JPS5914682A - アモルフアスシリコン太陽電池 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池Info
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- JPS5914682A JPS5914682A JP57124000A JP12400082A JPS5914682A JP S5914682 A JPS5914682 A JP S5914682A JP 57124000 A JP57124000 A JP 57124000A JP 12400082 A JP12400082 A JP 12400082A JP S5914682 A JPS5914682 A JP S5914682A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
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- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルファスシリコン太陽電池の構造ならびに
製造方法に係り、特に該太陽電池を形成させる金属基材
表面の構造に関する。
製造方法に係り、特に該太陽電池を形成させる金属基材
表面の構造に関する。
基材表面に太陽電池構造の半導体層を形成する際に、該
基材表面を粗面化して適度の凹凸を設け、該凹部の光学
的空洞効果によって入射光の反射ｔ１１を減少させ、光
−電気変換効率を高めようとするこころみは従来より行
われている。即ち、単結晶シリコンでは（１００）面の
シリコンウェハを異方性エツチング技術を利用して（ｌ
ｌ １）而の微細なピラミッド状の凹凸を形成するい
わゆるＣＮＲ太陽電池がある。またアモルファス太陽電
池では、剣状構造の半導体外層をもつものや、凹凸をも
ったガラス基板上にアモルファス半導体Ｍ欣屓を形成し
たものなどがあり、これらは多重反射屈折による光の吸
収率改善を利用しているが、いずれも工業的に成功して
いない。
基材表面を粗面化して適度の凹凸を設け、該凹部の光学
的空洞効果によって入射光の反射ｔ１１を減少させ、光
−電気変換効率を高めようとするこころみは従来より行
われている。即ち、単結晶シリコンでは（１００）面の
シリコンウェハを異方性エツチング技術を利用して（ｌ
ｌ １）而の微細なピラミッド状の凹凸を形成するい
わゆるＣＮＲ太陽電池がある。またアモルファス太陽電
池では、剣状構造の半導体外層をもつものや、凹凸をも
ったガラス基板上にアモルファス半導体Ｍ欣屓を形成し
たものなどがあり、これらは多重反射屈折による光の吸
収率改善を利用しているが、いずれも工業的に成功して
いない。
−ｉに、太陽電池のアモルファスシリコン半導体薄膜層
の形成にあたっては、基材表面が平滑であることが望ま
しく、平滑でない場合は該半導体薄膜層の厚さが不均一
となり、ショート、オープン等の事故の原因となり太陽
電池が形成されても膜全体の変換効率が低下するとされ
ている。そのため、従来は平滑な基板を得るために５・
スト高の鏡面仕上げ処理等が用いられてきた。
の形成にあたっては、基材表面が平滑であることが望ま
しく、平滑でない場合は該半導体薄膜層の厚さが不均一
となり、ショート、オープン等の事故の原因となり太陽
電池が形成されても膜全体の変換効率が低下するとされ
ている。そのため、従来は平滑な基板を得るために５・
スト高の鏡面仕上げ処理等が用いられてきた。
一方、金属表面に対する粗面化方法の慣用技術としては
、機械的粗面化、スパッタリング、化学的エツチング、
電気化学的エツチング、あるいはメッキ等の各種方法が
行われている。しかしながらアモルファスシリコン太陽
電池においては、その基板製造方法にこれらの粗面化技
術を応用して良好な結果が得られた例はいまだない。
、機械的粗面化、スパッタリング、化学的エツチング、
電気化学的エツチング、あるいはメッキ等の各種方法が
行われている。しかしながらアモルファスシリコン太陽
電池においては、その基板製造方法にこれらの粗面化技
術を応用して良好な結果が得られた例はいまだない。
本発明は金属基材表面を粗面化するにあたり、電気化学
的あるいは化学的エツチング処理条件を選ぶことにより
、またそれら処理方法を組合せることにより、また必要
ある場合、該粗面化表面上に特定の金属薄膜層を形成す
ることにより、その上に太陽電池構造のアモルファスシ
リコン半導体層を形成させた場合、再現性よく太陽電池
を製造することが出来、かつ光−電気変換効率を向上せ
しめ得ることを見い出したものである。
的あるいは化学的エツチング処理条件を選ぶことにより
、またそれら処理方法を組合せることにより、また必要
ある場合、該粗面化表面上に特定の金属薄膜層を形成す
ることにより、その上に太陽電池構造のアモルファスシ
リコン半導体層を形成させた場合、再現性よく太陽電池
を製造することが出来、かつ光−電気変換効率を向上せ
しめ得ることを見い出したものである。
本発明で使用する金属基材ば本質的にはその上に形成さ
れる半導体層に対し無害な物質であればよく、特に限定
されるものではない。エツチング処理方法はエッチビッ
トの寸法形状あるいは表面分布の均−性等を意図すると
ころに制御出来るものでなければならず、このため、通
常の化学エツチングにおけるエッチ媒体の種類、濃度、
温度攪拌等の制御因子の他に、電圧波形、電流波形、電
流密度、通電電気量等、上記の制御に有効な因子を具え
た電気化学的エツチングを処理方法に含むことを特徴と
する。また、エツチング処理後の粗面化した金属基材表
