JPH07235469A - 荷電粒子ビーム露光装置及び露光方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム露光装置及び露光方法Info
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- JPH07235469A JPH07235469A JP2413694A JP2413694A JPH07235469A JP H07235469 A JPH07235469 A JP H07235469A JP 2413694 A JP2413694 A JP 2413694A JP 2413694 A JP2413694 A JP 2413694A JP H07235469 A JPH07235469 A JP H07235469A
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- charged particle
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ブロック露光を行う荷電粒子ビーム露光装置、
例えば、電子ビーム露光装置に関し、ウエハが基準座標
軸に対して回転ずれを起こして固定されてしまう場合で
あっても、繋ぎ合わせ精度の高い露光を行うことができ
るようにする。 【構成】主として転写像のサイズを変化させる電子レン
ズ５１と、主として転写像の座標軸方向を変化させる電
子レンズ５２とを設け、これら電子レンズ５１、５２の
強度を調整し、転写像のサイズを変えることなく、転写
像の座標軸方向を基準座標軸方向に一致させる。
例えば、電子ビーム露光装置に関し、ウエハが基準座標
軸に対して回転ずれを起こして固定されてしまう場合で
あっても、繋ぎ合わせ精度の高い露光を行うことができ
るようにする。 【構成】主として転写像のサイズを変化させる電子レン
ズ５１と、主として転写像の座標軸方向を変化させる電
子レンズ５２とを設け、これら電子レンズ５１、５２の
強度を調整し、転写像のサイズを変えることなく、転写
像の座標軸方向を基準座標軸方向に一致させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路の製造工程に
おいて使用される荷電粒子ビーム露光装置のうち、種々
の透過パターンを形成してなるマスク板（以下、ブロッ
クマスクという）を使用してなる露光（以下、ブロック
露光という）を行うことができるようにされた荷電粒子
ビーム露光装置、及び、このような荷電粒子ビーム露光
装置を使用した露光方法に関する。
おいて使用される荷電粒子ビーム露光装置のうち、種々
の透過パターンを形成してなるマスク板（以下、ブロッ
クマスクという）を使用してなる露光（以下、ブロック
露光という）を行うことができるようにされた荷電粒子
ビーム露光装置、及び、このような荷電粒子ビーム露光
装置を使用した露光方法に関する。
【０００２】近年、集積回路の高密度化に伴い、長年に
わたり、微細パターン加工方法の主流であったフォトリ
ソグラフィに代わり、電子ビーム等の荷電粒子ビームを
使用した荷電粒子ビーム露光装置が開発、研究され、実
用されるに至っている。
わたり、微細パターン加工方法の主流であったフォトリ
ソグラフィに代わり、電子ビーム等の荷電粒子ビームを
使用した荷電粒子ビーム露光装置が開発、研究され、実
用されるに至っている。
【０００３】ここに、荷電粒子ビーム露光技術には、可
変矩形露光技術や、ブロック露光技術などがあるが、可
変矩形露光技術は、フォトマスクの製造や微細素子の試
作に使用されている。
変矩形露光技術や、ブロック露光技術などがあるが、可
変矩形露光技術は、フォトマスクの製造や微細素子の試
作に使用されている。
【０００４】これに対して、ブロック露光技術は、繰り
返しの基本となる透過パターンを形成してなるブロック
マスクを使用して露光を行うとするものであることか
ら、例えば、２５６ＭビットＤＲＡＭのように、微細で
はあるが、露光する殆どの面積は、ある基本パターンの
繰り返しであるものに有効な露光技術とされている。
返しの基本となる透過パターンを形成してなるブロック
マスクを使用して露光を行うとするものであることか
ら、例えば、２５６ＭビットＤＲＡＭのように、微細で
