JPH07237994A - 薄膜結晶の成長方法および成長装置 - Google Patents
薄膜結晶の成長方法および成長装置Info
- Publication number
- JPH07237994A JPH07237994A JP2464294A JP2464294A JPH07237994A JP H07237994 A JPH07237994 A JP H07237994A JP 2464294 A JP2464294 A JP 2464294A JP 2464294 A JP2464294 A JP 2464294A JP H07237994 A JPH07237994 A JP H07237994A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- molecular beam
- aluminum
- purity
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】通常の焼き出しでは得られない高純度のＡｌを
含む薄膜結晶を、ＭＢＥ法により基板上に成長する。 【構成】抵抗加熱型の縦型Ａｌ分子線源２２は、高純度
Ａｌ１０を入れるるつぼ１と、るつぼ１を保持し加熱す
る加熱部２とからなる。加熱部２はるつぼ１の開口部を
除く周囲を覆うように設けられた分子線源用ヒータ線３
と、熱遮蔽板４とから構成される。さらに高純度グラフ
ァイト電極線６、７からなる電極対５がるつぼ１内に挿
入されている。これらの電極線６、７は熱遮蔽板４の外
側に配設したグファイト電極線用支柱８、８によって支
持される。高純度グラファイト電極対５に通電して過熱
することによりＡｌ溶液表面１１の酸化層を蒸発させ
る。
含む薄膜結晶を、ＭＢＥ法により基板上に成長する。 【構成】抵抗加熱型の縦型Ａｌ分子線源２２は、高純度
Ａｌ１０を入れるるつぼ１と、るつぼ１を保持し加熱す
る加熱部２とからなる。加熱部２はるつぼ１の開口部を
除く周囲を覆うように設けられた分子線源用ヒータ線３
と、熱遮蔽板４とから構成される。さらに高純度グラフ
ァイト電極線６、７からなる電極対５がるつぼ１内に挿
入されている。これらの電極線６、７は熱遮蔽板４の外
側に配設したグファイト電極線用支柱８、８によって支
持される。高純度グラファイト電極対５に通電して過熱
することによりＡｌ溶液表面１１の酸化層を蒸発させ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子素子や光素子を作製
するために用いられる薄膜結晶の成長方法及び成長装置
に係り、特に高純度のアルミニウムを含む薄膜結晶を成
長する方法及び装置に関する。
するために用いられる薄膜結晶の成長方法及び成長装置
に係り、特に高純度のアルミニウムを含む薄膜結晶を成
長する方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、化合物半導体の薄膜結晶成長に
は、パーガモン出版Ｂ．Ｒ．パンプリン著「モレキュラ
ービームエピタキシー」１５頁から１８頁（Pergamon p
ress "Molecular Beam Epitaxy" editted by B.R.Pampl
in, pp15-18,）において論じられているように、超高真
空中で基板結晶上に複数の材料分子線を同時に照射して
行う方法がある。この方法は、分子線エピタキシー（Ｍ
ＢＥ）法と呼ばれるもので、ヘテロ接合を形成する際
や、不純物元素のドーピングの際には結晶構成元素の分
子線を瞬時に切り替えて行っている。
は、パーガモン出版Ｂ．Ｒ．パンプリン著「モレキュラ
ービームエピタキシー」１５頁から１８頁（Pergamon p
ress "Molecular Beam Epitaxy" editted by B.R.Pampl
in, pp15-18,）において論じられているように、超高真
空中で基板結晶上に複数の材料分子線を同時に照射して
行う方法がある。この方法は、分子線エピタキシー（Ｍ
