JPH07225475A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
感放射線性樹脂組成物Info
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- JPH07225475A JPH07225475A JP6017289A JP1728994A JPH07225475A JP H07225475 A JPH07225475 A JP H07225475A JP 6017289 A JP6017289 A JP 6017289A JP 1728994 A JP1728994 A JP 1728994A JP H07225475 A JPH07225475 A JP H07225475A
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Abstract
脂組成物であって、例えば下記式 【化1】 で表わされる化合物の1,2−キノンジアジドスルホン
酸エステルを含有することを特徴とする感放射線性樹脂
組成物。 【効果】 本発明の感放射線性樹脂組成物は、現像性に
優れているとともに高解像度であり、特に、良好な溶解
性コントラスト(γ値)を備えたポジ型レジストとして
好適に使用できる。
Description
含有する感放射線性樹脂組成物に関する。さらに詳しく
は紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等の放射線に感
応する高集積回路作製用レジストとして好適な感放射線
性樹脂組成物に関する。
パターンが得られるため、集積回路の製造において多く
用いられているが、近年における集積回路の高集積化に
伴って、より解像度の向上したレジストパターンを形成
できるポジ型レジストが望まれている。すなわち、ポジ
型レジストによって微細なレジストパターンを形成する
場合、放射線照射により形成される潜像をアルカリ性水
溶液からなる現像液で現像する際に、放射線照射部がウ
ェハーと接している部分(パターンの裾部)まで速やか
に現像されることが必要である。また、高解像度を実現
するためには、ある放射線照射量を境にして急激に現像
液に対するレジストの溶解性が変化する必要がある。つ
まり、ある特定の放射線照射量以下では現像液に溶解せ
ず、その放射線照射量以上では現像液に速やかに溶解す
ること(溶解性コントラストがつくこと)が必要であ
る。
な感放射線性樹脂組成物を提供することにある。本発明
の他の目的は、現像性に優れると共に高解像度であり、
特に良好な溶解性コントラスト(以下、γ値という)を
備えたポジ型レジストとして好適な感放射線性樹脂組成
物を提供することにある。
的および利点は、アルカリ可溶性樹脂および下記式
(1)
または異なり、水素原子、アルキル基、アルコキシ基ま
たは−ODで示される基(但し、Dは水素原子または
1,2−キノンジアジド基を含有する有機基である。)
であり、そしてR1〜R3は、同一または異なり、アルキ
ル基である。但し、X1〜X5およびX6〜X10のそれぞ
れの組み合せにおいて、少なくとも1つは−ODで示さ
れる基であり、これら−ODで示される基の複数個のD
の少なくとも1つは1,2−キノンジアジド基を含有す
る有機基である。]で表わされる1,2−キノンジアジ
ド化合物を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組
成物によって達成される。
により、本発明の目的、構成および効果がより明確とな
るであろう。
「樹脂(A)」と称する。)としては、例えばノボラッ
ク樹脂、ポリビニルフェノールまたはその誘導体、スチ
レン−無水マレイン酸共重合体、ポリビニルヒドロキシ
ベンゾエート、カルボキシル基含有メタアクリル酸系樹
脂等を挙げることができる。
単独でまたは2種以上組み合わせて用いることができ
る。
ある。特に好ましいノボラック樹脂は、下記式(2)
ある。)で表わされるフェノール類とアルデヒド類とを
重縮合することによって得られるものである。
レゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、2,3−
キシレノール、2,5−キシレノール、3,4−キシレノ
ール、3,5−キシレノール、2,3,5−トリメチルフ
ェノール、3,4,5−トリメチルフェノール等を挙げる
ことができる。特にo−クレゾール、m−クレゾール、
p−クレゾール、2,3−キシレノール、2,5−キシレ
ノール、3,4−キシレノール、3,5−キシレノールお
よび2,3,5−トリメチルフェノールが好ましい。これ
らのフェノール類は、単独でまたは2種以上組み合わせ
て用いられる。とりわけ、m−クレゾール/2,3−キ
シレノール/3,4−キシレノール=20〜95/5〜
80/0〜75(重量比)およびm−クレゾール/2,
3,5−トリメチルフェノール/2,3−キシレノール=
20〜95/5〜80/0〜75(重量比)の組み合わ
せが特に好ましい。
ルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、トリオ
キサン、パラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、ア
セトアルデヒド、プロピルアルデヒド、フェニルアセト
アルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フ
ェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアル
デヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、
m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデ
ヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズ
アルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メチル
ベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−
メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒ
ド、p−n−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール等
を好ましいものとして挙げることができる。これらのう
ち、ホルムアルデヒドを特に好適に用いることができ
る。
は、例えばホルマリン、トリオキサン、パラホルムアル
デヒド、メチルヘミホルマール、エチルヘミホルマー
ル、プロピルヘミホルマール、ブチルヘミホルマール、
フェニルヘミホルマール等を挙げることができる。これ
らのうち、ホルマリンとブチルヘミホルマールを特に好
適に用いることができる。
以上を組み合わせて用いることができる。アルデヒド類
の使用量は、フェノール類1モルに対し、0.7〜3モ
ルが好ましく、より好ましくは0.8〜1.5モルであ
る。
応には、通常、酸性触媒が使用される。この酸性触媒と
しては、例えば塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、酢
酸等を挙げることができる。これらの酸性触媒の使用量
は、通常、フェノール類1モルに対し、1×10-5〜5
×10-1モルである。
して水が使用されるが、重縮合反応に用いられるフェノ
ール類がアルデヒド類の水溶液に溶解せず、反応初期か
ら不均一系になる場合は、反応媒質として親水性溶媒を
使用することもできる。これらの親水性溶媒としては、
例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ
ール等のアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン等の環状エーテル類等が挙げられる。これらの反応媒
質の使用量は、通常、反応原料100重量部当り、20
〜1,000重量部である。重縮合反応の温度は、反応
原料の反応性に応じて、適宜調整することができるが、
通常10〜200℃である。重縮合反応の方法として
は、フェノール類、アルデヒド類、酸性触媒等を一括し
て仕込む方法および酸性触媒の存在下にフェノール類、
アルデヒド類等を反応の進行とともに加えていく方法を
採用することができる。重縮合反応の終了後、系内に存
在する未反応原料、酸性触媒、反応媒質等を除去するた
めに、一般的には、反応系の温度を130〜230℃に
上昇させ、減圧下で揮発分を留去し、ノボラック樹脂を
回収する。
脂のポリスチレン換算重量平均分子量(以下、「Mw」
と称する。)は、本発明の組成物を基材へ塗布する際の
作業性、組成物の現像性、感度および耐熱性の点から、
2,000〜20,000であることが好ましく、3,0
00〜15,000であることが特に好ましい。
めには、上記等の方法により得られたノボラック樹脂
を、エチルセロソルブアセテート、ジオキサン、メタノ
ール、酢酸エチル等の良溶媒に溶解したのち、水、n−
ヘキサン、n−ヘプタン等の貧溶媒を混合し、次いで析
出する樹脂溶液層を分離し、高分子量のノボラック樹脂
を回収すればよい。
促進する目的で、低分子量のフェノール化合物を溶解促
進剤として添加することもできる。この低分子量のフェ
ノール化合物としては、ベンゼン環数が2〜6のフェノ
ール化合物が好適であり、例えば下記式(3−1)〜
(3−8)で表わされる化合物を例示することができ
る。なかでも式(3−8)で表わされる化合物が好まし
く、特に1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)
エタンおよび1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
−1−フェニルエタンが好ましい。
a、bおよびcは、それぞれ0〜3の数であり(但し、
いずれも0の場合は除く)、x、yおよびzはそれぞれ
0〜3の数であり、a+x≦5、b+y≦5、c+z≦
5(ただし、式(3−4)〜(3−6)の場合はb+y
≦4である)を満足する。]
量は、通常、樹脂(A)100重量部に対し50重量部
以下である。
部を溶解促進剤として作用する、低分子量のアルカリ可
溶性ノボラック樹脂またはアルカリ可溶性レゾール樹脂
(以下、「樹脂(B)」と称する。)とおきかえること
ができる。
デヒド類の重縮合によって得られるが、フェノール類と
しては、前記ノボラック樹脂の合成に用いられるフェノ
ール類として例示したもの以外に、フェノール、1−ナ
フトール、2−ナフトール等を使用することができる。
またアルデヒド類としては、前記ノボラック樹脂の合成
に用いられるものを使用することができる。この場合の
アルデヒド類の使用量は、フェノール類1モルに対し
て、通常、0.2〜0.8モルである。またこの重縮合反
応においては、ノボラック樹脂の製造に用いる酸性触媒
以外にアルカリ性触媒を用いることができる。
0未満であることが好ましく、300〜1,000であ
ることが特に好ましい。このような樹脂(B)として
は、フェノール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹
脂、m−クレゾール/ホルムアルデビト縮合ノボラック
樹脂、p−クレゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラッ
ク樹脂、o−クレゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラ
ック樹脂、m−クレゾール/p−クレゾール/ホルムア