はあるが、露光する殆どの面積は、ある基本パターンの
繰り返しであるものに有効な露光技術とされている。
【０００５】
【従来の技術】従来、ブロック露光を行うことができる
ようにされた荷電粒子ビーム露光装置として、図５に、
その要部を概略的に示すような電子ビーム露光装置が知
られている。
ようにされた荷電粒子ビーム露光装置として、図５に、
その要部を概略的に示すような電子ビーム露光装置が知
られている。
【０００６】図５中、１は電子銃、２は電子銃１から射
出された電子ビーム、３〜９は電子レンズであり、特
に、７は縮小レンズ、８、９は投影レンズと称されるも
のである。
出された電子ビーム、３〜９は電子レンズであり、特
に、７は縮小レンズ、８、９は投影レンズと称されるも
のである。
【０００７】また、１０は電子ビーム２の断面形状を矩
形に整形する矩形整形アパーチャ、１１は矩形整形アパ
ーチャ１０を通過した電子ビーム２を可変的に矩形整形
する場合に使用される可変矩形整形用の偏向器である。
形に整形する矩形整形アパーチャ、１１は矩形整形アパ
ーチャ１０を通過した電子ビーム２を可変的に矩形整形
する場合に使用される可変矩形整形用の偏向器である。
【０００８】また、１２はブロックマスク、１３はブロ
ックマスク１２を固定するマスクステージであり、ブロ
ックマスク１２は、例えば、図６に示すように構成され
ている。
ックマスク１２を固定するマスクステージであり、ブロ
ックマスク１２は、例えば、図６に示すように構成され
ている。
【０００９】図６Ａ中、１４は、例えば、５０ｍｍ×５
０ｍｍの大きさを有するシリコン基板、１５は電子ビー
ム２の偏向を可能とされる、例えば、５ｍｍ×５ｍｍの
大きさを有するデフレクタ・エリアと称される領域であ
る。
０ｍｍの大きさを有するシリコン基板、１５は電子ビー
ム２の偏向を可能とされる、例えば、５ｍｍ×５ｍｍの
大きさを有するデフレクタ・エリアと称される領域であ
る。
【００１０】また、図６Ｂはデフレクタ・エリア１５の
１個を拡大して概略的に示しており、１６は、例えば、
４６０μｍ×４６０μｍの大きさを有するブロックと称
される領域であり、各ブロック１６には、１ショットの
電子ビーム２の断面形状を整形するための種々の形状の
ブロックパターンが形成されている。
１個を拡大して概略的に示しており、１６は、例えば、
４６０μｍ×４６０μｍの大きさを有するブロックと称
される領域であり、各ブロック１６には、１ショットの
電子ビーム２の断面形状を整形するための種々の形状の
ブロックパターンが形成されている。
【００１１】ここに、ＤＲＡＭ製造用の場合には、中心
部に、使用頻度の高いメモリセルアレイ用のブロックパ
ターンが配列され、周辺部に、使用頻度の低いロウデコ
ーダや、コラムデコーダ用のブロックパターンが形成さ
れる。なお、１７〜２０はキャリブレーション用の透過
パターンである。
部に、使用頻度の高いメモリセルアレイ用のブロックパ
ターンが配列され、周辺部に、使用頻度の低いロウデコ
ーダや、コラムデコーダ用のブロックパターンが形成さ
れる。なお、１７〜２０はキャリブレーション用の透過
パターンである。
【００１２】また、図６Ｃは、ブロック１６の１個を拡
大して概略的に示しており、２１〜３６はコンタクトホ
ールを形成するための透過孔であり、これら１６個の透
過孔２１〜３６が１個のブロックパターンとされてい
る。
大して概略的に示しており、２１〜３６はコンタクトホ
ールを形成するための透過孔であり、これら１６個の透
過孔２１〜３６が１個のブロックパターンとされてい
る。
【００１３】また、図５において、３７〜４０はマスク
偏向器と称される偏向器であり、マスク偏向器３７、３
８は電子ビーム２をブロックマスク１２上、所望の位置
に偏向するための偏向器、３９、４０は偏向させた電子
ビーム２を光軸上に戻すための偏向器である。
偏向器と称される偏向器であり、マスク偏向器３７、３
８は電子ビーム２をブロックマスク１２上、所望の位置
に偏向するための偏向器、３９、４０は偏向させた電子
ビーム２を光軸上に戻すための偏向器である。
【００１４】また、４１は非点収差を補正するためのコ
イル、４２は焦点を補正するためのコイル、４３は電子
ビーム２の通過を制御するブランキング偏向器、４４は
絞りの作用を行う円形アパーチャである。