ＢＥ）法と呼ばれるもので、ヘテロ接合を形成する際
や、不純物元素のドーピングの際には結晶構成元素の分
子線を瞬時に切り替えて行っている。
【０００３】この成長方法を用いてＧａＡｓ／ＡｌＧａ
Ａｓ選択ドープヘテロ構造を利用した高移動度トランジ
スタ（ＨＥＭＴ）などが発表されている。
Ａｓ選択ドープヘテロ構造を利用した高移動度トランジ
スタ（ＨＥＭＴ）などが発表されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来技術に
よるＭＢＥ成長法では、分子線源に結晶の個々の構成元
素をそれぞれ別々のるつぼに入れて、これを加熱して蒸
発させる。また、ロードロック方式により、成長室を高
真空に保ったまま、基板の出し入れを行っている。
よるＭＢＥ成長法では、分子線源に結晶の個々の構成元
素をそれぞれ別々のるつぼに入れて、これを加熱して蒸
発させる。また、ロードロック方式により、成長室を高
真空に保ったまま、基板の出し入れを行っている。
【０００５】しかし、分子線源に原料を、チャージする
時や追加（以下、単に導入という）する際は、容器内の
真空を破り、大気中を介して補給されることになる。従
って、半導体デバイスに使用できるレベルの薄膜結晶が
成長できる状態にするには、排気しながら、装置全体や
分子線源を加熱して残留ガスを低減する、いわゆる焼出
しが必要になる。
時や追加（以下、単に導入という）する際は、容器内の
真空を破り、大気中を介して補給されることになる。従
って、半導体デバイスに使用できるレベルの薄膜結晶が
成長できる状態にするには、排気しながら、装置全体や
分子線源を加熱して残留ガスを低減する、いわゆる焼出
しが必要になる。
【０００６】しかし、化合物半導体の構成元素の中で、
Ａｌは非常に活性であり、容易に酸素、または水分と反
応し、酸化物を形成しやすく、また一旦形成された酸化
物は分解しにくく、エピタキシャル成長層に悪影響を与
えていた。
Ａｌは非常に活性であり、容易に酸素、または水分と反
応し、酸化物を形成しやすく、また一旦形成された酸化
物は分解しにくく、エピタキシャル成長層に悪影響を与
えていた。
【０００７】そこで、今までは原料導入の際に大気にで
きるだけ触れさせないことはもちろん、焼出し温度を出
来るだけ高くして純度の向上をはかっていた。しかし、
それでも表面酸化物を有効に除去することができず、満
足の得られる半導体特性を得ることは大変困難であっ
た。
きるだけ触れさせないことはもちろん、焼出し温度を出
来るだけ高くして純度の向上をはかっていた。しかし、
それでも表面酸化物を有効に除去することができず、満
足の得られる半導体特性を得ることは大変困難であっ
た。
【０００８】このことは、例えばＨＥＭＴにあってはＡ
ｌＧａＡｓ層を高純度に成長できないことを意味し、Ａ
ｌＧａＡｓ層への選択ドーピングがうまくいかず、高性
能のＨＥＭＴが得られないということである。
ｌＧａＡｓ層を高純度に成長できないことを意味し、Ａ
ｌＧａＡｓ層への選択ドーピングがうまくいかず、高性
能のＨＥＭＴが得られないということである。
【０００９】本発明は、上述した従来技術の欠点を解消
して、簡単な方法により高純度のアルミニウムを含む薄
膜結晶を成長することが可能な薄膜結晶の成長方法、お
よびそのような成長が簡単な構造により実現できる薄膜
結晶の成長装置を提供することにある。
して、簡単な方法により高純度のアルミニウムを含む薄
膜結晶を成長することが可能な薄膜結晶の成長方法、お
よびそのような成長が簡単な構造により実現できる薄膜
結晶の成長装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜結晶の成長
方法は、ＭＢＥ法によりアルミニウムを含む薄膜結晶を
基板上に成長させる成長方法において、アルミニウムを
原料として用いる分子線源のるつぼに高純度アルミニウ
ムを導入する工程を有し、分子線源のるつぼに導入した
