JPH0722443A

JPH0722443A - ウェハ位置決め装置及びウェハ位置決め方法

Info

Publication number: JPH0722443A
Application number: JP16715993A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Sakuranaka; 博幸桜中; Yuji Chiba; 祐二千葉; Takashi Sekiba; 隆関場; Nobuhiro Suzuki; 信宏鈴木; Tetsuo Karube; 哲夫軽部
Original assignee: Fujitsu Miyagi Electronics Ltd
Current assignee: Fujitsu Miyagi Electronics Ltd
Priority date: 1993-07-06
Filing date: 1993-07-06
Publication date: 1995-01-24

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明はウェハの段階から半導体チップを単体
に分離してリードフレームのステージに搭載するダイス
ボンディング工程に用いるウェハ位置決め装置及びウェ
ハ位置決め方法に関し、位置決め精度を向上及びコスト
低減を図ることを目的とする。【構成】Ｘ軸方向に所定範囲に渡り帯状の光を照射する
ライトｘ27と、Ｙ軸方向に所定範囲に渡り帯状の光を照
射するライトｙ28と、ライトｘ27及びライトｙ28が照射
する各帯状の光の交点位置にスポット状の光を照射する
ライトａ29と、ライトｘ27が照射しウェハ21を透過した
光を検知するセンサｘ30と、ライトｙ28が照射しウェハ
21を透過した光を検知するセンサｙ31と、ライトａ29が
照射しウェハ21を透過した光を検知するセンサａ32と、
前記センサ30〜32が全て各ライト27〜29が照射した光を
受光するようテーブル24を駆動制御してウェハ21を移動
させるＣＰＵ35とを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はウェハ位置決め装置及び
ウェハ位置決め方法に係り、特にウェハの段階から半導
体チップを単体に分離してリードフレームのステージに
搭載するダイスボンディング工程に用いるウェハ位置決
め装置及びウェハ位置決め方法に関する。

【０００２】近年のダイスボンディング工程において、
ウェハからピックアップした半導体チップを直接リード
フレームのステージにダイボンディングするダイレクト
ボンディング方式が採用されている。

【０００３】このダイレクトボンディング方式では、ウ
ェハ上の半導体チップの位置が直接ボンディング精度に
影響するため、ウェハの高精度な位置決めが必要とな
る。

【０００４】このため、ウェハを所定の位置に高精度に
位置決めするウェハ位置決め装置及びウェハ位置決め方
法が要求されている。

【０００５】

【従来の技術】図５は、従来の位置決め方法を示す概略
構成図である。

【０００６】同図において、１はウェハであり、リング
２及びテープ３を介してＸ−Ｙ−θテーブル４に載置固
定されている。このウェハ１には直交するＸ軸方向とＹ
軸方向とに夫々複数の溝部５が形成されており、ウェハ
１上に形成された複数の半導体チップ６はこの溝部５に
より画成された構成とされている。

【０００７】Ｘ−Ｙ−θテーブル４は、図示しないＸ軸
方向移動用モータ，Ｙ軸方向移動用モータ，θ方向回転
用モータによりＸ軸方向，Ｙ軸方向，θ方向に夫々移動
及び回転可能な構成とされている。前記のようにウェハ
１は、このＸ−Ｙ−θテーブル４に載置固定されてお
り、従ってＸ−Ｙ−θテーブル４が各モータにより駆動
されることによりウェハ１はＸ軸方向，Ｙ軸方向，θ方
向の各方向に移動でき、任意の位置に位置決めできる構
成とされている。また、Ｘ−Ｙ−θテーブル４に設けら
れた各モータはモータコントローラ７に接続されてお
り、このモータコントローラ７により駆動を制御され
る。

【０００８】一方、Ｘ−Ｙ−θテーブル４に装着された
ウェハ１の上部には固体撮像素子カメラ（ＣＣＤカメ
ラ）８が配設されており、ウェハ１を撮像できる構成と
されている。ＣＣＤカメラ８で生成されたウェハ１の画
像データは、画像処理ユニット９に送られ画像処理が実
施される。この画像処理ユニット９にはモニタ１０が接
続されており、ウェハ１がこのモニタ１０に映し出され
る構成とされている。

