JPH07254721A - 薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池の製造方法Info
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- JPH07254721A JPH07254721A JP6044543A JP4454394A JPH07254721A JP H07254721 A JPH07254721 A JP H07254721A JP 6044543 A JP6044543 A JP 6044543A JP 4454394 A JP4454394 A JP 4454394A JP H07254721 A JPH07254721 A JP H07254721A
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- electrode layer
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】基板上の電極層の表面に簡単な方法で凹凸構造
を形成して光を散乱させ、光電変換層に再入射させて変
換効率の高い薄膜太陽電池を得る。 【構成】高分子材料よりなる基板の表面をプラズマ処理
すると凹凸構造ができ、その上に成膜した電極層の表面
にも凹凸構造が生ずるので、簡単に電極層粗面化が可能
になる。さらに、プラズマ処理の条件を変えることによ
り、凹凸構造の形状を制御することもできる。
を形成して光を散乱させ、光電変換層に再入射させて変
換効率の高い薄膜太陽電池を得る。 【構成】高分子材料よりなる基板の表面をプラズマ処理
すると凹凸構造ができ、その上に成膜した電極層の表面
にも凹凸構造が生ずるので、簡単に電極層粗面化が可能
になる。さらに、プラズマ処理の条件を変えることによ
り、凹凸構造の形状を制御することもできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁性基板上に電極層
を介して形成したアモルファスシリコン等を主成分とす
る半導体薄膜に上方から入射する光によって発電する薄
膜太陽電池の製造方法に関する。
を介して形成したアモルファスシリコン等を主成分とす
る半導体薄膜に上方から入射する光によって発電する薄
膜太陽電池の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】原料ガスをプラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ
法あるいは熱ＣＶＤ法によって分解することにより形成
されるアモルファスシリコン等を主成分とする半導体薄
膜を用いた太陽電池は大面積化が容易という特長をもっ
ており、低コスト太陽電池として期待されている。この
ような太陽電池では、半導体薄膜からなる光電変換層に
上面の透明電極層を介して直接入射する光のほかに、半
導体薄膜の基板側に設けられる電極層の表面で反射して
光電変換層に入射する光も発電に寄与する。この電極層
の表面が平坦でなく、粗面であると、それにより光の散
乱が生じるため、電極層の表面が平坦な場合に比べて太
陽電池における光の利用効率が増大する。従来は、表面
の平坦な基板上に表面に凹凸構造をもつ電極層を形成し
て光の利用効率を向上させていた。
法あるいは熱ＣＶＤ法によって分解することにより形成
されるアモルファスシリコン等を主成分とする半導体薄
膜を用いた太陽電池は大面積化が容易という特長をもっ
ており、低コスト太陽電池として期待されている。この
ような太陽電池では、半導体薄膜からなる光電変換層に
上面の透明電極層を介して直接入射する光のほかに、半
導体薄膜の基板側に設けられる電極層の表面で反射して
光電変換層に入射する光も発電に寄与する。この電極層
の表面が平坦でなく、粗面であると、それにより光の散
乱が生じるため、電極層の表面が平坦な場合に比べて太
陽電池における光の利用効率が増大する。従来は、表面
の平坦な基板上に表面に凹凸構造をもつ電極層を形成し
て光の利用効率を向上させていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般に、それ自身が凹
凸構造を有する電極層を形成するためには、少なくとも