高純度アルミニウムの表面を加熱して、その表面の酸化
物を還元分解させるようにしたものである。
方法は、ＭＢＥ法によりアルミニウムを含む薄膜結晶を
基板上に成長させる成長方法において、アルミニウムを
原料として用いる分子線源のるつぼに高純度アルミニウ
ムを導入する工程を有し、分子線源のるつぼに導入した
高純度アルミニウムの表面を加熱して、その表面の酸化
物を還元分解させるようにしたものである。
【００１１】また、本発明の薄膜結晶の成長装置は、ア
ルミニウムを原料として用いる分子線源のるつぼを有
し、原料を超高真空中で分子ビーム状にして対向する基
板上にアルミニウムを含む薄膜結晶をＭＢＥ法で成長す
る装置において、アルミニウムを原料として用いる分子
線源のるつぼ内にグラファイトからなる電極対が挿入さ
れているものである。
ルミニウムを原料として用いる分子線源のるつぼを有
し、原料を超高真空中で分子ビーム状にして対向する基
板上にアルミニウムを含む薄膜結晶をＭＢＥ法で成長す
る装置において、アルミニウムを原料として用いる分子
線源のるつぼ内にグラファイトからなる電極対が挿入さ
れているものである。
【００１２】高純度アルミニウムは例えば純度６Ｎ以上
が好ましい。電極対を構成するグラファイトは高純度の
ものが好ましく、特に高純度アルミニウムと同様に純度
６Ｎ以上が好ましい。
が好ましい。電極対を構成するグラファイトは高純度の
ものが好ましく、特に高純度アルミニウムと同様に純度
６Ｎ以上が好ましい。
【００１３】
【作用】本発明方法のように、分子線源のるつぼに高純
度アルミニウムを導入する度に、導入した高純度アルミ
ニウムの表面を加熱して、その表面の酸化物を還元分解
させるようにすると、アルミニウム原料の酸化物が容易
に除去でき、高純度のアルミニウムを含む薄膜結晶を成
長できる。
度アルミニウムを導入する度に、導入した高純度アルミ
ニウムの表面を加熱して、その表面の酸化物を還元分解
させるようにすると、アルミニウム原料の酸化物が容易
に除去でき、高純度のアルミニウムを含む薄膜結晶を成
長できる。
【００１４】本発明装置によれば、アルミニウムを原料
として用いる分子線源のるつぼに高純度のグラファイト
電極対が挿入されているので、電極対間に通電してアル
ミニウム表面層を直接加熱すれば、その表面の酸化物を
還元分解することができる。分子線源へ高純度アルミニ
ウムを導入する際に、このようにして電極対間に通電す
れば、るつぼに導入されたアルミニウムを高純度化する
ことができるため、非常に純度の高いアルミニウムを含
む薄膜結晶を成長させることができる。
として用いる分子線源のるつぼに高純度のグラファイト
電極対が挿入されているので、電極対間に通電してアル
ミニウム表面層を直接加熱すれば、その表面の酸化物を
還元分解することができる。分子線源へ高純度アルミニ
ウムを導入する際に、このようにして電極対間に通電す
れば、るつぼに導入されたアルミニウムを高純度化する
ことができるため、非常に純度の高いアルミニウムを含
む薄膜結晶を成長させることができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の薄膜結晶の成長装置の実施例
を図面を用いて説明する。本実施例は、ＭＢＥ装置を用
いてIII −Ｖ族化合物半導体基板上にＡｌを含むIII −
Ｖ族化合物半導体の薄膜結晶を成長させる。
を図面を用いて説明する。本実施例は、ＭＢＥ装置を用
いてIII −Ｖ族化合物半導体基板上にＡｌを含むIII −
Ｖ族化合物半導体の薄膜結晶を成長させる。
【００１６】図２に、本実施例で用いた縦型ＭＢＥ装置
の概略構成図を示す。高真空の容器２１と、原料を加熱
し分子を噴出させる複数の分子線源２２、２３、分子線
の種類や量を観測する四重極質量分析計２４、基板２５
を加熱し保持する基板ホルダ２６、成長中の単結晶薄膜
を観察したり評価したりするためのＲＨＥＥＤ用電子銃
ないしイオン銃２７、分子線を制御よく基板２５に照射
させるためのシャッタ２８などで主に構成される。