【０００９】上記構成のウェハ位置決め装置において、
ウェハ１の位置決めを行うには、ウェハ１上にマトリク
ッスに形成されている溝部５を基準として行われてい
た。具体的には、画像処理ユニット９に内設されている
記憶装置にウェハ１が正規位置に位置決めされた場合の
画像情報（以下、正規位置情報という）を予め格納して
おき、この格納された正規位置情報とＣＣＤカメラ８で
撮像された画像データとを比較し、ＣＣＤカメラ８で撮
像された画像データが正規位置情報と一致するようＸ−
Ｙ−θテーブル４を移動させることにより、ウェハ１の
位置決めを行う方法が取られていた。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかるに一般に市販さ
れているＣＣＤカメラ８の解像度は、高性能のものでも
640 ×500 画素程度であり、また各半導体チップ６を画
成している溝部５の幅は小さいもので３０μｍ程度であ
る。半導体チップ６のサイズにも左右されるが溝部５の
幅を画素数で表現すると、0.2 〜2.0 画素程度であり解
像度が低く、よって安定してウェハ１に形成された溝部
５を認識するのが困難であり精度の高い位置決めを行う
ことができないという問題点があった。

【００１１】また、半導体チップ６のパターンも品種に
より様々であり、スライスレベルの設定や照明等に熟練
した技術を必要とするという問題点もあった。更に、Ｃ
ＣＤカメラ８，画像処理ユニット９は高価なものである
ため、従来のウェハ位置決め装置ではシステム全体のコ
ストが上昇してしまうという問題点もあった。

【００１２】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、位置決め精度を向上できると共に位置決めシステ
ムのコスト低減を図りうるウェハ位置決め装置及びウェ
ハ位置決め方法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、直交するＸ軸方向とＹ軸方向とにマト
リックス状に複数本形成された溝部により画成された複
数のチップが形成されたウェハの位置決めを、前記ウェ
ハを載置するウェハ移動手段を駆動させて行うウェハ位
置決め装置において、前記Ｘ軸方向に所定範囲に渡り帯
状の光を照射する第１の光照射手段と、前記Ｙ軸方向に
所定範囲に渡り帯状の光を照射する第２の光照射手段
と、前記第１の光照射手段が照射する帯状の光と、前記
第２の光照射手段が照射する帯状の光との交点位置にス
ポット状の光を照射する第３の照射手段と、前記第１の
光照射手段が照射し前記ウェハを透過或いは反射した光
を検知する第１のセンサと、前記第２の光照射手段が照
射し前記ウェハを透過或いは反射した光を検知する第２
のセンサと、前記第３の光照射手段が照射し前記ウェハ
を透過或いは反射した光を検知する第３のセンサと、前
記第１乃至第３のセンサが全て前記第１乃至第３の光照
射手段が照射した光を受光するよう前記ウェハ移動手段
を駆動制御し、前記ウェハを移動させる駆動制御手段と
を設けたことを特徴とするものである。

【００１４】また、上記請求項１記載のウェハ位置決め
装置を用いたウェハ位置決め方法において、先ず、前記
ウェハ移動手段を駆動して前記ウェハを予め設定されて
いる既定中心位置に移動させ、前記既定中心位置に移動
させた状態における前記第３の照射手段が前記ウェハに
光を照射する位置を原点とし、続いて、前記ウェハ移動
手段により前記ウェハをＸ軸方向或いはＹ軸方向のいず
れか一の方向に移動させ、最も近接位置において前記第
３のセンサが前記第３の光照射手段からの照射光を検知
する第１の位置を検索し、続いて、前記第３の光照射手
段が前記第１の位置を照射している状態を維持させつつ
前記第１の位置を中心として前記ウェハを回転させて、
最も小なる回転角度にて前記第１または第２の光照射手
段のいずれか一の光照射手段が照射する光が前記第１ま
たは第２のセンサに検知される第２の位置を検索し、続
いて、前記第１または第２の光照射手段のいずれか一の
光照射手段が照射する光が前記第１または第２のセンサ
に検知された状態を維持しつつ、前記ウェハ移動手段に
より前記ウェハを前記一の方向と直交する方向に移動さ
せ、前記第１または第２の光照射手段の内、前記一の光
照射手段と異なる照射手段が照射する光が前記一の光照
射手段と対応するセンサに検知される位置を検索し、こ
の検索位置を正規の中心位置とすることを特徴とするも
のである。

