JPH0722542A

JPH0722542A - 半導体装置および半導体装置の実装構造

Info

Publication number: JPH0722542A
Application number: JP15860893A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Nakatsubo; 正明中坪
Original assignee: Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Priority date: 1993-06-29
Filing date: 1993-06-29
Publication date: 1995-01-24

Abstract

(57)【要約】【目的】リード変形が起き難くかつ実装密度向上が可
能な半導体装置の提供。【構成】レジンからなるパッケージ２は、平面的に見
て矩形体となっているが、周面下部は引っ込んだ窪み面
９となり、この窪み面９の途中からリード３が突出して
いる。リード３は突出付け根部分で下方に曲がりＪ型リ
ード構造となる。リード３はパッケージ２の周縁から食
み出すことなく一定の距離ｅだけ内部に位置している。
リード３がパッケージ２から突出していないので、ハン
ドリング時、他のものに衝突する機会か少なくなり、リ
ード変形が防止できる。配線基板に半導体装置１を実装
する際、隣接する半導体装置１のパッケージ２が相互に
接触するように実装しても、リード間には前記一定の距
離ｅの２倍の隙間が形成されるため、リードショートが
起きない。この実装により実装密度が高くなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置、特に表面実
装型半導体装置および半導体装置の実装構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器は、機能面から高密度実装化
が、実装面から軽量化，小型化，薄型化が要請されてい
る。また、電子部品の製造コストの低減のために、パッ
ケージ形態としては材料が安くかつ生産性が良好な樹脂
封止（レジンパッケージ）型半導体装置が多用されてい
る。レジンパッケージ型半導体装置としては、金属製の
リードフレームを用いるもの、絶縁性フィルムの表面に
リードを形成したＴＣＰ（Tape Carrier Package）等が
知られている。

【０００３】リードフレームを用いた半導体装置につい
ては、日立評論社発行「日立評論」1992年第３号、平成
４年３月25日発行、Ｐ75〜Ｐ80に記載されている。この
文献には、より小型・薄型のパッケージとして、ＴＳＯ
Ｐ（Thin Small Outline Package），ＳＳＯＰ（Shrink
Small Outline Package），ＴＱＦＰ（Thin Quad Flat
Package），ＳＴＺＩＰ（Shrink Thin Zigzag Inline
Package)が開示されている。また、ＳＯＰ(Small Outli
ne Package）はパッケージの２辺にアウターリードを配
置し、ＱＦＰ（Quad Flat Package ）はパッケージの４
辺にアウターリードを配置した構造となっている。そし
て、ＴＳＯＰ，ＴＱＦＰは、リードのピッチサイズが
０．５ｍｍと狭くなるとともに、パッケージの本体厚さ
が１ｍｍに薄型化されている。

【０００４】一方、工業調査会発行「電子材料」１９８
４年９月号、昭和５９年９月１日発行、６４頁には、一
般のフラット・パッケージにおける端子形状の種類とし
て、（ａ）Ｊ型リード（Rolled-under) 、（ｂ）ガルウ
ィング (Gull-wing)、（ｃ）バットリード (Butt-lea
d)、（ｄ）フラットリード (Flat lead)がある旨記載さ
れている。

【０００５】また、日本電気文化センター発行「ＮＥＣ
技報」Vol.40、No.10/1987、P213〜P216には、サーフェ
スマウント（表面実装）用パッケージの動向について記
載されている。この文献には、リード形状による特性比
較におけるハンドリング性（リード曲がり）において、
バットリードは優れ、Ｊ−ベンド（Ｊ型リード）は非常
に優れているとし、ガルウィングは劣るとされている。
また、実装密度については、ＤＩＰ（デュアルインライ
ン・パッケージ）などの挿入実装パッケージと比較して
実装密度が向上する旨記載し、それぞれ配線基板に半導
体装置を並べて実装した例が示されている。