の概略構成図を示す。高真空の容器２１と、原料を加熱
し分子を噴出させる複数の分子線源２２、２３、分子線
の種類や量を観測する四重極質量分析計２４、基板２５
を加熱し保持する基板ホルダ２６、成長中の単結晶薄膜
を観察したり評価したりするためのＲＨＥＥＤ用電子銃
ないしイオン銃２７、分子線を制御よく基板２５に照射
させるためのシャッタ２８などで主に構成される。
【００１７】上記複数の分子線源２２、２３のうち、特
に高純度アルミニウムを原料として用いるＡｌ分子線源
２２の拡大断面構造を図１に示す。
に高純度アルミニウムを原料として用いるＡｌ分子線源
２２の拡大断面構造を図１に示す。
【００１８】このＡｌ分子線源２２は、抵抗加熱型の縦
型分子線源の例である。アルミニウム原料を入れるるつ
ぼ１と、るつぼ１を保持し加熱する加熱部２とから構成
される。るつぼ１は縦長で上部にはオリフィスと呼ばれ
る開口部があり、ここから真空中へアルミニウム分子が
ビーム状に放出され、対向する基板上にアルミニウムを
含む結晶膜を成長させる。
型分子線源の例である。アルミニウム原料を入れるるつ
ぼ１と、るつぼ１を保持し加熱する加熱部２とから構成
される。るつぼ１は縦長で上部にはオリフィスと呼ばれ
る開口部があり、ここから真空中へアルミニウム分子が
ビーム状に放出され、対向する基板上にアルミニウムを
含む結晶膜を成長させる。
【００１９】加熱部２は、るつぼ１の開口部を除く周囲
を覆うように設けられた分子線源用ヒータ線３と、熱遮
蔽板４とから構成される。分子線源用ヒータ線３はるつ
ぼ１を加熱し、熱遮蔽板４はるつぼ１以外の部分を加熱
しないように熱効率を高めるために設けられる。
を覆うように設けられた分子線源用ヒータ線３と、熱遮
蔽板４とから構成される。分子線源用ヒータ線３はるつ
ぼ１を加熱し、熱遮蔽板４はるつぼ１以外の部分を加熱
しないように熱効率を高めるために設けられる。
【００２０】本実施例にあっては、さらに高純度グラフ
ァイト電極線６、７からなる電極対５がるつぼ１内に挿
入されている。これらの電極線６、７は熱遮蔽板４の外
側に配設したグファイト電極線用支柱８、９によって支
持する。
ァイト電極線６、７からなる電極対５がるつぼ１内に挿
入されている。これらの電極線６、７は熱遮蔽板４の外
側に配設したグファイト電極線用支柱８、９によって支
持する。
【００２１】このように本実施例のＡｌ分子線源２２は
構成されるが、具体的には、容量４０ccのＰＢＮ製のる
つぼ１に純度６Ｎの高純度Ａｌ１０を５４g 入れてあ
る。グラファイト電極対５、６は、その長さをＡｌが溶
解したときに液面表面から５mm挿入される長さとした。
また、分子線源用ヒータ線３はＴａ、Ｍｏを用い、熱遮
蔽板４はＴａを用いて構成した。
構成されるが、具体的には、容量４０ccのＰＢＮ製のる
つぼ１に純度６Ｎの高純度Ａｌ１０を５４g 入れてあ
る。グラファイト電極対５、６は、その長さをＡｌが溶
解したときに液面表面から５mm挿入される長さとした。
また、分子線源用ヒータ線３はＴａ、Ｍｏを用い、熱遮
蔽板４はＴａを用いて構成した。
【００２２】次に、このように構成されたＡｌ分子線源
２２をもつＭＢＥ装置の作用を説明する。
２２をもつＭＢＥ装置の作用を説明する。
【００２３】まず、Ａｌ原料を入れたＡｌ分子線源２２
を図２に示した縦型ＭＢＥ装置に取り付け、容器２１内
を排気し、通常の焼出し工程で排気した。つぎにＡｌ分
子線源用ヒータ線３を通電加熱し、原料である高純度Ａ
ｌ１０を溶解させる。徐々に脱気しながら１０００℃ま
で昇温する。次に、電極対５を構成するグラファイト電
極線６と７の間に電圧２．１V を印加し通電した。
を図２に示した縦型ＭＢＥ装置に取り付け、容器２１内
を排気し、通常の焼出し工程で排気した。つぎにＡｌ分
子線源用ヒータ線３を通電加熱し、原料である高純度Ａ
ｌ１０を溶解させる。徐々に脱気しながら１０００℃ま
で昇温する。次に、電極対５を構成するグラファイト電
極線６と７の間に電圧２．１V を印加し通電した。
