JPH07223991A - アシル置換芳香族化合物の製造法 - Google Patents
アシル置換芳香族化合物の製造法Info
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- JPH07223991A JPH07223991A JP29632694A JP29632694A JPH07223991A JP H07223991 A JPH07223991 A JP H07223991A JP 29632694 A JP29632694 A JP 29632694A JP 29632694 A JP29632694 A JP 29632694A JP H07223991 A JPH07223991 A JP H07223991A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C45/00—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds
- C07C45/45—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by condensation
- C07C45/46—Friedel-Crafts reactions
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- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】フリーデルクラフツ反応における目的物の収率
を高めようとするものである。 【構成】フリーデルクラフツ触媒およびアルカリ土類金
属塩の存在下、少なくとも１カ所が無置換の芳香族化合
物とカルボン酸の反応性誘導体とを反応させるアシル置
換芳香族化合物の製造法。
を高めようとするものである。 【構成】フリーデルクラフツ触媒およびアルカリ土類金
属塩の存在下、少なくとも１カ所が無置換の芳香族化合
物とカルボン酸の反応性誘導体とを反応させるアシル置
換芳香族化合物の製造法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化学工業で用いられる
フリーデルクラフツ反応の改良法に関するもので、医
薬，食品，その他の化学分野で用いられるものである。
フリーデルクラフツ反応の改良法に関するもので、医
薬，食品，その他の化学分野で用いられるものである。
【０００２】
【従来技術】フリーデルクラフツ反応による芳香族化合
物のアシル化反応は、最も一般的な化学反応の一つであ
り、種々の化合物の合成に用いられている。たとえば特
開昭５９−３９８５５号公報には３，４，５−トリメト
キシトルエンとアルキル・９−クロロホルミルノナノエ
ートとをたとえば硫酸，リン酸，ポリリン酸，塩化アル
ミニウム，三フッ化ホウ素などのフリーデルクラフツ触
媒の存在下に反応させてアルキル・９−（３，４−ジメ
トキシ−２−ヒドロキシ−６−メチルベンゾイル）ノナ
ノエートを製造する方法が記載されている。
物のアシル化反応は、最も一般的な化学反応の一つであ
り、種々の化合物の合成に用いられている。たとえば特
開昭５９−３９８５５号公報には３，４，５−トリメト
キシトルエンとアルキル・９−クロロホルミルノナノエ
ートとをたとえば硫酸，リン酸，ポリリン酸，塩化アル
ミニウム，三フッ化ホウ素などのフリーデルクラフツ触
媒の存在下に反応させてアルキル・９−（３，４−ジメ
トキシ−２−ヒドロキシ−６−メチルベンゾイル）ノナ
ノエートを製造する方法が記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、この合
成手法の有用性を高めるため、改良検討を行った結果、
これらの反応にアルカリ土類金属塩を添加した場合に反
応収率が向上することを見いだした。 本発明は、この
知見を基礎として完成したものである。
成手法の有用性を高めるため、改良検討を行った結果、
これらの反応にアルカリ土類金属塩を添加した場合に反
応収率が向上することを見いだした。 本発明は、この
知見を基礎として完成したものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、フリーデルク
ラフツ触媒およびアルカリ土類金属塩の存在下、少なく
とも１カ所が無置換の芳香族化合物とカルボン酸の反応
性誘導体とを反応させることを特徴とするアシル置換芳
香族化合物の製造法である。上記少なくとも１カ所が無
置換の芳香族化合物はたとえばベンゼン，ナフタレン，
アントラセン，インダン，アセナフチレン，インデンな
どの芳香族炭化水素やたとえばピリジン，キノリン，イ
ンドール，ピロール，フラン，チオフェン，ベンゾフラ
ン，チオナフテンなどの芳香族複素環化合物であってそ
の環上の少なくとも１カ所が無置換のものである。なか
でも芳香族炭化水素でその環上の少なくとも１カ所が無
置換のものが好ましく、特にベンゼン，ナフタレンであ
ってそれらの環上の少なくとも１カ所が無置換のものが
好ましい。これらの芳香族化合物はその環上に置換基を
有していてもよい。該置換基としては、本反応に悪影響