【０００６】リードフレームを用いた半導体装置の構造
の一つとして、半導体チップの上に絶縁テープを介して
リード内端部を取り付けるとともに、これらリード内端
部と半導体チップの上面に設けられたボンディングパッ
ドをワイヤで接続し、かつ半導体チップ，ワイヤ，リー
ド内端部をレジンパッケージで封止してなるＬＯＣ（Le
ad On Chip）構造の半導体装置が開発されている。ＬＯ
Ｃ（リード・オン・チップ）構造については、日経ＢＰ
社発行「日経マイクロデバイス」1991年２月号、同年２
月１日発行、Ｐ89〜Ｐ97に記載されている。この文献に
は、ＳＯＪ(Small Outline J-lead)パッケージにＬＯＣ
を採用した構造について記載されている。ＬＯＣ構造で
は、半導体チップの中央に沿って電極パッド（ボンディ
ングパッド）が配列されるとともに、このボンディング
パッド列の両側にそれぞれ電源線および接地線としての
バス・バー・リードが絶縁テープを介して配置されてい
る。また、バス・バー・リードの外側の半導体チップ上
に信号線等となるリードの内端部分が並ぶ構造となって
いる。また、前記ボンディングパッドとバス・バー・リ
ードやリード内端部が導電性のワイヤで接続されてい
る。前記バス・バー・リードやその他のリード内端部は
絶縁テープを介して半導体チップの上面に接着されてい
る。

【０００７】他方、パッケージの両側からリードを突出
させる半導体装置を収容する収容体として、工業調査会
発行「電子材料」、1983年３月号広告頁 291頁「電子部
品自動挿入機用押出成型マガジン」に記載されているよ
うに、ＩＣマガジン（スティックマガジン）が使用され
ている。また、その中には、収容した電子部品の脱落を
防止するためのストッパを挿入するストッパ挿入孔がマ
ガジンの両端部分に設けられたものも記載されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従来のレジンパッケー
ジ型の半導体装置、たとえば、ＳＯＪ構造の半導体装置
１は、たとえば図１２に示すように、レジンからなるパ
ッケージ２の両側（周面）からリード３を突出させた構
造となっている。前記リード３は突出部分で下方に折れ
曲がるとともに先端は内側に曲がり込んで接合部８を構
成し、いわゆるＪ型リード構造となっている。また、同
図の半導体装置１はＬＯＣ構造となり、パッケージ２内
のリード３（含むバスバーリード４）は、半導体チップ
５上に絶縁テープ６を介して接着されている。また、半
導体チップ５の中央に沿って設けられる図示しない電極
と、各リード３とは導電性のワイヤ７を介して接続され
ている。

【０００９】このような半導体装置１は、リード３がパ
ッケージ２から両側に張り出すように突出し、リード３
を被うようなものがないことから、半導体装置１の取扱
時、誤ってリード３を他のものにぶつける機会が多い。
リード３に外力が加わると、リード３は容易に変形し、
いわゆるリード曲がりが発生したり、あるいは平坦度が
悪くなったりする。前記文献にも記載されているが、リ
ード構造がバットリード構造やＪ型リード構造の場合は
リード曲がりが起き難いとされているが、半導体装置の
薄型化に伴って、リードの厚さが０．１〜０．１５ｍｍ
あるいはそれ以下と薄くなり、機械的強度が低下する状
態にあっては、ハンドリング時の接触によってリード変
形は一層起き易くなる傾向にある。また、ハンドリング
時、半導体装置１はスティックマガジンに収容して取り
扱われるが、リード３がパッケージ２の両側から突出す
る構造であるため、スティックマガジンに半導体装置１
を挿入する際、リード３をスティックマガジンの端に誤
ってぶつけるようなこともある。また、従来の半導体装
置１およびスティックマガジンの関係において、パッケ
ージ２から張り出すリード３は、スティックマガジンの
内壁に接触してしまい、これもリード変形の遠因となっ
ている。

