JPH0723530A - サージ吸収器 - Google Patents
サージ吸収器Info
- Publication number
- JPH0723530A JPH0723530A JP5162063A JP16206393A JPH0723530A JP H0723530 A JPH0723530 A JP H0723530A JP 5162063 A JP5162063 A JP 5162063A JP 16206393 A JP16206393 A JP 16206393A JP H0723530 A JPH0723530 A JP H0723530A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surge
- surge absorber
- electrode surface
- resistance element
- bulk resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 6
- JCALBVZBIRXHMQ-UHFFFAOYSA-N [[hydroxy-(phosphonoamino)phosphoryl]amino]phosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)NP(O)(=O)NP(O)(O)=O JCALBVZBIRXHMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- VMXJCRHCUWKQCB-UHFFFAOYSA-N NPNP Chemical compound NPNP VMXJCRHCUWKQCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/87—Thyristor diodes, e.g. Shockley diodes, break-over diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Control Of Voltage And Current In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板への実装工数が僅かで済み、サージ耐量
を大きくしてもコンパクトに形成し得る。 【構成】 ＰＮＰＮＰ又はＮＰＮＰＮ接合構造を有する
シリコン２端子サイリスタ素子からなるサージ吸収素子
１１と、抵抗率１０-4Ω・ｃｍ〜１０3Ω・ｃｍの材料
からなり０．５Ω〜５０Ωの抵抗値を有するバルク抵抗
素子１２とを直列接続し一体化して構成される。サージ
吸収素子１１の端子電極間にＶbo以上のサージ電圧が印
加されてサイリスタが点孤すると、端子電極間が電気的
に短絡されてサージを吸収する。このとき素子１１の電
極間に電源が接続され、そのＩh以上の電流が供給され
ても、素子１１に直列に接続されたサージ耐量の大きな
バルク抵抗素子がこれを遮断し、素子１１の破壊現象を
防止する。
を大きくしてもコンパクトに形成し得る。 【構成】 ＰＮＰＮＰ又はＮＰＮＰＮ接合構造を有する
シリコン２端子サイリスタ素子からなるサージ吸収素子
１１と、抵抗率１０-4Ω・ｃｍ〜１０3Ω・ｃｍの材料
からなり０．５Ω〜５０Ωの抵抗値を有するバルク抵抗
素子１２とを直列接続し一体化して構成される。サージ
吸収素子１１の端子電極間にＶbo以上のサージ電圧が印
加されてサイリスタが点孤すると、端子電極間が電気的
に短絡されてサージを吸収する。このとき素子１１の電
極間に電源が接続され、そのＩh以上の電流が供給され
ても、素子１１に直列に接続されたサージ耐量の大きな
バルク抵抗素子がこれを遮断し、素子１１の破壊現象を
防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はサージ電圧が発生する恐
れのある電子機器の電源装置等に設けられ、サージ電圧
による電子機器の故障及び誤動作を回避するサージ吸収
器に関する。更に詳しくは半導体型サージ吸収素子を用
いたサージ吸収器に関するものである。
れのある電子機器の電源装置等に設けられ、サージ電圧
による電子機器の故障及び誤動作を回避するサージ吸収
器に関する。更に詳しくは半導体型サージ吸収素子を用
いたサージ吸収器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＰＮＰＮＰ又はＮＰＮＰＮ接合構造を有
するシリコン２端子サイリスタ素子に代表される半導体
型サージ吸収素子は、一対の端子電極間にブレークオー
バー電圧（Ｖbo）以上のサージ電圧が印加されてサイリ
スタが点孤すると、端子電極間が電気的に短絡されてサ
ージを吸収する。このサージ吸収素子の電極間に電源が
