing between 0, 21, and forms a vapor beam 8 from the electrode 20. また、電極20の先端部を除く部分と電極21先端のノズル7を除く部分とを絶縁物2 Further, a portion insulator excluding the portion and the electrode 21 tip of the nozzle 7 except for the tip of the electrode 20 2
3で覆い、電極20の先端部とノズル7との間にアーク放電させている。 Covered with 3, thereby arc discharge between the tip and the nozzle 7 of the electrode 20.

【0057】また、アーク放電させるために電圧を印加するが、このときの電圧は直流または交流のどちらでも可能であり、直流に高周波を重畳させることもできる。 [0057] Although application of a voltage in order to arc discharge, the voltage at this time is possible either DC or AC, it is also possible to superimpose the high frequency current.
このとき、電極20側が陽極となるように電圧を印加することによって、蒸発した原子をプラスにイオン化させイオンを含む蒸気ビーム8を発生させることもできる。 At this time, by the electrode 20 side to apply a voltage so that the anode can be generated steam beam 8 containing ions ionize the evaporated atoms positively.

【0058】以上のように、この実施例においても、膜材料6が固体の電極20なので、実施例4と同じように、基板1の立体形状に対応させて、蒸気ビーム発生室4を三次元方向に移動させることができ、安定した膜品質の膜形成を行うことができる。 [0058] As described above, in this embodiment, since the film material 6 solid electrode 20, as in Example 4, corresponding to the three-dimensional shape of the substrate 1, the vapor beam generating chamber 4 three dimensional can be moved in the direction, it is possible to perform the film formation of a stable film quality. また、立体形状であっても膜厚みを常に一定にコントロールすることもできる。 It is also possible to be a three-dimensional shape to control the film thickness constant at all times. さらに、イオンを含む蒸気ビームとして、エネルギーを高くすることができるので、基板1表面との界面反応が起こりやすく、形成される蒸着膜15の密着力を高めることができる。 Furthermore, as a vapor beam comprising ions, it is possible to increase the energy, likely to occur interfacial reaction between the substrate 1 is formed can enhance the adhesion strength of the deposited film 15.

【0059】実施例6を以下に図7に基づいて説明する。 [0059] be described with reference to Example 6 in Fig. 7 below. 図7は、この実施例を実施する装置の要部を示す断面図である。 Figure 7 is a sectional view showing a main portion of the apparatus for carrying out this embodiment.

【0060】この実施例では実施例5の電極20、21 [0060] electrodes 20 and 21 of Example 5 In this example
を以下のように構成している。 It is constructed as follows. すなわち、図7において20は膜材料6となる電極であり、銅、ニッケルまたは金などの金属ワイヤーを用い、外部のロールからノズル7の近傍に供給されている。 That is, 20 in FIG. 7 is an electrode made of a film material 6, using copper, a metal wire, such as nickel or gold, it is supplied from the outside of the roll in the vicinity of the nozzle 7. また、電極21はノズル7 The electrode 21 is a nozzle 7
を形成している外体内に収容されるホローカソードとなっている。 It has a hollow cathode which is accommodated in the outer body forming the. そして、この電極21は、筒状の形状をしており、内部に補助ガス22が流され、放電しやすくなっている。 Then, the electrode 21 has a tubular shape, auxiliary gas 22 therein is flowed, and is easily discharged.

【0061】以上のような状態において、電極20を陽極として、電極21との間にアーク放電させ、実施例5 [0061] In the state as described above, the electrode 20 as an anode, is arc discharge between the electrodes 21, Example 5
と同様に、蒸発した原子をプラスにイオン化させイオンを含む蒸気ビーム8を発生させている。 And similarly, steam is generated beam 8 containing ions ionize the evaporated atoms positively with. 従って、この実施例においても、安定した膜品質の膜形成を行うことができると共に、立体形状であっても膜厚みを常に一定にコントロールすることもできる。 Thus, also in this embodiment, it is possible to perform the film formation of a stable film quality, it is also possible to control the film thickness even three-dimensional shape always constant. さらに、形成される蒸着膜15の密着力をも高めることができている。 Furthermore, it is also able to enhance the adhesion of the deposited film 15 to be formed.