【００２４】このとき、ＭＢＥ装置内の真空の質を四重
極質量分析計２４でモニタしていたところ、ＣＯと思わ
れる原子量２８のピークの増加が見られた。１３００℃
まで通電しながら加熱し、Ａｌ溶液表面１１がグラファ
イト電極対５の端以下に来るまで蒸発させたところ、こ
の時点で原子量２８のピークは大幅に小さくなった。こ
のようにして立ち上げたＭＢＥ装置において、ＨＥＭＴ
構造を作成してみた。その構造は、アンドープＧａＡｓ
基板上に成長温度５５０℃でアンドープＧａＡｓバッフ
ァー層、チャネル層を５００nm成長し、続けてＡｌ組成
３０％のアンドープＡｌＧａＡｓスペーサ層を７５nm、
次にＧａ、Ａｌの供給を停止し、Ｓｉをシートドーピン
グした（Ｓｉ濃度は１×１０12／cm2 ）。Ａｌ組成３０
％のアンドープＡｌＧａＡｓキャップ層を２０nm、アン
ドープＧａＡｓキャップ層を２０nm成長した。以上のよ
うにしてＨＥＭＴ結晶を成長した。
極質量分析計２４でモニタしていたところ、ＣＯと思わ
れる原子量２８のピークの増加が見られた。１３００℃
まで通電しながら加熱し、Ａｌ溶液表面１１がグラファ
イト電極対５の端以下に来るまで蒸発させたところ、こ
の時点で原子量２８のピークは大幅に小さくなった。こ
のようにして立ち上げたＭＢＥ装置において、ＨＥＭＴ
構造を作成してみた。その構造は、アンドープＧａＡｓ
基板上に成長温度５５０℃でアンドープＧａＡｓバッフ
ァー層、チャネル層を５００nm成長し、続けてＡｌ組成
３０％のアンドープＡｌＧａＡｓスペーサ層を７５nm、
次にＧａ、Ａｌの供給を停止し、Ｓｉをシートドーピン
グした（Ｓｉ濃度は１×１０12／cm2 ）。Ａｌ組成３０
％のアンドープＡｌＧａＡｓキャップ層を２０nm、アン
ドープＧａＡｓキャップ層を２０nm成長した。以上のよ
うにしてＨＥＭＴ結晶を成長した。
【００２５】ホール測定法による評価の結果、本実施例
によるＡｌ分子線源を用いた場合の室温における移動度
は７２００cm2 ／Ｖ・Ｓであり、また７７Ｋにおける移
動度は２０００００cm2 ／Ｖ・Ｓであり、１０Ｋでは移
動度は１００００００cm2 ／Ｖ・Ｓと非常に高い移動度
が得られた。またシートキャリア濃度は、７５nmと厚い
スペーサ層を用いているものの、３×１０11／cm2 と大
きな値が得られている。
によるＡｌ分子線源を用いた場合の室温における移動度
は７２００cm2 ／Ｖ・Ｓであり、また７７Ｋにおける移
動度は２０００００cm2 ／Ｖ・Ｓであり、１０Ｋでは移
動度は１００００００cm2 ／Ｖ・Ｓと非常に高い移動度
が得られた。またシートキャリア濃度は、７５nmと厚い
スペーサ層を用いているものの、３×１０11／cm2 と大
きな値が得られている。
【００２６】したがって、前述したＣＯと思われる原子
量２８のピークの増加は、Ａｌの酸化物が還元分解し
て、グラファイトと結びついて発生したものと推定され
る。このように本実施例によれば、Ａｌ分子線源のるつ
ぼ内にグラファイト電極対を挿入して、Ａｌ溶液表面を
直接を加熱するようにしたので、るつぼの周囲に設けら
れた分子線源用ヒータ線と相俟って、焼き出しをより効
率化することができる。なお、上記実施例はＨＥＭＴを
用いて説明したが、Ａｌを含む化合物半導体結晶を必要
とする全てのデバイス、例えば、ガン効果ダイオード、
ＰＩＮ型受光ダイオード、半導体レーザ、発光ダイオー
ド、ヘテロバイポーラトランジスタなど、いずれの場合
にも特性や均一性の向上がみられている。
量２８のピークの増加は、Ａｌの酸化物が還元分解し
て、グラファイトと結びついて発生したものと推定され
る。このように本実施例によれば、Ａｌ分子線源のるつ
ぼ内にグラファイト電極対を挿入して、Ａｌ溶液表面を
直接を加熱するようにしたので、るつぼの周囲に設けら
れた分子線源用ヒータ線と相俟って、焼き出しをより効
率化することができる。なお、上記実施例はＨＥＭＴを
用いて説明したが、Ａｌを含む化合物半導体結晶を必要
とする全てのデバイス、例えば、ガン効果ダイオード、
