JPH07242740A - ポリパラキシリレン共重合膜 - Google Patents
ポリパラキシリレン共重合膜Info
- Publication number
- JPH07242740A JPH07242740A JP3276094A JP3276094A JPH07242740A JP H07242740 A JPH07242740 A JP H07242740A JP 3276094 A JP3276094 A JP 3276094A JP 3276094 A JP3276094 A JP 3276094A JP H07242740 A JPH07242740 A JP H07242740A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyparaxylylene
- copolymer film
- film
- substrate
- paraxylylene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】非腐食性で防湿性があり、且つ剥離の発生のな
いポリパラキシリレン系の膜を得る。 【構成】 基板上に積層するポリパラキシリレン系の膜
がパラキシリレンと１―クロロ―パラキシリレンの共重
合膜であり、塩素置換パラキシリレンモノマ成分に富む
層と基板表面に接するパラキシリレンモノマ成分に富む
層を含んでおり両成分の組成比が連続的に変化する。
いポリパラキシリレン系の膜を得る。 【構成】 基板上に積層するポリパラキシリレン系の膜
がパラキシリレンと１―クロロ―パラキシリレンの共重
合膜であり、塩素置換パラキシリレンモノマ成分に富む
層と基板表面に接するパラキシリレンモノマ成分に富む
層を含んでおり両成分の組成比が連続的に変化する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はＩＣチップやセンサの
基板に施されるポリパラキシリレン共重合膜の構造に係
り、特に非腐食性と防湿性の両特性に優れるポリパラキ
シリレン共重合膜に関する。
基板に施されるポリパラキシリレン共重合膜の構造に係
り、特に非腐食性と防湿性の両特性に優れるポリパラキ
シリレン共重合膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリパラキシリレン共重合膜はガスバリ
ア性や電気絶縁性に優れているためにＩＣチップやセン
サの基板に施されて防湿皮膜あるいは電気絶縁皮膜とし
て利用される。特に塩素原子を導入した誘導体はガスバ
リア性が良好で防湿性が高い。また置換基を有しないポ
リパラキシリレン膜は電気絶縁性と耐熱性に優れる。
ア性や電気絶縁性に優れているためにＩＣチップやセン
サの基板に施されて防湿皮膜あるいは電気絶縁皮膜とし
て利用される。特に塩素原子を導入した誘導体はガスバ
リア性が良好で防湿性が高い。また置換基を有しないポ
リパラキシリレン膜は電気絶縁性と耐熱性に優れる。
【０００３】塩素原子で置換したポリパラキシリレン膜
の特性を１００としたときにポリパラキシリレン膜の特
性は以下のようになる。
の特性を１００としたときにポリパラキシリレン膜の特
性は以下のようになる。
【０００４】
【表１】
【０００５】塩素で置換したポリパラキシリレン膜はそ
の高いガスバリア性と良好な成膜性のために最も多く利
用されている。ポリパラキシリレン系の膜は通常以下の
蒸着重合により成膜される。
の高いガスバリア性と良好な成膜性のために最も多く利
用されている。ポリパラキシリレン系の膜は通常以下の
蒸着重合により成膜される。
【０００６】
【化２】
【０００７】反応式（２）中のＸは水素原子，ハロゲン
原子，炭化水素，フロロカーボン等を示す。反応はジ
パラキシリレン系ダイマを１５０℃で昇華させて気体に
する工程。 数１０ｍｍＨｇの減圧下に気体を６５０ないし７００
℃に加熱し、モノマラジカルを作る工程。
原子，炭化水素，フロロカーボン等を示す。反応はジ
パラキシリレン系ダイマを１５０℃で昇華させて気体に
する工程。 数１０ｍｍＨｇの減圧下に気体を６５０ないし７００
℃に加熱し、モノマラジカルを作る工程。
【０００８】モノマラジカルを常温下で基板に付着さ
せて高分子の膜を得る工程。 の三つからなる。図３はポリパラキシリレン系膜の製造
装置を示す配置図である。製造装置は昇華室３１と、熱
分解室３２と、蒸着室３３とからなり、排気により物質
移動が起こる。
せて高分子の膜を得る工程。 の三つからなる。図３はポリパラキシリレン系膜の製造
装置を示す配置図である。製造装置は昇華室３１と、熱
分解室３２と、蒸着室３３とからなり、排気により物質
移動が起こる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の塩
素を導入したポリパラキシリレン共重合膜は防湿性は良
好であるが、基板である下地金属に対する腐食作用があ
