JPH07245412A

JPH07245412A - 薄膜トランジスタの作製方法

Info

Publication number: JPH07245412A
Application number: JP2225595A
Authority: JP
Inventors: Mutsuo Yamamoto; 睦夫山本
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1994-01-17
Filing date: 1995-01-17
Publication date: 1995-09-19
Anticipated expiration: 2019-02-09
Also published as: JP3495806B2

Abstract

(57)【要約】【目的】陽極酸化物によってその表面の一部もしくは
全部が被覆されたアルミニウムをゲート電極とする薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）において、特性と信頼性の改善
を図る。【構成】酸素、オゾン、亜酸化窒素等の酸化性の雰囲
気において、ＴＦＴに紫外光を照射する。もしくは、酸
化性雰囲気において、プラズマを発生させる。その際に
ＴＦＴを室温〜５００℃、好ましくは５０〜３５０℃、
より好ましくは２００〜３００℃に加熱しておいてもよ
い。このような処理の結果、陽極酸化物中に残存した金
属性のアルミニウムを酸化せしめることができ、陽極酸
化物による負電荷の誘起を低減せしめ、よって、ＴＦＴ
の初期特性および長期の使用による特性の劣化を防止す
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜状の絶縁ゲイト型
電界効果トランジスタ（いわゆる薄膜トランジスタ、Ｔ
ＦＴ）の作製方法に関するものである。本発明のＴＦＴ
は液晶ディスプレーの画素のスイッチング素子として、
また、その他の半導体集積回路において用いられる。

【０００２】

【従来の技術】従来、薄膜型の絶縁ゲイト型電界効果ト
ランジスタ（ＴＦＴ）等の薄膜デバイスにおいては、ゲ
イト電極とソース、ドレイン領域とを重ならないように
して、オフセット状態とするとソース−ドレイン間のリ
ーク電流を減らすことができることが知られている。

【０００３】特にこのオフセット領域（ソースもしくは
ドレインとゲイト電極が重ならない領域）の幅は、サブ
ミクロン程度の微妙な精度が要求された。例えば、オフ
セットの幅が０．５μｍ以上も変動すると、ＴＦＴの特
性が全く変わってしまった。したがって、オフセットの
大きさは０．１μｍ以下、好ましくは、５００Å以下の
精度で制御することが要求された。このような微妙な制
御はもはや、フォトリソグラフィー工程においては制御
できないものであった。

【０００４】この問題点に関しては、ゲイト電極を陽極
酸化可能な材料によって形成し、これを陽極酸化するこ
とによって、少なくともその側面に厚さ５μｍ以下の陽
極酸化物を１００Å以下の精度で形成し、これをマスク
として不純物を、イオンドーピング、イオン注入等の方
法で導入することによって自己整合（セルフアライン）
的にオフセット状態を得ることが提案されている。（特
開平５−２６７６６７）

【０００５】

【発明が解決しようする課題】特にゲイト電極をアルミ
ニウムを主成分とする金属材料によって構成すると、陽
極酸化が容易なだけでなく、低抵抗であることから回路
特性の向上にも役立った。しかしながら、アルミニウム
を陽極酸化した場合には、得られた陽極酸化物は化学量
論的な酸化物（Ａｌ₂Ｏ₃）ではなく、一般に酸素の比
率が小さいものであった。

【０００６】このことは、陽極酸化物の中に金属性のア
ルミニウムが孤立して存在することを意味していた。一
般にこのようなアルミニウムはそれが原子のようなもの
であれ、複数の原子の集合したクラスターのようなもの
であれ、あるいはより大きな塊であれ、容易に電子を放
出して、正イオン化する傾向があった。そして、このた
めにマクロ的には電子が陽極酸化物に引き寄せられると
いう傾向があった。すなわち、ゲイト絶縁膜上に陽極酸
化物が存在すると、ゲイト絶縁膜の下のオフセット領域
の半導体活性層に負の電荷が誘起され、Ｎ型となった。
すなわち、本来、Ｉ型であるべきオフセット領域が実現
できなかった。

【０００７】このため、Ｎチャネル型のＴＦＴにおいて
は、ソース／ドレイン間のリーク電流が大きく、また、
Ｐチャネル型のＴＦＴにおいては、しきい値電圧の絶対
値が高くなるという欠点を有していた。さらに、陽極酸
化物中の金属性アルミニウムの電離度はＴＦＴの使用時
間とともに変化するので、特性が安定しないという、信
頼性の欠点も有していた。