を与えるものでなければどのようなものでもよく、たと
えばメチル，エチル，プロピルなど炭素数１〜３のアル
キル基、たとえばビニル，アリールなど炭素数２〜４の
アルケニル基、ホルミル、たとえばアセチル，プロピオ
ニル，ブチロイルなど炭素数２〜４のアシル基、保護さ
れていてもよい水酸基、保護されていてもよいアミノ
基、ニトロ基、たとえば塩素，臭素などのハロゲン原子
などがあげられる。保護された水酸基は化学的に容易に
開裂して遊離の水酸基を与えるようなものであればよ
い。水酸基の保護基としてはたとえばメチル，エチル，
プロピル，ブチルなど炭素数１〜４の低級アルキル基、
たとえばベンジルなどのアラルキル基、ホルミル、たと
えばアセチル，プロピオニル，ブチリルなど炭素数２〜
４の低級アシル基、たとえばトリメチルシリル，ｔ−ブ
チルジメチルシリルなど炭素数３〜６のシリル、たとえ
ばテトラヒドロフラニル，テトラヒドロピラニル，メト
キシメチル，チオメトキシメチルなど炭素数２〜６で水
酸基の酸素と共にアセタールを形成する基などが挙げら
れる。保護された水酸基の例としては、たとえばメトキ
シ，エトキシ，プロポキシ，ブトキシなど炭素数１〜４
の低級アルコキシ基、たとえばベンジルオキシなどのア
ラルキルオキシ基、ホルミルオキシ、たとえばアセチル
オキシ，プロピオニルオキシ，ブチリルオキシなど炭素
数２〜４の低級アシルオキシ基、たとえばテトラヒドロ
フラニルオキシ，テトラヒドロピラニルオキシ，メトキ
シメチルオキシ，チオメトキシメチルオキシなど炭素数
２〜６のアセタール，たとえばトリメチルシリルオキ
シ，ｔ−ブチルジメチルシリルオキシなど炭素数３〜６
のトリアルキルシリルオキシなどが挙げられる。上記保
護されていてもよいアミノ基としては、遊離のアミノ基
の他たとえばホルミルアミノ、たとえばアセチルアミ
ノ，プロピオニルアミノ，ブチリルアミノなど炭素数１
〜４のアルカノイルアミノなどが挙げられる。
ラフツ触媒およびアルカリ土類金属塩の存在下、少なく
とも１カ所が無置換の芳香族化合物とカルボン酸の反応
性誘導体とを反応させることを特徴とするアシル置換芳
香族化合物の製造法である。上記少なくとも１カ所が無
置換の芳香族化合物はたとえばベンゼン，ナフタレン，
アントラセン，インダン，アセナフチレン，インデンな
どの芳香族炭化水素やたとえばピリジン，キノリン，イ
ンドール，ピロール，フラン，チオフェン，ベンゾフラ
ン，チオナフテンなどの芳香族複素環化合物であってそ
の環上の少なくとも１カ所が無置換のものである。なか
でも芳香族炭化水素でその環上の少なくとも１カ所が無
置換のものが好ましく、特にベンゼン，ナフタレンであ
ってそれらの環上の少なくとも１カ所が無置換のものが
好ましい。これらの芳香族化合物はその環上に置換基を
有していてもよい。該置換基としては、本反応に悪影響
を与えるものでなければどのようなものでもよく、たと
えばメチル，エチル，プロピルなど炭素数１〜３のアル
キル基、たとえばビニル，アリールなど炭素数２〜４の
アルケニル基、ホルミル、たとえばアセチル，プロピオ
ニル，ブチロイルなど炭素数２〜４のアシル基、保護さ
れていてもよい水酸基、保護されていてもよいアミノ
基、ニトロ基、たとえば塩素，臭素などのハロゲン原子
などがあげられる。保護された水酸基は化学的に容易に
開裂して遊離の水酸基を与えるようなものであればよ
い。水酸基の保護基としてはたとえばメチル，エチル，
プロピル，ブチルなど炭素数１〜４の低級アルキル基、
たとえばベンジルなどのアラルキル基、ホルミル、たと
えばアセチル，プロピオニル，ブチリルなど炭素数２〜
４の低級アシル基、たとえばトリメチルシリル，ｔ−ブ
チルジメチルシリルなど炭素数３〜６のシリル、たとえ
ばテトラヒドロフラニル，テトラヒドロピラニル，メト
キシメチル，チオメトキシメチルなど炭素数２〜６で水
酸基の酸素と共にアセタールを形成する基などが挙げら
れる。保護された水酸基の例としては、たとえばメトキ
シ，エトキシ，プロポキシ，ブトキシなど炭素数１〜４
の低級アルコキシ基、たとえばベンジルオキシなどのア
ラルキルオキシ基、ホルミルオキシ、たとえばアセチル
オキシ，プロピオニルオキシ，ブチリルオキシなど炭素
数２〜４の低級アシルオキシ基、たとえばテトラヒドロ
フラニルオキシ，テトラヒドロピラニルオキシ，メトキ
シメチルオキシ，チオメトキシメチルオキシなど炭素数
２〜６のアセタール，たとえばトリメチルシリルオキ
シ，ｔ−ブチルジメチルシリルオキシなど炭素数３〜６
のトリアルキルシリルオキシなどが挙げられる。上記保
護されていてもよいアミノ基としては、遊離のアミノ基
の他たとえばホルミルアミノ、たとえばアセチルアミ
ノ，プロピオニルアミノ，ブチリルアミノなど炭素数１
〜４のアルカノイルアミノなどが挙げられる。
【０００５】少なくとも１カ所が無置換の芳香族化合物
の具体例としてはたとえばベンゼン，トルエン，アニソ
ール，フェノールのほか一般式
の具体例としてはたとえばベンゼン，トルエン，アニソ
ール，フェノールのほか一般式
【化３】 （式中Ｒ1は低級アルキル基，低級アルコキシ基を示す