ルデヒド縮合ノボラック樹脂などを挙げることができ
る。かかる樹脂(B)の配合量は、一般に、樹脂(A)
100重量部中に、50重量部以下である。
て前記式(1)で表わされる1,2−キノンジアジド化
合物を含有する。
子、アルキル基、アルコキシ基および−ODで示される
基(但し、Dは水素原子または1,2−キノンジアジド
基を含有する有機基である。)の中から選択される基で
あり、かつX1〜X5およびX 6〜X10のそれぞれの組み
合せにおいて、少なくとも1個はODで示される基(以
下、「OD基」という。)である。
4のアルキル基が好適であり、具体的にはメチル基、エ
チル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル
基、t−ブチル基等を例示することができる。またアル
コキシ基としては、炭素数1〜4のアルコキシが好適で
あり、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基等を例示することができる。
は異なり、アルキル基を示す。ここで、アルキル基とし
ては、上記X1〜X10の場合と同様のものを例示するこ
とができる。特に、メチル基が好ましい。
ジド基を含有する有機基としては、例えば1,2−ベン
ゾキノンジアジド−4−スルホニル基、1,2−ナフト
キノンジアジド−4−スルホニル基、1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホニル基、1,2−ナフトキノ
ンジアジド−6−スルホニル基等の1,2−キノンジア
ジドスルホニル基を好ましいものとして挙げることがで
きる。その中で、1,2−ナフトキノンジアジド−4−
スルホニル基および1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホニル基が特に好適である。
ある場合に相当する化合物、すなわち前記−OD基が水
酸基である場合に相当する化合物は式(1)で表わされ
る1,2−キノンジアジド化合物の前駆体である(以
下、この前駆体を「化合物(a)」と称する)。化合物
(a)の具体例としては、下記式(4−1)〜(4−1
7)で表わされる化合物を挙げることができる。
される化合物は、例えばフェノール類とイソプロペニル
シクロヘキセン類を酸性触媒を用いて縮合させることに
より合成することができる。このフェノール類として
は、フェノール、o−クレゾール、p−クレゾール、o
−メトキシフェノール、2,4−キシレノール、2,5−
キシレノール、2,6−キシレノール、3,4−キシレノ
ール、レゾルシノール、2−メチルレゾルシノール、カ
テコール、ホモカテコール、ハイドロキノン、メチルハ
イドロキノン、ピロガロール、フロログルシノール、ヒ
ドロキシハイドロキノン等を好ましいものとして挙げる
ことができる。また、イソプロペニルシクロヘキセン類
としては、ジペンテン、リモネン等を好ましい物として
挙げることができる。
ンジアジド化合物の具体例としては、(4−1)〜(4
−17)で表わされる化合物の1,2−ベンゾキノンジ
アジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノ
ンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸エステル、1,2−ナ
フトキノンジアジド−6−スルホン酸エステル等を挙げ
ることができる。中でも好ましいものは、1,2−ナフ
トキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル等であ
る。
ジド化合物は、例えば化合物(a)と1,2−ナフトキ
ノンジアジド−4−スルホニルクロリド、1,2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホニルクロリド等の1,2
−キノンジアジドスルホニルハライドとのエステル化反
応により得ることができる。エステル化反応において、
化合物(a)と1,2−キノンジアジドスルホニルハラ
イドとの反応割合は、化合物(a)のフェノール性水酸
基1モル当量に対し、1,2−キノンジアジドスルホニ
ルハライドが、好ましくは0.2〜1モルであり、特に
好ましくは0.4〜1.0モルであり、これらをトリエチ
ルアミン、ピリジン等の塩基性触媒の存在下に反応させ
ることにより得られる。
わされる1,2−キノンジアジド化合物を樹脂(A)1
00重量部当り、5〜50重量部、特に10〜40重量
部の割合で使用することが好ましい。また式(1)で表
わされる1,2−キノンジアジド化合物は、単独である
いは2種以上を組合せて使用することができる。
1,2−キノンジアジド化合物と併用して、他の1,2−
ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,
2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ル等の1,2−キノンジアジド化合物を配合することが
できる。このような1,2−キノンジアジド化合物とし
ては、例えば2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン
の1,2−キノンジアジド化合物、2,3,4,4'−テト
ラヒドロキシベンゾフェノンの1,2−キノンジアジド
化合物、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)
エタンの1,2−キノンジアジド化合物等を挙げること
ができる。
ノンジアジド化合物の配合量は、樹脂(A)100重量
部に対して、好ましくは100重量部以下である。
キノンジアジドスルホニル残基の総量は、組成物中の全
固形分に対する割合として、好ましくは5〜50重量
%、より好ましくは10〜30重量%となるように調節
される。