り、そのために塩素を導入したポリパラキシリレン共重
合膜の利用は制限されてきた。そのためにポリパラキシ
リレン膜を利用しようとすると、その防湿性が悪いため
に膜厚を厚くしなければならないがポリパラキシリレン
膜の成膜速度は遅くポリパラキシリレン共重合膜の１０
倍もかかるために数μｍのコーティングをするために数
日を要することとなり、防湿性を確保するために膜厚を
厚くすることが実際上不可能であった。
素を導入したポリパラキシリレン共重合膜は防湿性は良
好であるが、基板である下地金属に対する腐食作用があ
り、そのために塩素を導入したポリパラキシリレン共重
合膜の利用は制限されてきた。そのためにポリパラキシ
リレン膜を利用しようとすると、その防湿性が悪いため
に膜厚を厚くしなければならないがポリパラキシリレン
膜の成膜速度は遅くポリパラキシリレン共重合膜の１０
倍もかかるために数μｍのコーティングをするために数
日を要することとなり、防湿性を確保するために膜厚を
厚くすることが実際上不可能であった。
【００１０】非腐食性と防湿性の二つの特性を満足させ
るためにはポリパラキシリレン膜と塩素を導入したポリ
パラキシリレン膜をそれぞれ個別に積層すればよいがこ
の場合には両者の熱膨張率の差に起因して積層の界面で
剥離が発生するという問題があった。この発明は上述の
点に鑑みてなされ、その目的はポリパラキシリレン系の
膜に改良を加えることにより基板を腐食することがなく
防湿性にも優れる上に基板に積層したときに剥離を発生
することのない新規なポリパラキシリレン共重合膜を提
供することにある。
るためにはポリパラキシリレン膜と塩素を導入したポリ
パラキシリレン膜をそれぞれ個別に積層すればよいがこ
の場合には両者の熱膨張率の差に起因して積層の界面で
剥離が発生するという問題があった。この発明は上述の
点に鑑みてなされ、その目的はポリパラキシリレン系の
膜に改良を加えることにより基板を腐食することがなく
防湿性にも優れる上に基板に積層したときに剥離を発生
することのない新規なポリパラキシリレン共重合膜を提
供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば基板表面に形成されたポリパラキシリレン共重合
膜が下記構造式に示されるパラキシリレンモノマとハロ
ゲン置換パラキシリレンモノマの共重合膜であって、塩
素置換パラキシリレンモノマ成分に富む層と基板表面に
接してパラキシリレンモノマ成分に富む層を含み且つ両
成分の組成比が連続的に変化してなるものであるとする
ことにより達成される。
よれば基板表面に形成されたポリパラキシリレン共重合
膜が下記構造式に示されるパラキシリレンモノマとハロ
ゲン置換パラキシリレンモノマの共重合膜であって、塩
素置換パラキシリレンモノマ成分に富む層と基板表面に
接してパラキシリレンモノマ成分に富む層を含み且つ両
成分の組成比が連続的に変化してなるものであるとする
ことにより達成される。
【００１２】
【化３】
【００１３】（ここにｎとｍはそれぞれ正の整数で重合
度を表す。）
度を表す。）
【００１４】
【作用】基板表面に接してパラキシリレンモノマ成分に
富む層が設けられるので下地の基板が腐食されることが
なくしかも基板の電気絶縁性が向上する。また塩素置換
パラキシリレンモノマ成分に富む層は成膜性が良好であ
る上に防湿性に優れるのでパラキシリレンモノマ成分に
富む層と塩素置換パラキシリレンモノマに富む層を積層
することにより非腐食性と防湿性の両特性の良好な皮膜
が得られる。
富む層が設けられるので下地の基板が腐食されることが
なくしかも基板の電気絶縁性が向上する。また塩素置換
パラキシリレンモノマ成分に富む層は成膜性が良好であ
る上に防湿性に優れるのでパラキシリレンモノマ成分に
富む層と塩素置換パラキシリレンモノマに富む層を積層
することにより非腐食性と防湿性の両特性の良好な皮膜
が得られる。
【００１５】本発明のポリパラキシリレン共重合膜は組
成比が連続的に変化するので膜内部において応力の発生
がない。
成比が連続的に変化するので膜内部において応力の発生
がない。
【００１６】
実施例１ ジパラキシリレンダイマとビス（１―クロロ―パラキシ
リレン）ダイマをそれぞれ８ｇと４ｇ採取し、良く混合
して昇華室に装填した。昇華温度を１３５℃に設定する
とともに蒸着室の内圧を１０ｍｍＴｏｒｒに減圧した。
昇華が始まると蒸着室の内圧が上昇して３０ｍｍＴｏｒ
ｒになる。昇華の初めはジパラキシリレンダイマが主と
して昇華する。２０分経過したときに昇華温度を１７０
℃に上昇する。ここでビス（１―クロロ―パラキシリレ
ン）ダイマの昇華が始まる。
リレン）ダイマをそれぞれ８ｇと４ｇ採取し、良く混合
して昇華室に装填した。昇華温度を１３５℃に設定する
とともに蒸着室の内圧を１０ｍｍＴｏｒｒに減圧した。
昇華が始まると蒸着室の内圧が上昇して３０ｍｍＴｏｒ
ｒになる。昇華の初めはジパラキシリレンダイマが主と