接続され、保持電流（Ｉh）以上の電流が供給される状
態にある場合、導通状態が維持され、その電流が素子の
電流耐量を越えた場合には素子の破壊現象が発生する。
この現象を防止するため、図５に示すように、従来のサ
ージ吸収器３は半導体型サージ吸収素子１に抵抗器２を
直列に接続した構成がとられている。このサージ吸収器
３は、例えば図６に示すように商用交流電源４から電子
機器５に侵入するサージ対策のために、電子機器５の前
段に電子機器に並列に接続される。
するシリコン２端子サイリスタ素子に代表される半導体
型サージ吸収素子は、一対の端子電極間にブレークオー
バー電圧（Ｖbo）以上のサージ電圧が印加されてサイリ
スタが点孤すると、端子電極間が電気的に短絡されてサ
ージを吸収する。このサージ吸収素子の電極間に電源が
接続され、保持電流（Ｉh）以上の電流が供給される状
態にある場合、導通状態が維持され、その電流が素子の
電流耐量を越えた場合には素子の破壊現象が発生する。
この現象を防止するため、図５に示すように、従来のサ
ージ吸収器３は半導体型サージ吸収素子１に抵抗器２を
直列に接続した構成がとられている。このサージ吸収器
３は、例えば図６に示すように商用交流電源４から電子
機器５に侵入するサージ対策のために、電子機器５の前
段に電子機器に並列に接続される。
【０００３】この半導体型サージ吸収素子１は、図７に
示される特性を有する。即ち、サージ吸収素子１のブレ
ークオーバー電圧（Ｖbo）は使用する交流電源電圧のピ
ーク値（Ｖp）より高いものを使用する必要がある一
方、サージに対する応答性と電子機器５のサージ耐圧を
考慮して適切に設定する。半導体型サージ吸収素子１の
許容電流耐量特性の１つであるサージオン電流最大定格
値（Ｉtsm）はできるだけ大きいものが望ましい。一
方、抵抗器２の抵抗値（Ｒs）は使用するＡＣ電源電圧
のピーク値（Ｖp）との関係から、次の式（１）を満た
すように設定する必要がある。 Ｒs ＞ Ｖp／Ｉtsm ……（１） これにより、サージが侵入し半導体型サージ吸収素子１
が点孤した後、電源から流入する電流が抵抗器２によっ
て制限され、サージ吸収素子１の破壊を生じることなく
サージ電圧を抑制することができる。なお、上記と同様
の考え方で素子の特性値を選定することにより、例えば
ＡＣ２００ＶのようなＡＣ１００Ｖ以外の電圧の商用電
源ラインにも応用することができる。
示される特性を有する。即ち、サージ吸収素子１のブレ
ークオーバー電圧（Ｖbo）は使用する交流電源電圧のピ
ーク値（Ｖp）より高いものを使用する必要がある一
方、サージに対する応答性と電子機器５のサージ耐圧を
考慮して適切に設定する。半導体型サージ吸収素子１の
許容電流耐量特性の１つであるサージオン電流最大定格
値（Ｉtsm）はできるだけ大きいものが望ましい。一
方、抵抗器２の抵抗値（Ｒs）は使用するＡＣ電源電圧
のピーク値（Ｖp）との関係から、次の式（１）を満た
すように設定する必要がある。 Ｒs ＞ Ｖp／Ｉtsm ……（１） これにより、サージが侵入し半導体型サージ吸収素子１
が点孤した後、電源から流入する電流が抵抗器２によっ
て制限され、サージ吸収素子１の破壊を生じることなく
サージ電圧を抑制することができる。なお、上記と同様
の考え方で素子の特性値を選定することにより、例えば
ＡＣ２００ＶのようなＡＣ１００Ｖ以外の電圧の商用電
源ラインにも応用することができる。
【０００４】更に、素子の特性値を選定することによ
り、直流電源ラインにも応用することが可能である。た
だしこの際に考慮する必要のある半導体型サージ吸収素
子の特性値としては、保持電流（Ｉh）である。即ち、
本来であれば使用する直流電源電圧（Ｖdc）と電源内部
インピーダンス（Ｒz）との関係から、次の式（２）を
満たすような半導体型サージ吸収素子を使用することが
望ましい。 Ｉh ＞ Ｖdc／Ｒz ……（２） しかし、次の式（３）に示すように、 Ｉh ＜ Ｖdc／Ｒz ……（３） であるような場合には、抵抗器２の抵抗値（Ｒs）に関
して、次の式（４）に示すように、 Ｒs ＞ （Ｖdc／Ｉh） − Ｒz ……（４） となるように設定すればよい。
り、直流電源ラインにも応用することが可能である。た
だしこの際に考慮する必要のある半導体型サージ吸収素
子の特性値としては、保持電流（Ｉh）である。即ち、
本来であれば使用する直流電源電圧（Ｖdc）と電源内部
インピーダンス（Ｒz）との関係から、次の式（２）を
満たすような半導体型サージ吸収素子を使用することが
望ましい。 Ｉh ＞ Ｖdc／Ｒz ……（２） しかし、次の式（３）に示すように、 Ｉh ＜ Ｖdc／Ｒz ……（３） であるような場合には、抵抗器２の抵抗値（Ｒs）に関
