JPH0723867A - 加熱調理器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 操作パネル上の温度目盛りの、調理に必要な
温度領域の目盛りスケールに対する温度変化を小さく
し、温度設定を正確に行うことができる加熱調理器を得
ることを目的とする。 【構成】 プレート７２を加熱するヒータ７５と、サー
ミスタ１０と負荷抵抗３８の直列回路と、サーミスタ１
０に並列に接続された並列抵抗３７とから構成され、プ
レートの温度を検出する温度検出手段１と、調理温度を
設定する基準温度設定手段２と、温度検出手段１により
検出された温度と基準温度設定手段２に設定された調理
温度との差に基づいてヒータへの通電を制御する通電制
御手段３と、温度検出手段１により検出された温度が所
定の設定温度以上の温度領域に入ると、並列抵抗３７及
び負荷抵抗３８の大きさを変更する温度特性変更手段４
とを備えるものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は例えばホットプレートや
電気鍋などの加熱調理機、特にその温度調整を行う回路
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図５は従来の加熱調理器の外観を示す斜
視図、図６はその断面図、図７は操作パネルの拡大詳細
図である。図において、７０は加熱調理器、７１は調理
器本体部、７２は例えばアルミガイダスト製のプレー
ト、７３は調理器本体７１に設けられた操作パネル、７
４は温度設定を行う温度設定ノブ、７４Ａは温度設定ノ
ブ７４を動かし温度設定ノブ７４の指標、７５はプレー
ト７２の下部に配置されたヒータ、７６は接点の開閉に
よりヒータ７５への通電を断続し温度を一定に保つため
のサーモスタットである。

【０００３】７７はプレート７２の低部にバネなどで押
し付られバイメタル片７８に熱を伝導させる集伝熱板、
７９はバイメタル片７８の先端に設けられ、可動接点板
８０を付勢する例えばセラミック製の突起絶縁物、８１
は固定接点板、８２は可動接点板８０の先端に設けられ
た銀接点、８３は固定接点板８１の先端に設けられた銀
接点であり、温度によりバイメタル７８が変形すること
により銀接点８２と銀接点８３とが断続することによ
り、ヒータ７３への通電を断続させる。

【０００４】また、集伝熱板７７、バイメタル片７８、
可動接点板７９及び固定接点板８０は、それぞれセラミ
ック製絶縁リング８４を介して、ピニオン８５の中央軸
に組み立てられており、集伝熱板７７、バイメタル片７
８、可動接点板７９及び固定接点板８０とピニオン８５
の中央軸とは、例えばピニオン８５の中央軸を絶縁性樹
脂などで形成するなどして絶縁されている。

【０００５】また、集伝熱板７７、バイメタル片７８及
び可動接点板７９は調理器本体側に固定されており、固
定接点板８１はピニオン８５が回転し、その中央軸が回
転することにより、垂直方向に移動するようになってい
る。そして、固定接点板８１が垂直方向に移動すること
により、バイメタル７８が変形して銀接点８２と銀接点
８３とが断続する温度が変化する。この回転させる回転
角は２００度程度であり、その温度可変領域は室温から
２６０度程度に設定される。

【０００６】ピニオン８５は温度設定ノブ７４に一体構
築されたラックに連動し、温度設定ノブ７４の直線移動
が回転に変換されている。また、温度設定ノブ７４を左
端に設定すると室温より十分低い動作温度に設定され、
銀接点８２と銀接点８３は常時はなれた状態となり、ヒ
ータ７５への通電が断たれ、加熱を行わなくなる。

【０００７】従来の加熱調理器は上記のように構成され
ており、温度設定は、図７に示すように、温度設定ノブ
７４により、室温から２６０度程度までを連続的に可変
させるようになっている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の加
熱調理器では、室温から２６０度程度までを連続的に可
変させるから、操作パネルの温度目盛りが、鍋料理など
に必要な１００度付近が中央になり、プレート調理に必
要な１６０度〜２８０度の高温部が右端に片寄り、ま
た、調理には関係ない１００度〜１６０度の目盛りもあ
るので、操作パネル上の温度目盛りのピッチが狭くな
る。したがって、実際に活用する温度領域の温度に設定
するとき、目盛りと温度設定ノブ７４を合せにくく、温
度設定の精度を上げることができないという問題点があ
った。