【００１０】一方、ガルウィング，バットリード，Ｊ−
ベンド等の表面実装型のリード構造となる従来の半導体
装置は、最外側にリードが位置することから、表面実装
において、隣接する半導体装置を接近させすぎると、リ
フロー半田付け時に動くことが多く、隣接する半導体装
置のリードと接触してショートを起こしてしまうため、
隣接する半導体装置間に、ショート防止のために一定の
空間が生じるように実装を行わなければならず、実装密
度向上が妨げられている。

【００１１】本発明の目的は、リード曲がり等リード変
形が起き難い半導体装置を提供することにある。

【００１２】本発明の他の目的は、実装密度向上が達成
できる半導体装置および半導体装置実装構造を提供する
ことにある。本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明のＳＯＪ型半導体
装置は、パッケージと、このパッケージの両側部分から
突出するリードとを有する半導体装置であって、前記パ
ッケージの周面下部に設けられた引っ込んだ窪み面と、
前記窪み面から突出するリードとを有している。また、
前記リードは突出付け根部分で下方に折れ曲がるＪ型リ
ード構造となっている。したがって、前記リードはパッ
ケージ外周縁から外に食み出さず一定の距離ｅをおいて
内側に位置している。また、本発明の半導体装置は、見
方を変えるならば、前記リードの上面側のリード突出側
のパッケージ部分はリードの下面側のリード突出側のパ
ッケージ部分よりも張り出すとともに、前記リードは突
出付け根部分で下方に屈曲したＪ型リード構造となり、
かつリードの上面側のパッケージから食み出すことなく
内側に位置した構造となっている。

【００１４】本発明の半導体装置の実装構造は、配線基
板と、この配線基板の少なくとも一面にパッケージを接
触させるように近接実装された複数のＳＯＪ型の半導体
装置とからなっている。前記半導体装置はパッケージの
周面下部が窪み面となるとともに、この窪み面からＪ型
リード構造のリードが突出し、かつ前記リードはパッケ
ージ外周縁から外に食み出さず一定の距離ｅをおいて内
側に位置した構造となっている。したがって、パッケー
ジを接するように実装された隣合う半導体装置間のリー
ドとリードの間隔は２ｅとなる。この間隔２ｅは、隣接
する半導体装置のリード間ショートを発生させない距離
となっている。

【００１５】

【作用】上記した手段によれば、本発明のＳＯＪ型の半
導体装置は、パッケージのリード突出側の両側の周面下
部に傾斜面としての引っ込んだ窪み面が設けられ、この
傾斜面の途中からＪ型リード構造のリードが突出してい
る。したがって、リード３はパッケージによって被わ
れ、パッケージの周縁から食み出さない構造となってい
る。このため、パッケージの周縁はリードの保護体とな
り、リード変形が起き難い。

【００１６】また、本発明の半導体装置は、リードの上
方の張り出したパッケージ部分を、ハンドリング時のガ
イドとして使用できるため、リードに触れることなくハ
ンドリングが行え、リード変形が起きなくなる。

【００１７】本発明の半導体装置は、スティックマガジ
ンに挿入する際、パッケージの周縁よりもリードが内側
に位置しているため、パッケージをスティックマガジン
に挿入させるように注意するだけで、リードをスティッ
クマガジンの縁に衝突させずに挿入できるため、リード
変形防止が図れる。また、スティックマガジン内におい
て、パッケージの両側面がスティックマガジンの両内側
壁に接触し、リードのスティックマガジンの両内側壁へ
の接触はなく、リード変形が起きなくなる。

【００１８】本発明の半導体装置の実装構造において
は、配線基板に実装される半導体装置はパッケージの縁
から一定の距離ｅだけ内側にリードが位置していること
から、隣接する半導体装置をそれぞれのパッケージが接
触するように実装しても、隣接する半導体装置のリード
とリードとの間には所定の距離（２ｅ）が維持できるよ
うになり、ショート不良が発生しないようになっている
ことから，実装密度向上が図れる。

