JPH07231403A

JPH07231403A - 撮像装置

Info

Publication number: JPH07231403A
Application number: JP6020257A
Authority: JP
Inventors: Junichi Yamazaki; 順一山崎; Toshiro Yamagishi; 敏郎山岸; Toshiya Kitsukawa; 俊哉橘川; Masanori Honbo; 正典本坊; Masaharu Ooka; 正治大岡; Tetsuo Yoshida; 哲男吉田
Original assignee: Hitachi Denshi KK; Nippon Hoso Kyokai NHK; Japan Broadcasting Corp
Current assignee: Hitachi Denshi KK; Japan Broadcasting Corp
Priority date: 1994-02-17
Filing date: 1994-02-17
Publication date: 1995-08-29

Abstract

(57)【要約】【目的】極低照度から高照度の撮像条件下に於いても
適正な信号レベルの画像を最短の時間で得ることがで
き、画像劣化を生じることなく、自動感度調整範囲が飛
躍的に増大した撮像装置を提供することを目的とするも
のである。【構成】間欠動作を行う撮像装置において、画像信号
の所定の出力レベル（例えば、平均映像レベル）に応じ
て、間欠動作の期間（電荷蓄積期間）、若しくはこの間
欠動作の期間（電荷蓄積期間）と共にゲインを制御し、
上記画像信号の所定の出力レベル（例えば、平均映像レ
ベル）が所定レベル範囲になるようにしたもので、真昼
から星明りまでの広い照度範囲を１台のカメラで高画質
に撮影することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、照度が極めて低い条件
下においても、安定な画像出力が得られる高感度な撮像
装置の改良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】撮像装置においては、固体撮像素子や撮
像管がその性能を決定する重要なファクタとなる。この
固体撮像素子としては、例えば、図４に示すようなイン
ターライン・トランスファ方式ＣＣＤ１３ａがある。こ
のＣＣＤ１３ａは、撮像領域２４に多数のフォトダイオ
ード２０を２次元的に配置し、ここで光電変換を行い、
その電荷を垂直転送路２１に移し、さらに水平転送路２
２に送って時系列信号に変換し、続いてアンプ２３を通
して画像出力２５を得るものである。なお、電荷の転送
は駆動用のクロックを外部から与えることによって行
う。一方、撮像管としては、例えば、図５に示す光導電
型撮像管１３ｂがある。この撮像管１３ｂは、ダイオー
ド型電子銃を備えた電界集束電界偏向型のものであり、
図示のように、フェースプレート２６により真空封止さ
れたガラス管２９の中に、カソード電極３４とグリッド
電極３３、水平偏向電極３２、それに垂直偏向電極３１
を封入してある。フェースプレート２６の内面にはター
ゲット電圧ＶＴが印加された透明電極２７と光導電膜２
８が順次堆積されており、ここで、光電変換が行われ
る。そして、カソード電極３４から射出された電子ビー
ム３０は、水平偏向電極３２と垂直偏向電極３１により
偏向され、図示していない静電集束電極により与えられ
ている集束電界によって集束され、光導電膜２８の内面
を２次元的に走査し、それによって光導電膜２８に蓄積
された電荷を時系列信号に変換し、アンプ２３を通して
画像出力２５を得る。このとき、カソード電極３４から
の電子ビーム３０の射出は、カソード電極３４の電位よ
りもグリッド電極３３の電位を高くすることによって行
い、帰線期間のようにビームを遮断したいときには、逆
にカソード電極３４の電位よりもグリッド電極３３の電
位を低くすることによって行う。