【０００８】

【発明を解決するための手段】本発明はこのような問題
点に鑑みてなされたものである。本発明の第１は、陽極
酸化工程後のいずれかの工程もしくは工程間において、
ゲイト電極に酸素、オゾン、亜酸化窒素等の酸化性雰囲
気において、波長４００ｎｍ以下、好ましくは、３００
ｎｍ以下の紫外光を照射する工程を設けることを特徴と
する。紫外光の光源としては水銀ランプ等の非コヒーレ
ント光、エキシマーレーザーのようなコヒーレント光い
ずれも利用できる。

【０００９】本発明の第２は，陽極酸化工程後のいずれ
かの工程もしくは工程間において、酸化雰囲気のプラズ
マ中にＴＦＴを放置する工程を設けることを特徴とす
る。プラズマはＤＣ放電、ＲＦ放電、マイクロ波放電い
ずれでも可能である。あるいは、上記第１および第２の
発明を組み合わせて、酸化雰囲気のプラズマ中でゲイト
電極に紫外光を照射してもよい。そして、これらの工程
においては、ＴＦＴを室温（５０℃）〜５００℃、好ま
しくは２００〜３００℃に保つとより効果的である。

【００１０】

【作用】上記のごとき紫外光の照射あるいはプラズマ処
理によって、陽極酸化物中に残存していた金属性のアル
ミニウムが酸化され、よって、陽極酸化物によるオフセ
ット領域における電荷の誘起が減少し、特性が向上する
とともに長時間の使用における劣化も低減せしめること
ができる。特に、オフセット領域がＮ型化するために、
Ｎチャネル型ＴＦＴとＰチャネル型ＴＦＴで、特性の対
称性が良くなかったが、本発明によって対称性の良い理
想的なＴＦＴとすることができる。

【００１１】

【実施例】

〔実施例１〕本実施例はＴＦＴの作製工程である。図
１に本実施例の工程断面図を示す。まず、基板（コーニ
ング７０５９）１０１上にスパッタリング法によって厚
さ２０００Åの酸化珪素の下地膜１０２を形成した。さ
らに、プラズマＣＶＤ法によって、厚さ２００〜１５０
０Å、例えば５００Åの真性（Ｉ型）のアモルファスシ
リコン膜を堆積した。さらに、スパッタリング法によっ
て厚さ２００Åの酸化珪素膜を、保護膜としてアモルフ
ァスシリコン膜上に堆積した。

【００１２】そして、このアモルファスシリコン膜を窒
素雰囲気中、５５０〜６５０℃で４〜４８時間アニール
して結晶化させた。アニール後、シリコン膜をエッチン
グして、島状シリコン領域１０３を形成し、保護膜の酸
化珪素膜は除去した。さらに、プラズマＣＶＤ法によっ
て厚さ８００〜２０００Å、例えば１０００Åの酸化珪
素膜１０４をゲイト絶縁膜として堆積した。

【００１３】引き続いて、スパッタリング法によって、
厚さ３０００〜８０００Å、例えば４０００Åのアルミ
ニウム膜（０．１〜０．３重量％のスカンジウム（Ｓ
ｃ）を含む）を堆積した。なお、この酸化珪素とアルミ
ニウム膜の成膜工程は連続的におこなうことが望まし
い。そして、公知のフォトリソグラフィー法によって、
ゲイト電極１０５をパターニング・エッチングした。
（図１（Ａ））

【００１４】次に、基板を３〜２０％のクエン酸もしく
はシュウ酸、燐酸、クロム酸、硫酸等の水溶液、例え
ば、１０％シュウ酸水溶液に浸漬し、１０〜５０Ｖ、例
えば１０Ｖの定電圧で１０〜５０分、例えば３０分陽極
酸化をおこなうことによって、厚さ約３０００Åの多孔
質の陽極酸化物１０６を±２００Å以下の精度でゲイト
電極の側面および上面に形成することができた。このよ
うにして得られた陽極酸化物は多孔質のものであり、陽
極酸化物の厚さは陽極酸化時間によって主に制御され
る。。