面上にモリブデン等の金属薄膜層を蒸着等の通常の方法
によって形成し、緩衝層を設けることは、例えば基材と
してアルミニウムを使用する場合有効である。以下本発
明を図によって説明する。
れる半導体層に対し無害な物質であればよく、特に限定
されるものではない。エツチング処理方法はエッチビッ
トの寸法形状あるいは表面分布の均−性等を意図すると
ころに制御出来るものでなければならず、このため、通
常の化学エツチングにおけるエッチ媒体の種類、濃度、
温度攪拌等の制御因子の他に、電圧波形、電流波形、電
流密度、通電電気量等、上記の制御に有効な因子を具え
た電気化学的エツチングを処理方法に含むことを特徴と
する。また、エツチング処理後の粗面化した金属基材表
面上にモリブデン等の金属薄膜層を蒸着等の通常の方法
によって形成し、緩衝層を設けることは、例えば基材と
してアルミニウムを使用する場合有効である。以下本発
明を図によって説明する。
第１図ｔま従来の一般的ｐ−ｎ接合アモルファスシリコ
ン太陽電池の構造を示す断面図で、平滑な表面を持つス
テンレス等の金属基板１の表面上にアモルファスシリコ
ン層としてｐ型アモルファスシリコン層２、ｉ型アモル
ファスシリコン層３、ｎ型アモルファス９９３７層４を
順次形成し、さ第２図は本発明によるアモルファスシリ
コン太陽電池の構造をしめず断面図である。エツチング
処理により形成された微細な凹凸をもつアルミニウム等
の金属基材１１の表面上に、まず凹凸面に沿ってモリブ
デン等の金属層１６を形成し、順次Ｐ型アモルファスシ
リコン層１２、ｉ型アモルファスシリコン層１３、ｎ型
アモルファスシリ３７層１４、ＩＴＯ透明電極層１５を
グロー放電法等による既知の方法で形成したものである
。本発明によれば、入射した光１７は粗面化基板表面で
とらえられ、空洞内多重反射を繰り返しながら、光電変
換に有用な波長域の太陽光を効率よくアモルファスシリ
コン層に補足し、光電変換されるので、従来の平滑基板
上のアモルファスシリコン電池と比べて大きな電流が得
られる。
ン太陽電池の構造を示す断面図で、平滑な表面を持つス
テンレス等の金属基板１の表面上にアモルファスシリコ
ン層としてｐ型アモルファスシリコン層２、ｉ型アモル
ファスシリコン層３、ｎ型アモルファス９９３７層４を
順次形成し、さ第２図は本発明によるアモルファスシリ
コン太陽電池の構造をしめず断面図である。エツチング
処理により形成された微細な凹凸をもつアルミニウム等
の金属基材１１の表面上に、まず凹凸面に沿ってモリブ
デン等の金属層１６を形成し、順次Ｐ型アモルファスシ
リコン層１２、ｉ型アモルファスシリコン層１３、ｎ型
アモルファスシリ３７層１４、ＩＴＯ透明電極層１５を
グロー放電法等による既知の方法で形成したものである
。本発明によれば、入射した光１７は粗面化基板表面で
とらえられ、空洞内多重反射を繰り返しながら、光電変
換に有用な波長域の太陽光を効率よくアモルファスシリ
コン層に補足し、光電変換されるので、従来の平滑基板
上のアモルファスシリコン電池と比べて大きな電流が得
られる。
次に本発明の具体的実施例について第３図に示す製造工
程図に従って説明する。金属基材として１．０鶴厚の高
純度（９９％）アルミニウム板を使用し、この表面を脱
脂洗浄（１）したのち、硫酸２゜５ｍｏｌ／ （１％塩
酸２．５ ｍｏｌ／ ＩＩの混酸水溶液に、前記アルミ
ニウム板を浸漬し、８０℃の液温にてアルミニウム板を
プラス側とし、これに対向するように配置したカーボン
電極をマイナスとして、電流密度２５０ｍ＾／ｃａｌで
３０秒間直流エツチング（２）を行なった。次いで直流
エツチングされたアルミニウム板を水洗いしたのちに、
更に燐酸１０．０ｍｏｌ／１、硝酸２．７ｍｏｌ／ １
２の混酸中で９０℃、９０秒間浸漬して化学エツチング
（３）を行なったのち“充分に水洗・乾燥（４）後、約
５００人のモリブデンを蒸着（５）して最終的な粗面化
基板を得た。この粗面化基板上に高周波グロー放電によ
り、シランガスを用いて約１５０人のｐ型アモルファス
シリコン層（６）、約５０００人のｉ型アモルファスシ
リコ”４４ （７） 、約２００人をｎ型アモルファス
シリコン層（８）を順次形成し、最後に約５００人のＩ
ＴＯの透明電極を最上面に形成（９）して太陽電池を構
成した。
程図に従って説明する。金属基材として１．０鶴厚の高
純度（９９％）アルミニウム板を使用し、この表面を脱
脂洗浄（１）したのち、硫酸２゜５ｍｏｌ／ （１％塩
酸２．５ ｍｏｌ／ ＩＩの混酸水溶液に、前記アルミ
ニウム板を浸漬し、８０℃の液温にてアルミニウム板を
プラス側とし、これに対向するように配置したカーボン
電極をマイナスとして、電流密度２５０ｍ＾／ｃａｌで
３０秒間直流エツチング（２）を行なった。次いで直流
エツチングされたアルミニウム板を水洗いしたのちに、
更に燐酸１０．０ｍｏｌ／１、硝酸２．７ｍｏｌ／ １
２の混酸中で９０℃、９０秒間浸漬して化学エツチング
（３）を行なったのち“充分に水洗・乾燥（４）後、約
５００人のモリブデンを蒸着（５）して最終的な粗面化
基板を得た。この粗面化基板上に高周波グロー放電によ
り、シランガスを用いて約１５０人のｐ型アモルファス
シリコン層（６）、約５０００人のｉ型アモルファスシ
リコ”４４ （７） 、約２００人をｎ型アモルファス
シリコン層（８）を順次形成し、最後に約５００人のＩ
ＴＯの透明電極を最上面に形成（９）して太陽電池を構
成した。
、第４図は、本実施例によるアルミニウム板の直ミニウ
ム板表面には一様に緻密なほぼスリ林状の凹部が形成さ
れていることが認められる。なお、この凹部の平均開口
径はほぼ５〜６μｍであった。
ム板表面には一様に緻密なほぼスリ林状の凹部が形成さ