イル、４２は焦点を補正するためのコイル、４３は電子
ビーム２の通過を制御するブランキング偏向器、４４は
絞りの作用を行う円形アパーチャである。
【００１５】また、４５は電子ビーム２を比較的大きな
範囲で偏向する電磁偏向器からなる主偏向器（大偏向
器）、４６は電子ビーム２を比較的小さな範囲で偏向す
る静電偏向器からなる副偏向器（小偏向器）、４７は露
光対象であるウエハ、４８はウエハ４７を固定するウエ
ハステージである。
範囲で偏向する電磁偏向器からなる主偏向器（大偏向
器）、４６は電子ビーム２を比較的小さな範囲で偏向す
る静電偏向器からなる副偏向器（小偏向器）、４７は露
光対象であるウエハ、４８はウエハ４７を固定するウエ
ハステージである。
【００１６】かかる電子ビーム露光装置において、ブロ
ック露光が行われる場合、電子銃１から射出された電子
ビーム２は、矩形整形アパーチャ１０を通過した後、マ
スク偏向器３７、３８により偏向され、ブロックマスク
１２上の所望のブロックパターン部分を通過する。
ック露光が行われる場合、電子銃１から射出された電子
ビーム２は、矩形整形アパーチャ１０を通過した後、マ
スク偏向器３７、３８により偏向され、ブロックマスク
１２上の所望のブロックパターン部分を通過する。
【００１７】そして、ブロックパターンにより断面形状
を整形された電子ビーム２は、マスク偏向器３９、４０
により光軸に戻され、更に、縮小レンズ７により縮小さ
れ、投影レンズ８、９によりウエハ４７上に露光され
る。
を整形された電子ビーム２は、マスク偏向器３９、４０
により光軸に戻され、更に、縮小レンズ７により縮小さ
れ、投影レンズ８、９によりウエハ４７上に露光され
る。
【００１８】このような電子ビーム露光装置において
は、図７に示すように、ウエハ４７がウエハステージ４
８の座標軸、即ち、基準座標軸（座標系）Ｘ、Ｙに対し
て回転ずれΔθaを起こして固定されてしまう場合があ
る。なお、Ｘ’、Ｙ’はウエハ４７の座標軸を示してい
る。
は、図７に示すように、ウエハ４７がウエハステージ４
８の座標軸、即ち、基準座標軸（座標系）Ｘ、Ｙに対し
て回転ずれΔθaを起こして固定されてしまう場合があ
る。なお、Ｘ’、Ｙ’はウエハ４７の座標軸を示してい
る。
【００１９】ここに、主偏向器４５用の偏向データ及び
副偏向器４６用の偏向データは、基準座標軸Ｘ、Ｙを基
準として作成されていることから、主偏向器４５及び副
偏向器４６による偏向がウエハ４７の座標軸Ｘ’、Ｙ’
を基準に行われるように補正が行われる。
副偏向器４６用の偏向データは、基準座標軸Ｘ、Ｙを基
準として作成されていることから、主偏向器４５及び副
偏向器４６による偏向がウエハ４７の座標軸Ｘ’、Ｙ’
を基準に行われるように補正が行われる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、かかる従来の
電子ビーム露光装置においては、ウエハ４７に転写され
るブロックパターンの転写像の座標軸Ｘ”、Ｙ”の方向
を調整するための手段を備えていない。
電子ビーム露光装置においては、ウエハ４７に転写され
るブロックパターンの転写像の座標軸Ｘ”、Ｙ”の方向
を調整するための手段を備えていない。
【００２１】このため、図７に示すように、ウエハ４７
が基準座標軸Ｘ、Ｙに対して回転ずれΔθaを起こして
固定された場合において、例えば、図８に示すような転
写像４９を繰り返して露光する場合には、電子ビーム２
の偏向方向をウエハ４７の座標系Ｘ’、Ｙ’に合わせた
としても、即ち、転写像の座標系Ｘ”、Ｙ”の原点の位
置をウエハ４７の座標系Ｘ’、Ｙ’に合わせたとして
も、転写像の方向については修正を行うことができず、
図９に示すように、繋ぎ合わせ精度の低い露光を行うこ
とになってしまう。
が基準座標軸Ｘ、Ｙに対して回転ずれΔθaを起こして
固定された場合において、例えば、図８に示すような転
写像４９を繰り返して露光する場合には、電子ビーム２
の偏向方向をウエハ４７の座標系Ｘ’、Ｙ’に合わせた
としても、即ち、転写像の座標系Ｘ”、Ｙ”の原点の位
置をウエハ４７の座標系Ｘ’、Ｙ’に合わせたとして
も、転写像の方向については修正を行うことができず、
図９に示すように、繋ぎ合わせ精度の低い露光を行うこ
とになってしまう。
【００２２】例えば、ウエハ４７の回転ずれΔθaが１
