JPH0689026A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
感放射線性樹脂組成物Info
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- JPH0689026A JPH0689026A JP3244397A JP24439791A JPH0689026A JP H0689026 A JPH0689026 A JP H0689026A JP 3244397 A JP3244397 A JP 3244397A JP 24439791 A JP24439791 A JP 24439791A JP H0689026 A JPH0689026 A JP H0689026A
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Abstract
性樹脂と特定のポリヒドロキシ化合物およびその誘導体
の少なくとも何れかを配合したことを特徴とする。 【効果】 本発明の組成物は、現像性および耐熱性に優
れ、高解像度で、特に溶解性コントラストに優れたポジ
型レジストとして好適に使用できる。
Description
有する感放射線性樹脂組成物に関し、さらに詳しくは紫
外線、遠紫外線、X線、電子線、分子線、γ線、シンク
ロトロン放射線、プロトンビームなどの放射線に感応す
る高集積回路作製用レジストとして好適な感放射線性樹
脂組成物に関する。
パターンが得られるため集積回路の製造において多く用
いられているが、近年における集積回路の高集積化に伴
なって、より解像度の向上したレジストパターンを形成
できるポジ型レジストが望まれている。すなわち、ポジ
型レジストによって微細なレジストパターンを形成する
場合、放射線照射により形成される潜像をアルカリ性水
溶液からなる現像液で現像する際に、放射線照射部がウ
ェハーと接している部分(パターンの裾)まで速やかに
現像されることが必要である。しかしながら、従来のポ
ジ型レジストの場合、形成すべきレジストパターンの間
隔が0.8μm以下になると、スカムと呼ばれる現像残
りを発生しやすく、現像性に問題があった。また、高解
像度を実現するためには、ある放射線照射量を境にして
急激に現像液に対するレジストの溶解性が変化する必要
がある。つまり、ある放射線照射量以下では現像液に溶
解せず、ある放射線照射量以上では現像液に速やかに溶
解すること(溶解性コントラストがつくこと)が必要で
ある。
樹脂組成物を提供することにある。本発明の他の目的
は、現像性および耐熱性に優れ、高解像度で、特に溶解
性コントラストに優れたポジ型レジストとして好適な感
放射線性樹脂組成物を提供することにある。本発明のさ
らに他の目的および利点は、以下の説明から明らかとな
ろう。
の上記目的および利点は、ポリスチレン換算重量平均分
子量(以下、「Mw」と称する)が2,000〜20,
000であるアルカリ可溶性樹脂(以下、「樹脂
(A)」と称する)ならびに下記式(1)
下、Dの全てが水素原子である化合物を「化合物
(A)」と称する)およびその誘導体(以下、Dの少な
くとも1個が1,2−キノンジアジド基を有する有機基
である化合物を「化合物(B)」と称する)の少なくと
も何れかを含有していることを特徴とする感放射線性樹
脂組成物によって達成される。
ノボラック樹脂、レゾール樹脂、ポリビニルフェノール
もしくはその誘導体、スチレン−無水マレイン酸共重合
体、ポリビニルヒドロキシベンゾエート、カルボキシル
基含有メタクリル酸系樹脂などを挙げることができ、特
にノボラック樹脂が好適に使用される。また、ノボラッ
ク樹脂のうちでも下記式(2)で表わされるフェノール
類とアルデヒド類とを重縮合することによって得られた
ものが、特に好適である。
o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、
2,3−キシレノール、2,5−キシレノール、3,4
−キシレノール、3,5−キシレノール、2,3,5−
トリメチルフェノール、3,4,5−トリメチルフェノ
ールなどを挙げることができ、中でもo−クレゾール、
m−クレゾール、p−クレゾール、2,3−キシレノー
ル、2,5−キシレノール、3,5−キシレノールおよ
び2,3,5−トリメチルフェノールなどが好ましい。
これらのフェノール類は単独で、または2種以上組み合
わせて用いられる。ここで、フェノール類の組み合わせ
としては、好ましくはm−クレゾール/3,5−キシレ
ノール/p−クレゾール=95〜20/5〜80/0〜
75(モル比)、またはm−クレゾール/2,3,5−
トリメチルフェノール/p−クレゾール=95〜30/
5〜70/0〜65(モル比)を挙げることができる。
ルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、トリオ
キサン、パラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、ア
セトアルデヒド、プロピルアルデヒド、フェニルアセト
アルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フ
ェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアル
デヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、
m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデ
ヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズ
アルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メチル
ベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−
メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒ
ド、p−n−ブチルベンズアルデヒド、フルフラールな
どを挙げることができ、特にホルムアルデヒドを好適に
用いることができる。なお、ホルムアルデヒド発生源と
しては、ホルマリン、トリオキサン、パラホルムアルデ
ヒド、およびメチルヘミホルマール、エチルヘミホルマ
ール、プロピルヘミホルマール、ブチルヘミホルマー
ル、フェニルヘミホルマールなどのヘミホルマール類を
挙げることができ、特にホルマリンおよびブチルヘミホ
ルマールを好適に用いることができる。これらのアルデ
ヒド類も単独で、または2種以上を組み合わせて用いる
ことができる。
は、ポリスチレン換算重量平均分子量(以下、「Mw」
と称する)が2,000〜20,000の範囲であり、
3,000〜15,000の範囲であることが好まし
い。Mwが20,000を超えると、本発明の組成物を
ウェハーに均一に塗布することが困難であり、さらに現
像性および感度が低下する。またMwが2,000未満
であると、耐熱性が低下する。
れる化合物(A)または化合物(B)の少なくとも1種
が配合される。式(1)のX1 〜X13におけるアルキル
基としては、炭素数4以下のものが好適であり、具体的
には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロ
ピル基、n−ブチル基、t−ブチル基などを例示するこ
とができる。またアルコキシ基としては、炭素数4以下
のものが好適であり、具体的には、メトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基、ブトキシ基などを例示することが
できる。Rは、水素原子またはアルキル基を示し、この
アルキル基としては、上記X1 〜X13の場合と同様に炭
素数4以下のアルキル基が好適である。また、OD基に
おけるDの1,2−キノンジアジド基を含有する有機基
としては、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホ
ニル基、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニ
ル基、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニル
基などの1,2−キノンジアジドスルホニル基を挙げる
ことができ、その中でも1,2−ナフトキノンジアジド
−4−スルホニル基および1,2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホニル基が好適である。かかる化合物
(A)の具体例としては、下記式(3)で表わされる化
合物を挙げることができる。
類とナフチルアルデヒド類とを酸触媒を用いて縮合させ
ることにより合成することができる。前記フェノール化
合物類としては、フェノール、2,5−キシレノール、
2,6−キシレノールなどを挙げることができる。ま
た、ナフチルアルデヒド類としては、1−ナフトアルデ
ヒド、2−ナフトアルデヒド、2−ヒドロキシ−1−ナ
フトアルデヒドなどを挙げることができる。
(A)と、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホ
ニルクロリド、1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホニルクロリドなどの1,2−キノンジアジドスルホ
ニルハライドとのエステル化反応により得ることができ
る。上記エステル化反応の平均縮合率[(エステル化さ
れたフェノール性水酸基の数/反応前のフェノール性水
酸基の数)×100](以下、「平均縮合率」と称す
る)は、通常5〜100%、好ましくは40〜100%
である。本発明においては、上述した化合物(A)また
は化合物(B)は、樹脂(A)100重量部当たり5〜
50重量部、特に10〜30重量部の割合で使用するこ
とが好適である。このような化合物(A)または化合物
(B)を配合することにより、現像に際してスカムの発
生が有効に抑制され、解像度および耐熱性の向上が達成
される。
性を促進するなどの目的で、化合物(A)以外の低分子
量のフェノール化合物およびMwが200〜1,000
である低分子量のアルカリ可溶性ノボラック樹脂(以
下、「樹脂(B)」と称する)を溶解促進剤として添加
することもできる。低分子量のフェノール化合物として
は、ベンゼン環数2〜6程度のフェノール化合物が好適
に使用され、特に限定されるものではないが、例えば下
記式
示し、a,b,cおよびdは、それぞれ0〜3の整数で
あり(ただし、いずれも0の場合は除く)、k,l,m
およびnは、それぞれ0〜3の整数である。で表わされ
る化合物を挙げることができる。また樹脂(B)として
は、例えば樹脂(A)のノボラック樹脂を重縮合すると
きに用いたフェノール類以外に、例えばフェノール、1
−ナフトール、2−ナフトールなどのフェノール類の少
なくとも1種とアルデヒド類を(重)縮合して得られる
樹脂を挙げることができる。かかる溶解促進剤の配合量
は、通常、樹脂(A)100重量部当たり50重量部以
下とすることが好ましい。
合は、化合物(B)以外の1,2−キノンジアジド化合
物を配合することが必要であり、化合物(B)を用いた
場合にも、化合物(B)以外の1,2−キノンジアジド
化合物を配合することができる。このような1,2−キ
ノンジアジド化合物としては、例えば1,2−ベンゾキ
ノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフ
トキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、1,
2−ナフトキノンジアジド−6−スルホン酸エステルな
どが挙げられ、好適なものとしては、2,3,4−トリ
ヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4′−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノン、3′−メトキシ−2,3,