【００１５】一方、３〜１０％の酒石酸、硼酸、硝酸等
のエチレングリコール溶液等の有機溶媒を用いても陽極
酸化をおこなえる。例えば、３％酒石酸のエチレングリ
コール溶液（アンモニアで中性にｐＨ調整したもの）中
に基板を浸漬し、これに電流を流して、１〜５Ｖ／分、
例えば４Ｖ／分で電圧を１２０〜２００Ｖまで上昇させ
て、陽極酸化をおこなってもよい。この際には、バリヤ
型と称される緻密な陽極酸化物が形成された。この陽極
酸化物の厚さは最高酸化電圧によって決定される。多孔
質陽極酸化物は容易に厚いものが得られたが、耐圧の点
では劣っていた。一方、バリヤ型陽極酸化物は耐圧は最
高酸化電圧の半分以上で、通常、５０〜１００Ｖ以上で
あったが、厚さ３０００Å以上のものを得るには最高酸
化電圧を２５０Ｖ以上とせねばならず、このような高い
電圧を印加するとＴＦＴのゲイト電極と活性層の間が絶
縁破壊されてしまうため、現実には、２５００Å以下の
ものしか得られなかった。

【００１６】いずれの方法を採用するかは必要とされる
耐圧と陽極酸化物の厚さ（＝オフセット領域の幅）によ
って決定される。もちろん、いずれか一方の単層の陽極
酸化物だけではなく、適当な厚さの多孔質陽極酸化物と
バリヤ型陽極酸化物を組み合わせて、必要とする耐圧と
厚さを実現させてもよい。（図１（Ｂ））このようにして陽極酸化物を形成したのち、純水によっ
て洗浄して、電解液を十分に除去して乾燥させ、次に、
基板を酸素、オゾン、亜酸化窒素（Ｎ₂Ｏ）等の酸化雰
囲気に置き、これに紫外光を照射した。

【００１７】ここでは、石英性の処理槽に基板を入れ、
真空排気した後、酸素ガス（Ｏ₂）を０．１〜１０リッ
トル／分、例えば、１リットル／分流しながら、０．０
１〜１気圧、好ましくは０．０５〜０．１気圧、また、
基板温度を室温〜５００℃、好ましくは５０〜３５０
℃、より好ましくは２００〜３００℃に保ち、水銀ラン
プによる紫外光を照射した。紫外光の強度は１００〜２
００ｍＷ／ｃｍ²とした。処理時間は１０分〜３時間、
例えば、３０分とした。純粋な酸素ガスの代わりにオゾ
ナイザーで処理し、オゾン（Ｏ₃）を含有せしめた酸素
ガスを用いると時間短縮の上でより効果的である。ま
た、紫外光を照射する代わりに、上記の酸化雰囲気にお
いて、ＲＦプラズマを発生させても同様な効果が認めら
れた。（図１（Ｃ））

【００１８】次に、プラズマドーピング法によって、シ
リコン領域１０３にゲイト電極１０５および陽極酸化物
１０６をマスクとして自己整合的にドーピング不純物
（燐）を注入した。ドーピングガスとして、フォスフィ
ン（ＰＨ₃）を用い、加速電圧を６０〜９０ｋＶ、例え
ば８０ｋＶとした。ドーズ量は１×１０¹⁴〜８×１０¹⁵
ｃｍ^-2、例えば、１×１０¹⁵ｃｍ^-2とした。この結果、
Ｎ型の不純物領域１０７、１０８が形成された。この際
には、不純物領域１０７、１０８とゲイト電極１０５と
は、陽極酸化物の厚さｘ程度だけ離れて、オフセット状
態となっている。（図１（Ｄ））

【００１９】次に、上面からレーザー光を照射して、レ
ーザーアニールをおこない、ドーピングされた不純物を
活性化した。レーザーとしては、ＫｒＦエキシマーレー
ザー（波長２４８ｎｍ、パルス幅３０ｎｓｅｃ）を用い
たが、他に、ＸｅＣｌエキシマーレーザー（波長３０８
ｎｍ）、ＡｒＦエキシマーレーザー（波長１９３ｎ
ｍ）、ＸｅＦエキシマーレーザー（波長３５３ｎｍ）等
を用いてもよい。レーザーのエネルギー密度は２００〜
４００ｍＪ／ｃｍ²、例えば、２５０ｍＪ／ｃｍ²と
し、２〜１０ショット、例えば２ショット照射した。レ
ーザー照射時には基板を２００〜３００℃、例えば２５
０℃に加熱しておいた。こうして不純物領域１０７、１
０８を活性化した。（図１（Ｅ））