【００１５】

【作用】上記のウェハ位置決め装置及びウェハ位置決め
方法によれば、第１乃至第３の光照射手段が照射する光
を第１乃至第３のセンサが受光することにより生成する
信号に基づきウェハの位置決めを行うため、第１乃至第
３の光照射手段が照射する光をウェハに形成されている
溝部の幅より小さく絞り込むことは容易であり、よって
溝部の検出を精度よく行うことができ、これにより位置
決め精度の向上を図ることができる。

【００１６】また、第１乃至第３の光照射手段及び第１
乃至第３のセンサは単に光を照射でき、またこれを受光
してＯＮ／ＯＦＦ信号を生成できるものであればよいた
め、各光照射手段及びセンサは安価なものを使用するこ
とができ、ウェハ位置決め装置の低コスト化を図ること
ができる。

【００１７】

【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明
する。

【００１８】図１は本発明の一実施例であるウェハ位置
決め装置２０の概略構成図である。同図において、２１
はウェハであり、リング２２及びテープ２３を介してＸ
−Ｙ−θテーブル２４に載置固定されている。このウェ
ハ２１にはダイシングが実施されることにより直交する
Ｘ軸方向とＹ軸方向とに夫々複数の溝部２５が形成され
ており、ウェハ２１上に形成された複数の半導体チップ
２６はこの溝部２５により画成された構成とされてい
る。また溝部２５の形成位置は、テープ２３が露出した
状態ととなっている。

【００１９】このウェハ２１は、テープ２３上に接着さ
れた状態でダイシングが実施されており、従って各半導
体チップ２６もテープ２３上に接着された状態となって
いる。また、テープ２３は透明なテープであり、光を透
過できる材質が選定されている。

【００２０】Ｘ−Ｙ−θテーブル２４は、図示しないＸ
軸方向移動用モータ，Ｙ軸方向移動用モータ，θ方向回
転用モータによりＸ軸方向，Ｙ軸方向，θ方向に夫々移
動及び回転可能な構成とされている。前記のようにウェ
ハ２１はリング２２及びテープ２３を介してこのＸ−Ｙ
−θテーブル２４に載置固定されており、従ってＸ−Ｙ
−θテーブル２４が各モータにより駆動されることによ
りウェハ２１はＸ軸方向，Ｙ軸方向，θ方向の各方向に
移動でき、任意の位置に位置決めできる構成とされてい
る。また、Ｘ−Ｙ−θテーブル２４に設けられた各モー
タはモータコントローラ３６に接続されており、このモ
ータコントローラ３６により駆動を制御される。

【００２１】Ｘ−Ｙ−θテーブル２４の下部でウェハ２
１と対向する位置には、Ｘ軸方向光照射装置２７（以
下、ライトｘ２７という），Ｙ軸方向光照射装置２８
（以下、ライトｙ２８という），中心位置光照射装置２
９（以下、ライトａ２９という）が配設されている。こ
の各ライト２７〜２９はユニット化されており、ライト
ユニット３３を形成している。また各ライト２７〜２９
としては、例えば直進性が良好で、かつビーム径及びビ
ーム幅を小さく絞り込みができるレーザ照射装置が採用
されている。

【００２２】ライトｘ２７及びライトｙ２８は夫々帯状
のライン光を照射できる構成とされており、かつライト
ｘ２７が照射するライン光とライトｙ２８が照射するラ
イン光はその延長線上で直交するよう各ライト２７，２
８の配設位置は設定されている。また、ライトａ２９は
スポット光を照射する構成とされており、前記した各ラ
イト２７，２８のライン光が直交する位置にスポット光
を照射するようライトａ２９の配設位置は設定されてい
る。