4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,
2′,5,5′−テトラメチル−2″,4,4′−トリ
ヒドロキシトリフェニルメタン、1,1,1−トリス
(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,1−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、1,1
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−4−〔1−(4−
ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル〕−1−フェ
ニルエタン、2,4,4−トリメチル−2′,4′,7
−トリヒドロキシ−2−フェニルフラバン、および樹脂
(B)の1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸エステルまたは1,2−ナフトキノンジアジド−4−
スルホン酸エステルなどを挙げることができる。
他の1,2−キノンジアジド化合物の合計配合量は、樹
脂(A)100重量部に対して、通常、3〜100重量
部、好ましくは5〜50重量部であるが、一般に組成物
中の1,2−キノンジアジドスルホニル基の総量が5〜
25重量%、好ましくは10〜20重量%となるように
調節される。
各種配合剤を配合することができる。増感剤は、組成物
の感度を向上させるために配合されるものであり、この
ような増感剤としては、例えば2H−ピリド−(3,2
−b)−1,4−オキサジン3(4H)−オン類、10
H−ピリド−(3,2−b)−1,4−ベンゾチアジン
類、ウラゾール類、ヒダントイン類、パルビツール酸
類、グリシン無水物類、1−ヒドロキシベンゾトリアゾ
ール類、アロキサン類、マレイミド類などが挙げられ
る。これらの増感剤の配合量は、樹脂(A)100重量
部に対し、通常、50重量部以下である。
性を改良するために配合されるものであり、このような
界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポ
リオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキ
シエチレンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリ
コールジラウレート、ポリエチレングリコールジステア
レートなどのノニオン系界面活性剤、エフトップ EF
301,EF303,EF352(商品名、新秋田化成
社製)、メガファックス F171,F172,F17
3(商品名、大日本インキ社製)、フロラード FC4
30,FC431(商品名、住友スリーエム社製)、ア
サヒガード AG710,サーフロン S−382,S
C−101,SC−102,SC−103,SC−10
4,SC−105,SC−106(商品名、旭硝子社
製)、オルガノシロキサンポリマー KP341(商品
名、信越化学工業社製)、アクリル酸系またなメタクリ
ル酸系(共)重合体ポリフロー No. 75,No. 95
(商品名、共栄社、油脂化学工業社製)などが挙げられ
る。
固形分100重量部当たり、通常、2重量部以下であ
る。さらに本発明の組成物には、放射線照射部の潜像を
可視化させ、放射線照射時のハレーションの影響を少な
くするために、染料や顔料を配合することができ、また
接着性を改善するために、接着助剤を配合することもで
きる。さらに必要に応じて保存安定剤、消泡剤なども配
合することができる。
または化合物(B)ならびに前述した各種の配合剤を、
例えば固形分濃度が20〜40重量%となるように溶剤
に溶解させ、孔径0.2μm程度のフィルターで濾過す
ることによって調製される。この際に用いられる溶剤と
しては、例えばエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセ
ロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジ
エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレング
リコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールメ
チルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロプ
ルエーエルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノン、2−ヒドロキシプロピ
オン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン
酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチ
ル、2−ヒドロキシー3ーメチルブタン酸メチル、3−
メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン
酸エチル、3−メトキリプロピオン酸エチル、酢酸エチ
ル、酢酸ブチルなどを用いることができる。さらに、N
−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N−メチルホルムアニリド、N−メチルアセトアミ
ド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリ
ドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテ
ル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホ
ロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1