して、次の式（４）に示すように、 Ｒs ＞ （Ｖdc／Ｉh） − Ｒz ……（４） となるように設定すればよい。
【０００５】従来、図５に示したサージ吸収器３では、
抵抗器２に例えば巻線抵抗器、金属皮膜抵抗器、酸化金
属皮膜抵抗器等が使用され、半導体型サージ吸収素子１
と抵抗器２はそれぞれ独立の部品であって、基板上に別
々に取付けられていた。
抵抗器２に例えば巻線抵抗器、金属皮膜抵抗器、酸化金
属皮膜抵抗器等が使用され、半導体型サージ吸収素子１
と抵抗器２はそれぞれ独立の部品であって、基板上に別
々に取付けられていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように半導体型サ
ージ吸収素子と抵抗器が基板上に別々に取付けられたサ
ージ吸収器は、基板への実装工数が多くかかり、基板上
に占める面積が大きくなり、サージ吸収器がコンパクト
にならない不具合があった。また巻線抵抗器、金属皮膜
抵抗器、酸化金属皮膜抵抗器等は、小型であるとサージ
耐量が小さくサージ吸収器の部品として使用できないた
め、必然的に大型の抵抗器を使用せざるを得ず、この点
からもサージ吸収器の小型化は困難であった。
ージ吸収素子と抵抗器が基板上に別々に取付けられたサ
ージ吸収器は、基板への実装工数が多くかかり、基板上
に占める面積が大きくなり、サージ吸収器がコンパクト
にならない不具合があった。また巻線抵抗器、金属皮膜
抵抗器、酸化金属皮膜抵抗器等は、小型であるとサージ
耐量が小さくサージ吸収器の部品として使用できないた
め、必然的に大型の抵抗器を使用せざるを得ず、この点
からもサージ吸収器の小型化は困難であった。
【０００７】本発明の目的は、基板への実装工数が僅か
で済み、サージ耐量を大きくしてもコンパクトに形成し
得るサージ吸収器を提供することにある。
で済み、サージ耐量を大きくしてもコンパクトに形成し
得るサージ吸収器を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、図１に示すように、本発明のサージ吸収器１０は、
ＰＮＰＮＰ又はＮＰＮＰＮ接合構造を有するシリコン２
端子サイリスタ素子からなるサージ吸収素子１１と、抵
抗率１０-4Ω・ｃｍ〜１０3Ω・ｃｍの材料からなり
０．５Ω〜５０Ωの抵抗値を有するバルク抵抗素子１２
とを直列接続し一体化して構成されたものである。
に、図１に示すように、本発明のサージ吸収器１０は、
ＰＮＰＮＰ又はＮＰＮＰＮ接合構造を有するシリコン２
端子サイリスタ素子からなるサージ吸収素子１１と、抵
抗率１０-4Ω・ｃｍ〜１０3Ω・ｃｍの材料からなり
０．５Ω〜５０Ωの抵抗値を有するバルク抵抗素子１２
とを直列接続し一体化して構成されたものである。
【０００９】
【作用】半導体型サージ吸収素子１１の端子電極間にブ
レークオーバー電圧（Ｖbo）以上のサージ電圧が印加さ
れてサイリスタが点孤すると、端子電極間が電気的に短
絡されてサージを吸収する。このときサージ吸収素子１
１の電極間に電源が接続され、その保持電流（Ｉh）以
上の電流が供給されても、サージ吸収素子１１に直列に
接続されたサージ耐量の大きなバルク抵抗素子がこれを
遮断し、サージ吸収素子１１の破壊現象を防止する。
レークオーバー電圧（Ｖbo）以上のサージ電圧が印加さ
れてサイリスタが点孤すると、端子電極間が電気的に短
絡されてサージを吸収する。このときサージ吸収素子１
１の電極間に電源が接続され、その保持電流（Ｉh）以
上の電流が供給されても、サージ吸収素子１１に直列に
接続されたサージ耐量の大きなバルク抵抗素子がこれを
遮断し、サージ吸収素子１１の破壊現象を防止する。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳し
く説明する。 ＜実施例１＞図１及び図２に示すように、サージ吸収器
１０は半導体型サージ吸収素子１１とバルク抵抗素子１
２を備える。サージ吸収素子１１は長さ約３ｍｍ、幅約
３ｍｍ及び厚さ約１ｍｍのシリコンＰＮＰＮＰ接合構造
を有する２端子サイリスタ素子からなり、バルク抵抗素
子１２は長さ約３ｍｍ、幅約３ｍｍ及び厚さ約１ｍｍの
シリコンからなる。サージ吸収器１０は商用１００Ｖ交
流電源での使用を想定し、サージ吸収素子１１はブレー
クオーバー電圧（Ｖbo）が約５００Ｖで、サージオン電
流最大定格値（Ｉtsm）が１５０Ａ（５０Ｈｚ、正弦全
波１サイクル、ピーク値））のものを用いた。また抵抗
素子１２は抵抗値約３Ωのものを用いた。
く説明する。 ＜実施例１＞図１及び図２に示すように、サージ吸収器
１０は半導体型サージ吸収素子１１とバルク抵抗素子１
２を備える。サージ吸収素子１１は長さ約３ｍｍ、幅約
３ｍｍ及び厚さ約１ｍｍのシリコンＰＮＰＮＰ接合構造
を有する２端子サイリスタ素子からなり、バルク抵抗素
子１２は長さ約３ｍｍ、幅約３ｍｍ及び厚さ約１ｍｍの