特定の基板温度および特定の平均膜厚での成膜が必要と
なる。例えば太陽電池用電極材料用金属として広く用い
られているＡｇでは、数百ｎｍ大の凹凸構造を得るため
には基板温度２００℃程度で平均膜厚３００ｎｍ程度以
上の堆積を行う必要がある。このため従来の技術では、
電極層の形成条件は材料ごとに最適化する必要があり、
またその範囲が限られているという問題があった。さら
に、このような電極層では、基板材料との組み合わせに
よっては熱応力などに起因する剥離が生じてしまうとい
った問題があった。
凸構造を有する電極層を形成するためには、少なくとも
特定の基板温度および特定の平均膜厚での成膜が必要と
なる。例えば太陽電池用電極材料用金属として広く用い
られているＡｇでは、数百ｎｍ大の凹凸構造を得るため
には基板温度２００℃程度で平均膜厚３００ｎｍ程度以
上の堆積を行う必要がある。このため従来の技術では、
電極層の形成条件は材料ごとに最適化する必要があり、
またその範囲が限られているという問題があった。さら
に、このような電極層では、基板材料との組み合わせに
よっては熱応力などに起因する剥離が生じてしまうとい
った問題があった。
【０００４】本発明の目的は、より容易に表面に凹凸構
造をもつ電極層を基板上に形成して変換効率を向上させ
た薄膜太陽電池の製造方法を提供するものとする。
造をもつ電極層を基板上に形成して変換効率を向上させ
た薄膜太陽電池の製造方法を提供するものとする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、絶縁性基板上に基板より遠い側が透明
電極層である二つの電極層にはさまれた光電変換層を有
する薄膜太陽電池の製造方法において、基板表面を粗面
化したのちその上に一つの電極層を形成するものとす
る。絶縁性基板表面の粗面化をプラズマ処理で行うこと
が有効である。絶縁性基板が高分子材料からなることが
有効であり、その場合、プラズマ処理を断続的に行うこ
とも良い方法である。また、不活性ガス雰囲気中のプラ
ズマ処理と反応性ガスを含む雰囲気中のプラズマ処理と
の双方を行うことも良い。
めに、本発明は、絶縁性基板上に基板より遠い側が透明
電極層である二つの電極層にはさまれた光電変換層を有
する薄膜太陽電池の製造方法において、基板表面を粗面
化したのちその上に一つの電極層を形成するものとす
る。絶縁性基板表面の粗面化をプラズマ処理で行うこと
が有効である。絶縁性基板が高分子材料からなることが
有効であり、その場合、プラズマ処理を断続的に行うこ
とも良い方法である。また、不活性ガス雰囲気中のプラ
ズマ処理と反応性ガスを含む雰囲気中のプラズマ処理と
の双方を行うことも良い。
【０００６】
【作用】プラズマ処理によるエッチング作用により、絶
縁性基板表面を粗面化することができ、その上に通常の
方法で電極層を成膜すれば、表面に凹凸構造をもつ電極
層が得られる。そして、プラズマ処理は、絶縁性基板が
高分子材料よりなる場合に特に効果的である。高分子材
料は非晶質部と結晶質部からなり、プラズマ処理を行う
と、これらのエッチング速度差により表面に凹凸構造が
現れる。山本ほか：応用物理５３巻 (１９８４) ｐ７２
７に記載されているように、エッチング過程中あるいは
そのあとに、一旦エッチングされた物質が拡散により表
面へ再付着、再重合して突起を形成する突起形成過程が
生じる。プラズマ処理の雰囲気としては、Ｎ2 やＡｒの
ような不活性ガス、Ｈ2 やＯ2 のような反応性ガスある
いはこれらの混合ガスを用いる。中でも反応性ガスを含
んだガスを用いると、山本ほか：日東技報２８巻 (１９
９１) ｐ７６に記載されているように、物理的なエッチ
ング効果に加え化学的な効果が付加され、非晶質部分と
結晶質部分のエッチング速度差や表面での再付着、再重
合が顕著となるため、より効果的に凹凸構造を形成する
ことができる。また、高分子材料基板にプラズマ処理を
断続的に行うと、プラズマ照射時に削り取られた高分子
材料が、プラズマ非照射時に再付着、再重合するため、
連続的に照射した場合に比べて容易に表面に凹凸構造を
形成することができる。反応性ガスを含む雰囲気中のプ
ラズマ処理は、高分子基板表面に突起を生じやすく、こ
れと不活性ガス雰囲気中のエッチングが顕著なプラズマ
処理の組合わせで、複雑な形状の凹凸構造が得られる。