【0062】実施例7を以下に図8に基づいて説明する。 [0062] be described with reference to FIG. 8 Example 7 below. 図8は、この実施例を実施する装置の要部を示す断面図である。 Figure 8 is a sectional view showing a main portion of the apparatus for carrying out this embodiment.

【0063】この実施例では、前記した種々の方法によって形成される蒸気ビーム8に高周波放電、電子シャワーまたはホローカソード放電を加えることによって、蒸気ビーム8の一部をイオン化して、イオンを含む蒸気ビーム8として基板1の表面に照射するものである。 [0063] In this embodiment, high-frequency discharge in a vapor beam 8 formed by various methods described above, by adding an electron shower or hollow cathode discharge ionizes a portion of the vapor beam 8, vapor containing ions it is intended to be irradiated on the surface of the substrate 1 as a beam 8. このための構成の一例を図8に基づいて以下に説明する。 An example of a configuration for this on the basis of FIG. 8 will be described below.

【0064】図8において、4は、実施例4の図4に示したノズル7、多孔体17およびリザーバー18等より成る蒸気ビーム発生室4と同じものである。 [0064] In FIG. 8, 4, nozzle 7 shown in FIG. 4 of Example 4 is the same as the vapor beam generating chamber 4 made of a porous body 17 and the reservoir 18 and the like. この蒸気ビーム発生室4のノズル7より基板1に照射される蒸気ビーム8は、高周波印加コイル24を通り、イオン加速電極25を通って基板1上に照射され、パターン状の蒸着膜15が形成される。 Vapor beam 8 emitted from the nozzle 7 of the steam beam generating chamber 4 to the substrate 1 through the high frequency applying coil 24, is irradiated through an ion acceleration electrode 25 on the substrate 1, patterned deposition film 15 is formed It is. 高周波印加コイル24では13. In the high frequency application coil 24 13.
56MHz100Wの高周波が印加され、蒸気ビーム8 56MHz100W frequency is applied, the vapor beam 8
の一部をイオン化している。 A part of which is ionized. また、イオン加速電極25 The ion acceleration electrode 25
では100Vが印加され、イオンを加速して基板1に照射している。 In 100V is applied, it is irradiated on the substrate 1 by accelerating the ions.

【0065】以上の構成によって、蒸気ビーム発生室4 [0065] With the above arrangement, the steam beam generating chamber 4
において放電させることなく、蒸気ビーム発生室4を簡単な構成のままで、蒸気ビーム8の一部をイオン化させて、蒸気ビーム8のエネルギーを高め、密着力の高い蒸着膜15を基板1上に形成している。 Without discharging in, remain vapor beam generating chamber 4 a simple configuration, a portion of the vapor beam 8 by ionizing increase the energy of the vapor beam 8, a high adhesion strength deposition film 15 on the substrate 1 It is formed. また、イオン加速電極25によっても蒸気ビーム8のエネルギーが高められている。 The energy of the steam beam 8 is increased by the ion acceleration electrode 25.

【0066】実施例8を以下に図9および図10に基づいて説明する。 [0066] be described with reference to FIGS. 9 and 10 Example 8 below. 図9および図10は、この実施例を実施する装置の概略構成の一例を示す説明図である。 9 and FIG. 10 is an explanatory diagram showing an example of a schematic structure of an apparatus for carrying out this embodiment.

【0067】この実施例では、図9に示すように、実施例1の装置に対してノズル7の周囲にノズル加熱用のヒーター26を設け、膜材料6の加熱温度と同じ温度に加熱している。 [0067] In this embodiment, as shown in FIG. 9, a heater 26 for nozzle heating around the nozzle 7 with respect to the apparatus of Example 1 provided, and heated to the same temperature as the heating temperature of the film material 6 there. また、図10に示すように、超音波振動子27をノズル7の近傍に設け、超音波振動をノズル7に与えるようにしてもよい。 Further, as shown in FIG. 10, provided an ultrasonic transducer 27 in the vicinity of the nozzle 7 may be given ultrasonic vibrations to the nozzle 7.