【０００３】これら撮像素子の絶えざる命題の一つとし
て高感度化があげられるが、従来、超高感度な撮像素子
としては、例えば、ＩＩ（イメージ・インテンシファイ
ヤ）とＣＣＤを接合したＩＩ・ＣＣＤや、２次電子増倍
を行なうＭＣＰ（マイクロ・チャンネル・プレート）を
ＩＩに内蔵したもの、ＳＩＴ（SILICON INTENSIFIEDTAR
GET）管などが「イメージセンサの基礎と応用」(木内雄
二著、日刊工業新聞社発行、１９９１年）等で知られて
いる。これらの超高感度撮像素子を組み込んだ超高感度
カメラを用いると、ＣＣＤ等の通常の感度のカメラでは
撮影が困難であるような条件下、例えば、月明りや星明
りのもとでも撮影が可能である。しかしながら、これら
の超高感度カメラは、いずれも信号と雑音の比が小さ
く、解像度も十分でない。また、昼間にこれらの超高感
度カメラを用いる場合は、光を減衰させる濃灰色の光学
フィルタをレンズの前に装着することで撮影は一応可能
であるが、画質は通常感度のＣＣＤカメラ等に比べて著
しく劣り、できるだけ多くの情報量を得る目的には不十
分である。

【０００４】一方、非晶質Ｓｅ光導電ターゲットの内部
でアバランシェ増倍を行う超高感度光導電型撮像管とし
ては、例えば、特開昭６３−３０４５５１号公報に記載
の技術が知られている。この超高感度光導電型撮像管に
おいては、膜厚が２μｍの非晶質Ｓｅ光導電ターゲット
用い、これに約２４０Ｖの電圧を印加した場合に、量子
効率１０以上の高い感度が得られ、このとき、光導電タ
ーゲットに印加する電圧を変えることにより、光導電タ
ーゲットによる増倍率を１〜１０まで変えることができ
た旨、記載されている。また、この撮像管は走査電子ビ
ームを細く絞ることで、ＨＤＴＶにも適用可能な高い解
像度が得られる旨が、例えば、「１９８７年テレビジョ
ン学会全国大会講演予稿集」(３５ページ〜３６ページ）
に開示されている。このように、この超高感度光導電型
撮像管は、高い感度とともに高い解像度が得られる優れ
た特性を有するが、最大感度が一般的な光導電型撮像管
の数十倍程度とあまり大きくとれないため、星明りのよ
うに超低照度での撮影は困難である。

【０００５】ところで、通常のＮＴＳＣ方式テレビカメ
ラは、毎秒６０コマで撮影するようになっているため、
１コマの画像に対する電荷蓄積の時間は、最大でも１／
６０秒にしかならない。この電荷蓄積時間を増加させて
感度を上げる方法として、間欠増感法（間欠走査方式）
が知られている。この間欠走査方式とは、或る１フィー
ルド期間で画像信号を読み出したら、それに続く複数フ
ィールド期間、例えば数フィールドから数十フィールド
期間にわたって画像信号の読み出しを停止し（電子ビー
ムを遮断し）、その間、光電変換部に電荷の蓄積を行
い、その後の或る１フィールド期間で複数フィールド期
間に蓄積された画像信号を読み出すということを繰り返
す方式である。

【０００６】この間欠走査方式の動作を図６の波形図で
説明する。まず、通常の毎秒６０コマで連続して読み出
すとき、光電変換部すなわちフォトダイオード（図４の
２０）または光導電膜（図５の２８）における電位変化
は、１画素に着目してみると、波形２０Ａのようにな
り、１フィールド期間に電荷が蓄積されて電位が上昇
し、１フィールド毎の読出しによってリセットされ、ア
ンプ(図４，５の２３)から読み出される信号波形２５Ａ
は連続したものとなる。これに対し、間欠動作時の各波
形は、一例として信号読み出し停止期間が２フィールド
のときには、図６の２０Ｂ，２５Ｂのようになる。ここ
で、波形２０Ｂは光電変換部の電位を示しており、電荷
蓄積時間が３フィールドにわたるため、光電変換部にお
ける電位変化も前述の連続動作時に比べて３倍となる。
したがって、アンプ（図４，５の２３）から出力される
信号波形２５Ｂは、３フィールド毎に、３フィールドに
わたって蓄積された３倍の信号レベルの出力が得られ、
これに続く２フィールドでは信号が全くないという間欠
的な出力になる。