−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安
息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチ
ル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレ
ン、フェニルセロソルブアセテートなどの高沸点溶剤を
添加することもできる。
塗布、ロール塗布などによって、例えばシリコンウェハ
ーまたはアルミニウムなどが被覆されたウェハーに塗布
することにより感放射線性層を形成し、所定のマスクパ
ターンを介して感放射線性層に放射線を照射し、現像液
で現像することによりパターンの形成が行なわれる。ま
た、本発明の組成物をポジ型レジストとして使用する際
には、ウェハーなどの上に該組成物を塗布し、プレベー
クおよび放射線照射を行なった後、70〜140℃で加
熱する操作を行ない、その後に現像することによって本
発明の効果をさらに向上させることもできる。
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
硅酸ナトリウム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア水、
エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、
ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジ
エチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノ
ールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、
テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロ
ール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ−(5,
4,0)−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ−
(4,3,0)−5−ノナンなどのアルカリ性化合物
を、濃度が例えば1〜10重量%となるように溶解して
なるアルカリ性水溶液が使用される。また該現像液に
は、水溶性有機溶媒、例えばメタノール、エタノールな
どのアルコール類や界面活性剤を適量添加して使用する
こともできる。なお、このようなアルカリ性水溶液から
なる現像液を用いて現像を行なった場合は、一般には引
き続き水でリンスを行なう。
が、本発明はこれらの実施例によって、何ら制約される
ものではない。なお、実施例中のMwの測定およびレジ
ストの評価は、以下の方法により行なった。 Mw:東ソー社製、GPCカラム(G2000H6 2
本、G3000H6 1本、G4000H6 1本)を
用い、流量1.5ml/分、溶出溶媒テトラヒドロフラ
ン、カラム温度40℃の分析条件で、単分散ポリスチレ
ンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフ法
により測定した。 解像度:ニコン社製、NSR−1505i6A縮小投影
露光機(レンズの開口数;0.45)で露光時間を変化
させ、波長365nmのi線を用いて露光を行ない、次
いでテトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.4重量
%水溶液を現像液として用い、25℃で60秒間現像
し、水でリンスし、乾燥してウェハー上にレジストパタ
ーンを形成させ、0.6μmのライン・アンド・スペー
スパターン(1L1S)を1対1の幅に形成する露光時
間(以下、これを「最適露光時間」という)で露光した
ときに解像されている最小のレジストパターンの寸法を
測定した。 現像性:スカムや現像残りの程度を調べた。 γ値:露光量の対数に対する規格化膜厚(=残膜厚/初
期膜厚)をプロットし、その傾きθをγ値とした。この
値が大きいほど現像時の溶解性のコントラストが高いこ
とを示す。
−クレゾール67.6g(0.63モル)、2,3,5
−トリメチルフェノール10.0g(0.073モ
ル)、p−クレゾール31.8g(0.29モル)、3
7重量%ホルムアルデヒド水溶液107.1g(ホルム
アルデヒド;1.32モル)およびシュウ酸2水和物
1.33g(1.06×10-2モル)を仕込み、フラス
コを油浴に浸し、内温を100℃に保持して撹拌しなが
ら30分間重縮合を行なった後に、m−クレゾール1
7.5g(0.16モル)および2,3,5−トリメチ
ルフェノール40.0g(0.29モル)を加えて、さ
らに40分間重縮合を行なった。次いで、油浴温度を1
80℃まで上昇させ、同時にフラスコ内の圧力を30〜
50mmHgまで減圧し、揮発分を除去した。次いで、溶融
した樹脂を室温に戻して回収した。この樹脂を、樹脂
(A1)という。
20重量%になるように溶解した後、この樹脂溶液の重
量に対し、2倍のメタノールおよび等量の水を加えて撹
拌し、放置した。放置することによって2層に分離した
後、樹脂浴液層(下層)を取り出し、濃縮し、脱水し、
乾燥して樹脂を回収した。この樹脂を、樹脂(A2)と
いう。合成例3 オートクレーブに、m−クレゾール69.2g(0.6
4モル)、2,3,5−トリメチルフェノール21.8
g(0.16モル)、37重量%ホルムアルデヒド水溶
液61.0g(ホルムアルデヒド;0.75モル)、シ
ュウ酸2水和物6.3g(0.05モル)、水52.6
gおよびジオキサン182gを仕込み、オートクレーブ
を油浴に浸し、内温を130℃に保持して撹拌しながら
6時間重縮合を行ない、次いで室温まで戻し、内容物を
ビーカーに取り出した。このビーカー中で2層に分離し
た後、下層を取り出し、濃縮し、脱水し、乾燥して樹脂
を回収した。この樹脂を、樹脂(A3)という。
ル64.8g(0.60モル)、p−クレゾール43.