【0068】以上のようにして、ノズル7に付着する原子が加熱され、または、ノズル7に付着する原子に超音波振動が加えられるので、この原子は蒸気となってノズル7に付着することがない。 [0068] As described above, atom attached to the nozzle 7 is heated, or, since the ultrasonic vibration is applied to the atom attached to the nozzle 7, this atom can be attached to the nozzle 7 becomes steam Absent. 従って、ノズル7がつまることがなく、常に安定した膜形成を行うことができるものである。 Therefore, without the nozzle 7 is clogged, but always it is possible to perform stable film formation.

【0069】 [0069]

【発明の効果】請求項1の発明は、基板上に蒸気ビームをパターン状に照射してパターン状の蒸着膜を形成している。 [Effect of the Invention] The invention of claim 1 forms a patterned deposited film by irradiating a vapor beam in a pattern on the substrate. 従って、基板上に、エッチングなどの中間工程を経ることなく、直接パターン状の蒸着膜が形成されており、効率のよい回路パターンとなる蒸着膜の形成が成される。 Therefore, on the substrate, without going through intermediate steps such as etching, it is directly patterned deposited film formation, formation of the deposited film to be the efficient circuit pattern is made.

【0070】また、高真空中で蒸気を発生させているので、蒸気が結合して粒子化しにくくなっており、原子から成る蒸気のビームによって緻密な蒸着膜が得られると共に、蒸気が活性の高い原子から成るため、界面反応が起こりやすく密着力よく基板上に蒸着膜を形成することができる。 [0070] Further, since the steam is generated in a high vacuum, the vapor has become difficult to particles by being bound, along with dense deposited film is obtained by a beam of vapor composed of atoms, is highly active steam since consisting atom, it can form a deposited film to be likely to occur adhesion may substrate interface reaction. 従って、密着力が高く緻密で導電性のよい高品質の蒸着膜を形成し、回路パターンとすることができる。 Therefore, it is possible adhesion is high to form a dense conductive good quality deposition film, a circuit pattern.

【0071】請求項2の発明は、蒸気ビームによって形成された蒸着膜の上に、さらに全面または選択的に成膜スピードの速いめっき膜を重ねて形成しており、膜厚みの厚いパターン状の膜を能率よく形成することができる。 [0071] According to a second aspect of the invention, on the deposition film formed by the vapor beam is formed by further overlapping entirely or selectively fast plated layer film-forming speed, membrane thickness thick patterned it can be formed with good efficiency a film. また、下地となる蒸気ビームによって形成される蒸着膜は密着性がよいため、密着力の高い膜厚みの厚いパターン状の膜を形成することができている。 Also, deposited film formed by vapor beam be a base for good adhesion, and can form a thick patterned film having high adhesion film thickness.

【0072】請求項3記載の発明は、多層膜の少なくとも1層が上記の請求項1または2記載の膜形成方法によって形成され、緻密な蒸着膜が得られると共に、この蒸着膜の形成される表面で界面反応が起こりやすくなっている。 [0072] The invention of claim 3, wherein at least one layer of the multilayer film is formed by a film forming method of the above claim 1 or 2, wherein, with a dense deposited film is obtained, formed of the deposited film interfacial reaction is likely to occur at the surface. 従って、密着力が良く、導電性、絶縁性等の品質の良好な膜が蒸着膜として得られる。 Thus, good adhesion, conductivity, good film quality such as an insulating property is obtained as a vapor deposition film.

【0073】また、スパッタリングによる膜形成、めっきによる膜形成等を併用することによって、それぞれの膜形成方法の長所を活用することができる。 [0073] In addition, film formation by sputtering, by combining the film formation or the like by plating, it is possible to utilize the advantages of each of the film forming method. 例えば、全面に絶縁材料の膜を薄く形成するには、スパッタリングによって能率よく行うことができ、また、厚く形成するにはめっきによって行う方が能率よく膜形成することができる。 For example, to form a thin film over the entire surface in the insulating material can be performed with good efficiency by sputtering, also to thick can be better performed by plating is efficiently film formation.