【０００７】次に、上記の間欠走査方式を行う撮像素子
とこれを駆動する回路等を含め、撮像装置全体の構成を
図７に示し説明する。被写体１１からの光は、光学レン
ズ１２によって撮像素子１３上に結像され、光電変換と
時系列変換がなされ、その画像信号はアンプ１４で増幅
され、フィールドメモリ１５を通して読み出される。フ
ィールドメモリ１５には、信号読み出し期間（図６で
は、波形２５Ｂの第１フィールドが対応）に読み出され
た画像信号が、図示されていないＡ／Ｄ変換器でデジタ
ル化されて記録され、この信号読み出し期間に続く信号
読み出し停止期間（図６では、波形２５Ｂの第２，第３
フィールドが対応）では、撮像素子１３からの信号が得
られないため、画像信号の記録を行わない。そのため、
撮像素子１３から画像信号が出力されない期間（信号読
み出し停止期間）は、フィールドメモリ１５に記録され
ている直前のデジタル画像信号が繰返し読み出され、図
示されていないＤ／Ａ変換器を通してアナログ画像信号
に戻されて再生され、連続した映像出力４０が得られ
る。

【０００８】これらのタイミングをとるものとして、間
欠走査の周期に対応するフィールド数の設定部（以下、
間欠フィールド数設定部と称す）１８Ｍと駆動回路１９
があり、間欠フィールド数設定部１８Ｍでは、１以上の
整数をデジタルスイッチ等により設定し、駆動回路１９
では各種の制御信号をこの間欠フィールド期間に同期さ
せて発生させ、これを撮像素子１３とフィールドメモリ
１５に加える。なお、撮像素子の読み出しを停止するに
は、ＣＣＤを使う場合にはその駆動クロックを停止する
ことで実現でき、撮像管を使う場合にはその電子ビーム
を遮断することで実現できる。実際に、例えば、高感度
光導電型撮像管を間欠増感させたものが、兼六館出版発
行の「放送技術、２月号、１９８１年」(１３２ページ
〜１３７ページ)に開示されており、また、天文台等で
用いられている冷却型ＣＣＤ撮像装置を間欠増感させた
ものが「テレビジョン学会誌、Vol.４４、No.２、１９
９０年」(１４７ページ〜１５１ページ）に開示されて
いる。そして、この間欠走査方式によれば、通常なら暗
くて撮影ができない低照度の条件においても明るい画像
が得られること、またカメラと被写体の相対的な動きが
少なければ、高い解像度が維持されること等の利点が確
かめられており、例えば、ガン細胞の分裂の様子や渦巻
き銀河星雲を観測する場合に用いられている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】このように、間欠走査
方式を用いることによってテレビカメラの感度を高める
ことができるが、従来のフィールド単位の間欠走査方式
では、読み出される画像信号は、間欠走査の蓄積期間分
（複数フィールド分）の時間遅れが生じる。従って、適
切な信号レベルの画像を得るために、読み出される画像
信号レベルを見ながら、間欠走査の蓄積期間を何回か変
えて条件を探るときには、その調整作業に多くの時間を
費やさなければならない。さらに、間欠走査の蓄積期間
がフィールド期間の整数倍しかとり得ないため、画像信
号の出力レベルの調整精度が粗いものとなってしまい、
木目細かな設定ができない。また、撮像素子の感度を変
える方法としては、上記間欠走査方式の他に、映像増幅
部の増幅率の制御や、超高感度光導電型撮像管の場合に
は該撮像管の光導電ターゲットの雪崩増倍率を制御する
方法がある。しかしながら、これらの方法の場合、信号
増幅部のゲインを大きくとりすぎるとノイズが増加す
る。特に、間欠期間が長くなると、フィールドメモリ上
で画像が静止している時間が長くなるため、通常読み出
しでは気にならないレベルのランダムノイズでも、画像
上に砂をまいたような固定パターンノイズとなって視覚
的に目立つ。また、撮像素子から発生する暗電流につい
ても、通常読み出しでは気にならないレベルであるが、
間欠時間が長くなると暗電流も蓄積されて大きくなり、
暗電流の画素毎のばらつきも強調されて視覚的に目立つ
ようになる。したがって、信号増幅部のゲインを大きく
とったまま間欠期間を長く設定すると画質を著しく劣化
させてしまうことになる。このように間欠走査方式では
感度と画質が相互に影響し合うため、それらを考慮した
カメラの最適な調整作業を短時間で行うことは非常に困
難である。