【００２０】続いて、厚さ３０００〜８０００Å、例え
ば、６０００Åの酸化珪素膜１０９を層間絶縁物として
プラズマＣＶＤ法によって形成し、これにコンタクトホ
ールを形成して、金属材料、例えば、窒化チタンとアル
ミニウムの多層膜によってＴＦＴのソース領域、ドレイ
ン領域の電極・配線１１０、１１１を形成した。最後
に、１気圧の水素雰囲気で３５０℃、３０分のアニール
をおこなった。以上の工程によって薄膜トランジスタが
完成した。（図１（Ｆ））

【００２１】〔実施例２〕図２に本実施例の作製工程
の断面図を示す。まず、基板（コーニング７０５９）２
０１上にスパッタリング法によって厚さ２０００Åの酸
化珪素の下地膜２０２を形成した。さらに、プラズマＣ
ＶＤ法によって、厚さ２００〜１０００Å、例えば５０
０Åの真性（Ｉ型）のアモルファスシリコン膜を堆積
し、これをパターニング、エッチングして、島状シリコ
ン領域２０３を形成し、レーザー光（ＫｒＦエキシマー
レーザー）を照射して、結晶化させた。さらに、スパッ
タリング法によって厚さ１０００Åの酸化珪素膜２０４
をゲイト絶縁膜として堆積した。

【００２２】引き続いて、スパッタリング法によって、
厚さ３０００〜８０００Å、例えば４０００Åのアルミ
ニウム膜（０．１〜０．３重量％のスカンジウムを含
む）を堆積した。そして、基板を３％の酒石酸エチレン
グルコール溶液（アンモニアによって中和し、ｐＨ≒７
とした）中に浸し、１０〜３０Ｖの電圧を印加すること
によって、アルミニウム膜の表面に厚さ１００〜４００
Åの薄い陽極酸化物を形成した。そして、このように処
理したアルミニウム膜上に、スピンコート法によって厚
さ１μｍ程度のフォトレジスト（例えば、東京応化製、
ＯＦＰＲ８００／３０ｃｐ）を形成した。フォトレジス
トの代わりに、例えば、東レ製ＵＲ３８００のような感
光性ポリイミド（フォトニース）を用いてもよい。そし
て、公知のフォトリソグラフィー法によって、ゲイト電
極２０５を形成した。ゲイト電極上には、フォトレジス
トのマスク２０６が残存する。（図２（Ａ））

【００２３】次に、基板を１０％シュウ酸水溶液に浸漬
し、５〜５０Ｖ、例えば８Ｖの定電圧で１０〜５００
分、例えば２００分陽極酸化をおこなうことによって、
厚さ約５０００Åの多孔質の陽極酸化物２０７を±２０
０Å以下の精度でゲイト電極の側面に形成することがで
きた。ゲイト電極の上面にはマスク材２０６が存在して
いたので、陽極酸化はほとんど進行しなかった。（図２
（Ｂ））

【００２４】次に、マスク材を除去して、ゲイト電極上
面を露出させ、３％酒石酸のエチレングリコール溶液
（アンモニアで中性にｐＨ調整したもの）中に基板を浸
漬し、これに電流を流して、１〜５Ｖ／分、例えば４Ｖ
／分で電圧を１００Ｖまで上昇させて、陽極酸化をおこ
なった。この際には、ゲイト電極上面のみならず、ゲイ
ト電極側面も陽極酸化されて、緻密なバリヤ型陽極酸化
物２０８がゲイト電極の上面およびゲイト電極の側面と
多孔質陽極酸化物２０７の境界に厚さ１０００Å形成さ
れた。この陽極酸化物の耐圧は５０Ｖ以上であった。
（図２（Ｃ））

【００２５】次に、ドライエッチング法によって、酸化
珪素膜２０４をエッチングした。このエッチングにおい
ては、等方性エッチングのプラズマモードでも、あるい
は異方性エッチングの反応性イオンエッチングモードで
もよい。ただし、珪素と酸化珪素の選択比を十分に大き
くすることによって、活性層２０３を深くエッチングし
ないようにすることが重要である。例えば、エッチング
ガスとしてＣＦ₄ を使用すれば多孔質陽極酸化物２０７
およびバリヤ型陽極酸化物２０８はエッチングされず、
酸化珪素膜のみがエッチングされた。また、陽極酸化物
およびゲイト電極の下の酸化珪素膜はエッチングされず
にゲイト絶縁膜２０３’として残った。