【００２３】また、各ライト２７〜２９が照射する光の
幅は、ウェハ２１に形成されている溝部２５の幅よりも
小さくなるよう絞り込まれている。前記したように、溝
部２５の幅は約３０μｍ程度であるが、レーザ光を３０
μｍ以下に絞り込むのは比較的容易に行うことができ
る。よって、上記各ライト２７乃至２９は、溝部２５の
内部に光を照射することができる。

【００２４】一方、Ｘ−Ｙ−θテーブル２４の下部でウ
ェハ２１と対向する位置には、Ｘ軸方向光センサ３０
（以下、センサｘ３０という），Ｙ軸方向光センサ３１
（以下、センサｙ３１という），中心位置光センサ３２
（以下、センサａ３２という）が配設されている。この
各センサ３０〜３２はユニット化されており、センサユ
ニット３４を形成している。

【００２５】センサｘ３０はライトｘ２７と対向配設さ
れており、両者２７，３０の間に光を妨げるものがなか
った場合には、ライトｘ２７で照射された光はセンサｘ
３０により検知されＯＮ信号を生成するよう構成されて
いる。同様に、センサｙ３１はライトｙ２８と対向配設
され両者２８，３１の間に光を妨げるものがなかった場
合にはライトｙ２８で照射された光はセンサｙ３１によ
り検知されＯＮ信号を生成するよう、またセンサａ３２
はライトａ２９と対向配設され両者２９，３２の間に光
を妨げるものがなかった場合にはライトａ２９で照射さ
れた光はセンサａ３２により検知されＯＮ信号を生成す
るよう構成されている。

【００２６】また、センサａ３２とライトａ２９の配設
位置は、後述するウェハ２１の位置決めにおいて位置決
め基準となる位置に高精度に配設されている。また、セ
ンサｘ３０とライトｘ２７の配設方向は、ウェハ２１が
正規位置に位置決めされた状態における溝部２５の延出
方向（Ｘ軸方向）に高精度に一致するよう配設されてお
り、センサｙ３１とライトｙ２８の配設方向は、ウェハ
２１が正規位置に位置決めされた状態における溝部２５
の延出方向（Ｙ軸方向）に高精度に一致するよう配設さ
れている。

【００２７】上記構成において、各ライト２７〜２９か
ら照射された光が遮られる場合は、各ライト２７〜２９
から照射された光が半導体チップ２６に照射されている
場合であり、このとき各センサ３０〜３２はＯＦＦ信号
を生成する。一方、各ライト２７〜２９から照射された
光が溝部２５に照射されている場合には、前記のように
テープ２３は光を透過するため照射された光は各センサ
３０〜３２で受光されてＯＮ信号を生成する。

【００２８】ここで、上記のようにライトｘ２７及びラ
イトｙ２８は帯状のライン光を照射するが、これと対応
するセンサｘ３０，センサｙ３１はライトｘ２７，ライ
トｙ２８が照射した全ての光が入射された場合のみＯＮ
信号を生成し、一部分のみ光が照射されてもＯＮ信号を
生成しない構成とされている。これを図２を用いて説明
する。

【００２９】図２は各ライト２７〜２９から照射された
各光がウェハ２１上に照射された部位を拡大して示して
いる。同図において、各ライト２７〜２９からウェハ２
１上に照射された各光を光ｘ，光ｙ，光ａで示す。

【００３０】同図に示すように、光ｘ，光ｙ，光ａが共
に溝部２５に照射されている場合には、各センサ３０〜
３２は全てＯＮ信号を生成する。しかるに、例えば同図
に光ｘ’で示すようにライトｘ２７からの光が半導体チ
ップ２６上を照射しているような場合には、センサｘ３
０はＯＦＦ信号を生成する。これは他のセンサｙ３１，
センサａ３２においても同様である。

【００３１】上記のように各センサ３０〜３２で生成さ
れるＯＮ／ＯＦＦ信号は中央演算回路３５（以下、ＣＰ
Ｕ３５という）に送信される。ＣＰＵ３５は各センサ３
０〜３２から送信されてくるＯＮ／ＯＦＦ信号に基づき
Ｘ−Ｙ−θテーブル２４の駆動制御を行い、Ｘ−Ｙ−θ
テーブル２４に載置されているウェハ２１を既定位置に
位置決めする機能を奏するものである。以下、ＣＰＵ３
５が実行する位置決め処理を図３及び図４を用いて説明
する。