【００１０】しかしながら、例えば人間が近寄れない活
火山のテレビカメラによる監視等では、昼夜を問わず連
続した映像観測が重要であり、映像の欠落は観測の価値
を損なうことは言うに及ばない。しかるに、真昼の明る
さは、約１０万ルクスで、一方、月の無い真夜中の星明
りは、約０．０００３ルクスであるから、その照度差
は、約９桁と言う大きな値である。従って、これを撮影
するには、感度の異なる複数台のカメラを用いるなり、
一方の明るさに適したカメラを用いて他方の明るさにお
ける画質は犠牲にする等を余儀なくされている。また、
被写体の明るさを測定する照度計は、一般に利用でき
る、例えばＳｉ光検出器を用いた高感度のものでも、そ
の測定可能な最低被写体照度は０．０１ルクスである。
従って、それよりも暗い星明りの撮影に於いては、照度
計を用いた上記の間欠期間の算出は不可能である。

【００１１】本発明はこれらの欠点を除去し、極低照度
から高照度の撮像条件下に於いても適正な信号レベルの
画像を最短の時間で得ることができ、画像劣化を生じる
ことなく、自動感度調整範囲が飛躍的に増大した撮像装
置を提供することを目的とするものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するため、間欠動作を行う撮像装置において、画像信
号の所定の出力レベル（例えば、平均映像レベル）に応
じて、間欠動作の期間（電荷蓄積期間）、若しくはこの
間欠動作の期間（電荷蓄積期間）と共にゲインを制御
し、上記画像信号の所定の出力レベル（例えば、平均映
像レベル）が所定レベル範囲になるようにしたものであ
る。

【００１３】

【作用】本発明では、間欠走査における電荷蓄積期間に
対応するフィールド数が、画像信号の所定の出力レベル
（例えば、平均映像レベル）によって制御されるため、
極低照度撮像領域に於いても適正な画像信号レベルを最
短の時間で得ることができる。また、同時に信号増幅部
のゲインが制御されるため、ゲインが上がりすぎること
によって生じる画像劣化を回避しながら信号レベルを細
かく制御することができる。また、本発明を用いれば、
自動感度調整範囲が飛躍的に増大するため、１台のカメ
ラで、高照度の真昼から極低照度の星明りの明るさまで
の極めて広い照度領域を安定した高い画質で撮影するこ
とができる。本発明は、走査線本数を増加させて解像度
を高くしたテレビカメラに用いた場合にも同様の効果が
得られる。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の撮像装置の第１の実施例を図
１を用いて詳細に説明する。ただし、図７と同一部分に
は同一の符号を付し、その説明は省略する。図１の間欠
走査方式撮像装置は、間欠走査における電荷蓄積期間
(フィールド数)の制御と共に、信号増幅部のゲインを制
御して、例えば、画像信号出力の平均映像レベルが所定
のレベル（例えば、定格の７０％レベル）となるように
制御するものである。被写体１１からの光は、光学レン
ズ１２によって撮像素子１３上に結像され、間欠走査に
よる光電変換と時系列変換がなされ、これによって間欠
的に得られる画像信号はアンプ１４で増幅され、図示さ
れていないＡ／Ｄ変換器を通してデジタル化され、フィ
ールドメモリ１５に供給される。そして、フィールドメ
モリ１５に間欠的に記録されているデジタル画像信号は
繰返し読み出され、図示されていないＤ／Ａ変換器を通
してアナログ画像信号に戻されて再生され、連続した画
像出力４０が得られる。ここで、間欠走査における電荷
蓄積期間に対応するフィールド数の制御及び信号増幅部
のゲインを制御するために、まず、画像信号出力４０の
信号レベルをレベル検出器１６で検出する。この時、レ
ベル検出器１６はノイズ等の影響を避けるため、信号に
対して適当なフィルタリングを施してから、例えば、画
像信号出力４０の平均映像レベルを検出するようになさ
れている。