そのほか、プラズマ処理を行ったのちに金属電極層を形
成すると、プラズマ処理により活性化された基板表面に
でてきた高分子の基に、電極層の金属が酸素を介して結
合するため、付着力が増し、電極層の剥離が生じにくく
なる。
縁性基板表面を粗面化することができ、その上に通常の
方法で電極層を成膜すれば、表面に凹凸構造をもつ電極
層が得られる。そして、プラズマ処理は、絶縁性基板が
高分子材料よりなる場合に特に効果的である。高分子材
料は非晶質部と結晶質部からなり、プラズマ処理を行う
と、これらのエッチング速度差により表面に凹凸構造が
現れる。山本ほか：応用物理５３巻 (１９８４) ｐ７２
７に記載されているように、エッチング過程中あるいは
そのあとに、一旦エッチングされた物質が拡散により表
面へ再付着、再重合して突起を形成する突起形成過程が
生じる。プラズマ処理の雰囲気としては、Ｎ2 やＡｒの
ような不活性ガス、Ｈ2 やＯ2 のような反応性ガスある
いはこれらの混合ガスを用いる。中でも反応性ガスを含
んだガスを用いると、山本ほか：日東技報２８巻 (１９
９１) ｐ７６に記載されているように、物理的なエッチ
ング効果に加え化学的な効果が付加され、非晶質部分と
結晶質部分のエッチング速度差や表面での再付着、再重
合が顕著となるため、より効果的に凹凸構造を形成する
ことができる。また、高分子材料基板にプラズマ処理を
断続的に行うと、プラズマ照射時に削り取られた高分子
材料が、プラズマ非照射時に再付着、再重合するため、
連続的に照射した場合に比べて容易に表面に凹凸構造を
形成することができる。反応性ガスを含む雰囲気中のプ
ラズマ処理は、高分子基板表面に突起を生じやすく、こ
れと不活性ガス雰囲気中のエッチングが顕著なプラズマ
処理の組合わせで、複雑な形状の凹凸構造が得られる。
そのほか、プラズマ処理を行ったのちに金属電極層を形
成すると、プラズマ処理により活性化された基板表面に
でてきた高分子の基に、電極層の金属が酸素を介して結
合するため、付着力が増し、電極層の剥離が生じにくく
なる。
【０００７】
【実施例】以下、図を引用して本発明の実施例について
述べる。 実施例１：図１に示す実施例では、ポリイミドフィルム
を用いた基板１の表面に対し表１に示す条件でプラズマ
処理を行った。
述べる。 実施例１：図１に示す実施例では、ポリイミドフィルム
を用いた基板１の表面に対し表１に示す条件でプラズマ
処理を行った。
【０００８】
【表１】 このプラズマ処理により基板１の表面に約１００ｎｍの
大きさのピラミッド状突起２をもつ凹凸構造が生じた。
この上にＡｇ電極層３を基板温度２００℃でのスパッタ
リングにより約１００ｎｍの厚さに成膜することによ
り、凹凸を持つ電極表面形状を得た。この程度の薄い膜
厚のＡｇ電極層３はそれ自身では凹凸構造を持たない
が、本方法により電極の表面形状を凹凸化することがで
きる。またこの程度の膜厚であれば基板との熱膨張係数
差などによる熱応力の影響は小さく、剥離が生じること
はない。絶縁性基板表面に形成される凹凸の大きさおよ
び形状はプラズマ処理条件により変わる。例えば、プラ
ズマ電力を２００〜４００Ｗの範囲で、処理時間を１０
〜８０ｍｉｎの範囲で調整し、雰囲気にＡｒガスを最大
４０ｓｃｃｍの流量範囲で混ぜあるいはＯ2 ガスの流量
を０〜２０ｓｃｃｍの範囲で調整し、スパッタ圧力を２
〜９ｍTorrの範囲で調整し、試料を４００℃以下の温度
に加熱し、あるいはプラズマ照射を１０ｓの照射と２０
ｓの非照射の断続照射にすることにより、２０〜１００
ｎｍ大でピラミッド状あるいは円柱状の凹凸構造が得ら
れている。このうちピラミッド状の表面構造はエッチン
グ過程が顕著な場合に見られ、円柱状の表面構造は突起
形成過程が顕著な場合に見られる。処理条件のうち、特
にプラズマの連続照射は断続照射に比してエッチング過
程を、反応性ガスＯ2 の使用は突起形成過程を強める傾
向が見られた。アモルファスシリコンを主成分とする光
電変換層４は、このようなＡｇ電極層３の凹凸構造をも
つ表面上に形成した。 実施例２：図２に示す実施例では、ポリイミド基板１の
表面に対し表２に示す条件でプラズマ処理を行った。断
続プラズマ処理は、上記のように１０ｓの照射と２０ｓ
の非照射を交互に行った。
大きさのピラミッド状突起２をもつ凹凸構造が生じた。