等の各種添加剤を配合することができる。
るために配合されるものである。このような増感剤とし
ては、例えば2H−ピリド−[3,2−b]−1,4−オ
キサジン−3(4H)−オン類、10H−ピリド−
[3,2−b]−1,4−ベンゾチアジン類、ウラゾール
類、ヒダントイン類、パルビツール酸類、グリシン無水
物類、1−ヒドロキシベンゾトリアゾール類、アロキサ
ン類、マレイミド類等が挙げられる。これらの増感剤の
配合量は、樹脂(A)100重量部に対し、好ましくは
50重量部以下である。
や現像性を改良するために配合されるものである。この
ような界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレン
ラウリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテ
ル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポ
リオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリエチレ
ングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジ
ステアレート、エフトップ EF301、EF303、
EF352(商品名、新秋田化成社製)、メガファック
F171、F172、F173(商品名、大日本インキ
化学工業社製)、フロラード FC430、FC431
(商品名、住友スリーエム社製)、アサヒガード AG
710、サーフロン S−382、SC−101、SC
−102、SC−103、SC−104、SC−10
5、SC−106(商品名、旭硝子社製)、KP341
(商品名、信越化学工業社製)、ポリフローNo.7
5、No.95(商品名、共栄社油脂化学工業社製)等
が挙げられる。これらの界面活性剤の配合量は、組成物
の固形分100重量部当り、好ましくは2重量部以下で
ある。
の潜像を可視化させ、放射線照射時のハレーションの影
響を少なくするために、染料や顔料を配合することがで
き、また接着性を改善するために、接着助剤を配合する
こともできる。さらに必要に応じて保存安定剤、消泡剤
等も配合することができる。
で表わされる1,2−キノンジアジド化合物、並びに必
要に応じて用いられる溶解促進剤、各種添加剤等を、例
えば固形分濃度が20〜40重量%となるように溶剤に
溶解し、孔径0.2μm程度のフィルターで濾過するこ
とによって調製される。
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリ
コールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコー
ルモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテ
ート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノン、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2
−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキ
シ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ
−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシプロピオン
酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−メト
キシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸ブチル等を挙げることができ
る。さらに、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチ
ルホルムアミド、N−メチルホルムアニリド、N−メチ
ルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−
メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエ
チルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセト
ン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタ
ノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベ
ンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン
酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸
プロピレン、フェニルセロソルブアセテート等の高沸点
溶剤を添加することもできる。これらの溶剤は、単独で
あるいは2種以上を組み合わせて使用される。
布、流延塗布、ロール塗布等によって、例えばシリコン
ウェハーまたはアルミニウム等が被覆されたウェハーに
塗布しプレベークすることによりレジスト被膜を形成
し、所望のレジストパターンを形成するようにレジスト
被膜に放射線を照射し、現像液で現像することによりパ
ターンの形成が行われる。
i線等の紫外線が好ましく用いられるが、エキシマレー
ザー等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX線、電
子線等の荷電粒子線の如き放射線を用いることもでき
る。
成し、プレベークおよび放射線照射を行った後、70〜
140℃で加熱する操作を行い、その後に現像すること
によって、本発明の効果をさらに向上させることもでき
る。