して昇華する。２０分経過したときに昇華温度を１７０
℃に上昇する。ここでビス（１―クロロ―パラキシリレ
ン）ダイマの昇華が始まる。
【００１７】図１はこの発明の実施例に係るポリパラキ
シリレン共重合膜につき共重合膜の組成比の基板表面か
らの距離依存性を示す線図である。特性線（イ）はパラ
キシリレンモノマの組成比、特性線（ロ）は１―クロロ
―パラキシリレンモノマの組成比である。ビス（１―ク
ロロ―パラキシリレン）ダイマの昇華速度はジパラキシ
リレンダイマの昇華速度よりも大きいことと、絶対量が
少ないためにやがて昇華室で消失しポリパラキシリレン
共重合膜の表面は全てポリパラキシリレン膜で覆われ
る。ポリパラキシリレン共重合膜の中間部では１―クロ
ロ―パラキシリレンの組成比が極大になる点がある。
シリレン共重合膜につき共重合膜の組成比の基板表面か
らの距離依存性を示す線図である。特性線（イ）はパラ
キシリレンモノマの組成比、特性線（ロ）は１―クロロ
―パラキシリレンモノマの組成比である。ビス（１―ク
ロロ―パラキシリレン）ダイマの昇華速度はジパラキシ
リレンダイマの昇華速度よりも大きいことと、絶対量が
少ないためにやがて昇華室で消失しポリパラキシリレン
共重合膜の表面は全てポリパラキシリレン膜で覆われ
る。ポリパラキシリレン共重合膜の中間部では１―クロ
ロ―パラキシリレンの組成比が極大になる点がある。
【００１８】上述のように本発明のポリパラキシリレン
共重合膜はパラキシリレンモノマ成分と１―クロロ―パ
ラキシリレンモノマ成分の組成比が連続的に変化するの
で膜内部での機械的な応力が発生しがたい。このように
して腐食性がない上に防湿性が良好でその上に膜の機械
的な安定性にも優れるポリパラキシリレン共重合膜が得
られる。 実施例２ ジパラキシリレンダイマとビス（１―クロロ―パラキシ
リレン）ダイマをそれぞれ４ｇと４０ｇを採取し、良く
混合して昇華室に装填した。昇華温度を１３５℃に設定
するとともに蒸着室の内圧を１０ｍｍＴｏｒｒに減圧し
た。昇華が始まると蒸着室の内圧が上昇して３０ｍｍＴ
ｏｒｒになる。昇華の初めはジパラキシリレンダイマが
主として昇華する。６０分経過したときに昇華温度を１
７０℃に上昇する。ここでビス（１―クロロ―パラキシ
リレン）ダイマの昇華が始まる。
共重合膜はパラキシリレンモノマ成分と１―クロロ―パ
ラキシリレンモノマ成分の組成比が連続的に変化するの
で膜内部での機械的な応力が発生しがたい。このように
して腐食性がない上に防湿性が良好でその上に膜の機械
的な安定性にも優れるポリパラキシリレン共重合膜が得
られる。 実施例２ ジパラキシリレンダイマとビス（１―クロロ―パラキシ
リレン）ダイマをそれぞれ４ｇと４０ｇを採取し、良く
混合して昇華室に装填した。昇華温度を１３５℃に設定
するとともに蒸着室の内圧を１０ｍｍＴｏｒｒに減圧し
た。昇華が始まると蒸着室の内圧が上昇して３０ｍｍＴ
ｏｒｒになる。昇華の初めはジパラキシリレンダイマが
主として昇華する。６０分経過したときに昇華温度を１
７０℃に上昇する。ここでビス（１―クロロ―パラキシ
リレン）ダイマの昇華が始まる。
【００１９】図２はこの発明の異なる実施例に係るポリ
パラキシリレン共重合膜につき共重合膜の組成比の基板
表面からの距離依存性を示す線図である。特性線（ニ）
はパラキシリレンモノマ成分の組成比、特性線（ハ）は
１―クロロ―パラキシリレンモノマ成分の組成比であ
る。ビス（１―クロロ―パラキシリレン）ダイマの原料
量がジパラキシリレンダイマの原料量よりも多いために
ジパラキシリレンダイマが最初に消失し、ポリパラキシ
リレン共重合膜の表面は全てポリ（１―クロロ―パラキ
シリレン）膜で覆われる。
パラキシリレン共重合膜につき共重合膜の組成比の基板
表面からの距離依存性を示す線図である。特性線（ニ）
はパラキシリレンモノマ成分の組成比、特性線（ハ）は
１―クロロ―パラキシリレンモノマ成分の組成比であ
る。ビス（１―クロロ―パラキシリレン）ダイマの原料
量がジパラキシリレンダイマの原料量よりも多いために
ジパラキシリレンダイマが最初に消失し、ポリパラキシ
リレン共重合膜の表面は全てポリ（１―クロロ―パラキ
シリレン）膜で覆われる。
【００２０】
【発明の効果】この発明によれば基板上に積層するポリ
パラキシリレン共重合膜がパラキシリレンモノマと１―
クロロ―パラキシリレンモノマの共重合膜であり、塩素
置換パラキシリレンモノマ成分に富む層と基板表面に接
するパラキシリレンモノマ成分に富む層を含んでおり両
モノマ成分の組成比が連続的に変化するものであるの
で、膜の内部で応力の発生がなく、機械的な安定性に優
れるポリパラキシリレン共重合膜が得られる。さらに基
板に接する面は非腐食性のパラキシリレンモノマ成分に
富む層であるのでポリパラキシリレン共重合膜により基
板が腐食することがない。またポリパラキシリレン共重
合膜は１―クロロ―パラキシリレンモノマ成分に富む層