【００３２】図３はＣＰＵ３５が実行する位置決め処理
を示すフローチャートであり、図４は図３に示す処理を
実行することによるウェハ２１上における光ｘ，光ｙ，
光ａの動きを示す図である。

【００３３】本実施例においては、実際のウェハ２１の
中心位置ｂは所定の溝部（特に２５Ｘ，２５Ｙと示す）
の交差位置内部に設けられており、以下説明する位置決
め方法の基本的な考え方は、実際のウェハ中心位置ｂを
ライトａから照射される光ａの照射位置（以下、この点
を原点という）に一致させると共に、光ｘ，光ｙを上記
溝部２５Ｘ，２５Ｙに一致させるというものである。以
下、この考え方に基づいた処理を図３を用いて説明す
る。

【００３４】図３に示す処理が起動すると、先ずステッ
プ１０（図ではステップをＳと略して示す）において、
ＣＰＵ３５はＸ−Ｙ−θテーブル２４を駆動して、予め
ティーチングしてあるウェハの中心位置までウェハ２１
を移動させる。具体的には、ライトａから照射される光
ａの照射位置（以下、この点を原点という）が予めティ
ーチングしてあるウェハの中心位置に一致するようＸ−
Ｙ−θテーブル２４を駆動制御する。図４（Ａ）はこの
状態を示している。

【００３５】しかるに、Ｘ−Ｙ−θテーブル２４を駆動
制御して原点を予めティーチングしてあるウェハの中心
位置に一致させても、ウェハ２１をＸ−Ｙ−θテーブル
２４に搭載する時に生じる取り付け誤差等により、実際
のウェハ２１の中心位置（図中、ｂで示す）と原点とは
異なっている場合が多い。また、マトリックス状に形成
された各溝部２５と光ｘ，光ｙも非平行となっている場
合が多い。

【００３６】続くステップ１２においては、ＣＰＵ３５
はＸ−Ｙ−θテーブル２４をＸ軸のプラス（＋）方向に
移動させ、続くステップ１４においてセンサａ３２がＯ
Ｎ信号を生成したかどうかを判断する。このステップ１
２，１４の処理はセンサａ３２がＯＮ信号を生成するま
で続けられる。図４（Ｂ）はセンサａ３２がＯＮ信号を
生成した状態を示している。この状態において光ａは溝
部２５内に位置している。

【００３７】続くステップ１６においては、ＣＰＵ３５
はＸ−Ｙ−θテーブル２４をＳ１２と逆方向であるＸ軸
のマイナス（−）方向に移動させ、続くステップ１８に
おいてセンサａ３２がＯＮ信号を生成したかどうかを判
断する。このステップ１６，１８で実行される処理もセ
ンサａ３２がＯＮ信号を生成するまで続けられる。図４
（Ｃ）はセンサａ３２がＯＮ信号を生成した状態を示し
ている。

【００３８】上記のようにＸ−Ｙ−θテーブル２４をＸ
軸のプラス（＋）方向及びマイナス（−）方向に移動さ
せ、夫々においてセンサａ３２がＯＮ信号を生成したこ
とを検知すると、ＣＰＵ３５はステップ２０においてス
テップ１２，１４によるＸ−Ｙ−θテーブル２４の移動
距離とステップ１６，１８によるＸ−Ｙ−θテーブル２
４の移動距離とを比較し、原点位置からの移動距離が短
かった方の溝部２５Ｙをウェハ２１の中心位置のＹ方向
センタラインとして、光ａが溝部２５Ｙに位置するよう
Ｘ−Ｙ−θテーブル２４を移動させる。図４（Ｄ）は光
ａが溝部２５Ｙに位置するまでＸ−Ｙ−θテーブル２４
を移動させた状態を示している。

【００３９】同図に示すように、ステップ１０〜ステッ
プ２０の処理を行うことにより、原点を溝部２５Ｙに位
置させることができる。これは、ステップ１０でライト
ａから照射される光ａの照射位置を原点に一致するよう
Ｘ−Ｙ−θテーブル２４を移動させることにより、原点
と実際のウェハ中心ｂは近接した位置となっているため
である。よって、上記移動距離の短かった方の溝部２５
Ｙに原点が位置するよう移動させることにより実際のウ
ェハ中心ｂと原点と共に溝部２５Ｙに位置させることが
できる。