【００１５】次に、この検出器１６で得られた検出レベ
ルと、あらかじめ定めた基準電圧値（画像信号出力４０
において所定出力レベルを得るのに必要な値、例えば定
格の７０％レベル）V_REFとを電圧比較器１７により比較
する。そして、この検出信号レベルが基準電圧値V_REFよ
りも小さいときには、間欠フィールド数を増加するよう
に間欠フィールド数制御部１８が制御される。逆に、上
記検出信号レベルが基準電圧値V_REFよりも大きいときに
は、間欠フィールド数を減少するように間欠フィールド
数制御部１８が制御され、これが既に最小値であれば連
続読み出しになるよう制御される。また、間欠フィール
ド数制御部１８から駆動回路１９を制御し、間欠走査の
駆動を含む各種パルスを発生させると共に、間欠走査の
動作時にはゲイン制御部１４Ｇを制御して、アンプ１４
のゲインが上がり過ぎないように制御する。

【００１６】ここで、具体的な被写体照度下における感
度制御方法とその数値量について、図２を用いて実施例
をさらに詳しく説明する。間欠フィールド数は、下から
順番に４，８，１６，３２，６４，１２８，２５６の７
段階を設けた。間欠なしの時は通常の連続読み出し動作
である。信号増幅用のアンプ１４は、光量が十分ある時
に信号出力とアンプ雑音の比(Ｓ／Ｎ)が６０ｄＢ得られ
るように設定した。アンプ１４のゲインはこれを基準
(０ｄＢ)にして更に＋１２ｄＢ上げることができるが、
当然のことながらアンプ雑音が増加するため、この時の
Ｓ／Ｎは４８ｄＢにまで低下する。図２は、光量が２０
００ルクスから０．００２ルクスまで変化して、徐々に
暗くなっていった時の本実施例の各部の制御状態を示し
ている。

【００１７】まず、被写体照度１０００ルクスから６０
ルクスまでは、連続読み出しでアンプゲインは０ｄＢに
固定され、レンズ絞りのみが徐々に開放に向けて制御さ
れる。次に、６０ルクスから１５ルクスまでは、連続読
み出しでレンズ絞りは開放に固定され、アンプゲインの
みが０ｄＢから＋１２ｄＢまで徐々に増加するように制
御される。更に、１５ルクスから０．１ルクスまでは、
間欠動作が開始されると共にアンプゲインを制御して映
像出力レベルが一定になるように制御される。ここで、
アンプゲインは、間欠フィールド数がステップ状に倍倍
で変化するのを補う形で感度の微調整の役割を果たすと
共に、全体としては間欠フィールド数の増加にともなっ
てゲインが上がり過ぎない方向で制御される。なお、間
欠フィールド数の増減に対して比較の基準とする基準電
圧は、１００％基準信号レベルの７０％レベルに設定し
た。最後に、０．１ルクス以下のもっと暗い領域では、
最大感度を達成するためにノイズの増加は無視してアン
プゲインも増加させる。逆に暗い状態から明るい状態に
被写体照度が変化する場合には、これらの制御と逆の制
御が行われる。なお、撮像素子に超高感度の撮像管を用
いた場合には、図２の被写体照度が約２桁小さくなる
が、制御の相対的な形態は同様に行われる。