を含むので膜全体として防湿性にも優れている。
パラキシリレン共重合膜がパラキシリレンモノマと１―
クロロ―パラキシリレンモノマの共重合膜であり、塩素
置換パラキシリレンモノマ成分に富む層と基板表面に接
するパラキシリレンモノマ成分に富む層を含んでおり両
モノマ成分の組成比が連続的に変化するものであるの
で、膜の内部で応力の発生がなく、機械的な安定性に優
れるポリパラキシリレン共重合膜が得られる。さらに基
板に接する面は非腐食性のパラキシリレンモノマ成分に
富む層であるのでポリパラキシリレン共重合膜により基
板が腐食することがない。またポリパラキシリレン共重
合膜は１―クロロ―パラキシリレンモノマ成分に富む層
を含むので膜全体として防湿性にも優れている。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例に係るポリパラキシリレン共
重合膜につき共重合物の組成比の基板表面からの距離依
存性を示す線図
重合膜につき共重合物の組成比の基板表面からの距離依
存性を示す線図
【図２】この発明の異なる実施例に係るポリパラキシリ
レン共重合膜につき共重合物の組成比の基板表面からの
距離依存性を示す線図
レン共重合膜につき共重合物の組成比の基板表面からの
距離依存性を示す線図
【図３】ポリパラキシリレン共重合膜の製造装置を示す
配置図
配置図
３１ 昇華室 ３２ 熱分解室 ３３ 蒸着室
Claims (1)
- 【請求項１】基板表面に形成されたポリパラキシリレン
共重合膜が下記構造式に示されるパラキシリレンモノマ
とハロゲン置換パラキシリレンモノマの共重合膜であっ
て、塩素置換パラキシリレンモノマ成分に富む層と基板
表面に接してパラキシリレンモノマ成分に富む層を含み
且つ両成分の組成比が連続的に変化してなることを特徴
とするポリパラキシリレン共重合膜。 【化１】 （ここにｎとｍはそれぞれ正の整数で重合度を表す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3276094A JPH07242740A (ja) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | ポリパラキシリレン共重合膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3276094A JPH07242740A (ja) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | ポリパラキシリレン共重合膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07242740A true JPH07242740A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=12367807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3276094A Pending JPH07242740A (ja) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | ポリパラキシリレン共重合膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07242740A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0966039A2 (en) * | 1998-06-15 | 1999-12-22 | Kishimoto Sangyo Co., Ltd. | Insulating film for semiconductor device and semiconductor device |
| JP2006502452A (ja) * | 2002-08-15 | 2006-01-19 | ノースロップ グラマン コーポレーション | 光ファイバ・コイルの湿分遮断シーリング |
| JP2008082852A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Toshiba Corp | 放射線検出装置 |
-
1994
- 1994-03-03 JP JP3276094A patent/JPH07242740A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0966039A2 (en) * | 1998-06-15 | 1999-12-22 | Kishimoto Sangyo Co., Ltd. | Insulating film for semiconductor device and semiconductor device |