【０００９】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、操作パネル上の温度目盛り
の、調理に必要な温度領域の目盛りスケールに対する温
度変化を小さくし、温度設定を正確に行うことができる
加熱調理器を得ることを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】第１の発明に係る加熱調
理器は、プレートを加熱するヒータと、温度検出素子と
負荷抵抗の直列回路と、温度検出素子に並列に接続され
た並列抵抗とから構成され、プレートの温度を検出する
温度検出手段と、調理温度を設定する基準温度設定手段
と、温度検出手段により検出された温度と基準温度設定
手段に設定された調理温度との差に基づいてヒータへの
通電を制御する通電制御手段と、温度検出手段により検
出された温度が所定の設定温度以上の温度領域に入る
と、並列抵抗及び負荷抵抗の大きさを変更する温度特性
変更手段とを備えるものである。

【００１１】第２の発明に係る加熱調理器は、温度設定
手段の操作パネルの温度目盛りに、所定の設定温度まで
の第１の温度領域の目盛りと、第１の温度領域より高い
第２の温度領域の目盛りと、第１と第２の温度領域の間
の第３の温度領域の目盛りを設け、第３の温度領域の目
盛りスケールに対する温度変化を第１及び第２の温度領
域より大きく設定したものである。

【００１２】

【作用】第１の発明においては、ヒータにより、プレー
トが加熱され、温度検出素子と負荷抵抗の直列回路と、
温度検出素子に並列に接続された並列抵抗とから構成さ
れた温度検出手段により、プレートの温度が検出され、
基準温度設定手段により、調理温度が設定され、通電制
御手段により、温度検出手段により検出された温度と基
準温度設定手段に設定された調理温度との差に基づいて
ヒータへの通電が制御され、検出特性変更手段により、
温度検出手段により検出された温度が所定の設定温度以
上の温度領域に入ると、並列抵抗及び負荷抵抗の大きさ
が変更される。

【００１３】第２の発明においては、温度設定手段の操
作パネルの温度目盛りに、所定の設定温度までの第１の
温度領域の目盛りと、第１の温度領域より高い第２の温
度領域の目盛りと、第１と第２の温度領域の間の第３の
温度領域の目盛りが設けられ、第３の温度領域の目盛り
スケールに対する温度変化が第１及び第２の温度領域よ
り大きく設定される。

【００１４】

【実施例】図１は本発明の一実施例に係る加熱調理器の
制御部の構成を示す回路図、図２はこの実施例の構成を
示す断面図、図３は操作パネルの拡大詳細図、図４は温
度検出回路の出力電圧特性図である。従来例と同一の構
成は同一符号を付して重複した構成の説明は省略する。
図２において、１０は温度検出素子であるサーミスタ、
１１はサーミスタ１０を保護する筒状金属シース、１２
は筒状金属シース１１をプレート７２へ押しつけるコイ
ルバネ、１３はサーミスタ１０に接続されたコネクタ付
きリード線、１４はコネクタ付きリード線１３が接続さ
れる電子基板、１５は電子基板１４の上に取り付けられ
た回転形可変抵抗器であり、回転形可変抵抗器１５の回
転軸にはピニオン８５が固定され、このピニオン８５は
温度設定ノブ７４に一体構成されたラックの直線運動に
連動している。

【００１５】図３において、２１は操作パネル７３の１
００度までの設定温度領域の目盛り、２２は操作パネル
７３の１６０度以上の設定温度領域の目盛りであり、目
盛り２１と目盛り２２との間は目盛りスケールに対する
温度変化が大きくなっており、１００度までの設定は調
理完了後の保温及び鍋料理などの調理を行い、１６０度
以上の設定は、例えば１６０度でホットケーキ、２００
度で焼きそば、２３０度で焼き肉、２６０度でステーキ
などの調理を行うようになっている。