【００２６】そして、プラズマドーピング法によって、
活性層２０３にゲイト電極２０５および側面の多孔質陽
極酸化物２０７をマスクとして自己整合的に不純物
（燐）を注入した。ドーピングガスとして、フォスフィ
ン（ＰＨ₃）を用い、加速電圧を５〜３０ｋＶ、例えば
１０ｋＶとした。ドーズ量は１×１０¹⁴〜８×１０¹⁵ｃ
ｍ^-2、例えば、１×１０¹⁵ｃｍ^-2とした。本実施例では
活性層を覆う酸化膜が除去されているので、ドーピング
の加速電圧は低くても良かった。この結果、Ｎ型の不純
物領域２０９、２１０が形成された。（図２（Ｄ））

【００２７】次に、燐酸、燐酸、酢酸、硝酸の混酸を用
いて多孔質陽極酸化物２０７をエッチングし、バリヤ型
陽極酸化物２０８を露出させた。このエッチング工程で
は多孔質陽極酸化物のみがエッチングされ、酸化珪素、
シリコン、バリヤ型陽極酸化物等の材料は全くエッチン
グされなかった。また、アルミニウムとその合金はエッ
チングされるのであるが、本実施例では、その上面と側
面がバリヤ型陽極酸化物で被覆されているため損傷を受
けなかった。もっとも、あまりにバリヤ型陽極酸化物が
薄いとエッチングされるので、バリヤ型陽極酸化物の厚
さは２００Å以上であることが好ましい。

【００２８】次に、基板を図３に示すような複数の処理
チャンバーを有する装置に入れた。ここで、図３で示さ
れる装置について簡単に説明する。図３の装置を上から
見た様子は図３（Ｂ）に示される。この装置では、３つ
のチャンバーがある。チャンバー２は基板をセットもし
くは取り出すための予備室である。チャンバー１は本発
明の紫外光照射のためのチャンバーである。また、チャ
ンバー３はレーザーアニールのためのチャンバーであ
る。

【００２９】図３（Ａ）には、この装置の断面の概念図
が示される。各チャンバーは独立に真空排気装置が設け
られている。また、チャンバー１には酸素ボンベ、亜酸
化窒素ボンベ、およびオゾナイザーより酸素ガス、亜酸
化窒素ガス、オゾンガスが供給される。一方、チャンバ
ー３には窒素、水素、酸素が各ボンベから供給される。
チャンバー２には基板４を出し入れするための扉７が設
けられている。チャンバー２には、最高３枚までの基板
が収納できる。基板はヒーター付の基板ホルダー５に乗
せられて各チャンバーを移動する。

【００３０】チャンバー１および３には石英製の窓６、
８が設けられている。チャンバー１の外側には水銀ラン
プ１２が設けられている。さらに、図には示されていな
いがチャンバー１にはＲＦ電極が設けられており、チャ
ンバー１内にＲＦ放電を発生できるようになっている。
また、チャンバー３には、エキシマーレーザー装置９よ
り放射されたレーザー光がミラー１０、レンズ１１等を
経て、チャンバー３内に照射されるようになっている。

【００３１】本装置では、チャンバー２にセットされた
後、最初、チャバー１に送られて、紫外線照射処理がお
こなわれる。次に、基板は再びチャンバー２に戻された
後、チャンバー３に送られ、レーザーアニール処理がお
こなわれる。そして、チャンバー２に戻されて、基板は
取り出される。本実施例の紫外光照射およびレーザーア
ニール工程はこのような装置を用いておこなわれた。再
び、図２に戻って、本実施例の作製工程について説明す
る。まず、図３のチャンバー１において、酸素ガス（Ｏ
₂）を０．１〜１０リットル／分、例えば、１リットル
／分流しながら、０．０１〜１気圧、好ましくは０．０
５〜０．１気圧、また、基板温度を室温〜５００℃、好
ましくは５０〜３５０℃、より好ましくは２００〜３０
０℃に保ち、さらに、１０〜１００Ｗ、例えば、５０Ｗ
のＲＦ電力を投入して、雰囲気を放電せしめた。そし
て、この状態で、水銀ランプによる紫外光を照射した。
紫外光の強度は１００〜２００ｍＷ／ｃｍ²とした。処
理時間は５〜３０分、例えば、１０分とした。