| EP0966039A3 (en) * | 1998-06-15 | 2002-10-16 | Kishimoto Sangyo Co., Ltd. | Insulating film for semiconductor device and semiconductor device |
| JP2006502452A (ja) * | 2002-08-15 | 2006-01-19 | ノースロップ グラマン コーポレーション | 光ファイバ・コイルの湿分遮断シーリング |
| JP2008082852A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Toshiba Corp | 放射線検出装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4988514A (en) | Preparation of lower alkyl polysilsesquioxane and formation of insulating layer of silylated polymer on electronic circuit board | |
| US6458718B1 (en) | Fluorine-containing materials and processes | |
| JPS60115677A (ja) | 接着性混合物及びそれで結合された物品 | |
| EP0112168A2 (en) | Silicone-type coating resin solution and its preparation | |
| JPH07242740A (ja) | ポリパラキシリレン共重合膜 | |
| TW442546B (en) | Method for producing low dielectric coatings from hydrogen silsequioxane resin | |
| JP3778164B2 (ja) | 低誘電率膜の形成方法 | |
| US4577005A (en) | Polymeric dielectric material | |
| JP2821907B2 (ja) | ポリイミド樹脂被膜の形成方法 | |
| CN111344819A (zh) | 热敏电阻及其制造方法和热敏电阻传感器 | |
| JP3485425B2 (ja) | 低誘電率絶縁膜の形成方法及びこの膜を用いた半導体装置 | |
| TW200613344A (en) | A resin and a coating solution for forming insulating film, and a method for forming an insulating film | |
| Taylor et al. | Parylene Copolymers | |
| KR920003441A (ko) | CVD코팅된 Si를 함침한 SiC제품 및 그 제조방법 | |
| WO1997015541A1 (en) | CYCLIC ALPHA-PERFLUORO-DI-p-XYLYLENES FOR USE IN THE FORMATION OF LOW DIELECTRIC CONSTANT ALPHA-PERFLUORO-p-XYLYLENE POLYMERS | |
| JPH08321499A (ja) | 硅素化合物膜およびその形成方法 | |
| TW478070B (en) | Method to improve stability of low dielectric constant spin on polymer with repetitive thermal treatment and manufacturing process to form low dielectric constant dielectric layer | |
| JPH03209808A (ja) | 積層フィルムチップコンデンサ | |
| JPH11209624A (ja) | フッ素樹脂と無機・有機ハイブリッドの複合体およびその製造方法 | |
| TW202242179A (zh) | 用於先進技術節點之單一前驅物低k薄膜沉積及uv固化 | |
| JPS6323342A (ja) | 高熱伝導性基板 | |
| EP0718343B1 (en) | Metallic part coated with polybenzimidazole and process for the production of the same | |
| JPH0333504B2 (ja) | ||
| TW473828B (en) | Deposition method of silicon carbide film on semiconductor device | |
| KR101474601B1 (ko) | 고분자막 및 이의 제조방법 |