【0074】請求項4記載の発明は、様々な角度の立体形状の表面に対応して、様々な角度に膜材料を傾けて、 [0074] The invention of claim 4, wherein, in response to the surface of the various angles of the three-dimensional shape, by tilting the film material at various angles,
基板表面に対して一定の角度で蒸気ビームを照射することができ、安定した膜品質の蒸着膜を形成することができる。 At an angle to the substrate surface can be irradiated vapor beam, it is possible to form a deposited film of a stable film quality. また、面に対する蒸気ビームの移動速度を一定として、付着させる蒸気物質の量を立体形状の様々な面に対応させてコントロールすることができるので、立体形状であっても膜厚みを常に一定にコントロールすることもできる。 Control also as a constant the speed of movement of the vapor beam relative to the surface, since the amount of steam substance to be deposited can be controlled to correspond to various aspects of three-dimensional shape, always constant even film thickness a three-dimensional shape it is also possible to.

【0075】請求項5記載の発明は、上記の請求項4記載の発明と同様の効果を奏することができると共に、電極間で放電させて蒸気を発生させることによって、蒸気ビームのエネルギーを高くすることができ、基板表面との界面反応を起こりやすくして、形成される蒸着膜の密着力を高めることができる。 [0075] According to a fifth aspect, it is possible to achieve the same effect as the invention of the above claim 4, by generating steam by discharge between electrodes, to increase the energy of the vapor beam it can, and likely to occur the interface reaction between the substrate surface, it is possible to increase the adhesion of the deposited film to be formed.

【0076】請求項6記載の発明は、ノズルから出た蒸気ビームに高周波放電、電子シャワーまたはホローカソード放電が加えられ、蒸気ビームの一部がイオン化されエネルギーの高いイオンビームとなっている。 [0076] according to claim 6 invention, high-frequency discharge in a vapor beam emitted from the nozzle, electron shower or hollow cathode discharge is added, a portion of the vapor beam has a high ion beam energy is ionized. 従って、 Therefore,
基板表面に対する反応性を高めることができ、密着力のよい膜形成を行うことができる。 It is possible to enhance the reactivity to the substrate surface, it is possible to perform a good film formation of adhesion.

【0077】請求項7記載の発明は、ノズルに付着する原子が加熱され、または、ノズルに付着する原子に超音波振動が加えられるので、この原子は蒸気となってノズルに付着することがない。 [0077] The invention of claim 7, wherein the atomic adhering to the nozzle is heated, or, since the ultrasonic vibration is applied to the atom attached to the nozzle, the atom is not able to adhere to the nozzle becomes steam . 従って、ノズルがつまることがなく、常に安定した膜形成を行うことができる。 Therefore, without nozzles clogged it can always perform stable film formation.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の実施例1を実施する装置の概略構成の一例を示す説明図である。 FIG. 1 is an explanatory diagram showing an example of a schematic structure of an apparatus for practicing the first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例2の概略工程を示す説明図である。 Figure 2 is an explanatory diagram showing a schematic process of Example 2 of the present invention.

【図3】本発明の実施例3の概略工程を示す説明図である。 3 is an explanatory diagram showing a schematic process of Example 3 of the present invention.

【図4】本発明の実施例4のを実施する装置の概略構成の一例を示す説明図である。 Is an explanatory diagram showing an example of FIG. 4 is a schematic configuration of a fourth embodiment of apparatus for carrying out the present invention.

【図5】同上実施例の蒸気ビーム照射状態を示す斜視図である。 5 is a perspective view of a steam beam irradiation state according to the exemplary embodiment.

【図6】本発明の実施例5を実施する装置の要部を示す断面図である。 6 is a sectional view showing a main part of an apparatus for carrying out the fifth embodiment of the present invention.

【図7】本発明の実施例6を実施する装置の要部を示す断面図である。 7 is a sectional view showing a main part of an apparatus for carrying out the sixth embodiment of the present invention.

【図8】本発明の実施例7を実施する装置の要部を示す断面図である。 8 is a sectional view showing a main part of an apparatus for carrying out the seventh embodiment of the present invention.

【図9】本発明の実施例8を実施する装置の概略構成の一例を示す説明図である。 9 is an explanatory diagram showing an example of a schematic structure of an apparatus for carrying out the eighth embodiment of the present invention.