【００４０】続くステップ２２においては、ＣＰＵ３５
はＸ−Ｙ−θテーブル２４を原点を中心として約１〜５
°程度回転させ、ステップ２４ではセンサｙがＯＮ信号
を生成したかどうかを判断する。ステップ２４でセンサ
ｙがＯＮ信号を生成した状態を図４（Ｅ）に示す。セン
サｙがＯＮ信号を生成する状態とは、光ｙが溝部２５ｙ
と一致した状態である。

【００４１】ステップ２６では、ＣＰＵ３５はＸ−Ｙ−
θテーブル２４をＹ軸のプラス（＋）方向及びＹ軸のマ
イナス（−）方向に移動させ、続くステップ１４におい
てセンサａ３２がＯＮ信号を生成したかどうかを判断す
る。ここで、ステップ１４においてセンサａ３２がＯＮ
信号を生成した状態とは、光ｘが溝部２５と一致した状
態である。また、Ｘ−Ｙ−θテーブル２４をＹ軸のプラ
ス（＋）方向とマイナス（−）方向に夫々移動させるこ
とにより、プラス（＋）方向移動時とマイナス（−）方
向移動時の双方においてセンサａ３２はＯＮ信号を生成
する。

【００４２】ＣＰＵ３５はステップ３０においてステッ
プ２６，２８によるＸ−Ｙ−θテーブル２４のプラス
（＋）方向とマイナス（−）方向の移動距離を比較し、
図４（Ｅ）に示す状態からの移動距離が短かった方の溝
部２５Ｘをウェハ２１の中心位置のＸ方向センタライン
として、光ｘが溝部２５Ｘに位置するようＸ−Ｙ−θテ
ーブル２４を移動させる。ここで、移動距離が短かった
方の溝部２５Ｘをウェハ２１の中心位置のＸ方向センタ
ラインとするのは、前記したステップ２０で説明したの
と同様の理由からである。

【００４３】上記一連の処理を実行した状態を図４
（Ｆ）に示す。同図に示されるように、ステップ１０〜
ステップ３０の処理を実行することにより、原点は実際
のウェハ中心ｂに一致し、光ｘは溝部２５Ｘと一致し、
かつ光ｙは溝部２５Ｙと一致するため、ウェハ２１は正
規の位置に位置決めされたことになり、これにより位置
決め処理は完了する（ステップ３２）。

【００４４】尚、上記した実施例においては、各センサ
３０〜３２はウェハ２１を透過してくる光を検知する透
過型センサを適用した例を示したが、センサとしてはウ
ェハ２１上で反射する光を検知する反射型センサを用い
ることも可能である。

【００４５】また、上記した実施例においては位置決め
動作はＹ軸方向を始めに行い、続いてＸ軸方向を位置決
めする構成としたが、この位置決め動作はＸ軸，Ｙ軸の
何方から開始してもかまわないことを付記しておく。

【００４６】

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、第１乃至第
３の光照射手段が照射する光をウェハに形成されている
溝部の幅より小さく絞り込むことが容易であるため、溝
部の検出を精度よく行うことができ、これにより位置決
め精度の向上を図ることができ、また第１乃至第３の光
照射手段及び第１乃至第３のセンサは単に光を照射で
き、またこれを受光してＯＮ／ＯＦＦ信号を生成できる
ものであればよいため、各光照射手段及びセンサは安価
なものを使用することができ、ウェハ位置決め装置の低
コスト化を図ることができる等の特長を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例であるウェハ位置決め装置の
概略構成図である。