れていることが認められる。なお、この凹部の平均開口
径はほぼ５〜６μｍであった。
なお、本実施例では、直流エツチング後に化学エツチン
グを施しているが、これは直流エツチングのみでは急峻
な突部が残留して太陽電池形成時にこの突部に太陽電池
層が均一に形成されにくく、またショート等の不都合が
生じるのを防止するためであり、化学エツチングおよび
蒸着金属膜の形成は、このような急峻な凸部を滑らかな
面とするための重要な処理である 次に、本発明の実施例の特性と従来の方法で作成した比
較例との差異を示す。比較例としては、現在主として用
いられている電解研摩により平滑化されたステンレス板
に、本発明の実施例と全く同一条件でアモルファスシリ
コン太陽電池層を形成した。別表に両者の特性を示した
が、本発明の実施例のものは従来法に較べて可視光波長
での吸収率が明らかに向上しており、太陽電池としての
光−電気変換効率（り）が約２５％改善されたことが認
められる。
グを施しているが、これは直流エツチングのみでは急峻
な突部が残留して太陽電池形成時にこの突部に太陽電池
層が均一に形成されにくく、またショート等の不都合が
生じるのを防止するためであり、化学エツチングおよび
蒸着金属膜の形成は、このような急峻な凸部を滑らかな
面とするための重要な処理である 次に、本発明の実施例の特性と従来の方法で作成した比
較例との差異を示す。比較例としては、現在主として用
いられている電解研摩により平滑化されたステンレス板
に、本発明の実施例と全く同一条件でアモルファスシリ
コン太陽電池層を形成した。別表に両者の特性を示した
が、本発明の実施例のものは従来法に較べて可視光波長
での吸収率が明らかに向上しており、太陽電池としての
光−電気変換効率（り）が約２５％改善されたことが認
められる。
また、第５図は本発明の実施例と従来法による太陽電池
との太陽光波長に対する収集効率スペクトル特性をあら
れしたグラフで、このグラフからも本発明の太陽電池が
優れた特性を示すこ１とがわかる。
との太陽光波長に対する収集効率スペクトル特性をあら
れしたグラフで、このグラフからも本発明の太陽電池が
優れた特性を示すこ１とがわかる。
以上述べたように、従来の如く平滑化した基板に形成さ
れるアモルファスシリコン電池の製造プロセスでは、基
板平滑化のための電解研摩処理コストあるいは鏡面光沢
メッキ処理コストが高価であったが、本発明では安価な
アルミニウム基板等を用いて安価な電気化学的処理で基
板を提供することができ、かつ光−電気変換効率の大き
な改善を果たすことが出来ので、アモルファスシリコン
太陽電池の製造工業に寄与するところ極めて大なるもの
である。
れるアモルファスシリコン電池の製造プロセスでは、基
板平滑化のための電解研摩処理コストあるいは鏡面光沢
メッキ処理コストが高価であったが、本発明では安価な
アルミニウム基板等を用いて安価な電気化学的処理で基
板を提供することができ、かつ光−電気変換効率の大き
な改善を果たすことが出来ので、アモルファスシリコン
太陽電池の製造工業に寄与するところ極めて大なるもの
である。
なお、本発明の実施例では、金属基板が高純度のアルミ
ニウムの場合について述べたが、このアルミニウムは不
純物を含むアルミニウム、アルミ ＼ニウム
合金、さらにはこの金属基板はアルミニウムに限られる
ものではなく、ステンレス等の他の材質であっても適用
可能である。
ニウムの場合について述べたが、このアルミニウムは不
純物を含むアルミニウム、アルミ ＼ニウム
合金、さらにはこの金属基板はアルミニウムに限られる
ものではなく、ステンレス等の他の材質であっても適用
可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図はアモルファスシリコン太陽型、池の一般、 的
な構造をあられす断面図、第２図は本発明のア、−モル
ファスシリコン太陽電池の構造をあられす断面図、第３
図は本発明の実施例における製造工程図、第４図は本発
明の実施例におけるエツチング′ 処理後のアルミニウ
ム基板の表面状態をあられす電子顕微鏡写真像、第５図
は本発明の実施例による太陽電池と従来法による太陽電
池との収集効率スペクトル特性を比較したグラフである
。 １１・・・金属基材、１２・・・ｐ型アモルフブスシリ
コン層、１３・・・ｉ型アモルファスシ＋）コ’４＠、
１４・・・ｎ型アモルファスシリコン特許出願人 株式会社電解箔工業 （ほか２名） 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 ５良長（１飢） ３７５ ）−
な構造をあられす断面図、第２図は本発明のア、−モル
ファスシリコン太陽電池の構造をあられす断面図、第３
図は本発明の実施例における製造工程図、第４図は本発
明の実施例におけるエツチング′ 処理後のアルミニウ
ム基板の表面状態をあられす電子顕微鏡写真像、第５図
は本発明の実施例による太陽電池と従来法による太陽電
池との収集効率スペクトル特性を比較したグラフである
。 １１・・・金属基材、１２・・・ｐ型アモルフブスシリ
コン層、１３・・・ｉ型アモルファスシ＋）コ’４＠、
１４・・・ｎ型アモルファスシリコン特許出願人 株式会社電解箔工業 （ほか２名） 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 ５良長（１飢） ３７５ ）−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１） 電気化学的エツチングまたは化学的エツチン
グまたはこれらの組合せによって粗面化された金ａ基材
の表面にアモルファスシリコンｉえＯ透明電極層が順次