シリコンからなる。サージ吸収器１０は商用１００Ｖ交
流電源での使用を想定し、サージ吸収素子１１はブレー
クオーバー電圧（Ｖbo）が約５００Ｖで、サージオン電
流最大定格値（Ｉtsm）が１５０Ａ（５０Ｈｚ、正弦全
波１サイクル、ピーク値））のものを用いた。また抵抗
素子１２は抵抗値約３Ωのものを用いた。
【００１１】これらの素子１１と１２を金属板１３上に
並べて、それぞれの一方の電極面をはんだ等により金属
板１３に固着した。それぞれの他方の電極面は一対のリ
ード１４及び１５にそれぞれボンディングワイヤ１６及
び１７を介して接続した。これらの組立体を絶縁性樹脂
１８により封止し、一体化した。１９はサージ吸収器１
０の取付孔である。
並べて、それぞれの一方の電極面をはんだ等により金属
板１３に固着した。それぞれの他方の電極面は一対のリ
ード１４及び１５にそれぞれボンディングワイヤ１６及
び１７を介して接続した。これらの組立体を絶縁性樹脂
１８により封止し、一体化した。１９はサージ吸収器１
０の取付孔である。
【００１２】このような構成のサージ吸収器１０は、図
５に示す等価回路を構成する。抵抗素子１２がサージ吸
収素子１１と同形同大であるため、単一の金属板１３に
容易に接着できる。そしてこれらをリード１４，１５と
ともに絶縁性樹脂１８で封止すれば、簡単に組立てられ
るとともに、サージ吸収器１０をコンパクトにすること
ができる。一対のリード１４，１５を図外の雌端子に挿
入すれば、容易に基板等に実装することができる。
５に示す等価回路を構成する。抵抗素子１２がサージ吸
収素子１１と同形同大であるため、単一の金属板１３に
容易に接着できる。そしてこれらをリード１４，１５と
ともに絶縁性樹脂１８で封止すれば、簡単に組立てられ
るとともに、サージ吸収器１０をコンパクトにすること
ができる。一対のリード１４，１５を図外の雌端子に挿
入すれば、容易に基板等に実装することができる。
【００１３】＜実施例２＞図３及び図４に示すように、
サージ吸収器２０は実施例１と同一のサージ吸収素子１
１及びバルク抵抗素子１２を備える。サージ吸収素子１
１の一方の端子電極面１１ａとバルク抵抗素子１２の一
方の端子電極面１２ａが接合され、この接合体２１が半
導体封止用の低融点の鉛ガラスからなる絶縁管２２に収
容される。またサージ吸収素子１１の他方の端子電極面
１１ｂとバルク抵抗素子１２の他方の端子電極面１２ｂ
を挟持する一対の金属電極２３，２４が絶縁管２２の両
端に封着される。金属電極２３，２４は封着時のガラス
管の割れを防止するためにその熱膨張係数が絶縁管２２
の熱膨張係数と整合していれば、その材質は限定されな
い。この例では鉄５８ｗｔ％−ニッケル４２ｗｔ％合金
と銅のクラッド材を絞り加工した金属電極を用いた。絶
縁管２２内には不活性ガスであるアルゴンガスが封入さ
れた。
サージ吸収器２０は実施例１と同一のサージ吸収素子１
１及びバルク抵抗素子１２を備える。サージ吸収素子１
１の一方の端子電極面１１ａとバルク抵抗素子１２の一
方の端子電極面１２ａが接合され、この接合体２１が半
導体封止用の低融点の鉛ガラスからなる絶縁管２２に収
容される。またサージ吸収素子１１の他方の端子電極面
１１ｂとバルク抵抗素子１２の他方の端子電極面１２ｂ
を挟持する一対の金属電極２３，２４が絶縁管２２の両
端に封着される。金属電極２３，２４は封着時のガラス
管の割れを防止するためにその熱膨張係数が絶縁管２２
の熱膨張係数と整合していれば、その材質は限定されな
い。この例では鉄５８ｗｔ％−ニッケル４２ｗｔ％合金
と銅のクラッド材を絞り加工した金属電極を用いた。絶
縁管２２内には不活性ガスであるアルゴンガスが封入さ
れた。
【００１４】このような構成のサージ吸収器２０は、サ
ージ吸収素子１１と抵抗素子１２が電気的に直列に接続
されるとともに、両素子が背中合わせに密着するため、
極めてコンパクトになる。またこれらの接合体２１は不
活性ガス中に気密に封止されるため、素子の酸化等の劣
化が防止され、長期間にわたって高い信頼性が維持され
る。
ージ吸収素子１１と抵抗素子１２が電気的に直列に接続
されるとともに、両素子が背中合わせに密着するため、
極めてコンパクトになる。またこれらの接合体２１は不
活性ガス中に気密に封止されるため、素子の酸化等の劣
化が防止され、長期間にわたって高い信頼性が維持され
る。
【００１５】なお、上記例では絶縁管としてガラス管を
示したが、セラミック管でもよい。この場合金属電極に
ろう材により気密に封止される。また、絶縁管内に不活
性ガスを封入したが、真空にするだけでもよい。
示したが、セラミック管でもよい。この場合金属電極に
ろう材により気密に封止される。また、絶縁管内に不活