【００１９】

【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。図１は本発明の一実施例による半導体装置
の断面図、図２は同じく半導体装置の製造に用いるリー
ドフレームの平面図、図３は同じく半導体装置の製造に
おけるチップボンディングおよびワイヤボンディングが
終了した状態のリードフレームを示す平面図、図４は同
じく半導体装置の製造におけるトランスファモールド状
態を示す断面図、図５は同じく半導体装置の製造におけ
るリード切断と第１次リード成形を行った状態を示す断
面図、図６は同じく半導体装置の製造における第２次リ
ード成形を行った状態を示す断面図、図７は本発明の一
実施例による半導体装置実装構造を示す断面図、図８は
本発明の半導体装置を収容するスティックマガジンを示
す正面図、図９はスティックマガジンに本発明の半導体
装置を収容した状態を示す断面図である。

【００２０】本発明ではＤＲＡＭ（Dynamic Random Acc
ess Memory）が組み込まれた半導体装置について説明す
る。本発明の半導体装置１は、レジンからなるパッケー
ジ２と、このパッケージ２から突出するリード３とを有
し、リード構造は先端に接合部８を有するＪ型リード構
造となっている。従来のレジンパッケージ型のＳＯＪ型
半導体装置は、パッケージの両側からリードを突出させ
ているが、本発明の半導体装置１は、図１に示すよう
に、パッケージ２の最外周縁からはリード３が突出しな
い構造となっているのが特徴である。

【００２１】すなわち、本発明の半導体装置１において
は、パッケージ２は平面的に見て略矩形体となっている
が、正面から見て図１に示すように、両側の周面下部
（底部周縁）は引っ込んだ傾斜面からなる窪み面９とな
っている。そして、この窪み面９の途中からリード３が
突出するとともに、この突出付け根部分でリード３は下
方に曲がり、かつ先端は内側に曲がってＪ型リード構造
となっている。また、見方を変えるならば、本発明の半
導体装置１は、前記リード３の上面側のリード突出側の
パッケージ部分は、リード３の下面側のリード突出側の
パッケージ部分よりも張り出す（張出部１０）構造とな
っている。そして、この張出部１０がリード３のガード
（保持用端部）として作用するようになっている。前記
リード３はパッケージの最外周縁（単に周縁とも称す
る）から一定の距離ｅ（たとえば、０．２〜０．３ｍ
ｍ）だけ内側に位置している。これは、半導体装置１の
実装時、隣接する半導体装置１をパッケージ２が接触す
るようにして実装した場合、ショート不良を起こさせな
い間隔を生じさせるためである。

【００２２】本発明の半導体装置１はＬＯＣ構造となっ
ている。したがって、前記パッケージ２内においては、
リード３（含むバスバーリード４）は、半導体チップ５
に絶縁テープ６を介して接着されている。また、半導体
チップ５の中央に沿って設けられる図示しない電極と、
各リード３とは導電性のワイヤ７を介して接続されてい
る。

【００２３】このような半導体装置１は、平面的に見
て、パッケージ２の内側にリード３が位置し、パッケー
ジ２の周縁からはリード３は突出しない。したがって、
半導体装置１の取り扱い時、リード３がパッケージ２よ
りも突出していないことから、他のものに接触する機会
が少なくなり、リード変形が起き難くなる。また、半導
体装置の取扱時、半導体装置１の張出部１０を含むパッ
ケージ２の上部を保持用端部（ハンドリング部）とする
ことができ、ハンドリング時直接リード３に触れなくと
もすむ。