しては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭
酸ナトリウム、硅酸ナトリウム、メタ硅酸ナトリウム、
アンモニア水、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジ
エチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルア
ミン、ジエチルメチルアミン、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシ
ド、コリン、ピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビ
シクロ−[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジア
ザビシクロ−[4.3.0]−5−ノネン等のアルカリ性
化合物を、濃度が、例えば1〜10重量%となるように
溶解したアルカリ性水溶液が使用される。また、前記現
像液には、水溶性有機溶媒、例えばメタノール、エタノ
ール等のアルコール類や界面活性剤を適量添加すること
もできる。なお、このようなアルカリ性水溶液からなる
現像液を使用した場合は、一般的には、現像後、水で洗
浄する。
が、本発明はこれらの実施例によって、なんら制約され
るものではない。なお、実施例中のMwの測定およびレ
ジストの評価は、以下の方法により行った。
0H6:2本、G3000H6:1本、G4000H6:
1本)を用い、流量1.0ml/分、溶出溶媒テトラヒ
ドロフラン、カラム温度40℃の分析条件で、単分散ポ
リスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマト
グラフ法により測定した。
05i7A縮小投影露光機(レンズ開口数:0.50)
で波長365nmのi線を用いて露光を行い、0.4μ
mのライン・アンド・スペースパターンを1対1に解像
するときの露光量を感度として、その露光時間を測定し
た。またその際、膜減りすることなく分離するライン・
アンド・スペースパターンの最小の寸法を解像度として
走査型電子顕微鏡で測定した。
るパターン形成後のスカムや現像残りの程度を走査型電
子顕微鏡を用いて調べた。
(=残膜厚/初期膜厚)をプロットし、その傾きをγ値
とした。この値が大きいほど現像時の溶解性コントラス
トが高いことを意味する。
アルデヒド:0.75モル) シュウ酸2水和物 6.3g(0.05モル) 水 52.6g および ジオキサン 182g を仕込み、オートクレーブを油浴に浸し、内温を130
℃に保持して攪拌しながら8時間重縮合反応を行った。
反応終了後、室温まで冷却し、内容物をビーカーに取り
出した。このビーカー内で2層に分離したのち、下層を
取り出し、濃縮し、脱水し、乾燥してノボラック樹脂を
回収した。この樹脂を、樹脂(A1)という。樹脂A1
のMwは8,600であった。
アルデヒド:0.9モル) シュウ酸2水和物 6.3g(0.05モル) 水 79.4g および ジオキサン 383.9g を仕込み、オートクレーブを油浴に浸し、内温を130
℃に保持して攪拌しながら8時間重縮合反応を行った。
反応終了後、室温まで冷却し、内容物をビーカーに取り
出した。このビーカー内で2層に分離したのち、下層を
取り出し、濃縮し、脱水し、乾燥してノボラック樹脂を
回収した。この樹脂を、樹脂(A2)という。樹脂A2
のMwは7,800であった。
(0.63モル) 2,3,5−トリメチルフェノール 10.0g
(0.073モル) p−クレゾール 31.8g
(0.29モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 107.1g(ホ
ルムアルデヒド:1.32モル) および シュウ酸2水和物 1.33g(1.06×10-2
モル) を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保
持して攪拌しながら30分間重縮合反応を行った。反応
終了後、油浴温度を180℃まで上昇させ、同時にフラ
スコ内の圧力を30〜50mmHgまで減圧し、水、シ
ュウ酸、未反応原料等を除去し、溶融した樹脂を室温に
戻して回収した。この樹脂を(A3)という。樹脂(A
3)のMwは7,200であった。〈式(1)で表わさ
れる1,2−キノンジアジド化合物の合成〉以下におい
て、前記式(4−1)で表わされる化合物を(a−
1)、前記式(4−2)で表わされる化合物を(a−
2)と略称する。
ラスコに、 化合物(a−1) 36.4g(0.1モル) 1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリ
ド24.2g(0.09モル) および ジオキサン 202g を仕込み、攪拌しながら溶解させた。ついで、フラスコ
を30℃の水浴中に浸し、内温が30℃一定となった時
点で、この溶液に トリエチルアミン 10.0g(0.10モ
ル) を、内温が35℃を越えないように滴下ロートを用いて
ゆっくり滴下した。その後、析出したトリエチルアミン
塩酸塩を濾過により取り除き、濾液を大量の希塩酸中に
注ぎ込んで析出させ、ついで析出物を濾取し、40℃に
コントロールされた加熱真空乾燥器で一昼夜乾燥して
1,2−キノンジアジド化合物を得た。この化合物(b
−1)という。
ル) 1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリ
ド21.5g(0.08モル) トリエチルアミン 9.1g(0.09モ
ル) および ジオキサン 156g を使用した他は合成例4と同様にして1,2−キノンジ
アジド化合物を得た。この化合物を(b−1)という。
成〉合成例6 2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン24.