／１００ラジアン（radian）の場合において、転写像の
サイズを５μｍ×５μｍとすれば、ウエハ４７の回転ず
れによる繋ぎずれは、０.０５μｍとなってしまう。
／１００ラジアン（radian）の場合において、転写像の
サイズを５μｍ×５μｍとすれば、ウエハ４７の回転ず
れによる繋ぎずれは、０.０５μｍとなってしまう。
【００２３】この繋ぎずれの量は、露光すべきパターン
幅（線幅）が０.２μｍの場合には、パターン幅の１／
４にもなり、無視し得ない量であり、更に、微細化が進
めば、図１０に示すように、転写像を繋ぎ合わせること
ができなくなる場合も生じてしまう。
幅（線幅）が０.２μｍの場合には、パターン幅の１／
４にもなり、無視し得ない量であり、更に、微細化が進
めば、図１０に示すように、転写像を繋ぎ合わせること
ができなくなる場合も生じてしまう。
【００２４】したがって、このような従来の電子ビーム
露光装置では、繋ぎ合わせ精度の点からして、今後予想
される集積回路の高密度化に対応することができないと
いう問題点があった。
露光装置では、繋ぎ合わせ精度の点からして、今後予想
される集積回路の高密度化に対応することができないと
いう問題点があった。
【００２５】本発明は、かかる点に鑑み、転写像のサイ
ズを変えることなく、転写像の座標軸方向を調整するこ
とができるようにし、露光対象物が所定の基準座標軸に
対して回転ずれを起こして固定されてしまう場合であっ
ても、繋ぎ合わせ精度の高い露光を行うことができるよ
うにした荷電粒子ビーム露光装置及び露光方法を提供す
ることを目的とする。
ズを変えることなく、転写像の座標軸方向を調整するこ
とができるようにし、露光対象物が所定の基準座標軸に
対して回転ずれを起こして固定されてしまう場合であっ
ても、繋ぎ合わせ精度の高い露光を行うことができるよ
うにした荷電粒子ビーム露光装置及び露光方法を提供す
ることを目的とする。
【００２６】
【課題を解決するための手段】本発明による荷電粒子ビ
ーム露光装置は、種々の形状のブロックパターンを形成
してなるブロックマスクを使用し、荷電粒子ビームの断
面形状をブロックパターンの形状に整形して露光を行う
荷電粒子ビーム露光装置を改良するものであり、主に転
写像のサイズを変化させる第１の電子レンズと、主に転
写像の座標軸方向を変化させる第２の電子レンズとを設
けて構成するというものである。
ーム露光装置は、種々の形状のブロックパターンを形成
してなるブロックマスクを使用し、荷電粒子ビームの断
面形状をブロックパターンの形状に整形して露光を行う
荷電粒子ビーム露光装置を改良するものであり、主に転
写像のサイズを変化させる第１の電子レンズと、主に転
写像の座標軸方向を変化させる第２の電子レンズとを設
けて構成するというものである。
【００２７】
【作用】本発明においては、第１の電子レンズの強度を
変化させた場合における転写像のサイズの変化分と、第
２の電子レンズの強度を変化させた場合における転写像
のサイズの変化分とが相殺される条件の下で、第１の電
子レンズの強度を変化させた場合における転写像の座標
軸方向の変化分と、第２の電子レンズの強度を変化させ
た場合における転写像の座標軸方向の変化分との加算値
が、基準座標軸に対する露光対象物の座標軸の回転方向
と一致する場合における第１、第２の電子レンズの強度
を求め、これら強度に第１、第２の電子レンズを設定す
ることにより、転写像のサイズを変えることなく、転写
像を回転することができる。
変化させた場合における転写像のサイズの変化分と、第
２の電子レンズの強度を変化させた場合における転写像
のサイズの変化分とが相殺される条件の下で、第１の電
子レンズの強度を変化させた場合における転写像の座標
軸方向の変化分と、第２の電子レンズの強度を変化させ
た場合における転写像の座標軸方向の変化分との加算値
が、基準座標軸に対する露光対象物の座標軸の回転方向
と一致する場合における第１、第２の電子レンズの強度
を求め、これら強度に第１、第２の電子レンズを設定す
ることにより、転写像のサイズを変えることなく、転写
像を回転することができる。
【００２８】このように、本発明によれば、転写像のサ
イズを変えることなく、転写像の座標軸方向を調整する
ことができるので、露光対象物が所定の基準座標軸に対
して回転ずれを起こして固定されてしまう場合であって