形成されていることを′特徴とするアモルファスシリコ
ン太陽電池。 （２）電気化学的エツチングまたは化学的エツチングま
たはこれらの組合せによって粗面化された金属基材の表
面に金属薄膜層が形成され、さらにこの上面にアモルフ
ァスシリコンｉ明電極層が順次形成されていることを特
徴とするアモルファスシリコン太陽電池。 （３）電気化学的エツチング処理が、直流電解エツチン
グであるところの特許請求の範囲第１項および第２項記
載のアモルファスシリコン太陽電池。 （４） 金属基材が純アルミニウムまたはわずかの不
純物を含むアルミニウムおよびアルミニウム合金のいず
れかであるところの特許請求の範囲第１項および第２項
記載のアモルファスシリコン太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124000A JPS5914682A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124000A JPS5914682A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5914682A true JPS5914682A (ja) | 1984-01-25 |
| JPH0361348B2 JPH0361348B2 (ja) | 1991-09-19 |
Family
ID=14874554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57124000A Granted JPS5914682A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5914682A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60201668A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質太陽電池 |
| JPS60210883A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-10-23 | エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド | 半導体デバイス及びその製法 |
| JPS6381986A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Anelva Corp | 光電変換素子 |
| JPH0323678A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 受光発電素子 |
| US5244509A (en) * | 1990-08-09 | 1993-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate having an uneven surface for solar cell and a solar cell provided with said substrate |
| US5282902A (en) * | 1991-05-09 | 1994-02-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell provided with a light reflection layer |
| US5284525A (en) * | 1990-12-13 | 1994-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell |
| DE19543037A1 (de) * | 1995-11-07 | 1997-05-15 | Launicke Karl Otto | Bauelement mit fotovoltaisch wirksamer Schicht |
| WO1998043304A1 (fr) * | 1997-03-21 | 1998-10-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Element photovoltaique et procede de fabrication dudit element |
| US6095238A (en) * | 1997-11-26 | 2000-08-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Feed water heater |
| EP1369931A1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-12-10 | Hitachi, Ltd. | Solar cell and its manufacturing method, metal plate for the same |
| EP2356696A2 (en) * | 2009-05-06 | 2011-08-17 | Thinsilicon Corporation | Photovoltaic cells and methods to enhance light trapping in semiconductor layer stacks |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS569764U (ja) * | 1979-07-04 | 1981-01-27 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52342A (en) * | 1975-06-23 | 1977-01-05 | Shin Kobe Electric Machinery | Method of welding joint for storage battery |