6g(0.10モル) 1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリ
ド80.6g(0.30モル) および トリエチルアミン 44.5g(0.
44モル) を使用した他は合成例4と同様にしてキノンジアジド化
合物(イ)を得た。
0.6g(0.1モル) 1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリ
ド67.2g(0.25モル) および トリエチルアミン 25.3g(0.
28モル) を使用した他は合成例4と同様にしてキノンジアジド化
合物(ロ)を得た。
ルカリ可溶性樹脂、1,2−キノンジアジド化合物およ
び必要に応じて溶解促進剤ならびに溶剤を混合して、均
一溶液としたのち、孔径0.2μmのメンブランフィル
ターで濾過し、組成物の溶液を調製した。得られた溶液
をシリコン酸化膜を有するシリコンウェハー上にスピン
ナーを用いて塗布したのち、ホットプレート上で90℃
にて2分間プレベークして厚さ1.1μmのレジスト膜
を形成した。レチクルを介して前記のように波長365
nm(i線)を用いて露光したのち、110℃で1分間
ベークした。次いで、2.38重量%テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液を用い、23℃で1分間、
浸漬法により現像してレジストパターンを形成し、流水
にて30秒間リンスした後乾燥した。得られたレジスト
パターンの性能を調べた。結果を表1に示す。
類は次のとおりである。 溶解促進剤 α:1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタ
ン β:1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フ
ェニルエタン 溶剤 S1:2−ヒドロキシプロピオン酸エチル S2:3−エトキシプロピオン酸エチル
性に優れているとともに高解像度であり、特に、良好な
溶解性コントラスト(γ値)を備えたポジ型レジストと
して好適に使用できる。
Claims (1)
- 【請求項1】 アルカリ可溶性樹脂および下記一般式
(1) 【化1】 [式(1)において、X1〜X10は、同一または異な
り、水素原子、アルキル基、アルコキシ基または−OD
で示される基(但し、Dは水素原子または1,2−キノ
ンジアジド基を含有する有機基である。)であり、そし
てR1〜R3は、同一または異なり、アルキル基である。
但し、X1〜X5およびX6〜X10のそれぞれの組み合せ
において、少なくとも1つは−ODで示される基であ
り、これら−ODで示される基の複数個のDの少なくと
も1つは1,2−キノンジアジド基を含有する有機基で
ある。]で表わされる1,2−キノンジアジド化合物を
含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01728994A JP3367087B2 (ja) | 1994-02-14 | 1994-02-14 | 感放射線性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01728994A JP3367087B2 (ja) | 1994-02-14 | 1994-02-14 | 感放射線性樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07225475A true JPH07225475A (ja) | 1995-08-22 |
JP3367087B2 JP3367087B2 (ja) | 2003-01-14 |
Family
ID=11939836
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP01728994A Expired - Fee Related JP3367087B2 (ja) | 1994-02-14 | 1994-02-14 | 感放射線性樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3367087B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008058548A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、およびそれを用いた半導体装置、表示素子。 |
-
1994
- 1994-02-14 JP JP01728994A patent/JP3367087B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008058548A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、およびそれを用いた半導体装置、表示素子。 |
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