も、繋ぎ合わせ精度の高い露光を行うことができる。
イズを変えることなく、転写像の座標軸方向を調整する
ことができるので、露光対象物が所定の基準座標軸に対
して回転ずれを起こして固定されてしまう場合であって
も、繋ぎ合わせ精度の高い露光を行うことができる。
【００２９】
【実施例】以下、図１〜図４を参照して、本発明の一実
施例につき、本発明を電子ビーム露光装置に適用した場
合を例にして説明する。なお、図１において、図５に対
応する部分には同一符号を付し、その重複説明は省略す
る。
施例につき、本発明を電子ビーム露光装置に適用した場
合を例にして説明する。なお、図１において、図５に対
応する部分には同一符号を付し、その重複説明は省略す
る。
【００３０】図１は本発明の一実施例の要部を概略的に
示す図であり、本実施例は、図５に示す電子レンズ（縮
小レンズ）７の代わりに、ダブレット電子レンズ（二重
電子レンズ）５０を設け、その他については、図５に示
す従来の電子ビーム露光装置と同様に構成したものであ
る。
示す図であり、本実施例は、図５に示す電子レンズ（縮
小レンズ）７の代わりに、ダブレット電子レンズ（二重
電子レンズ）５０を設け、その他については、図５に示
す従来の電子ビーム露光装置と同様に構成したものであ
る。
【００３１】このダブレット電子レンズ５０は、電子レ
ンズ５１、５２から構成されており、これら電子レンズ
５１、５２は、図２に部分断面斜視図を示すように近接
して配置されている。
ンズ５１、５２から構成されており、これら電子レンズ
５１、５２は、図２に部分断面斜視図を示すように近接
して配置されている。
【００３２】ここに、電子レンズ５１は、ヨーク５３の
Ｓ極とＮ極との間の距離Ｌ51及び電子ビーム２が通過す
る透過孔５４、５５の径Ｒ51を比較的小さく構成され、
主として転写像のサイズを変化させることができるよう
にされている。なお、５６はコイルである。
Ｓ極とＮ極との間の距離Ｌ51及び電子ビーム２が通過す
る透過孔５４、５５の径Ｒ51を比較的小さく構成され、
主として転写像のサイズを変化させることができるよう
にされている。なお、５６はコイルである。
【００３３】また、電子レンズ５２は、ヨーク５７のＳ
極とＮ極との間の距離Ｌ52及び電子ビーム２が通過する
透過孔５８、５９の径Ｒ52を比較的大きく構成され、主
として転写像の座標軸方向を変化させることができるよ
うにされている。なお、６０はコイルである。
極とＮ極との間の距離Ｌ52及び電子ビーム２が通過する
透過孔５８、５９の径Ｒ52を比較的大きく構成され、主
として転写像の座標軸方向を変化させることができるよ
うにされている。なお、６０はコイルである。
【００３４】このように構成された本実施例において
は、実際の露光を行う前に、まず、転写像のサイズ及び
座標軸方向が電子レンズ５１の強度変化ΔＩ51及び電子
レンズ５２の強度変化ΔＩ52に応じてどのように変化す
るかを測定する。
は、実際の露光を行う前に、まず、転写像のサイズ及び
座標軸方向が電子レンズ５１の強度変化ΔＩ51及び電子
レンズ５２の強度変化ΔＩ52に応じてどのように変化す
るかを測定する。
【００３５】即ち、電子レンズ５１、５２の強度変化Δ
Ｉ51、ΔＩ52に対する転写像のサイズの変化ΔＳを示す
数１における定数α、β及び電子レンズ５１、５２の強
度変化ΔＩ51、ΔＩ52に対する転写像の座標軸方向の変
化Δθを示す数２における定数γ、δを測定する。
Ｉ51、ΔＩ52に対する転写像のサイズの変化ΔＳを示す
数１における定数α、β及び電子レンズ５１、５２の強
度変化ΔＩ51、ΔＩ52に対する転写像の座標軸方向の変
化Δθを示す数２における定数γ、δを測定する。
【００３６】
【数１】
【００３７】
【数２】
【００３８】次に、ウエハ４７をウエハステージ４８に
固定し、基準座標軸Ｘ、Ｙ（ウエハステージ４８の座標
軸）に対するウエハ４７の座標軸Ｘ’、Ｙ’の方向、即
ち、基準座標軸Ｘ、Ｙに対するウエハ４７の回転角Δθ
aを測定する。
固定し、基準座標軸Ｘ、Ｙ（ウエハステージ４８の座標
軸）に対するウエハ４７の座標軸Ｘ’、Ｙ’の方向、即
ち、基準座標軸Ｘ、Ｙに対するウエハ４７の回転角Δθ
aを測定する。
【００３９】次に、数３に示す条件、即ち、電子レンズ
５１の強度変化ΔＩ51に対する転写像のサイズの変化分
