JPH07221511A - 高周波用hicモジュール - Google Patents

高周波用hicモジュール

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JPH07221511A
JPH07221511A JP6008201A JP820194A JPH07221511A JP H07221511 A JPH07221511 A JP H07221511A JP 6008201 A JP6008201 A JP 6008201A JP 820194 A JP820194 A JP 820194A JP H07221511 A JPH07221511 A JP H07221511A
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hic
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Hideko Ikeda
秀子 池田
Yukihiro Yahagi
行弘 矢作
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NEC Engineering Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 高周波用HICモジュールの組立てや調整等
の作業性を向上させる。 【構成】 半導体素子はケース1内に実装された誘電体
基板5上に載置されており、内カバー2と外カバー4と
誘電体板とによって密封されている。ケース1内の誘電
体基板5の実装部分はその幅dが深さより大きく作られ
ており、ケース1内の内カバー2を乗せる部分はその幅
Wが実装部分の幅dよりも相当広くなっている。内カバ
ー2は誘電体基板5の実装部分を覆うように覆設され、
ネジ9によってケース1内に固定される。内カバー2に
はアンテナ6とのショート距離を確保するためにショー
ト板3が取付けられている。誘電体基板5の一端にはア
ンテナ6が取付けられ、他端は接続用金リボン7を通し
て同軸端子8に接続されている。アンテナ6は誘電体板
10を通してHIC内に入力されたRF信号を同軸に変
換する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高周波用HICモジュー
ルに関し、特に高周波用HIC(ハイブリッド集積回
路)モジュールのケースに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、高周波用HICモジュールにおい
ては、図4〜図6に示すように、半導体素子26がケー
ス21内に実装された誘電体基板24上に載置されてお
り、内カバー22と外カバー23と誘電体板29とによ
って密封されている。
【0003】誘電体基板24の一端にはアンテナ25が
取付けられ、他端は接続用金リボン27を通して同軸端
子28に接続されている。
【0004】上記のような構造のハイブリッド集積回路
(以下、HICとする)は導波管入力方式であり、HI
C内部で同軸モードに変換する構造となっている。すな
わち、導波管で入力されたRF(無線周波)信号は誘電
体板26を通してHIC内に入力され、アンテナ25で
同軸に変換される。
【0005】ここで、アンテナ25と内カバー22との
間のショート距離h5 は導波管を同軸に変換するために
必要な距離で、λg /4程度である。尚、λg は管内波
長である。
【0006】また、縦の長さa、横の長さb、高さcの
空胴直方体の共振周波数fr0は一般にTEmnp モードに
対して、 fr0=[1/2(με)1/2 ] ・[(m/a)2 +(n/c)2 +(p/b)2 1/2 で与えられる。尚、m,n,pは整数である。
【0007】よって、上記のような構造のHICでは誘
電体基板24を実装する実装部分のケース21の内壁の
幅d及び深さh6 を、上記の式の共振を避けるような寸
法に決める必要がある。
【0008】一般的には使用周波数が高くなればなるほ
ど、縦の長さa、横の長さb、高さcを小さくしなけれ
ばならない。実際には、ケース21の形状が完全な直方
体ではなかったり、内部に実装される部品等によって計
算値からのずれが生ずる。
【0009】このため、経験から得た値に安全率を乗
じ、各寸法を割り出している。例えば、信号周波数が4
7GHzの場合、ケース21の内壁の幅dは2mm、ア
ンテナ25と内カバー22との距離h5 は2.15m
m、ケース21の深さh4 は3mm程度となる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のHIC
モジュールでは、信号周波数がミリ波等の高い周波数帯
の場合、ケースの幅を数mmと非常に小さくしなければ
ならないのに対し、ショートまでの距離を確保するため
にケースの深さを深くしなければならない。
【0011】このため、HICの半導体素子を載置する
誘電体基板の実装部分の幅がその実装部分の深さよりも
小さいので、組立てや調整等の作業性が悪くなるという
問題がある。
【0012】そこで、本発明の目的は上記の問題点を解
消し、組立てや調整等の作業性を向上させることができ
る高周波用HICモジュールを提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明による高周波用H
ICモジュールは、ハイブリッド集積回路を密封するた
めの誘電体板と、前記誘電体板を通して入力された無線
周波信号を同軸信号に変換するアンテナとを含む高周波
用HICモジュールであって、前記ハイブリッド集積回
路を実装しかつその実装部分の幅がその深さよりも大な
