JPH07221393A - 半導体レーザ素子とその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子とその製造方法Info
- Publication number
- JPH07221393A JPH07221393A JP1390494A JP1390494A JPH07221393A JP H07221393 A JPH07221393 A JP H07221393A JP 1390494 A JP1390494 A JP 1390494A JP 1390494 A JP1390494 A JP 1390494A JP H07221393 A JPH07221393 A JP H07221393A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor laser
- current confinement
- laser device
- clad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】電流狭窄層のドーパントが拡散して電流狭窄効
果が低下し、レーザ発振が不可能となるのを防ぐ。 【構成】電流狭窄層を形成する前に、電流狭窄層を形成
する個所にあるキャップ層を、過酸化水素水を含むエッ
チング液を用いて除去し、第２クラッド層と電流狭窄層
との界面に、第２クラッド層が酸化されたＡｌＧａＡｓ
酸化物層を形成することにより、この酸化物層が、電流
狭窄層中のドーパントの拡散するのを防止するので、電
流狭窄が正常に行なわれ、高歩留りで特性のよいＬＤを
得ることができる。
果が低下し、レーザ発振が不可能となるのを防ぐ。 【構成】電流狭窄層を形成する前に、電流狭窄層を形成
する個所にあるキャップ層を、過酸化水素水を含むエッ
チング液を用いて除去し、第２クラッド層と電流狭窄層
との界面に、第２クラッド層が酸化されたＡｌＧａＡｓ
酸化物層を形成することにより、この酸化物層が、電流
狭窄層中のドーパントの拡散するのを防止するので、電
流狭窄が正常に行なわれ、高歩留りで特性のよいＬＤを
得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ系の
半導体レーザ素子に関する。
半導体レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】単一横モードで発振するＡｌx Ｇａ1-x
Ａｓ系（０≦Ｘ≦１）半導体レーザ素子（以下ＬＤと略
称する）として図３に示す構造を有するものが知られて
いる。図３はこのＬＤを正面から見た模式断面図であ
る。図３に示すように、このＬＤは、ＧａＡｓ基板１上
にバッファ層２，第１クラッド層３，活性層４，第２ク
ラッド層５，キャップ層６，第３クラッド層９，コンタ
クト層１０がこの順に形成されており、第３クラッド層
９のストライプ状になったレーザ光に平行な両側面を電
流狭窄層８で挟んである。この電流狭窄層８は光の吸収
層の役割を持っており、第３クラッド層９の幅を適切に
選ぶことにより、素子の安定な横モード発振を可能と
し、さらに電流狭窄層８が活性層４の発光領域に近いた
め、電流が活性層４の一部に集中して流れ、発振しきい
値電流を低減させることができる。
Ａｓ系（０≦Ｘ≦１）半導体レーザ素子（以下ＬＤと略
称する）として図３に示す構造を有するものが知られて
いる。図３はこのＬＤを正面から見た模式断面図であ
る。図３に示すように、このＬＤは、ＧａＡｓ基板１上
にバッファ層２，第１クラッド層３，活性層４，第２ク
ラッド層５，キャップ層６，第３クラッド層９，コンタ
クト層１０がこの順に形成されており、第３クラッド層
９のストライプ状になったレーザ光に平行な両側面を電
流狭窄層８で挟んである。この電流狭窄層８は光の吸収
層の役割を持っており、第３クラッド層９の幅を適切に
選ぶことにより、素子の安定な横モード発振を可能と
し、さらに電流狭窄層８が活性層４の発光領域に近いた
め、電流が活性層４の一部に集中して流れ、発振しきい
値電流を低減させることができる。
【０００３】このようなＬＤは通常次のようにして製造
される。図４（ａ）〜（ｃ）はその主な工程順を示して
おり、図３と共通部分を同一符号で表している。まずｎ
型ＧａＡｓ基板１（Ｓｉドープ、キャリア濃度２×１０
18／cm3,厚さ３００μｍ）上に、ＭＯＣＶＤ法（有機金
属気相成長法）を用いて、バッファ層２（ｎ型ＧａＡ
ｓ、キャリア濃度１×１０18／cm3,厚さ０．５μｍ），
第１クラッド層３（ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ、キャリ