α×ΔＩ51と、電子レンズ５２の強度変化ΔＩ52に対す
る転写像のサイズの変化分β×Δ52とが相殺される条件
の下で、数４に示す条件、即ち、電子レンズ５１の強度
変化ΔＩ51に対する転写像の座標軸方向の変化分γ×Δ
Ｉ51と、電子レンズ５２の強度変化ΔＩ52に対する転写
像の座標軸方向の変化分δ×ΔＩ52との加算値がウエハ
４７の回転角Δθaと一致する電子レンズ５１、５２の
強度変化ΔＩ51、ΔＩ52を求める。
５１の強度変化ΔＩ51に対する転写像のサイズの変化分
α×ΔＩ51と、電子レンズ５２の強度変化ΔＩ52に対す
る転写像のサイズの変化分β×Δ52とが相殺される条件
の下で、数４に示す条件、即ち、電子レンズ５１の強度
変化ΔＩ51に対する転写像の座標軸方向の変化分γ×Δ
Ｉ51と、電子レンズ５２の強度変化ΔＩ52に対する転写
像の座標軸方向の変化分δ×ΔＩ52との加算値がウエハ
４７の回転角Δθaと一致する電子レンズ５１、５２の
強度変化ΔＩ51、ΔＩ52を求める。
【００４０】
【数３】
【００４１】
【数４】
【００４２】この場合、この条件を満たす電子レンズ５
１の強度変化ΔＩ51は数５に示す式で求めることがで
き、電子レンズ５２の強度変化ΔＩ52は数６に示す式で
求めることができる。
１の強度変化ΔＩ51は数５に示す式で求めることがで
き、電子レンズ５２の強度変化ΔＩ52は数６に示す式で
求めることができる。
【００４３】
【数５】
【００４４】
【数６】
【００４５】そこで、電子レンズ５１の強度を数５に示
す強度変化分ΔＩ51だけ補正すると共に、電子レンズ５
２の強度を数６に示す強度変化分ΔＩ52だけ補正する。
す強度変化分ΔＩ51だけ補正すると共に、電子レンズ５
２の強度を数６に示す強度変化分ΔＩ52だけ補正する。
【００４６】このような補正を行う場合には、図７に示
すように、ウエハ４７が基準座標軸Ｘ、Ｙに対して角度
Δθaだけ回転して固定されている場合において、図８
に示すような転写像を露光する場合においても、図３に
示すように、この転写像の座標軸Ｘ”、Ｙ”の方向をウ
エハ４７の座標軸Ｘ’、Ｙ’の方向と一致させることが
できる。
すように、ウエハ４７が基準座標軸Ｘ、Ｙに対して角度
Δθaだけ回転して固定されている場合において、図８
に示すような転写像を露光する場合においても、図３に
示すように、この転写像の座標軸Ｘ”、Ｙ”の方向をウ
エハ４７の座標軸Ｘ’、Ｙ’の方向と一致させることが
できる。
【００４７】そこで、次に、従来周知の方法を使用し
て、主偏向器４５及び副偏向器４６による電子ビーム２
の偏向がウエハ４７の座標軸Ｘ’、Ｙ’を基準に行われ
るような補正を行う。
て、主偏向器４５及び副偏向器４６による電子ビーム２
の偏向がウエハ４７の座標軸Ｘ’、Ｙ’を基準に行われ
るような補正を行う。
【００４８】この結果、図８に示すような転写像を繋ぎ
合わせるような露光を行うと、図４に示すように、繋ぎ
合わせずれのない、繋ぎ合わせ精度の高い露光を行うこ
とができる。
合わせるような露光を行うと、図４に示すように、繋ぎ
合わせずれのない、繋ぎ合わせ精度の高い露光を行うこ
とができる。
【００４９】このように、本実施例においては、図５に
示す縮小レンズ７に代えて、主として転写像の縮小率を
変化させる電子レンズ５１と、主として転写像の座標軸
方向を変化させる電子レンズ５２とを設けたことによ
り、転写像の座標軸Ｘ”、Ｙ”の方向をウエハ４７の座
標軸Ｘ’、Ｙ’の方向と一致させることができるので、
ウエハ４７が基準座標軸Ｘ、Ｙに対して回転ずれを起こ
して固定されてしまう場合であっても、繋ぎ合わせ精度
の高い露光を行うことができ、集積回路の高密度化に対
応することができる。
示す縮小レンズ７に代えて、主として転写像の縮小率を
変化させる電子レンズ５１と、主として転写像の座標軸
方向を変化させる電子レンズ５２とを設けたことによ
り、転写像の座標軸Ｘ”、Ｙ”の方向をウエハ４７の座
標軸Ｘ’、Ｙ’の方向と一致させることができるので、
ウエハ４７が基準座標軸Ｘ、Ｙに対して回転ずれを起こ
して固定されてしまう場合であっても、繋ぎ合わせ精度
の高い露光を行うことができ、集積回路の高密度化に対
応することができる。
【００５０】なお、本実施例においては、電子レンズ５
１、５２は、ヨーク間の間隔及び電子ビーム２が通過す
る透過孔の径をそれぞれ異にするように構成したが、こ