かまたは２個のＲ1が互いに結合して−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ
Ｈ＝ＣＨ−を示し、Ｒ2は水素原子、低級アルキル基も
しくは低級アシル基を、Ｘは水素原子、保護されていて
もよい水酸基もしくは保護されていてもよいアミノ基を
示す）で表される化合物が挙げられる。Ｒ1で示される
低級アルキル基としては、たとえばメチル，エチルなど
炭素数１〜３のものが、低級アルコキシ基としては、た
とえばメトキシ，エトキシなど炭素数１〜３のものがそ
れぞれ挙げられる。Ｒ2で示される低級アルキルとして
は、たとえばメチル，エチル，プロピル，ブチルなど炭
素数１〜４のものが、低級アシル基としては、たとえば
アセチル，プロピオニル，ブチリルなど炭素数２〜４の
アルキルカルボニルなどがそれぞれ挙げられる。Ｘで示
される保護されていてもよい水酸基としては上記芳香族
化合物の置換基として述べたものと同様のものが挙げら
れる。またＸで示される保護されていてもよいアミノ基
としては上記芳香族化合物の置換基として述べたものと
同様のものが挙げられる。
かまたは２個のＲ1が互いに結合して−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ
Ｈ＝ＣＨ−を示し、Ｒ2は水素原子、低級アルキル基も
しくは低級アシル基を、Ｘは水素原子、保護されていて
もよい水酸基もしくは保護されていてもよいアミノ基を
示す）で表される化合物が挙げられる。Ｒ1で示される
低級アルキル基としては、たとえばメチル，エチルなど
炭素数１〜３のものが、低級アルコキシ基としては、た
とえばメトキシ，エトキシなど炭素数１〜３のものがそ
れぞれ挙げられる。Ｒ2で示される低級アルキルとして
は、たとえばメチル，エチル，プロピル，ブチルなど炭
素数１〜４のものが、低級アシル基としては、たとえば
アセチル，プロピオニル，ブチリルなど炭素数２〜４の
アルキルカルボニルなどがそれぞれ挙げられる。Ｘで示
される保護されていてもよい水酸基としては上記芳香族
化合物の置換基として述べたものと同様のものが挙げら
れる。またＸで示される保護されていてもよいアミノ基
としては上記芳香族化合物の置換基として述べたものと
同様のものが挙げられる。
【０００６】上記カルボン酸の反応性誘導体としては、
たとえばカルボン酸ハライドやカルボン酸無水物が挙げ
られる。該カルボン酸ハライドとしては一般式
たとえばカルボン酸ハライドやカルボン酸無水物が挙げ
られる。該カルボン酸ハライドとしては一般式
【化４】 （式中Ｒ3は置換されていてもよい脂肪族炭化水素残基
を、Ｚはハロゲン原子を示す。）で表される化合物が挙
げられる。脂肪族炭化水素残基としては、たとえばメチ
ル，エチル，ｎ−プロピル，ｉ−プロピル，ｎ−ブチ
ル，ｉ−ブチル，ｔ−ブチル，ｎ−ペンチル，ｉ−ペン
チル，ｔ−ペンチル，ｓｅｃ．−ペンチル，ｎ−ヘキシ
ル，ｎ−ヘプチル，ｎ−オクチル，ｎ−ノニル，ｎ−デ
シル，ｎ−ウンデシル，ｎ−ドデシル，ｎ−トリデシ
ル，ｎ−テトラデシル，ｎ−ペンタデシル，ｎ−ヘキサ
デシル，ｎ−ヘプタデシル，ｎ−オクタデシル，ｎ−ノ
ナデシル，ｎ−エイコシルなど炭素数１〜２１のものが
挙げられ、なかでも直鎖状のものが好ましい。これらは
置換されていてもよく、該置換基としては、反応に関与
しないものであればいずれでもよく、たとえばハロゲン
原子（フッ素，塩素，臭素，ヨウ素），エステル化また
はアミド化されていてもよいカルボキシル基，置換され
ていてもよい水酸基などが挙げられる。エステル化され
たカルボキシル基としてはたとえばメトキシカルボニ
ル，エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル，ブト
キシカルボニルなど炭素数２〜５のアルコキシカルボニ
ル、たとえばフェノキシカルボニルなど炭素数７〜８の
アリールオキシカルボニルなどが挙げられる。アミド化
されたカルボキシル基はそのアミノ基が置換された置換
アミノカルボニルでもよくまた環状アミノカルボニルで
もよい。置換アミノカルボニルのアミノ基の置換基とし
てはたとえばメチル，エチル，プロピル，ブチルなど炭
素数１〜４のアルキル、たとえばフェニル，ナフチルな
ど炭素数６〜１０のアリール基（これらはさらに環上の
任意の位置にたとえばヒドロキシル、アミノ，ニトロ，
ハロゲン，メチルメトキシなどの置換基を有していても
よい。）ヒドロキシルなどが挙げられる。環状アミノカ
ルボニルとしてはたとえばモルホリノカルボニル，ピペ
リジノカルボニル，チオモルホリノカルボニルなどが挙
げられる。また置換されていてもよい水酸基としては無
置換のヒドロキシの他たとえばメトキシメチルオキシ，
アセトキシ，ニトロキシ，アミノカルボニルオキシ，置
換アミノカルボニルオキシ（たとえばメチルアミノカル
ボニルオキシなど），環状アミノカルボニルオキシ（た
とえばモルホリノカルボニルオキシ，ピペリジノカルボ
ニルオキシ，チオモルホリノカルボニルオキシなど）が
挙げられる。Ｚで示されるハロゲン原子としては、たと
えば塩素原子，臭素原子，ヨウ素原子などが挙げられ
る。これらの置換基は、脂肪族炭化水素残基のいずれの