この上にＡｇ電極層３を基板温度２００℃でのスパッタ
リングにより約１００ｎｍの厚さに成膜することによ
り、凹凸を持つ電極表面形状を得た。この程度の薄い膜
厚のＡｇ電極層３はそれ自身では凹凸構造を持たない
が、本方法により電極の表面形状を凹凸化することがで
きる。またこの程度の膜厚であれば基板との熱膨張係数
差などによる熱応力の影響は小さく、剥離が生じること
はない。絶縁性基板表面に形成される凹凸の大きさおよ
び形状はプラズマ処理条件により変わる。例えば、プラ
ズマ電力を２００〜４００Ｗの範囲で、処理時間を１０
〜８０ｍｉｎの範囲で調整し、雰囲気にＡｒガスを最大
４０ｓｃｃｍの流量範囲で混ぜあるいはＯ2 ガスの流量
を０〜２０ｓｃｃｍの範囲で調整し、スパッタ圧力を２
〜９ｍTorrの範囲で調整し、試料を４００℃以下の温度
に加熱し、あるいはプラズマ照射を１０ｓの照射と２０
ｓの非照射の断続照射にすることにより、２０〜１００
ｎｍ大でピラミッド状あるいは円柱状の凹凸構造が得ら
れている。このうちピラミッド状の表面構造はエッチン
グ過程が顕著な場合に見られ、円柱状の表面構造は突起
形成過程が顕著な場合に見られる。処理条件のうち、特
にプラズマの連続照射は断続照射に比してエッチング過
程を、反応性ガスＯ2 の使用は突起形成過程を強める傾
向が見られた。アモルファスシリコンを主成分とする光
電変換層４は、このようなＡｇ電極層３の凹凸構造をも
つ表面上に形成した。 実施例２：図２に示す実施例では、ポリイミド基板１の
表面に対し表２に示す条件でプラズマ処理を行った。断
続プラズマ処理は、上記のように１０ｓの照射と２０ｓ
の非照射を交互に行った。
【０００９】
【表２】 この場合、基板１表面の突起５の大きさは１０ｎｍ以下
となる。この上にＡｇ電極層３を基板温度２００℃での
スパッタリングにより約３００ｎｍの厚さに成膜するこ
とにより径２００〜３００ｎｍ大の凹凸を持つ電極表面
形状を得た。この程度以上の膜厚のＡｇ電極層はそれ自
身が凹凸構造を持つが、熱応力の影響が大きく、プラズ
マ処理を行っていない基板上に形成した場合は自然剥離
が生じたり、テープテストで容易に剥がれる数十ｋｇ／
ｃｍ2 程度の付着力しか持たない。本実施例によるＡｇ
電極層３は、プラズマ処理により垂直引っ張り強度数百
ｋｇ／ｃｍ2 以上の付着力を得ている。 実施例３：図３に示す実施例では、ポリイミド基板１の
表面に対し、表３に示すようなエッチングが顕著な条件
で１回目のプラズマ処理で同図 (ａ) に示すようなピラ
ミッド状突起２を有する凹凸表面を得たのち、表３に示
すような突起形成が顕著な条件で２回目のプラズマ処理
をすることにより、同図 (ｂ) に示すような複雑な形状
の突起６を有する凹凸表面を得た。
となる。この上にＡｇ電極層３を基板温度２００℃での
スパッタリングにより約３００ｎｍの厚さに成膜するこ
とにより径２００〜３００ｎｍ大の凹凸を持つ電極表面
形状を得た。この程度以上の膜厚のＡｇ電極層はそれ自
身が凹凸構造を持つが、熱応力の影響が大きく、プラズ
マ処理を行っていない基板上に形成した場合は自然剥離
が生じたり、テープテストで容易に剥がれる数十ｋｇ／
ｃｍ2 程度の付着力しか持たない。本実施例によるＡｇ
電極層３は、プラズマ処理により垂直引っ張り強度数百
ｋｇ／ｃｍ2 以上の付着力を得ている。 実施例３：図３に示す実施例では、ポリイミド基板１の
表面に対し、表３に示すようなエッチングが顕著な条件
で１回目のプラズマ処理で同図 (ａ) に示すようなピラ
ミッド状突起２を有する凹凸表面を得たのち、表３に示
すような突起形成が顕著な条件で２回目のプラズマ処理
をすることにより、同図 (ｂ) に示すような複雑な形状
の突起６を有する凹凸表面を得た。
【００１０】
【表３】 この上に同図 (ｃ) に示すように厚さ１００ｎｍの電極
層３およびｐｉｎ接合をもつ厚さ５００ｎｍの光電変換
層４を形成した。このような方法により、単純なピラミ
ッド状または円柱状以外の凹凸形状を得ることができ、
凹凸形状の選択範囲が広がった。
層３およびｐｉｎ接合をもつ厚さ５００ｎｍの光電変換
層４を形成した。このような方法により、単純なピラミ
ッド状または円柱状以外の凹凸形状を得ることができ、
凹凸形状の選択範囲が広がった。
【００１１】上述の各実施例では、絶縁性基板１として