【００２４】また、図８は半導体装置１を収容するステ
ィックマガジン１５の斜視図、図９は半導体装置１を収
容したスティックマガジン１５の断面図である。半導体
装置１は、略矩形枠断面１６の中央に支持台１７を有す
る断面構造のスティックマガジン１５内に収容される。
前記支持台１７の上方の空間がパッケージ収容空間１９
となり、このパッケージ収容空間１９から外れかつ支持
台１７の両側の空間がリード収容空間２０となる。この
ようなスティックマガジン１５においては、リード３が
平面的に見てパッケージ２の周縁から食み出さず内側に
位置していることと、半導体装置１のパッケージ２の下
面中央が支持台１７で支持されるため、リード３はステ
ィックマガジン１５の内壁面２１に直接接触することは
ない。すなわち、このスティックマガジン１５は、前記
パッケージ２の上面および両側面ならびにリード突出部
から外れた下面中央に対してのみ接触面を有し、リード
３とは接触しない構造となっている。したがって、半導
体装置１が、スティックマガジン１５内で動いても、ス
ティックマガジン１５の内壁面２１に触れる可能性のあ
る箇所は、パッケージ２の上面および側面ならびに下面
中央部分であり、リード３は全く接触がない。これによ
り、スティックマガジン１５内に収容された状態では、
リード３に何ら外力は加わらず、リード変形は起きな
い。また、半導体装置１をスティックマガジン１５に収
容する際、スティックマガジン１５のパッケージ収容空
間１９にパッケージ２を収容させるように挿入するた
め、リード３がスティックマガジン１５の端に衝突する
ようなことがなくなり、リード変形の発生が防止できる
ことになる。

【００２５】つぎに、本発明の半導体装置１の製造につ
いて説明する。最初に図２に示されるようなリードフレ
ーム２５が用意される。このリードフレーム２５は、
０．１２５ｍｍの厚さのＦｅ−Ｎｉ系合金あるいはＣｕ
合金等からなる金属板をエッチングまたは精密プレスに
よってパターニングすることによって形成される。リー
ドフレーム２５は複数の単位リードパターンを一方向に
直列に並べた形状となっている。単位リードパターン
は、一対の平行に延在する外枠２６と、この一対の外枠
２６を連結しかつ外枠２６に直交する方向に延在する一
対の内枠２７とによって形成される枠内に形成されてい
る。

【００２６】一方、前記内枠２７の内側から複数のリー
ド３が枠の中央線に向かって延在している。これらリー
ド３は、途中まで相互に平行となって延在してアウター
リードを形成するが、途中から枠の中央部中心線方向に
それぞれ屈曲して片持梁構造のインナーリードを形成し
ている。また、リード列の両側のリードは前記枠の中央
部中心線に沿って延在し、相互に連なってバスバーリー
ド４を形成している。このバスバーリード４は、両方の
内枠２７から延在するリード３によってそれぞれ形成さ
れ、一方が電源用リードとなり、他方が接地用リードと
なる。また、枠の中心線に沿って延在する２本のバスバ
ーリード４の間の空きゾーン２９には、半導体チップ５
が取り付けられた際、半導体チップ５の中心線に沿って
配設された図示しない電極が並ぶようになっている。ま
た、前記アウターリード部分のリード３は、前記内枠２
７に平行に延在するダム３０によって連結されている。
前記ダム３０は後述するレジンモールド時、溶けたレジ
ンの流出を阻止するダムとして、また強度部材として作
用する。なお、前記外枠２６には、図示しないガイド孔
が設けられている。このガイド孔は、リードフレーム２
５の移送や位置決め等のガイドとして利用される。

【００２７】つぎに、このようなリードフレーム２５
は、図３に示すように、半導体チップ５の主面に絶縁テ
ープ６を介して重ねられる。前記絶縁テープ６は両面接
着テープからなる８０μｍ厚さのポリイミドテープで形
成されている。前記絶縁テープ６は、リードフレーム２
５のリード３およびバスバーリード４のインナーリード
部分を貼り付ける。したがって、半導体チップ５の中心
線部分の図示しない電極部分は露出することになる。

【００２８】つぎに、常用のワイヤボンディング装置に
よって、図３に示すように、半導体チップ５の図示しな
い電極と、リード３およびバスバーリード４のインナー
リード部分を金線等導電性のワイヤ７で電気的に接続す
る。