【００１６】次に、この実施例の制御部の回路構成を図
１に基づいて説明する。一端が交流電源ＡＣに接続され
たドロッパ抵抗３０とダイオード３１の直列回路によ
り、交流１００Ｖが直流の低電位に変換され、その直流
はダイオード３２及びコンデンサ３３により電圧の安定
化（例えば１５Ｖ）が行われ、制御ＩＣなどの電源とな
る。また、一端が交流電源ＡＣに接続されたドロッパ抵
抗３４とダイオード３５の直列回路により、交流１００
Ｖが直流の低電位に変換され、後述するリレーの駆動電
源となる。一端がドロッパ抵抗３０とダイオード３１の
直列回路の他端に接続されたサーミスタ１０に並列抵抗
３７が並列に接続され、サーミスタ１０の他端に負荷抵
抗３８とコンデンサ３９の並列回路が接続されており、
サーミスタ１０、並列抵抗３７、負荷抵抗３８及びコン
デンサ３９で温度検出回路を構成しており、サーミスタ
１０の温度が変化すると、その抵抗値が変化し、負荷抵
抗３８に誘起する電圧が変化する。

【００１７】また、回転形可変抵抗１５、抵抗４０及び
コンデンサ４２により基準温度設定回路２が構成され、
温度設定ノブ７４を操作されることにより、回転形可変
抵抗１５の抵抗値が変化し、その抵抗値に対応した電圧
が発生する。制御ＩＣの中の電圧比較器Ａ４３のマイナ
ス入力端子には、負荷抵抗３８に誘起する電圧が入力さ
れ、プラス入力端子には、温度設定回路２の出力電圧が
入力され、出力端子とサーミスタ１０の一端の間には抵
抗４６が接続されている。また、マイナス入力端子と出
力端子の間には抵抗４４とダイオード４５の直列回路が
接続され、出力の反転動作後のヒステリシス特性を得て
いる。

【００１８】ドロッパ抵抗３４とダイオード３５の直列
回路の他端には、コンデンサ４７、リレー４８、ダイオ
ード４９及び抵抗と発光ダイオードの直列回路５０の一
端がそれぞれ接続され、コンデンサ４７、リレー４８、
ダイオード４９及び抵抗と発光ダイオードの直列回路５
０の他端はトランジスタ５１のコレクタに接続され、ベ
ースは電圧比較器Ａ４３の出力端子に接続され、エミッ
タは接地され、ベースと接地間には抵抗５２が接続され
ており、電圧比較器Ａ４３、抵抗４４、ダイオード４
５、抵抗４６、コンデンサ４７、リレー４８、ダイオー
ド４９及び直列回路５０で通電制御回路を構成してい
る。ここで、電圧比較器Ａ４３の出力が”Ｈ”になる
と、トランジスタ５１がオンになり、リレー４８が動作
してヒータ７５に通電を行い、発光ダイオード５０が発
光する。

【００１９】抵抗５３と抵抗５４の直列回路により、あ
る一定の電位が設定され、この電圧を例えば制御温度１
００度に相当させている。この電圧は、制御ＩＣの中の
電圧比較器Ｂ５５のプラス入力端子に入力され、マイナ
ス入力端子には、温度検出回路１の出力電圧が入力さ
れ、出力端子に抵抗５６の一端が接続されている。

【００２０】また、トランジスタ５７と抵抗５８の直列
回路が並列抵抗３７に並列に接続され、トランジスタ５
７と抵抗５８の接続点に、ダイオード５９と抵抗６０の
直列回路の一端が接続されている。また、負荷抵抗６１
とトランジスタ６２の直列回路が負荷抵抗３８に並列に
接続され、トランジスタ５７のベースには抵抗５６の他
端が接続され、トランジスタ６２のベースには、ダイオ
ード５９と抵抗６０の直列回路の他端が接続されてお
り、抵抗５３，５４、電圧比較器Ｂ５５、抵抗５６、ト
ランジスタ５７、抵抗５８、ダイオード５９、抵抗６
０、負荷抵抗６１及びトランジスタ６２で温度特性変更
手段を構成している。また、交流電源の両端にはコンデ
ンサ６３が接続されている。