位置に置換していてもよいが、末端に置換しているもの
が好ましい。
を、Ｚはハロゲン原子を示す。）で表される化合物が挙
げられる。脂肪族炭化水素残基としては、たとえばメチ
ル，エチル，ｎ−プロピル，ｉ−プロピル，ｎ−ブチ
ル，ｉ−ブチル，ｔ−ブチル，ｎ−ペンチル，ｉ−ペン
チル，ｔ−ペンチル，ｓｅｃ．−ペンチル，ｎ−ヘキシ
ル，ｎ−ヘプチル，ｎ−オクチル，ｎ−ノニル，ｎ−デ
シル，ｎ−ウンデシル，ｎ−ドデシル，ｎ−トリデシ
ル，ｎ−テトラデシル，ｎ−ペンタデシル，ｎ−ヘキサ
デシル，ｎ−ヘプタデシル，ｎ−オクタデシル，ｎ−ノ
ナデシル，ｎ−エイコシルなど炭素数１〜２１のものが
挙げられ、なかでも直鎖状のものが好ましい。これらは
置換されていてもよく、該置換基としては、反応に関与
しないものであればいずれでもよく、たとえばハロゲン
原子（フッ素，塩素，臭素，ヨウ素），エステル化また
はアミド化されていてもよいカルボキシル基，置換され
ていてもよい水酸基などが挙げられる。エステル化され
たカルボキシル基としてはたとえばメトキシカルボニ
ル，エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル，ブト
キシカルボニルなど炭素数２〜５のアルコキシカルボニ
ル、たとえばフェノキシカルボニルなど炭素数７〜８の
アリールオキシカルボニルなどが挙げられる。アミド化
されたカルボキシル基はそのアミノ基が置換された置換
アミノカルボニルでもよくまた環状アミノカルボニルで
もよい。置換アミノカルボニルのアミノ基の置換基とし
てはたとえばメチル，エチル，プロピル，ブチルなど炭
素数１〜４のアルキル、たとえばフェニル，ナフチルな
ど炭素数６〜１０のアリール基（これらはさらに環上の
任意の位置にたとえばヒドロキシル、アミノ，ニトロ，
ハロゲン，メチルメトキシなどの置換基を有していても
よい。）ヒドロキシルなどが挙げられる。環状アミノカ
ルボニルとしてはたとえばモルホリノカルボニル，ピペ
リジノカルボニル，チオモルホリノカルボニルなどが挙
げられる。また置換されていてもよい水酸基としては無
置換のヒドロキシの他たとえばメトキシメチルオキシ，
アセトキシ，ニトロキシ，アミノカルボニルオキシ，置
換アミノカルボニルオキシ（たとえばメチルアミノカル
ボニルオキシなど），環状アミノカルボニルオキシ（た
とえばモルホリノカルボニルオキシ，ピペリジノカルボ
ニルオキシ，チオモルホリノカルボニルオキシなど）が
挙げられる。Ｚで示されるハロゲン原子としては、たと
えば塩素原子，臭素原子，ヨウ素原子などが挙げられ
る。これらの置換基は、脂肪族炭化水素残基のいずれの
位置に置換していてもよいが、末端に置換しているもの
が好ましい。
【０００７】上記一般式（ＩＩ−１）で表されるカルボ
ン酸ハライドのより具体的なものとして、たとえば一般
式
ン酸ハライドのより具体的なものとして、たとえば一般
式
【化５】 （式中Ｚは前記と同意義であり、ｎは０または１〜２０
の整数を示し、Ｒ4はメチル，ハロゲン原子，エステル
化またはアミド化されていてもよいカルボキシル基，置
換されていてもよい水酸基を示す。）で表される化合物
が挙げられる。Ｒ4で示されるハロゲン原子としてはフ
ッ素，塩素，臭素，ヨウ素が挙げられる。Ｒ4で示され
るエステル化されたカルボキシル基，アミド化されたカ
ルボキシル基，置換された水酸基は前記Ｒ3で示される
脂肪族炭化水素残基の置換基として述べたものと同様の
ものが挙げられる。上記カルボン酸無水物としては一般
式
の整数を示し、Ｒ4はメチル，ハロゲン原子，エステル
化またはアミド化されていてもよいカルボキシル基，置
換されていてもよい水酸基を示す。）で表される化合物
が挙げられる。Ｒ4で示されるハロゲン原子としてはフ
ッ素，塩素，臭素，ヨウ素が挙げられる。Ｒ4で示され
るエステル化されたカルボキシル基，アミド化されたカ
ルボキシル基，置換された水酸基は前記Ｒ3で示される
脂肪族炭化水素残基の置換基として述べたものと同様の
ものが挙げられる。上記カルボン酸無水物としては一般
式
【化６】 （式中、Ｒ3は前記と同意義である。）または一般式
【化７】 （式中、ａは２または３を示す。）で表されるものが挙
げられる。また一般式（ＩＩ−３）で表される化合物の
より具体的なものとして一般式
げられる。また一般式（ＩＩ−３）で表される化合物の
より具体的なものとして一般式
【化８】 （式中、Ｒ4およびｎは前記と同意義である。）で表さ
れるものが挙げられる。カルボン酸の反応性誘導体の使
用量は芳香族化合物に対して通常０．５〜２倍モルであ
る。本反応に用いられるフリーデルクラフツ触媒として
は、塩化アルミニウム，臭化アルミニウム，塩化鉄，臭
化鉄，塩化亜鉛，臭化亜鉛，塩化スズ，臭化スズ，塩化
チタン，塩化ジルコニウム，フッ化アンチモン，塩化ア
ンチモン，臭化アンチモン，フッ化ホウ素，塩化ホウ
素，臭化ホウ素などのルイス酸などが好ましく、その中
でも、塩化アルミニウムが最も好ましい。その使用量
は、通常、出発原料の芳香族化合物に対し１〜５倍モ
ル、好ましくは、１〜３倍モルの範囲内で行われる。本
発明で用いられるアルカリ土類金属塩としてはたとえば
マグネシウム，カルシウムなどのアルカリ土類金属のハ