るケース部材と、前記アンテナとのショート距離を確保
するショート板とを備えている。
【0014】本発明による他の高周波用HICモジュー
ルは、上記の構成のほかに、前記実装部分上に覆設され
かつ前記ショート板を保持する内カバー部材を備えてい
る。
【0015】
【実施例】次に、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。
【0016】図1は本発明の一実施例の部分断面を含む
平面図であり、図2は図1のAA線に沿う矢視方向の断
面図であり、図3は図1のBB線に沿う矢視方向の断面
図である。
【0017】これらの図において、半導体素子11はケ
ース1内に実装された誘電体基板5上に載置されてお
り、内カバー2と外カバー4と誘電体板10とによって
密封されている。
【0018】ケース1内の誘電体基板5の実装部分はそ
の幅dが深さh2 より大きく作られており、ケース1内
の内カバー2を乗せる部分はその幅Wが実装部分の幅d
よりも相当広くなっている。
【0019】内カバー2は誘電体基板5の実装部分を覆
うように覆設され、ネジ9によってケース1内に固定さ
れる。この内カバー2にはアンテナ6とのショート距離
h1を確保するためにショート板3が取付けられてい
る。
【0020】誘電体基板5の一端にはアンテナ6が取付
けられ、他端は接続用金リボン7を通して同軸端子8に
接続されている。このアンテナ6は誘電体板10を通し
てHIC内に入力されたRF信号を同軸に変換する。
【0021】上述した如く、ケース1内の誘電体基板5
の実装部分の幅dを深さh2 よりも大きくし、つまり実
装部分の深さh2 をできるだけ浅くし、内カバー2を乗
せる部分の幅Wをできるだけ広くすることで、ケース1
の内壁の深さh3 が深くとも、組立てや調整等の作業が
しやすくなる。
【0022】例えば、信号周波数が47GHzの場合、
ケース1の実装部分の幅dは1.8mmと非常に狭い
が、この実装部分の深さh2 は1.5mmと浅くするこ
とができる。この場合、ショート距離h1 の2.14m
mを確保するために、ケース1の深さh3 は3〜4mm
程度必要となるが、内カバー2を乗せる部分の幅Wを7
〜8mm程度にすれば、組立てや調整等の作業がしやす
くなる。
【0023】このように、HICを密封するための誘電
体板10と、この誘電体板10を通して入力されたRF
信号を同軸信号に変換するアンテナ6とを含む高周波用
HICモジュールにおいて、半導体素子11を載置する
誘電体基板5を実装するケース1の実装部分の幅dがそ
の実装部分の深さh2 よりも大となるようにし、アンテ
ナ6とのショート距離h1 を確保するためのショート板
3を内カバー2に取付けることによって、信号周波数に
対してはカットオフとなる寸法(ケース1の内壁の幅d
及び深さh3 )を確保し、導波管部においてはショート
距離h1 を確保したままで、組立てや調整等の作業性を
向上させることができる。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ハ
イブリッド集積回路を密封するための誘電体板とこの誘
電体板を通して入力された無線周波信号を同軸信号に変
換するアンテナとを含む高周波用HICモジュールにお
いて、ハイブリッド集積回路を実装するケース部材の実
装部分の幅がその実装部分の深さよりも大となるように
し、その実装部分上に覆設された内カバー部材でアンテ
ナとのショート距離を確保するショート板を保持するこ
とによって、組立てや調整等の作業性を向上させること
ができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の部分断面を含む平面図であ
る。
【図2】図1のAA線に沿う矢視方向の断面図である。
【図3】図1のBB線に沿う矢視方向の断面図である。
【図4】従来例の部分断面を含む平面図である。
【図5】図4のCC線に沿う矢視方向の断面図である。
【図6】図4のDD線に沿う矢視方向の断面図である。
【符号の説明】
1 ケース 2 内カバー 3 ショート板 4 外カバー 5 誘電体基板 6 アンテナ 8 同軸端子 10 誘電体板 11 半導体素子

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ハイブリッド集積回路を密封するための
    誘電体板と、前記誘電体板を通して入力された無線周波
    信号を同軸信号に変換するアンテナとを含む高周波用H
    ICモジュールであって、前記ハイブリッド集積回路を
    実装しかつその実装部分の幅がその深さよりも大なるケ
    ース部材と、前記アンテナとのショート距離を確保する
    ショート板とを有することを特徴とする高周波用HIC
    モジュール。
  2. 【請求項2】 前記実装部分上に覆設されかつ前記ショ
    ート板を保持する内カバー部材を含むことを特徴とする
    請求項1記載の高周波用HICモジュール。
JP00820194A 1994-01-28 1994-01-28 高周波用hicモジュール Expired - Fee Related JP3277299B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013026789A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Anritsu Corp ミリ波伝送モジュール及び該モジュールの製造方法

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