【００１８】以上説明したように、画像信号の所定の出
力レベル(例えば、平均映像レベル)が基準値（例えば、
定格の７０％レベル）を越えたときに、間欠フィールド
数及び信号増幅部のゲインの調整が行われ、画像信号の
出力レベル（例えば、平均映像レベル）が一定になるよ
うに制御される。したがって、本実施例を用いること
で、間欠フィールド数の設定に対し、従来長い時間を要
していたその調整作業が不要となり、即座に最適な間欠
フィールド数、すなわち電荷蓄積期間が自動的に設定さ
れ、低照度においても良好な画像が得られる。また、ア
ンプのゲインが上がりすぎることによって生じる画像劣
化を回避しながら信号レベルを細かく制御することがで
きる。以上のように、本発明によって、従来のアイリス
制御やフィルタ、シャッタ等の感度調整（約１０の６剰
程度）に加え、間欠走査により、例えば１／６０から２
０秒（約１０の３剰）の感度調整が行えるため、自動感
度調整範囲が飛躍的に増大し、高照度の真昼から極低照
度の星明りまでの広い照度範囲を１台のカメラで高画質
に撮影することが可能となる。

【００１９】次に、本発明の第２の実施例を図３を用い
て詳細に説明する。ただし、図１と同一部分には同一の
符号を付し、その説明を省略する。図３の間欠走査方式
の撮像装置は、間欠フィールド数を制御して、信号出力
４０の例えば、平均映像レベルが所定のレベル範囲とな
るように制御するもので、前述の第１の実施例とは異な
り、間欠走査か連続走査かの選択は手動でスイッチを切
り替えて行うようにしている。まず、信号出力４０の例
えば平均映像レベルをレベル検出器１６で検出する。こ
の時、レベル検出器１６はノイズ等の影響を避けるた
め、信号に対して適当なフィルタリングを施してから信
号出力４０の平均映像レベルを検出するようになされて
いる。次に、この検出器１６で得られた検出レベルと、
あらかじめ定めた上限基準電圧値(例えば、定格の９５
％レベル)Ｖ_REFaを電圧比較器１７ａにより比較する。
同様に、検出器１６で得られた検出レベルと、あらかじ
め定めた下限基準電圧値(例えば、定格の４５％レベル)
Ｖ_REFbを電圧比較器１７ｂにより比較する。これら２つ
の電圧比較器１７ａ，１７ｂの出力を間欠フィールド数
制御部１８に与え、ここで、信号の検出レベルが上限基
準電圧値Ｖ_REFaよりも大きいときには間欠フィールド数
を減少するように、逆に信号の検出レベルが下限基準電
圧値Ｖ_REFbよりも小さいときには間欠フィールド数を増
加するように、そして、信号の検出レベルが上限基準電
圧値Ｖ_REFaと下限基準電圧値Ｖ_REFbの間にあれば間欠フ
ィールド数を増減しないように、間欠フィールド数制御
部１８が制御される。

【００２０】また、間欠フィールド数制御部１８は、間
欠走査の駆動を含む各種パルスを発生する駆動回路１９
を制御する。さらに、間欠走査の動作選択時には、スイ
ッチＳＷ１〜ＳＷ３がいずれも下側に倒され、ゲイン制
御部１４Ｇの入力部はアンプ１４のゲインを適度に抑制
するように制御される。一方、間欠走査を行わないと
き、すなわち、連続走査の動作を選択する時は、スイッ
チＳＷ１〜ＳＷ３がすべて上側に倒され、スイッチＳＷ
１がオープンとなり、駆動回路１９から通常（連続走
査）の読み出しクロックが発生し、連続走査に対応して
読み出された映像信号が、フィールドメモリ１５を迂回
してスイッチＳＷ２より読み出される。更に、スイッチ
ＳＷ３によりレベル検出器１６からの出力でゲイン制御
部１４Ｇが制御され、例えば、信号出力４０の平均映像
レベルが所定値より小さいときはアンプ１４のゲインを
大きく、また、信号出力４０の平均映像レベルが所定値
より大きいときは、アンプ１４のゲインを小さくするよ
うに制御される。