ＰＩＮ型受光ダイオード、半導体レーザ、発光ダイオー
ド、ヘテロバイポーラトランジスタなど、いずれの場合
にも特性や均一性の向上がみられている。
【００２７】また、上記実施例は分子線源が縦型のＭＢ
Ｅ装置の場合を例にとって説明した、本発明はこれに限
定されず、横型の分子線源をもつＭＢＥ装置にも適用で
きる。
Ｅ装置の場合を例にとって説明した、本発明はこれに限
定されず、横型の分子線源をもつＭＢＥ装置にも適用で
きる。
【００２８】また、電極対は２対以上でもよく、電極対
に代えてヒータ線とすることも可能であるが、Ａｌを分
子ビーム状に発射する点から、好ましくは１対の電極対
がよい。
に代えてヒータ線とすることも可能であるが、Ａｌを分
子ビーム状に発射する点から、好ましくは１対の電極対
がよい。
【００２９】
(1) 請求項１に記載の発明方法によれば、分子線源のる
つぼに高純度アルミニウムを導入する度に、導入した高
純度アルミニウムの表面を加熱して、その表面を還元分
解するようにしたので、アルミニウム原料の酸化物が容
易に除去でき、通常の焼き出しでは得られない、高純度
のアルミニウムを含む薄膜結晶を成長できる。
つぼに高純度アルミニウムを導入する度に、導入した高
純度アルミニウムの表面を加熱して、その表面を還元分
解するようにしたので、アルミニウム原料の酸化物が容
易に除去でき、通常の焼き出しでは得られない、高純度
のアルミニウムを含む薄膜結晶を成長できる。
【００３０】(2) 請求項２に記載の発明装置によれば、
アルミニウムを原料として用いる分子線源のるつぼにグ
ラファイトからなる電極対を挿入するという簡単な構造
で、アルミニウム原料の酸化物が除去でき、高純度のア
ルミニウムを含む薄膜結晶を得ることができる。
アルミニウムを原料として用いる分子線源のるつぼにグ
ラファイトからなる電極対を挿入するという簡単な構造
で、アルミニウム原料の酸化物が除去でき、高純度のア
ルミニウムを含む薄膜結晶を得ることができる。
【図１】本発明の薄膜結晶の成長方法の実施例を説明す
るためのＭＢＥ装置のＡｌ分子線源の縦断面図。
るためのＭＢＥ装置のＡｌ分子線源の縦断面図。
【図２】本発明の実施例で用いた縦型のＭＢＥ装置の概
略断面図。
略断面図。
１ ＰＢＮるつぼ ２ 加熱部 ３ 分子線源用ヒータ線 ４ 熱遮蔽板 ５ 電極対 ６ 電極線 ７ 電極線 ８ 電極線用支柱 ９ 電極線用支柱 １０ 高純度アルミニウム １１ Ａｌ溶液表面 ２２ Ａｌ分子線源
Claims (2)
- 【請求項１】分子線エピタキシー法によりアルミニウム
を含む薄膜結晶を基板上に成長させる成長方法におい
て、上記アルミニウムを原料として用いる分子線源のる
つぼに高純度アルミニウムを導入する工程を有し、上記
分子線源のるつぼに導入した高純度アルミニウムの表面
を加熱して、その表面の酸化物を還元分解させるように
したことを特徴とする薄膜結晶の成長方法。 - 【請求項２】アルミニウムを原料として用いる分子線源
のるつぼを有し、原料を超高真空中で分子ビーム状にし
て対向する基板上にアルミニウムを含む薄膜結晶を分子
線エピタキシー法で成長する装置において、上記アルミ
ニウムを原料として用いる分子線源のるつぼ内にグラフ
ァイトからなる電極対が挿入されていることを特徴とす
る薄膜結晶の成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2464294A JPH07237994A (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | 薄膜結晶の成長方法および成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2464294A JPH07237994A (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | 薄膜結晶の成長方法および成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07237994A true JPH07237994A (ja) | 1995-09-12 |