ロゲン化物などが挙げられる。なかでも塩化物、臭化物
が好ましく、塩化カルシウム，塩化マグネシウムが特に
好ましい。塩化カルシウム，塩化マグネシウムなどは試
薬として顆粒状のものが一般的であるが、本発明では微
粉砕の物が好ましい。アルカリ土類金属塩の使用量は、
通常、出発原料の芳香族化合物に対し０．０５〜２倍モ
ル、好ましくは、０．１〜１倍モルである。
れるものが挙げられる。カルボン酸の反応性誘導体の使
用量は芳香族化合物に対して通常０．５〜２倍モルであ
る。本反応に用いられるフリーデルクラフツ触媒として
は、塩化アルミニウム，臭化アルミニウム，塩化鉄，臭
化鉄，塩化亜鉛，臭化亜鉛，塩化スズ，臭化スズ，塩化
チタン，塩化ジルコニウム，フッ化アンチモン，塩化ア
ンチモン，臭化アンチモン，フッ化ホウ素，塩化ホウ
素，臭化ホウ素などのルイス酸などが好ましく、その中
でも、塩化アルミニウムが最も好ましい。その使用量
は、通常、出発原料の芳香族化合物に対し１〜５倍モ
ル、好ましくは、１〜３倍モルの範囲内で行われる。本
発明で用いられるアルカリ土類金属塩としてはたとえば
マグネシウム，カルシウムなどのアルカリ土類金属のハ
ロゲン化物などが挙げられる。なかでも塩化物、臭化物
が好ましく、塩化カルシウム，塩化マグネシウムが特に
好ましい。塩化カルシウム，塩化マグネシウムなどは試
薬として顆粒状のものが一般的であるが、本発明では微
粉砕の物が好ましい。アルカリ土類金属塩の使用量は、
通常、出発原料の芳香族化合物に対し０．０５〜２倍モ
ル、好ましくは、０．１〜１倍モルである。
【０００８】本反応は、無溶媒で行うこともできるが通
常溶媒を用いて行われる。溶媒としては、フリーデルク
ラフツ反応に使用される溶媒をいずれも用いることがで
きる。好ましい溶媒としては、ニトロベンゼン、ニトロ
メタン、ニトロエタンなどのニトロ基を有する溶媒、ジ
クロルメタン、ジクロルエタン、クロロホルム、テトラ
クロルエタンなどのハロゲン化炭化水素型溶媒、エーテ
ル、テトラヒドロフランなどのエーテル型溶媒、二硫化
炭素が挙げられる。反応は、通常、−１０℃〜２５０℃
の温度範囲で、または−１０℃〜使用溶媒の沸点付近の
温度で行われる。本発明においては、アシル置換芳香族
化合物が目的物として得られるが、一般式（Ｉ−１）で
表される化合物と一般式（ＩＩ−１）で表される化合物
を反応させた場合は一般式
常溶媒を用いて行われる。溶媒としては、フリーデルク
ラフツ反応に使用される溶媒をいずれも用いることがで
きる。好ましい溶媒としては、ニトロベンゼン、ニトロ
メタン、ニトロエタンなどのニトロ基を有する溶媒、ジ
クロルメタン、ジクロルエタン、クロロホルム、テトラ
クロルエタンなどのハロゲン化炭化水素型溶媒、エーテ
ル、テトラヒドロフランなどのエーテル型溶媒、二硫化
炭素が挙げられる。反応は、通常、−１０℃〜２５０℃
の温度範囲で、または−１０℃〜使用溶媒の沸点付近の
温度で行われる。本発明においては、アシル置換芳香族
化合物が目的物として得られるが、一般式（Ｉ−１）で
表される化合物と一般式（ＩＩ−１）で表される化合物
を反応させた場合は一般式
【化９】 （式中各記号は前記と同意義である。）で表される化合
物が得られ、また一般式（Ｉ−１）で表される化合物と
一般式（ＩＩ−４）で表される化合物を反応させた場合
は一般式
物が得られ、また一般式（Ｉ−１）で表される化合物と
一般式（ＩＩ−４）で表される化合物を反応させた場合
は一般式
【化１０】 （式中各記号は前記と同意義である。）で表される化合
物が得られる。本発明は、たとえば医薬として有用な脳
循環代謝改善作用を有する化合物として知られていてい
る２，３−ジメトキシ−５−メチル−６−（１０−ヒド
ロキシデシル）−１，４−ベンゾキノンの重要な中間原
料であるアルキル・９−（２−ヒドロキシ−３，４−ジ
メトキシ−６−メチルベンゾイル）ノナノエート、およ
び９−（２−ヒドロキシ−３，４−ジメトキシ−６−メ
チルベンゾイル）ノナノールまたはそのエステルの製造
に有効である。このアルキル・９−（２−ヒドロキシ−
３，４−ジメトキシ−６−メチルベンゾイル）ノナノエ
ートおよび９−（２−ヒドロキシ−３，４−ジメトキシ
−６−メチルベンゾイル）ノナノールまたはそのエステ
ルは、３，４，５−トリメトキシトルエンとアルキル・
９−クロロホルミルノナノエートおよび９−クロロホル
ミルノナノールまたはそのエステルをフリーデルクラフ
ツ反応に付して得られる。本発明の目的化合物の一つで
あるメチル９−（２−ヒドロキシ−３，４−ジメトキシ
−６−メチルベンゾイル）−ノナノエートは特開昭５９
−３９８５５号公報に記載の方法によって特異な薬理活
性作用を有する２，３−ジメトキシ−５−メチル−６−
（１０−ヒドロキシデシル）−１，４−ベンゾキノン
（イデベノン）に導くことができる。
物が得られる。本発明は、たとえば医薬として有用な脳
循環代謝改善作用を有する化合物として知られていてい
る２，３−ジメトキシ−５−メチル−６−（１０−ヒド
ロキシデシル）−１，４−ベンゾキノンの重要な中間原
料であるアルキル・９−（２−ヒドロキシ−３，４−ジ
メトキシ−６−メチルベンゾイル）ノナノエート、およ