【００３２】その後、基板をチャンバー３に移し、上面
からレーザー光を照射して、レーザーアニールをおこな
い、ドーピングされた不純物を活性化した。本実施例で
は、レーザー照射において、ドーピングされた不純物領
域とオフセット領域の境界にもレーザー光が照射される
ので、従来、問題となっていた境界部での準位の発生を
抑制することができた。（図２（Ｅ））続いて、厚さ５０００Åの酸化珪素膜２１１を層間絶縁
物としてプラズマＣＶＤ法によって形成し、これにコン
タクトホールを形成して、金属材料、例えば、窒化チタ
ンとアルミニウムの多層膜によってＴＦＴのソース領
域、ドレイン領域の電極・配線２１２、２１３を形成し
た。最後に、１気圧の水素雰囲気で３５０℃、３０分の
アニールをおこなった。以上の工程によって薄膜トラン
ジスタが完成した。なお、本実施例ではオフセット領域
の幅は、多孔質陽極酸化物の幅５０００Åに、バリヤ型
陽極酸化物の厚さ１０００Åを加えた約６０００Åであ
った。（図２（Ｆ））

【００３３】

【発明の効果】既に述べたように、本発明によって、従
来の方法によるＴＦＴに比較して、信頼性、特性の両面
で優れたＴＦＴを得ることができた。実施例２では、図
３のような複数のチャンバーを有する装置によっておこ
なった。しかし、より設備投資規模を小さくするには、
レーザーアニールに用いるチャンバー（通常、石英窓が
設けられており、紫外光を入射することが可能である）
を用いて、レーザーアニールと同じチャンバーでおこな
ってもよい。

【００３４】同様に、アッシング（灰化）工程に用いる
プラズマ処理装置を用いても本発明を実施することが可
能である。また、本発明をおこなうチャンバーに、プラ
ズマＣＶＤ装置のチャンバーやスパッタ装置のチャンバ
ー、ドーピング装置のチャンバーを接続してもよい。こ
のように、本発明は設備投資の額を実施するものの都合
に合わせて加減でき、また、その効果は投資額以上に大
きい。以上、述べたように、本発明は工業上、有益であ
ると信ずるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例におけるＴＦＴの作製工程図を示
す。（実施例１）

【図２】実施例におけるＴＦＴの作製工程図を示
す。（実施例２）

【図３】実施例２において用いた本発明の処理装置
の例を示す。

【符号の説明】

１０１・・・基板（コーニング７０５９）１０２・・・下地絶縁膜（酸化珪素）１０３・・・島状半導体領域（活性層、シリコン）１０４・・・ゲイト絶縁膜（酸化珪素）１０５・・・ゲイト電極（シリコンドープされたアルミ
ニウム）１０６・・・陽極酸化物（酸化アルミニウム）１０７、１０８・・・不純物領域１０９・・・層間絶縁物（酸化珪素）１１０、１１１・・・金属配線・電極（窒化チタン／ア
ルミニウム）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成された活性領域上にアルミ
ニウムを主成分とするゲイト電極を形成する第１の工程
と、該ゲイト電極を陽極酸化することによって、該ゲイト電
極の少なくとも側面にアルミニウム酸化物を主成分とす
る陽極酸化物を得る第２の工程と、該ゲイト電極に酸化性雰囲気において紫外光を照射する
第３の工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジ
スタの作製方法。
【請求項２】基板上に形成された活性領域上にアルミ
ニウムを主成分とするゲイト電極を形成する第１の工程
と、該ゲイト電極を陽極酸化することによって、該ゲイト電
極の少なくとも側面にアルミニウム酸化物を主成分とす
る陽極酸化物を得る第２の工程と、該ゲイト電極を酸化性雰囲気のプラズマ中に放置する第
３の工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジス
タの作製方法。
【請求項３】請求項１もしくは２の第３の工程におい
て、該ゲイト電極の少なくとも側面にはバリヤ型の陽極
酸化物が残っていることを特徴とする薄膜トランジスタ
の作製方法。
【請求項４】請求項１もしくは２の第３の工程におい
て、第３の工程の際の基板温度を室温〜５００℃とする
ことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。