【００２９】つぎに、このリードフレーム２５は、図４
に示すように、常用のモールド（トランスファモール
ド）装置のモールド下型３５と上型３６に型閉めされた
後、レジン注入によってパッケージ２が形成される。こ
のモールドによって、半導体チップ５，リード３および
バスバーリード４のインナーリード部分，ワイヤ７，半
導体チップ５等は、パッケージ２で被われる。なお、図
ではリードフレーム２５の上面とモールド下型３５の上
面との間隔は大きく図示されているが、実際には極めて
短く、この部分からのレジンの流出は少なく、後工程で
のダム切断時にレジンの漏れによる流出部分（バリ）の
除去が行なえることになる。

【００３０】モールドが終了したリードフレーム２５
は、リードの切断・成形が行われる。この実施例では、
リード３をＪ型リード構造とするために、リードの切断
・成形は２次の加工処理に亘って行われる。すなわち、
第１次工程ではリードの切断・成形が行われ、第２次工
程ではリードの成形が行われる。第１次工程のリードの
切断・成形においては、図５に示すように、切断成形下
型４０の切断下型４１と、切断成形上型４５の切断上型
４６によって、リード３およびバスバーリード４は切断
される。また、前記切断上型４６と噛み合うように切断
成形下型４０には成形下型４２が設けられている。そし
て、この成形下型４２と、前記切断上型４６とによって
成形下型４２の外側に突出するリード部分は折り曲げら
れて、Ｊ型リードの接合部８が形成される。また、前記
成形下型４２には、前記リードフレーム２５のダム３０
に対応する部分は逃孔４３が設けられるとともに、この
逃孔４３には、切断成形上型４５の打抜型４７が設けら
れている。そして、前記打抜型４７の降下によって、ダ
ム３０が打ち抜かれるようになっている。

【００３１】第２次工程のリードの成形においては、図
６に示すように、リード３およびバスバーリード４の切
断ならびにダム３０の切断除去が終了した後、パッケー
ジ２から突出するリード３の突出付け根部分は抜型５０
に下方から支持される。この第２次工程は同一装置にて
行われる。すなわち、パッケージ２に対して下方から抜
型５０が上昇し、リード３の突出付け根部分を支持す
る。その後、前記切断成形下型４０および切断成形上型
４５がそれぞれ後退する。つぎに、曲げ用ロール５１が
前進して前記リード３の上方に位置する。この曲げ用ロ
ール５１は下方に下降してリード３に接触した後、図６
の矢印に示されるように、円弧を描いて相互に接近する
ように移動し、リード３を抜型５０に支持されている突
出付け根部分で折り曲げ、リード３をＪ型リード構造と
する。その後、前記曲げ用ロール５１は後退する。ま
た、図示しないホルダによってパッケージ２の上部分、
すなわち、張出部１０を含むパッケージ２部分は保持さ
れる。ついで、前記抜型５０は水平に後退してパッケー
ジ２の下部および両側のリード３によって囲まれる空間
領域から抜ける。製造された半導体装置１は、図示しな
いホルダによって所定位置にアンローディングされる。

【００３２】本発明の半導体装置１は、従来の半導体装
置と同様に配線基板にリフロー半田付けによって表面実
装される。図７は本発明の一実施例による半導体装置の
実装構造を示す正面図である。同図に示されるように、
半導体装置１は、それぞれのパッケージ２が接触する状
態で配線基板５５に実装されている。すなわち、各半導
体装置１は、配線基板５５の各フットプリント等と呼称
される導体層（配線層）５６に半田５７を介して接続さ
れている。この場合、各半導体装置１のリード３は、パ
ッケージ２の周縁から一定の距離ｅだけ内側に位置する
ことから、隣接する半導体装置１間のリード３間の隙間
は２ｅとなる。したがって、前記配線基板５５に示され
るように、導体層５６間においても、２ｅなる隙間が存
在するように、配線パターンを形成しておく必要があ
る。このような配線基板５５に対して、本発明の半導体
装置１をリフロー半田付けによって実装した場合、半田
のリフロー時に半導体装置１が動いた場合、隣接する半
導体装置１は相互に離れる方向に動くことがあっても、
相互のパッケージ２が接触することから、それ以上は接
近しなくなり、隣接する半導体装置１間のリードショー
ト不良は発生しなくなる。この結果、本発明の半導体装
置の実装構造によれば、実装密度向上が達成できること
になる。