ポリイミドフィルムを用いているが、ポリエーテルサル
フォン (ＰＥＳ) 、ポリエチレンナフタレート (ＰＥ
Ｎ) 、ポリエチレンテレクタレート (ＰＥＴ) 、アラミ
ドなど他の絶縁性材料のフィルムを用いることもでき
る。また電極層３の材料として上記の実施例ではＡｇを
用いているが、その他の金属材料および酸化物導電体あ
るいはこれらを積層したものを用いてもよい。光電変換
層に関しては、その構造および材質は任意のものを用い
ることができる。また光電変換層４上の透明電極はここ
では省略したが、従来と同様、ＩＴＯを用いて形成す
る。
ポリイミドフィルムを用いているが、ポリエーテルサル
フォン (ＰＥＳ) 、ポリエチレンナフタレート (ＰＥ
Ｎ) 、ポリエチレンテレクタレート (ＰＥＴ) 、アラミ
ドなど他の絶縁性材料のフィルムを用いることもでき
る。また電極層３の材料として上記の実施例ではＡｇを
用いているが、その他の金属材料および酸化物導電体あ
るいはこれらを積層したものを用いてもよい。光電変換
層に関しては、その構造および材質は任意のものを用い
ることができる。また光電変換層４上の透明電極はここ
では省略したが、従来と同様、ＩＴＯを用いて形成す
る。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、プラズマ処理により絶
縁性基板の表面を粗面化することにより、その上に成膜
される電極層の表面の凹凸化が容易にでき、電極層表面
での散乱光の光電変換層への再入射による光電変換効率
の向上が可能となった。また、絶縁性基板への付着力の
強化を容易なものとし、太陽電池の高性能化に寄与する
とともに、電極材料および基板材料の種類、厚さ、組み
合わせ等の選択範囲を広げ、信頼性の向上や低コスト化
にも結び付くものである。
縁性基板の表面を粗面化することにより、その上に成膜
される電極層の表面の凹凸化が容易にでき、電極層表面
での散乱光の光電変換層への再入射による光電変換効率
の向上が可能となった。また、絶縁性基板への付着力の
強化を容易なものとし、太陽電池の高性能化に寄与する
とともに、電極材料および基板材料の種類、厚さ、組み
合わせ等の選択範囲を広げ、信頼性の向上や低コスト化
にも結び付くものである。
【図１】本発明の実施例１による薄膜太陽電池の要部断
面図
面図
【図２】本発明の実施例２による薄膜太陽電池の要部断
面図
面図
【図３】本発明の実施例３の薄膜太陽電池の製造工程の
一部を (ａ) 、 (ｂ) 、 (ｃ)の順に示す断面図
一部を (ａ) 、 (ｂ) 、 (ｃ)の順に示す断面図
１ 絶縁性基板 ２、５、６ 突起 ３ 電極層 ４ 光電変換層
Claims (5)
- 【請求項１】絶縁性基板上に基板より遠い側が透明電極
層である二つの電極層にはさまれた光電変換層を有する
薄膜太陽電池の製造方法において、基板表面を粗面化し
たのちその上に一つの電極層を形成することを特徴とす
る薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項２】絶縁性基板表面の粗面化をプラズマ処理で
行う請求項１記載の薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項３】絶縁性基板が高分子材料からなる請求項１
あるいは２記載の薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項４】プラズマ処理を断続的に行う請求項３記載
の薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項５】不活性ガス雰囲気中のプラズマ処理と反応
性ガスを含む雰囲気中でのプラズマ処理との双方を行う
請求項３記載の薄膜太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04454394A JP3216754B2 (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04454394A JP3216754B2 (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07254721A true JPH07254721A (ja) | 1995-10-03 |