【００２１】ここで、抵抗５３，５４で設定された電圧
より、温度検出手段１の出力電圧が大きくなると、トラ
ンジスタ５７がオンになり、並列抵抗３７に抵抗５８が
並列接続され、ダイオード５９と抵抗６０により、トラ
ンジスタ６２もオンになり、負荷抵抗３８に負荷抵抗６
１が並列接続される。また、抵抗５８と負荷抵抗６１が
接続されたとき、温度検出回路１の出力電圧が不連続に
ならないように、その抵抗値が設定されている。

【００２２】次に、この実施例の温度制御の動作につい
て説明する。まず、温度設定ノブ７４が操作され、温度
設定手段２から設定温度に応じた電圧が温度比較器Ａ４
３のプラス入力端子に入力されている。そして、調理開
始時はサーミスタ１０の温度が低く、その抵抗値は充分
高い、したがって、負荷抵抗３８に誘起する電圧は充分
低くなり、電圧比較器Ａ４３の出力は”Ｈ”となり、リ
レー４８が動作し、ヒータ７５に通電され、ヒータ７５
によりプレート７２が加熱される。

【００２３】やがて、プレート７２の温度が上昇し、温
度検出回路１の出力電圧が温度設定回路の出力電圧を越
えると、電圧比較器Ａ４３のマイナス入力が大きくな
り、出力が”Ｌ”になり、リレー４８が遮断され、ヒー
タ７５への通電が遮断される。そして、プレートの温度
が下がり、温度検出回路の出力電圧が温度設定回路の出
力電圧より小さくなると、電圧比較器Ａ４３の出力が”
Ｈ”となり、ヒータ７５に通電される。この動作を繰り
返すことで、プレートの温度を一定に保っている。

【００２４】ところで、電圧比較器Ｂ５５は、抵抗５
３，５４により設定されたある温度（例えば１００度）
に相当する電圧と温度検出回路１の出力電圧とを比較し
ており、温度検出回路１からの出力電圧が、抵抗５３，
５４により設定された電圧より大きくなると、出力が反
転し並列抵抗３７に抵抗５８が並列に接続され、サーミ
スタ１０の並列抵抗の抵抗値が低下する。さらに、負荷
抵抗３８に負荷抵抗６１が並列に接続され、負荷抵抗の
抵抗値が低下する。ここで、抵抗５８、負荷抵抗６１は
接続されたときに、温度検出回路１の出力電圧が不連続
にならないように抵抗値が設定されているので、温度検
出回路１の出力電圧は図４に示すように１００度を境
に、その温度に対する出力電圧特性が異なったものとな
っており、また、１００度では特性は連続になってい
る。

【００２５】そして、通電制御手段３はこの温度検出手
段１の出力電圧と温度設定回路２の出力電圧を比較する
ことにより、ヒータ７５への通電を制御し、温度設定回
路２の出力電圧は温度設定ノブ７４の移動に比例した電
圧となっているので、操作パネル上の温度目盛りは、図
３に示すように１００度までと、１００度以上の設定温
度でそのピッチが異なっている。さらに、図４の領域６
８では温度が変化しても電圧がほとんど変化していない
ので、その間の温度設定は温度設定回路２の出力電圧を
少し変化させることで設定されるので、図３に示すよう
に１００度〜１６０度の間の温度目盛りは目盛りスケー
ルに対する温度変化を大きくなり、調理に必要のない１
００度〜１６０度の間の温度目盛りの表示を狭くでき
る。