【００３３】

【発明の効果】

（１）本発明の半導体装置は、パッケージのリード突出
側の両側の窪み面からリードが突出し、パッケージの周
縁からリードが食み出していないことから、パッケージ
の周縁がリードの保護体となり、ハンドリング時にリー
ドが他のものに衝突する機会が少なくなり、リード変形
が起き難くなるという効果が得られる。

【００３４】（２）本発明の半導体装置は、リードを被
うように張り出した張出部を含むパッケージの上部が、
ハンドリング時の保持部分となることから、ハンドリン
グ時、直接リードに触れなくとも半導体装置のハンドリ
ングが行えるため、リード変形が起き難くなるという効
果が得られる。

【００３５】（３）本発明の半導体装置は、半導体装置
収容スティックマガジンに挿入する際、リードがパッケ
ージの周縁から突出していないことから、スティックマ
ガジンの端に衝突する機会が少なくなり、リード変形防
止が達成できるという効果が得られる。

【００３６】（４）本発明の半導体装置は、半導体装置
収容スティックマガジンに収容された状態では、スティ
ックマガジンの内壁面に接触する箇所は、パッケージの
上面および両側面ならびにリード突出部から外れた下面
中央となり、リードは内壁面には接触しないため、リー
ド変形が防止できるという効果が得られる。

【００３７】（５）本発明の半導体装置の実装構造にお
いては、配線基板に実装される半導体装置はパッケージ
の縁から一定の距離だけ内側にリードが位置しているこ
とから、隣接する半導体装置をそれぞれのパッケージが
接触するように実装しても、隣接する半導体装置のリー
ドとリードとの間には一定の距離の２倍の空隙が形成さ
れるため、リード間ショートが発生しなくなり、実装密
度の向上が達成できるという効果が得られる。

【００３８】（６）上記（１）〜（５）により、本発明
によれば、リード変形が起き難く実装密度向上が達成で
きる半導体装置を提供することができるという相乗効果
が得られる。

【００３９】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
図１０に示すように、パッケージ２において、リード３
の上面側では、半導体装置の製造におけるトランスファ
モールド時、モールド上型が抜け易いように、台形状の
構造としてもよい。この構造においても、リード３の上
部のパッケージ２はリード３よりも張り出した張出部１
０を有することから、リード３は張出部１０がガードと
なってリード変形し難くなる。また、実装においても、
隣接する半導体装置１はそれぞれのパッケージ２を接触
させるようにして実装を行うことにより、実装密度向上
が達成できる。

【００４０】図１１は本発明の他の実施例による半導体
装置１を示すものである。この半導体装置１は、パッケ
ージ２の四方向からリード３を突出させた構造となって
いる。リード３はパッケージ２の周面下部の窪み面９の
途中から突出するとともに、突出付け根部分で下方に曲
がり、いわゆるバットリード構造となっている。リード
３をパッケージ２の四方向から突出させかつ突出付け根
部分で下方に折り曲げた場合、リードをＪ型リード構造
とすると、前記抜型を利用したリード曲げは、抜型が抜
けないことから形成できなくなる。そこで、パッケージ
２の四方向からリード３を突出させかつ突出付け根部分
で下方にリード３を折り曲げた場合は、リード３をバッ
トリード構造としたものである。この例の半導体装置１
も前記実施例同様にリード変形の防止，実装密度向上が
達成できる。