-
1982
- 1982-07-16 JP JP57124000A patent/JPS5914682A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS569764U (ja) * | 1979-07-04 | 1981-01-27 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60210883A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-10-23 | エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド | 半導体デバイス及びその製法 |
| JPS60201668A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質太陽電池 |
| JPS6381986A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Anelva Corp | 光電変換素子 |
| JPH0323678A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 受光発電素子 |
| US5244509A (en) * | 1990-08-09 | 1993-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate having an uneven surface for solar cell and a solar cell provided with said substrate |
| US5284525A (en) * | 1990-12-13 | 1994-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell |
| US5282902A (en) * | 1991-05-09 | 1994-02-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell provided with a light reflection layer |
| DE19543037A1 (de) * | 1995-11-07 | 1997-05-15 | Launicke Karl Otto | Bauelement mit fotovoltaisch wirksamer Schicht |
| WO1998043304A1 (fr) * | 1997-03-21 | 1998-10-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Element photovoltaique et procede de fabrication dudit element |
| US6207890B1 (en) | 1997-03-21 | 2001-03-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic element and method for manufacture thereof |
| US6380479B2 (en) | 1997-03-21 | 2002-04-30 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic element and method for manufacture thereof |
| US6095238A (en) * | 1997-11-26 | 2000-08-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Feed water heater |
| EP1369931A1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-12-10 | Hitachi, Ltd. | Solar cell and its manufacturing method, metal plate for the same |
| EP2356696A2 (en) * | 2009-05-06 | 2011-08-17 | Thinsilicon Corporation | Photovoltaic cells and methods to enhance light trapping in semiconductor layer stacks |
| EP2356696A4 (en) * | 2009-05-06 | 2013-05-15 | Thinsilicon Corp | PHOTOVOLTAIC CELLS AND METHOD FOR REINFORCING LIGHT DETECTION IN SEMICONDUCTOR LAYERED TABLES |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0361348B2 (ja) | 1991-09-19 |
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