2g(0.40モル)、37重量%ホルムアルデヒド水
溶液24.3g(ホルムアルデヒド;0.30モル)お
よびシュウ酸2水和物0.30g(2.40×10-3モ
ル)を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を100℃
に保持しながら撹拌して40分間重縮合を行なった。次
いで、実施例1と同様にして樹脂を回収した。この樹脂
を、溶解促進剤(イ)という。合成例5 合成例1で用いたのと同様なフラスコに、m−クレゾー
ル64.8g(0.60モル)、p−クレゾール43.
2g(0.40モル)、37重量%ホルムアルデヒド水
溶液32.4g(ホルムアルデヒド;0.40モル)お
よびシュウ酸2水和物0.30g(2.4×10-3モ
ル)を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を100℃
に保持しながら撹拌して40分間重縮合を行なった。次
いで、実施例1と同様にして樹脂を回収した。この樹脂
を、溶解促進剤(ロ)という。
合物(A)であるビス(4−ヒドロキシフェニル)−ナ
フチルメタン〔式(3)中の構造式3−1〕を化合物
(A1)、ビス(4−ヒドロキシフェニル)−2−ヒド
ロキシナフチルメタン〔式(3)中の構造式3−2〕を
化合物(A2)と略称する。
ラスコに、化合物(A1)30.2g(0.10モ
ル)、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
クロリド53.7g(0.2モル)およびジオキサン2
50gを仕込み、撹拌しながら溶解させた。次いで、フ
ラスコを30℃にコントロールされた水浴中に浸し、内
温が30℃一定となった時点で、この溶液にトリエチル
アミン22.2g(0.22モル)を内温が35℃を超
えないように滴下ロートを用いてゆっくり滴下した。そ
の後、析出したトリエチルアミン塩酸塩を濾過により取
り除き、濾液を大量の希塩酸中に注ぎ込んで析出させ、
次いで析出物を濾取し、40℃にコントロールされた加
熱真空乾燥器で一昼夜乾燥して化合物(B)を得た。こ
の化合物を、化合物(B1)とする。合成例7 化合物(A2)32.2g(0.1モル)、1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド53.7
g(0.2モル)およびトリエチルアミン22.2g
(0.22モル)を使用したほかは、合成例6と同様に
して化合物(B)を得た。この化合物を、化合物(B
2)とする。
(1)で表わされる化合物以外の1,2−キノンジアジ
ド化合物、溶解促進剤および溶剤を混合し、均一溶液と
した後、孔径0.2μmのメンブランフィルターで濾過
し、組成物の溶液を調製した。得られた溶液をシリコン
酸化膜を有するシリコンウェハー上にスピンナーを用い
て塗布した後、ホットプレート上で90℃にて2分間プ
レベークして、厚さ1.2μmのレジスト膜を形成し、
レチクルを介して前記のように波長365nm(i線)
を用いて露光し、現像し、リンスし、乾燥した後、解像
度、現像性およびγ値についての評価を行なった。結果
を使用した樹脂などと併せて表1に示す。
(δ)は、次のものである。 (α);溶解促進剤(イ)10.0gと1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸クロリド13.9gの
縮合物。 (β);2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン
0.10モルと1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸クロリド0.26モルの縮合物。 (γ);2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン0.10モルと1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸クロリド(0.40モルの縮合物。 (δ);1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−4
−〔1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチ
ル〕−1−フェニルエタン1モルと1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホニルクロリド2.5モルとの縮
合物。
性および耐熱性に優れ、高解像度で、特に溶解性コント
ラストに優れたポジ型レジストとして好適に使用でき
る。
Claims (1)
- 【請求項1】 ポリスチレン換算重量平均分子量が2,
000〜20,000であるアルカリ可溶性樹脂ならび
に下記式(1) 【化1】 で表わされるポリヒドロキシ化合物およびその誘導体の
少なくとも何れかを含有していることを特徴とする感放
射線性樹脂組成物。
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JP3244397A JPH0689026A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 感放射線性樹脂組成物 |
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JP3244397A JPH0689026A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 感放射線性樹脂組成物 |
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JPH0689026A true JPH0689026A (ja) | 1994-03-29 |
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JP3244397A Pending JPH0689026A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 感放射線性樹脂組成物 |
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JP (1) | JPH0689026A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006169136A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト用化合物及び感放射線性組成物 |
-
1991
- 1991-08-29 JP JP3244397A patent/JPH0689026A/ja active Pending
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JP2006169136A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト用化合物及び感放射線性組成物 |
JP4687094B2 (ja) * | 2004-12-14 | 2011-05-25 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト用化合物及び感放射線性組成物 |
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