れら電子レンズ５１、５２は同一形状のものであっても
良い。
１、５２は、ヨーク間の間隔及び電子ビーム２が通過す
る透過孔の径をそれぞれ異にするように構成したが、こ
れら電子レンズ５１、５２は同一形状のものであっても
良い。
【００５１】また、本実施例においては、電子レンズ５
１を上流側、電子レンズ５２を下流側に配置するように
した場合について述べたが、この代わりに、電子レンズ
５２を上流側、電子レンズ５１を下流側に配置するよう
にしても良い。
１を上流側、電子レンズ５２を下流側に配置するように
した場合について述べたが、この代わりに、電子レンズ
５２を上流側、電子レンズ５１を下流側に配置するよう
にしても良い。
【００５２】また、本実施例においては、電子レンズ５
１、５２を近接して配置するようにした場合について述
べたが、これら電子レンズ５１、５２は、近接させなく
とも良い。
１、５２を近接して配置するようにした場合について述
べたが、これら電子レンズ５１、５２は、近接させなく
とも良い。
【００５３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、主に転
写像のサイズを変化させる電子レンズと、主に転写像の
座標軸方向を変化させる電子レンズとを設けるという構
成を採用したことにより、露光対象物が所定の基準座標
軸に対して回転ずれを起こして固定されてしまう場合で
あっても、繋ぎ合わせ精度の高い露光を行うことができ
る。
写像のサイズを変化させる電子レンズと、主に転写像の
座標軸方向を変化させる電子レンズとを設けるという構
成を採用したことにより、露光対象物が所定の基準座標
軸に対して回転ずれを起こして固定されてしまう場合で
あっても、繋ぎ合わせ精度の高い露光を行うことができ
る。
【図１】本発明の一実施例の要部を概略的に示す図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施例が設けているダブレット電子
レンズを示す部分断面斜視図である。
レンズを示す部分断面斜視図である。
【図３】座標軸方向を補正された転写像を示す図であ
る。
る。
【図４】本発明の一実施例により得られる効果を説明す
るための図である。
るための図である。
【図５】従来の電子ビーム露光装置の一例の要部を概略
的に示す図である。
的に示す図である。
【図６】ブロックマスクの一例を示す図である。
【図７】基準座標軸とウエハの座標軸との回転ずれを示
す図である。
す図である。
【図８】転写像の一例を示す図である。
【図９】図５に示す従来の電子ビーム露光装置が有する
問題点を説明するための図である。
問題点を説明するための図である。
【図１０】図５に示す従来の電子ビーム露光装置が有す
る問題点を説明するための図である。
る問題点を説明するための図である。
３〜６、８、９ 電子レンズ ５０ ダブレット電子レンズ
Claims (6)
- 【請求項１】種々の形状の透過パターンを形成してなる
マスク板を使用し、荷電粒子ビームの断面形状を前記マ
スク板に形成されている透過パターンの形状に整形して
露光を行う荷電粒子ビーム露光装置であって、主に転写
像のサイズを変化させる第１の電子レンズと、主に転写
像の座標軸方向を変化させる第２の電子レンズとを設け
ていることを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。 - 【請求項２】前記第１の電子レンズの強度を変化させた
場合における転写像のサイズの変化分と、前記第２の電
子レンズの強度を変化させた場合における転写像のサイ
ズの変化分とが相殺される条件の下で、前記第１の電子
レンズの強度を変化させた場合における転写像の座標軸
方向の変化分と、前記第２の電子レンズの強度を変化さ
せた場合における転写像の座標軸方向の変化分との加算
値が、所定の基準座標軸に対する露光対象物の座標軸の
回転方向と一致するように、前記第１、第２の電子レン
ズの強度を設定することができるように構成されている
ことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム露光装
置。 - 【請求項３】前記第２の電子レンズは、ヨークのＳ極と
Ｎ極との間の距離を前記第１の電子レンズよりも大きく