【００４１】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるレジン
パッケージ型半導体装置の製造技術に適用した場合につ
いて説明したが、それに限定されるものではない。本発
明は少なくとも所望部分をパッケージで封止する半導体
装置の製造技術には適用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による半導体装置の断面図で
ある。

【図２】本発明の一実施例による半導体装置の製造に用
いるリードフレームの平面図である。

【図３】本発明の一実施例による半導体装置の製造にお
けるチップボンディングおよびワイヤボンディングが終
了したリードフレームを示す平面図である。

【図４】本発明の一実施例による半導体装置の製造にお
けるトランスファモールド状態を示す断面図である。

【図５】本発明の一実施例による半導体装置の製造にお
いて、リード切断と第１次リード成形を行った状態を示
す断面図である。

【図６】本発明の一実施例による半導体装置の製造にお
いて、第２次リード成形を行った状態を示す断面図であ
る。

【図７】本発明の一実施例による半導体装置実装構造を
示す断面図である。

【図８】本発明の半導体装置を収容するスティックマガ
ジンを示す正面図である。

【図９】本発明の半導体装置を収容したスティックマガ
ジンを示す断面図である。

【図１０】本発明の他の実施例による半導体装置を示す
断面図である。

【図１１】本発明の他の実施例によるバットリード構造
の半導体装置を示す断面図である。

【図１２】従来のＳＯＪ型半導体装置を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１…半導体装置、２…パッケージ、３…リード、４…バ
スバーリード、５…半導体チップ、６…絶縁テープ、７
…ワイヤ、９…窪み面、１０…張出部、１５…スティッ
クマガジン、１６…矩形枠断面、１７…支持台、１９…
パッケージ収容空間、２０…リード収容空間、２１…内
壁面、２５…リードフレーム、２６…外枠、２７…内
枠、２９…空きゾーン、３０…ダム、３５…下型、３６
…上型、４０…切断成形下型、４１…切断下型、４２…
成形下型、４３…逃孔、４５…切断成形上型、４６…切
断上型、４７…打抜型、５０…抜型、５１…曲げ用ロー
ル、５５…配線基板、５６…導体層、５７…半田。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】パッケージと、このパッケージから突出
するリードとを有する半導体装置であって、前記パッケ
ージの周面下部には窪み面が設けられているとともに、
この窪み面から前記リードが突出していることを特徴と
する半導体装置。
【請求項２】パッケージと、このパッケージから突出
するリードとを有する半導体装置であって、前記パッケ
ージの周面下部には窪み面が設けられているとともに、
この窪み面から前記リードが突出し、かつ前記リードは
突出部分で下方に折れ曲がっていることを特徴とする半
導体装置。
【請求項３】パッケージと、このパッケージから突出
するリードとを有する半導体装置であって、前記パッケ
ージの周面下部には窪み面が設けられているとともに、
この窪み面から前記リードが突出し、かつ前記リードは
突出部分で下方に折れ曲がるとともに前記パッケージ外
周縁から外に食み出さず内側に位置していることを特徴
とする半導体装置。
【請求項４】パッケージと、このパッケージから突出
するリードとを有する半導体装置であって、前記リード
の上面側のパッケージ部分はリードの下面側のパッケー
ジ部分よりも張り出すとともに、前記リードは突出部分
で下方に屈曲しかつリードの上面側のパッケージから食
み出すことなく内側に位置していることを特徴とする半
導体装置。
【請求項５】配線基板と、この配線基板の少なくとも
一面に複数の半導体装置を実装してなる半導体装置の実
装構造であって、前記半導体装置はパッケージの周面下
部が窪み面となるとともに、この窪み面からリードが突
出し、かつ前記リードはパッケージ外周縁から外に食み
出さずに内側に位置した構造となり、各半導体装置はパ
ッケージが相互に接触可能な状態で配線基板に実装され
ていることを特徴とする半導体装置の実装構造。