【図10】同上実施例を実施する装置の概略構成の一例を示す説明図である。 10 is an explanatory diagram showing an example of a schematic structure of an apparatus for carrying out the same as above Example.

【符号の説明】 1 基板 2 基板ホルダー 3 るつぼ 4 蒸気ビーム発生室 5 ヒーター 6 膜材料 7 ノズル 8 蒸気ビーム 9 シャッター 10 熱遮蔽板 11 XYテーブル 12 高真空室 13 高周波プラズマ発生用アンテナ 14 バルブ 15 膜 16 銅めっき膜 17 多孔体 18 リザーバー 19 ロボット 20 電極 21 電極 22 補助ガス 23 絶縁物 24 高周波印加コイル 25 イオン加速電極 26 ノズル用ヒーター 27 超音波振動子 [EXPLANATION OF SYMBOLS] 1 substrate 2 substrate holder 3 crucible 4 vapor beam generating chamber 5 heater 6 film material 7 nozzles 8 vapor beam 9 shutter 10 heat shielding plate 11 XY table 12 the high vacuum chamber 13 high frequency plasma generating antenna 14 valve 15 membrane 16 copper-plated film 17 porous body 18 a reservoir 19 robot 20 electrode 21 electrode 22 auxiliary gas 23 insulator 24 high frequency applying coil 25 ion acceleration electrode 26 nozzle heater 27 ultrasonic transducers

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内野々 良幸 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (72) inventor infield people Yoshiyuki Osaka Prefecture Kadoma Oaza Kadoma 1048 address Matsushita Electric Works Co., the company

Claims (7)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 高真空室内に設けた蒸気ビーム発生室で膜材料を加熱して蒸気を発生させ、この蒸気をノズルから蒸気ビームとして高真空室内に配設した基板にパターン状に照射して、蒸着膜を形成することを特徴とする膜形成方法。 1. A by heating the film material in the vapor beam generating chamber provided in a high vacuum chamber to generate steam, by irradiating the vapor in a pattern on a substrate which is disposed in a high vacuum chamber as a vapor beam from a nozzle , film forming method and forming a deposited film.
  2. 【請求項2】 蒸着膜の上に、さらにめっき膜を重ねて形成することを特徴とする請求項1記載の膜形成方法。 Wherein on the deposited film, film forming method of claim 1, wherein the forming overlapping a further plating film.
  3. 【請求項3】 導電体材料、絶縁材料、誘電体材料または抵抗体材料の内の2種類以上の材料を同一基板上に重ねて形成した多層膜の少なくとも1層を請求項1または2記載の膜形成方法によって形成することを特徴とする膜形成方法。 3. A conductive material, an insulating material, dielectric material or resistive multilayer film of two or more materials to form superimposed on the same substrate of the material at least one layer of claim 1 or 2, wherein film forming method comprising forming by film forming method.
  4. 【請求項4】 蒸気ビーム発生室に設けた多孔体に膜材料を含浸保持して用いることを特徴とする請求項1、2 4. The method of claim 1 which comprises using the membrane material porous body provided in a steam beam generating chamber impregnated held
    または3記載の膜形成方法。 Or 3 film forming method according.
  5. 【請求項5】 蒸気ビーム発生室に少なくとも一方が膜材料となる電極を設け、電極間で放電させて蒸気を発生させることを特徴とする請求項1、2または3記載の膜形成方法。 5. providing at least one of the film material electrode to the steam beam generating chamber, the film forming method according to claim 1, wherein by discharging electricity between the electrodes, characterized in that to generate steam.
  6. 【請求項6】 ノズルから出た蒸気ビームに高周波放電、電子シャワーまたはホローカソード放電を加えることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかの請求項に記載の膜形成方法。 6. A high frequency discharge vapor beam emitted from the nozzle, the film forming method according to any one of claims 1 to claim 5, characterized in that addition of electron shower or hollow cathode discharge.
  7. 【請求項7】 ノズルを加熱またはノズルに超音波振動を加えることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれかの請求項に記載の膜形成方法。 7. A film forming method according to any one of claims 1 to claim 6, characterized in that ultrasonic vibration is applied to the nozzle to heat or nozzle.
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