性ガスを封入したが、真空にするだけでもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のサージ吸収
器によれば、抵抗素子として小型のバルク抵抗素子を採
用し、半導体型サージ吸収素子に直列に接続して一体化
したので、電気的にはサージ耐量を大きくでき、構造的
にはサージ吸収素子との組み付け性が良くなるとともに
コンパクトに組立てることができる。この結果、基板上
に実装する工数を低減することができ、かつ基板上に占
める面積が僅かで済む。このサージ吸収器を電子機器の
電源回路に用いれば、サージ電圧による電子機器の故障
及び誤動作を回避することができる。
器によれば、抵抗素子として小型のバルク抵抗素子を採
用し、半導体型サージ吸収素子に直列に接続して一体化
したので、電気的にはサージ耐量を大きくでき、構造的
にはサージ吸収素子との組み付け性が良くなるとともに
コンパクトに組立てることができる。この結果、基板上
に実装する工数を低減することができ、かつ基板上に占
める面積が僅かで済む。このサージ吸収器を電子機器の
電源回路に用いれば、サージ電圧による電子機器の故障
及び誤動作を回避することができる。
【図１】本発明実施例のサージ吸収器の斜視図。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図。
【図３】本発明の別の実施例のサージ吸収の図４のＣ−
Ｃ線断面図。
Ｃ線断面図。
【図４】図３のＢ−Ｂ線断面図。
【図５】実施例及び従来例のサージ吸収器の等価回路
図。
図。
【図６】そのサージ吸収器と電子機器と交流電源を含む
回路構成図。
回路構成図。
【図７】半導体型サージ吸収素子の特性図。
１０，２０ サージ吸収器 １１ サージ吸収素子 １２ バルク抵抗素子 １３ 金属板 １４，１５ リード １６，１７ ボンディングワイヤ １８ 絶縁性樹脂 ２１ 接合体 ２２ 絶縁管 ２３，２４ 金属電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 隆明 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社セラミックス研究所 内
Claims (4)
- 【請求項１】 ＰＮＰＮＰ又はＮＰＮＰＮ接合構造を有
するシリコン２端子サイリスタ素子からなるサージ吸収
素子(11)と、抵抗率１０-4Ω・ｃｍ〜１０3Ω・ｃｍの
材料からなり０．５Ω〜５０Ωの抵抗値を有するバルク
抵抗素子(12)とを直列接続し一体化して構成されたサー
ジ吸収器。 - 【請求項２】 サージ吸収素子(11)の一方の端子電極面
及びバルク抵抗素子(12)の一方の端子電極面が単一の金
属板(13)に固着され、前記サージ吸収素子(11)の他方の
端子電極面及び前記バルク抵抗素子(12)の他方の端子電
極面が第１及び第２ボンディングワイヤ(16,17)を介し
て第１及び第２リード(14,15)にそれぞれ接続され、前
記サージ吸収素子(11)と前記バルク抵抗素子(12)と前記
第１及び第２リード(14,15)のボンディングワイヤ接続
部分が絶縁性樹脂(18)で封止された請求項１記載のサー
ジ吸収器。 - 【請求項３】 サージ吸収素子(11)の一方の端子電極面
(11a)とバルク抵抗素子(12)の一方の端子電極面(12a)が
接合され、この接合体(21)が絶縁管(22)に収容され、前
記サージ吸収素子(11)の他方の端子電極面(11b)と前記
バルク抵抗素子(12)の他方の端子電極面(12b)を挟持す
る一対の金属電極(23,24)が前記絶縁管(22)の両端に封
着された請求項１記載のサージ吸収器。 - 【請求項４】 バルク抵抗素子(12)がシリコンである請
求項１ないし３いずれか記載のサージ吸収器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5162063A JPH0723530A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | サージ吸収器 |
| US08/266,040 US5587867A (en) | 1993-06-30 | 1994-06-27 | Surge absorber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5162063A JPH0723530A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | サージ吸収器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0723530A true JPH0723530A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15747389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5162063A Pending JPH0723530A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | サージ吸収器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5587867A (ja) |