【００２６】したがって、１００度までの温度領域の温
度目盛りと１６０度以上の温度領域の温度目盛りの目盛
りスケールに対する温度変化が小さくなり、温度目盛り
の表示を広くすることが可能となり、温度設定ノブ７４
を操作し、その指針７４Ａを温度目盛りに合わせ調理温
度の設定を行うとき、温度設定を精度よくすることが可
能となる。とくに、１００度までの温度目盛りの表示が
広くなるので、１００度以下の温度領域で微妙な温度設
定を必要とする煮物調理などでの温度の設定を容易にす
ることが可能となる。

【００２７】

【発明の効果】以上のように第１の発明によれば、ヒー
タにより、プレートを加熱し、温度検出素子と負荷抵抗
の直列回路と、温度検出素子に並列に接続された並列抵
抗とから構成された温度検出手段により、プレートの温
度を検出し、基準温度設定手段により、調理温度を設定
し、通電制御手段により、温度検出手段により検出され
た温度と基準温度設定手段に設定された調理温度との差
に基づいてヒータへの通電を制御し、検出特性変更手段
により、温度検出手段により検出された温度が所定の設
定温度以上の温度領域に入ると、並列抵抗及び負荷抵抗
の大きさを変更するようにしたので、温度領域により温
度検出手段の温度検出特性が変更され、調理に必要な温
度領域での、基準温度設定手段の操作パネルの目盛りス
ケールに対する温度変化を小さくでき、調理温度の設定
が容易となり、また、精度良く設定することができると
いう効果を有する。

【００２８】第２の発明によれば、温度設定手段の操作
パネルの温度目盛りに、所定の設定温度までの第１の温
度領域の目盛りと、第１の温度領域より高い第２の温度
領域の目盛りと、第１と第２の温度領域の間の第３の温
度領域の目盛りを設け、第３の温度領域の目盛りスケー
ルに対する温度変化が第１及び第２の温度領域より大き
く設定するようにしたので、第１及び第２の温度領域の
目盛りスケールに対する温度変化を小さくでき、調理に
必要な第１及び第２の温度領域での温度の設定が容易と
なり、また、精度良く設定することができるという効果
を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る加熱調理器の制御部の構
成を示す回路図である。

【図２】本発明の実施例の加熱調理器の構成を示す断面
図である。

【図３】本発明の実施例の加熱調理器の操作パネルの拡
大詳細図である。

【図４】温度検出回路の出力電圧特性図である。

【図５】従来の加熱調理器の外観を示す斜視図である。

【図６】従来の加熱調理器の構成を示す断面図である。

【図７】従来の加熱調理器の操作パネルの拡大詳細図で
ある。

【符号の説明】

１ 温度検出回路 ２ 基準温度設定回路 ３ 通電制御回路 ４ 温度特性変更回路 １０ サーミスタ（温度検出素子） ３７ 並列抵抗 ３８ 負荷抵抗 ７２ プレート ７５ ヒータ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プレートを加熱するヒータと、 温度検出素子と負荷抵抗の直列回路と、該温度検出素子
   に並列に接続された並列抵抗とから構成され、プレート
   の温度を検出する温度検出手段と、 調理温度を設定する基準温度設定手段と、 前記温度検出手段により検出された温度と前記基準温度
   設定手段に設定された調理温度との差に基づいてヒータ
   への通電を制御する通電制御手段と、 前記温度検出手段により検出された温度が所定の設定温
   度以上の温度領域に入ると、前記並列抵抗及び前記負荷
   抵抗の大きさを変更する温度特性変更手段とを備えるこ
   とを特徴とする加熱調理器。
2. 【請求項２】 前記温度設定手段の操作パネルの温度目
   盛りに、前記所定の設定温度までの第１の温度領域の目
   盛りと、該第１の温度領域より高い第２の温度領域の目
   盛りと、前記第１と第２の温度領域の間の第３の温度領
   域の目盛りを設け、該第３の温度領域の目盛りスケール
   に対する温度変化を前記第１及び第２の温度領域より大
   きく設定したことを特徴とする請求項１記載の加熱調理
   器。