Family
ID=12143799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2464294A Pending JPH07237994A (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | 薄膜結晶の成長方法および成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07237994A (ja) |
-
1994
- 1994-02-23 JP JP2464294A patent/JPH07237994A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3634149A (en) | Method of manufacturing aluminium nitride crystals for semiconductor devices | |
| US4147573A (en) | Method of depositing III-V compounds on group IV element wafers by the cluster ion technique | |
| US3974002A (en) | MBE growth: gettering contaminants and fabricating heterostructure junction lasers | |
| JP2001518706A (ja) | インプランテーションによってドープされたシリコンカーバード半導体を熱的に回復させる方法 | |
| JP6705962B2 (ja) | Ｇａ２Ｏ３系結晶膜の成長方法及び結晶積層構造体 | |
| US4233613A (en) | Compound semiconductor wafer | |
| JPH07237994A (ja) | 薄膜結晶の成長方法および成長装置 | |
| JPH0253097B2 (ja) | ||
| JP2525930B2 (ja) | ▲ｉｉ▼―▲ｖｉ▼族化合物半導体の結晶成長方法 | |
| CA1184020A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| EP0338252B1 (en) | Method for doping zinc selenide single crystal | |
| JPS6369219A (ja) | 分子線源用セル | |
| JP3536057B2 (ja) | 物質層形成装置 | |
| JP2000026190A (ja) | 化合物単結晶の成長装置及び成長方法 | |
| JPS6246520B2 (ja) | ||
| US5169799A (en) | Method for forming a doped ZnSe single crystal | |
| JP3785674B2 (ja) | 結晶の熱処理方法及びその装置 | |
| JPS6132414A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP3106197B2 (ja) | 高抵抗化合物半導体の製造方法 | |
| JPS6272113A (ja) | 分子線結晶成長装置 | |
| JPH01115894A (ja) | 半導体の分子線結晶成長方法 | |
| JPS5863130A (ja) | 分子線発生装置 | |
| JPH01197388A (ja) | 分子線結晶成長装置 | |
| JPH05343322A (ja) | 化合物半導体結晶層形成法 | |
| JP2004193388A (ja) | 半導体素子の製造方法および製造装置 |