び９−（２−ヒドロキシ−３，４−ジメトキシ−６−メ
チルベンゾイル）ノナノールまたはそのエステルの製造
に有効である。このアルキル・９−（２−ヒドロキシ−
３，４−ジメトキシ−６−メチルベンゾイル）ノナノエ
ートおよび９−（２−ヒドロキシ−３，４−ジメトキシ
−６−メチルベンゾイル）ノナノールまたはそのエステ
ルは、３，４，５−トリメトキシトルエンとアルキル・
９−クロロホルミルノナノエートおよび９−クロロホル
ミルノナノールまたはそのエステルをフリーデルクラフ
ツ反応に付して得られる。本発明の目的化合物の一つで
あるメチル９−（２−ヒドロキシ−３，４−ジメトキシ
−６−メチルベンゾイル）−ノナノエートは特開昭５９
−３９８５５号公報に記載の方法によって特異な薬理活
性作用を有する２，３−ジメトキシ−５−メチル−６−
（１０−ヒドロキシデシル）−１，４−ベンゾキノン
（イデベノン）に導くことができる。
【０００９】
実施例１ 無水塩化アルミニウム（９．０７ｇ）と無水塩化カルシ
ウム（１．６６ｇ）のジクロルエタン（１０３ｍｌ）懸
濁液へ、氷冷下塩化フェニルアセチル（７．７３ｇ）の
ジクロルエタン（７ｍｌ）溶液を３０分で滴下した。次
に、アニソール（５．４１ｇ）のジクロルエタン（７ｍ
ｌ）溶液を滴下した。これを還流下２０分かきまぜた
後、反応液を希塩酸（水１２０ｍｌおよび濃塩酸８．５
６ｇ）に加えた。分液してｐ−メトキシフェニルベンジ
ルケトン（９．２８ｇ、収率８２．２％）を含むジクロ
ルエタン層を得た。溶媒留去後、残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン：酢酸エチル＝
８：１）に付し、主流分を濃縮後メタノールから結晶化
してｐ−メトキシフェニルベンジルケトン（４．６９
ｇ）を得た。 赤外吸収スペクトルν（ＫＢｒ錠剤）（ｃｍ- 1 ）：１
６８０（ＣＯ） 核磁気共鳴スペクトルδ（ＣＤＣｌ3 中）（ｐｐｍ）：
３．８０（３Ｈ、一重線、ＣＨ3 Ｏ）、４．２０（２
Ｈ、一重線、−ＣＨ2 −）、６．８９（２Ｈ、二重線、
−Ｐｈ−ＯＣＨ3 ）、７．２６（５Ｈ、一重線、Ｐｈ−
ＣＨ2 −）、７．９７（２Ｈ、二重線、−Ｐｈ−ＯＣＨ
3 、） 比較例１ 無水塩化カルシウムを添加しないで実施例１の方法で反
応を行った結果、ｐ−メトキシフェニルベンジルケトン
（６．８３ｇ、収率６０．４％）を含むジクロルエタン
層を得た。
ウム（１．６６ｇ）のジクロルエタン（１０３ｍｌ）懸
濁液へ、氷冷下塩化フェニルアセチル（７．７３ｇ）の
ジクロルエタン（７ｍｌ）溶液を３０分で滴下した。次
に、アニソール（５．４１ｇ）のジクロルエタン（７ｍ
ｌ）溶液を滴下した。これを還流下２０分かきまぜた
後、反応液を希塩酸（水１２０ｍｌおよび濃塩酸８．５
６ｇ）に加えた。分液してｐ−メトキシフェニルベンジ
ルケトン（９．２８ｇ、収率８２．２％）を含むジクロ
ルエタン層を得た。溶媒留去後、残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン：酢酸エチル＝
８：１）に付し、主流分を濃縮後メタノールから結晶化
してｐ−メトキシフェニルベンジルケトン（４．６９
ｇ）を得た。 赤外吸収スペクトルν（ＫＢｒ錠剤）（ｃｍ- 1 ）：１
６８０（ＣＯ） 核磁気共鳴スペクトルδ（ＣＤＣｌ3 中）（ｐｐｍ）：
３．８０（３Ｈ、一重線、ＣＨ3 Ｏ）、４．２０（２
Ｈ、一重線、−ＣＨ2 −）、６．８９（２Ｈ、二重線、
−Ｐｈ−ＯＣＨ3 ）、７．２６（５Ｈ、一重線、Ｐｈ−
ＣＨ2 −）、７．９７（２Ｈ、二重線、−Ｐｈ−ＯＣＨ
3 、） 比較例１ 無水塩化カルシウムを添加しないで実施例１の方法で反
応を行った結果、ｐ−メトキシフェニルベンジルケトン
（６．８３ｇ、収率６０．４％）を含むジクロルエタン
層を得た。
【００１０】実施例２ アニソールの代わりにトルエン（４．７０ｇ）を用い、
実施例１の方法で反応を行った結果、ｐ−トリルベンジ
ルケトン（９．８３ｇ、収率９３．７％）を含むジクロ
ルエタン層を得た。溶媒留去後エタノールから結晶化し
てｐ−トリルベンジルケトン（７．７０ｇ）を得た。 赤外吸収スペクトルν（ＫＢｒ錠剤）（ｃｍ- 1 ）：１
６８２（ＣＯ） 核磁気共鳴スペクトルδ（ＣＤＣｌ3 中）（ｐｐｍ）：
２．３７（３Ｈ、一重線、ＣＨ3 −）、４．２３（２
Ｈ、一重線、−ＣＨ2 −）、７．２２（２Ｈ、二重線、
−Ｐｈ−ＣＨ3 ）、７．２６（５Ｈ、一重線、Ｐｈ−Ｃ
Ｈ2 −）、７．９０（２Ｈ、二重線、−Ｐｈ−ＣＨ3 ） 比較例２ 無水塩化カルシウムを添加しないで実施例２の方法で反
応を行った結果、ｐ−トリルベンジルケトン（９．０３
ｇ、収率８６．０％）を含むジクロルエタン層を得た。
実施例１の方法で反応を行った結果、ｐ−トリルベンジ
ルケトン（９．８３ｇ、収率９３．７％）を含むジクロ
ルエタン層を得た。溶媒留去後エタノールから結晶化し
てｐ−トリルベンジルケトン（７．７０ｇ）を得た。 赤外吸収スペクトルν（ＫＢｒ錠剤）（ｃｍ- 1 ）：１
６８２（ＣＯ） 核磁気共鳴スペクトルδ（ＣＤＣｌ3 中）（ｐｐｍ）：
２．３７（３Ｈ、一重線、ＣＨ3 −）、４．２３（２