【図２】各ライトから照射された各光がウェハ上に照射
された部位を拡大して示す図である。

【図３】ＣＰＵが実行する位置決め処理を示すフローチ
ャートである。

【図４】図３に示す処理を実行することによるウェハ上
における光ｘ，光ｙ，光ａの動きを示す図である。

【図５】従来のウェハ位置決め装置の一例を示す概略構
成図である。

【符号の説明】

２０ウェハ位置決め装置２１ウェハ２２リング２３テープ２４Ｘ−Ｙ−θテーブル２５，２５Ｘ，２５Ｙ溝部２６半導体チップ２７ライトｘ２８ライトｙ２９ライトａ３０センサｘ３１センサｙ３２センサａ３３ライトユニット３４センサユニット３５ＣＰＵ３６モータコントローラ

フロントページの続き (72)発明者関場隆宮城県柴田郡村田町大字村田字西ケ丘１番地の１株式会社富士通宮城エレクトロニクス内 (72)発明者鈴木信宏宮城県柴田郡村田町大字村田字西ケ丘１番地の１株式会社富士通宮城エレクトロニクス内 (72)発明者軽部哲夫宮城県柴田郡村田町大字村田字西ケ丘１番地の１株式会社富士通宮城エレクトロニクス内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】直交するＸ軸方向とＹ軸方向とにマトリ
ックス状に複数本形成された溝部（２５）により画成さ
れた複数のチップ（２６）が形成されたウェハ（２１）
の位置決めを、前記ウェハ（２１）を載置するウェハ移
動手段（２４）を駆動させて行うウェハ位置決め装置に
おいて、前記Ｘ軸方向に所定範囲に渡り帯状の光を照射する第１
の光照射手段（２７）と、前記Ｙ軸方向に所定範囲に渡り帯状の光を照射する第２
の光照射手段（２８）と、前記第１の光照射手段（２７）が照射する帯状の光と、
前記第２の光照射手段（２８）が照射する帯状の光との
交点位置にスポット状の光を照射する第３の照射手段
（２９）と、前記第１の光照射手段（２７）が照射し前記ウェハ（２
１）を透過或いは反射した光を検知する第１のセンサ
（３０）と、前記第２の光照射手段（２８）が照射し前記ウェハ（２
１）を透過或いは反射した光を検知する第２のセンサ
（３１）と、前記第３の光照射手段（２９）が照射し前記ウェハ（２
１）を透過或いは反射した光を検知する第３のセンサ
（３２）と、前記第１乃至第３のセンサ（３０〜３２）が全て前記第
１乃至第３の光照射手段（２７〜２９）が照射した光を
受光するよう前記ウェハ移動手段（２４）を駆動制御
し、前記ウェハ（２１）を移動させる駆動制御手段（３
５）とを設けたことを特徴とするウェハ位置決め装置。
【請求項２】請求項１記載のウェハ位置決め装置を用
いたウェハ位置決め方法において、先ず、前記ウェハ移動手段（２４）を駆動して前記ウェ
ハ（２１）を予め設定されている既定中心位置に移動さ
せ、前記既定中心位置に移動させた状態における前記第
３の照射手段（２９）が前記ウェハ（２１）に光を照射
する位置を原点とし、続いて、前記ウェハ移動手段（２４）により前記ウェハ
（２１）をＸ軸方向或いはＹ軸方向のいずれか一の方向
に移動させ、最も近接位置において前記第３のセンサ
（３２）が前記第３の光照射手段（２９）からの照射光
を検知する第１の位置を検索し、続いて、前記第３の光照射手段（２９）が前記第１の位
置を照射している状態を維持させつつ前記第１の位置を
中心として前記ウェハ（２１）を回転させて、最も小な
る回転角度にて前記第１または第２の光照射手段（２
７，２８）のいずれか一の光照射手段が照射する光が前
記第１または第２のセンサ（３０，３１）に検知される
第２の位置を検索し、続いて、前記第１または第２の光照射手段（２７，２
８）のいずれか一の光照射手段が照射する光が前記第１
または第２のセンサ（３０，３１）に検知された状態を
維持しつつ、前記ウェハ移動手段（２４）により前記ウ
ェハ（２１）を前記一の方向と直交する方向に移動さ
せ、前記第１または第２の光照射手段（２７，２８）の
内、前記一の光照射手段と異なる照射手段が照射する光
が前記一の光照射手段と対応するセンサに検知される位
置を検索し、該検索位置を正規の中心位置とすることを
特徴とするウェハ位置決め方法。