【００２１】以上説明したように、画像信号の所定の出
力レベル(例えば、平均映像レベル)が基準値を越えたと
きに、間欠フィールド数が制御され、例えば、画像信号
の平均映像出力レベルが一定の範囲になるように制御さ
れると共に、信号増幅部のゲインが抑圧されるように制
御され、前述第１の実施例と同様の効果が得られる。な
お、以上説明した第１，第２の実施例では、間欠走査期
間をフィールド数としたが、これはフィールド数に限定
されるものではなく、フレーム数としても良い。また、
電圧比較器は段数を増やしてもよく、Ａ／Ｄ変換器を用
いても良い。さらに、本発明を従来からあるレンズの自
動絞り機構等と組み合わせる構成としてもなんら差し支
えなく、全体の制御にマイクロコンピュータを用いても
良い。

【００２２】

【発明の効果】本発明によれば、間欠フィールド数の設
定に対し、従来長い時間を要していたその調整作業が不
要となり、即座に最適な間欠フィールド数、すなわち電
荷蓄積期間が自動的に設定され、自動感度調整範囲が飛
躍的に増大し、真昼から星明りまでの広い照度範囲を１
台のカメラで高画質に撮影することが可能となる。ま
た、アンプのゲインが上がりすぎることによって生じる
画像劣化を回避しながら信号レベルを細かく制御するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の撮像装置の第１の実施例の構成を示す
ブロック図。

【図２】本発明の撮像装置の感度制御動作を説明する
図。

【図３】本発明の撮像装置の第２の実施例の構成を示す
ブロック図。

【図４】一般的なインターライン・トランスファ方式Ｃ
ＣＤの構成を示す模式図。

【図５】一般的な光導電型撮像管の構成を示す模式図。

【図６】一般的な間欠走査方式の動作を説明するための
波形図。

【図７】従来の撮像装置の構成を示すブロック図。

【符号の説明】

１３：撮像素子、１４：アンプ、１４Ｇ：ゲイン制御
部、１５：フィールドメモリ、１６：レベル検出器、１
７，１７ａ，１７ｂ：電圧比較器、１８：間欠フィール
ド数制御部、１９：駆動回路、ＳＷ１〜ＳＷ３：スイッ
チ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者橘川俊哉東京都世田谷区砧一丁目10番11号日本放送協会放送技術研究所内 (72)発明者本坊正典東京都小平市御幸町32番地日立電子株式会社小金井工場内 (72)発明者大岡正治東京都小平市御幸町32番地日立電子株式会社小金井工場内 (72)発明者吉田哲男東京都小平市御幸町32番地日立電子株式会社小金井工場内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光学画像を電気信号に変換する撮像素子
とこれを電気的に制御して画像信号を読み出す回路を具
備した撮像装置を用い、１フィールドの信号読み出し期
間に続く少なくとも１フィールドの読み出し停止期間を
設けて、間欠読み出し動作を行う撮像装置において、上
記画像信号の所定の出力レベルに応じて、間欠動作の期
間(電荷蓄積期間)、若しくは該間欠動作の期間(電荷蓄
積期間)と共に上記画像信号のゲインを制御し、上記画
像信号の所定の出力レベルを所定レベル範囲に制御する
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】上記撮像素子を、非晶質セレンを主成分
としたターゲットを用い、当該ターゲット内で雪崩増倍
を利用した高感度撮像管で構成したことを特徴とする請
求項１記載の撮像装置。