Ｈ、一重線、−ＣＨ2 −）、７．２２（２Ｈ、二重線、
−Ｐｈ−ＣＨ3 ）、７．２６（５Ｈ、一重線、Ｐｈ−Ｃ
Ｈ2 −）、７．９０（２Ｈ、二重線、−Ｐｈ−ＣＨ3 ） 比較例２ 無水塩化カルシウムを添加しないで実施例２の方法で反
応を行った結果、ｐ−トリルベンジルケトン（９．０３
ｇ、収率８６．０％）を含むジクロルエタン層を得た。
【００１１】実施例３ 無水塩化アルミニウム（７４．０ｇ）と無水塩化カルシ
ウム（９．９９ｇ）のジクロルエタン（６１８ｍｌ）懸
濁液へ、２０℃以下で３，４，５−トリメトキシトルエ
ン（５４．６７ｇ）のジクロルエタン（３８ｍｌ）溶液
を３０分で滴下した。次に、メチル９−クロロホルミル
ノナノエート（７７．５ｇ）のジクロルエタン（３８ｍ
ｌ）溶液を滴下した。７８〜８２℃で２０分かきまぜた
後、反応液を希塩酸（水８４０ｍｌおよび濃塩酸７２．
１ｍｌ）に加えた。分液してメチル９−（２−ヒドロキ
シ−３，４−ジメトキシ−６−メチルベンゾイル）ノナ
ノエート（９５．６６ｇ、収率８７．０％）のジクロル
エタン層を得た。 比較例３ 実施例３の方法に従い、無水塩化カルシウムを用いない
でメチル９−（２−ヒドロキシ−３，４−ジメトキシ−
６−メチルベンゾイル）ノナノエートを製造した。収率
は７８．０％であった。 実施例４ 実施例３の方法に従い、無水塩化カルシウムの代わりに
無水塩化マグネシウム（８．５７ｇ）を添加して反応を
行い、メチル９−（２−ヒドロキシ−３，４−ジメトキ
シ−６−メチルベンゾイル）ノナノエート（９３．４６
ｇ，収率８５．０％）を含むジクロロエタン層を得た。
ウム（９．９９ｇ）のジクロルエタン（６１８ｍｌ）懸
濁液へ、２０℃以下で３，４，５−トリメトキシトルエ
ン（５４．６７ｇ）のジクロルエタン（３８ｍｌ）溶液
を３０分で滴下した。次に、メチル９−クロロホルミル
ノナノエート（７７．５ｇ）のジクロルエタン（３８ｍ
ｌ）溶液を滴下した。７８〜８２℃で２０分かきまぜた
後、反応液を希塩酸（水８４０ｍｌおよび濃塩酸７２．
１ｍｌ）に加えた。分液してメチル９−（２−ヒドロキ
シ−３，４−ジメトキシ−６−メチルベンゾイル）ノナ
ノエート（９５．６６ｇ、収率８７．０％）のジクロル
エタン層を得た。 比較例３ 実施例３の方法に従い、無水塩化カルシウムを用いない
でメチル９−（２−ヒドロキシ−３，４−ジメトキシ−
６−メチルベンゾイル）ノナノエートを製造した。収率
は７８．０％であった。 実施例４ 実施例３の方法に従い、無水塩化カルシウムの代わりに
無水塩化マグネシウム（８．５７ｇ）を添加して反応を
行い、メチル９−（２−ヒドロキシ−３，４−ジメトキ
シ−６−メチルベンゾイル）ノナノエート（９３．４６
ｇ，収率８５．０％）を含むジクロロエタン層を得た。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、従来のフリーデルクラ
フツ反応に比べて収率よく目的化合物を得ることができ
る。したがって、例えば医薬品のような高付加価値化合
物へ適用する場合などに最も有用で、原価低減等に効果
を発揮する。
フツ反応に比べて収率よく目的化合物を得ることができ
る。したがって、例えば医薬品のような高付加価値化合
物へ適用する場合などに最も有用で、原価低減等に効果
を発揮する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 67/343 69/716 Ｚ 9279−4Ｈ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００
Claims (8)
- 【請求項１】フリーデルクラフツ触媒およびアルカリ土
類金属塩の存在下、少なくとも１カ所が無置換の芳香族
化合物とカルボン酸の反応性誘導体とを反応させること
を特徴とするアシル置換芳香族化合物の製造法。 - 【請求項２】フリーデルクラフツ触媒が塩化アルミニウ
ムである請求項１記載の製造法。 - 【請求項３】アルカリ土類金属塩がマグネシウムまたは
カルシウムのハロゲン化物である請求項１記載の方法。 - 【請求項４】アルカリ土類金属塩が塩化カルシウムまた
は塩化マグネシウムである請求項１記載の方法。 - 【請求項５】アルカリ土類金属塩を少なくとも１カ所が
無置換の芳香族化合物に対して０．０５〜２倍モル用い
る請求項１記載の製造法。 - 【請求項６】少なくとも１カ所が無置換の芳香族化合物
が一般式 【化１】 （式中Ｒ1は低級アルキル基，低級アルコキシ基を示す
かまたは２個のＲ1が互いに結合して−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ
Ｈ＝ＣＨ−を示し、Ｒ2は水素、低級アルキル基もしく
は低級アシル基、Ｘは水素、保護されていてもよい水酸
基もしくは保護されていてもよいアミノ基を示す）で表
される化合物である請求項１記載の製造法。 - 【請求項７】カルボン酸の反応性誘導体がカルボン酸ハ
ライドまたはカルボン酸無水物である請求項１記載の製
造法。 - 【請求項８】アシル置換芳香族化合物が一般式 【化２】 (式中Ｒ1は低級アルキル基，低級アルコキシ基を示すか