| JP (1) | JPH0723530A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5753982A (en) * | 1996-06-03 | 1998-05-19 | Twinhead International Corp. | Apparatus for supplying power to a peripheral device from computer system |
| EP2315255A1 (en) * | 2009-10-22 | 2011-04-27 | Nxp B.V. | Surge protection device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1238115A (en) * | 1986-10-29 | 1988-06-14 | Jerzy Borkowicz | Bi-directional overvoltage protection device |
| EP0332822A1 (de) * | 1988-02-22 | 1989-09-20 | Asea Brown Boveri Ag | Feldeffektgesteuertes, bipolares Leistungshalbleiter-Bauelement sowie Verfahren zu seiner Herstellung |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP5162063A patent/JPH0723530A/ja active Pending
-
1994
- 1994-06-27 US US08/266,040 patent/US5587867A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5587867A (en) | 1996-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0748929B2 (ja) | サージ吸収器 | |
| US5559663A (en) | Surge absorber | |
| US20060067021A1 (en) | Over-voltage and over-current protection device | |
| JPH0723530A (ja) | サージ吸収器 | |
| JP2014526787A (ja) | 積層されたガス封入サージアレスタ | |
| US6328176B1 (en) | Multifunctional protective component | |
| JPH09266052A (ja) | サージ吸収素子 | |
| JP3536592B2 (ja) | 放電管型サージアブソーバ | |
| JPH0650954Y2 (ja) | サージ吸収器 | |
| JPH06188106A (ja) | バリスタ機能付アレスタ及び、該アレスタを用いた保安器 | |
| JPS583385B2 (ja) | カデンアツホゴソシ | |
| JP2534958B2 (ja) | チップ型サ―ジ吸収素子 | |
| JPH0650955Y2 (ja) | サージ吸収器 | |
| JPH0715116Y2 (ja) | アレスタ装置 | |
| JPS6334434Y2 (ja) | ||
| JP2006004776A (ja) | サージ吸収素子 | |
| JPS5899221A (ja) | サ−ジ吸収器 | |
| JP3777886B2 (ja) | チップ型サージアブソーバ（１） | |
| JPH0368105A (ja) | 多端子形サージ吸収器 | |
| JPH0139064Y2 (ja) | ||
| JPS593559Y2 (ja) | サ−ジ吸収器 | |
| JPS6038247Y2 (ja) | サ−ジ吸収器 | |
| JPH083998Y2 (ja) | サージ吸収器 | |
| JPH0691705B2 (ja) | 過電圧過電流保護のサ−ジ吸収素子 | |
| JPH0453102A (ja) | 安全保障機能付サージ吸収器 |