| JP3216754B2 JP3216754B2 (ja) | 2001-10-09 |
Family
ID=12694430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04454394A Expired - Fee Related JP3216754B2 (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3216754B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076406A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池とその製造方法 |
| KR100351065B1 (ko) * | 1995-12-09 | 2002-12-12 | 삼성전자 주식회사 | 실리콘 태양전지 및 그 제조방법 |
| JP2007266615A (ja) * | 2002-03-22 | 2007-10-11 | Ube Ind Ltd | 半導体パッケ−ジ内部絶縁用ポリイミドフィルムおよび積層基板 |
| JP2009231500A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池用基板とその製造方法および太陽電池の製造方法 |
| WO2009094578A3 (en) * | 2008-01-24 | 2009-10-15 | Applied Materials, Inc. | Improved hit solar cell structure |
| WO2011114541A1 (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-22 | シャープ株式会社 | 光電変換装置用基板、およびそれを用いた光電変換装置、ならびにそれらの製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT517633A1 (de) * | 2015-09-11 | 2017-03-15 | Technische Universität Wien | Texturierung von Polyimidoberflächen mittels Sauerstoffplasmabehandlung |
-
1994
- 1994-03-16 JP JP04454394A patent/JP3216754B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100351065B1 (ko) * | 1995-12-09 | 2002-12-12 | 삼성전자 주식회사 | 실리콘 태양전지 및 그 제조방법 |
| JP2002076406A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池とその製造方法 |
| JP2007266615A (ja) * | 2002-03-22 | 2007-10-11 | Ube Ind Ltd | 半導体パッケ−ジ内部絶縁用ポリイミドフィルムおよび積層基板 |
| WO2009094578A3 (en) * | 2008-01-24 | 2009-10-15 | Applied Materials, Inc. | Improved hit solar cell structure |
| JP2009231500A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池用基板とその製造方法および太陽電池の製造方法 |
| WO2011114541A1 (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-22 | シャープ株式会社 | 光電変換装置用基板、およびそれを用いた光電変換装置、ならびにそれらの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3216754B2 (ja) | 2001-10-09 |
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