形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の
荷電粒子ビーム露光装置。 - 【請求項４】前記第２の電子レンズは、荷電粒子ビーム
が通過するヨークの透過孔の径を前記第１の電子レンズ
よりも大きく形成されていることを特徴とする請求項
１、２又は３記載の荷電粒子ビーム露光装置。 - 【請求項５】前記第１、第２の電子レンズは、近接して
配置されていることを特徴とする請求項１、２、３又は
４記載の荷電粒子ビーム露光装置。 - 【請求項６】種々の形状の透過パターンを形成してなる
マスク板を使用し、荷電粒子ビームの断面形状を前記マ
スク板に形成されている透過パターンの形状に整形して
露光を行う荷電粒子ビーム露光装置において、主に転写
像のサイズを変化させる第１の電子レンズと、主に転写
像の座標軸方向を変化させる第２の電子レンズとを設
け、前記第１の電子レンズの強度を変化させた場合にお
ける転写像のサイズの変化分と、前記第２の電子レンズ
の強度を変化させた場合における転写像のサイズの変化
分とが相殺される条件の下で、前記第１の電子レンズの
強度を変化させた場合における転写像の座標軸方向の変
化分と、前記第２の電子レンズの強度を変化させた場合
における転写像の座標軸方向の変化分との加算値が、所
定の基準座標軸に対する露光対象物の座標軸の回転方向
と一致するように、前記第１、第２の電子レンズの強度
を設定し、露光を行うことを特徴とする荷電粒子ビーム
露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2413694A JP3163885B2 (ja) | 1994-02-22 | 1994-02-22 | 荷電粒子ビーム露光装置及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2413694A JP3163885B2 (ja) | 1994-02-22 | 1994-02-22 | 荷電粒子ビーム露光装置及び露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07235469A true JPH07235469A (ja) | 1995-09-05 |
| JP3163885B2 JP3163885B2 (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=12129909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2413694A Expired - Fee Related JP3163885B2 (ja) | 1994-02-22 | 1994-02-22 | 荷電粒子ビーム露光装置及び露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3163885B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6011268A (en) * | 1997-07-30 | 2000-01-04 | Nikon Corporation | Demagnifying projection-optical system for electron beam lithography with aberration control |
-
1994
- 1994-02-22 JP JP2413694A patent/JP3163885B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6011268A (en) * | 1997-07-30 | 2000-01-04 | Nikon Corporation | Demagnifying projection-optical system for electron beam lithography with aberration control |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3163885B2 (ja) | 2001-05-08 |
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