または２個のＲ1が互いに結合して−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ
＝ＣＨ−を示し、Ｒ2は水素原子、低級アルキル基もし
くは低級アシル基を、Ｘは水素、保護されていてもよい
水酸基もしくは保護されていてもよいアミノ基を、Ｒ3
は置換されていてもよい脂肪族炭化水素残基を示す）で
表される化合物である請求項１記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29632694A JPH07223991A (ja) | 1993-12-17 | 1994-11-30 | アシル置換芳香族化合物の製造法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-318209 | 1993-12-17 | ||
| JP31820993 | 1993-12-17 | ||
| JP29632694A JPH07223991A (ja) | 1993-12-17 | 1994-11-30 | アシル置換芳香族化合物の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07223991A true JPH07223991A (ja) | 1995-08-22 |
Family
ID=26560633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29632694A Pending JPH07223991A (ja) | 1993-12-17 | 1994-11-30 | アシル置換芳香族化合物の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07223991A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7179928B2 (en) | 2001-08-13 | 2007-02-20 | Antipodean Pharmaceuticals, Inc. | Synthesis of triphenylphosphonium quinols and quinones |
| JP2008050286A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Dainippon Ink & Chem Inc | テトラヒドロナフタレン誘導体の製造方法 |
| US7888334B2 (en) | 2003-08-22 | 2011-02-15 | Antipodean Pharmaceuticals, Inc. | Mitoquinone derivatives used as mitochondrially targeted antioxidants |
| US7888335B2 (en) | 2003-08-22 | 2011-02-15 | Antipodean Pharmaceuticals, Inc. | Mitoquinone derivatives used as mitochondrially targeted antioxidants |
| CN102974280A (zh) * | 2012-11-28 | 2013-03-20 | 周烜 | 一种提高傅克酰氯反应收率的方法及其设备 |
-
1994
- 1994-11-30 JP JP29632694A patent/JPH07223991A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7179928B2 (en) | 2001-08-13 | 2007-02-20 | Antipodean Pharmaceuticals, Inc. | Synthesis of triphenylphosphonium quinols and quinones |
| US7888334B2 (en) | 2003-08-22 | 2011-02-15 | Antipodean Pharmaceuticals, Inc. | Mitoquinone derivatives used as mitochondrially targeted antioxidants |
| US7888335B2 (en) | 2003-08-22 | 2011-02-15 | Antipodean Pharmaceuticals, Inc. | Mitoquinone derivatives used as mitochondrially targeted antioxidants |
| JP2008050286A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Dainippon Ink & Chem Inc | テトラヒドロナフタレン誘導体の製造方法 |
| CN102974280A (zh) * | 2012-11-28 | 2013-03-20 | 周烜 | 一种提高傅克酰氯反应收率的方法及其设备 |
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