ア濃度５×１０17／cm3 ，厚さ１μｍ）, 活性層４（ノ
ンドープ、Ａｌ0 .1Ｇａ0.9 Ａｓ，厚さ０．１μｍ），
第２クラッド層５（ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ、キャリ
ア濃度５×１０17／cm3 ，厚さ０．３μｍ），キャップ
層６（ｐ型ＧａＡｓ，キャリア濃度１×１０18／cm3,厚
さ０．００３μｍ）を成長させる。さらにこのウエハ上
に、ＳｉＯ2 膜７をスパッタ法により付着させ、フォト
レジストを塗布してパターニングを行ない、キャップ層
６の上に幅５μｍのストライプを形成する［図４
（ａ）］。
される。図４（ａ）〜（ｃ）はその主な工程順を示して
おり、図３と共通部分を同一符号で表している。まずｎ
型ＧａＡｓ基板１（Ｓｉドープ、キャリア濃度２×１０
18／cm3,厚さ３００μｍ）上に、ＭＯＣＶＤ法（有機金
属気相成長法）を用いて、バッファ層２（ｎ型ＧａＡ
ｓ、キャリア濃度１×１０18／cm3,厚さ０．５μｍ），
第１クラッド層３（ｎ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ、キャリ
ア濃度５×１０17／cm3 ，厚さ１μｍ）, 活性層４（ノ
ンドープ、Ａｌ0 .1Ｇａ0.9 Ａｓ，厚さ０．１μｍ），
第２クラッド層５（ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ、キャリ
ア濃度５×１０17／cm3 ，厚さ０．３μｍ），キャップ
層６（ｐ型ＧａＡｓ，キャリア濃度１×１０18／cm3,厚
さ０．００３μｍ）を成長させる。さらにこのウエハ上
に、ＳｉＯ2 膜７をスパッタ法により付着させ、フォト
レジストを塗布してパターニングを行ない、キャップ層
６の上に幅５μｍのストライプを形成する［図４
（ａ）］。
【０００４】次いでフォトレジストを除去した後、再度
ＭＯＣＶＤ法を用いて電流狭窄層８（ｎ型ＧａＡｓ、キ
ャリア濃度１×１０19／cm3 ，厚さ０．３μｍ）を成長
させる［図４（ｂ）］。そしてＭＯＣＶＤ装置から取り
出しＳｉＯ2 膜７を除去した後に、第３クラッド層９
（ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ、キャリア濃度５×１０17
／cm3 ，厚さ０．８μｍ），コンタクト層１０（ｐ型Ｇ
ａＡｓ，キャリア濃度１×１０19／cm3,厚さ５．０μ
ｍ）を成長させる。なお、キャップ層６は、電流の通路
となる第２クラッド層５と、第３クラッド層９との界面
に、酸化膜が発生するのを防止する働きを持っている。
［図４（ｃ）］。
ＭＯＣＶＤ法を用いて電流狭窄層８（ｎ型ＧａＡｓ、キ
ャリア濃度１×１０19／cm3 ，厚さ０．３μｍ）を成長
させる［図４（ｂ）］。そしてＭＯＣＶＤ装置から取り
出しＳｉＯ2 膜７を除去した後に、第３クラッド層９
（ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ、キャリア濃度５×１０17
／cm3 ，厚さ０．８μｍ），コンタクト層１０（ｐ型Ｇ
ａＡｓ，キャリア濃度１×１０19／cm3,厚さ５．０μ
ｍ）を成長させる。なお、キャップ層６は、電流の通路
となる第２クラッド層５と、第３クラッド層９との界面
に、酸化膜が発生するのを防止する働きを持っている。
［図４（ｃ）］。
【０００５】その後は、上部のｐ型電極１１，下部のｎ
型電極１２の両電極を形成した後、ウェハを劈開しチッ
プ化して、図３に示した構造を持つＬＤを得ることがで
きる。
型電極１２の両電極を形成した後、ウェハを劈開しチッ
プ化して、図３に示した構造を持つＬＤを得ることがで
きる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ようにして製造されるＬＤは次のような問題点がある。
それは電流狭窄層８のキャリア濃度が１×１０19／cm3
と高いために、電流狭窄層８を形成する２回目のエピタ
キシャル成長過程、第３クラッド層９とコンタクト層１
０を形成する３回目のエピタキシャル成長過程で、電流
狭窄層８のドーパント（Ｓｅ）が、バッファ層２〜キャ
ップ層６を形成する１回目のエピタキシャル成長膜に拡
散して、電流狭窄のためのｐ−ｎジャンクションが形成
されないので、レーザ発振が不可能となることである。
この発振不可能となったＬＤについて、ＳＩＭＳ分析に
より、ドーパントの拡散状態を分析すると、電流狭窄層
８からドーパントのＳｅが、第２クラッド層５中に拡散
し、電流狭窄層８内のＳｅ濃度が１×１０17／cm3 以下
となっており、そのため素子の歩留りを低下させるとい
う問題がある。
ようにして製造されるＬＤは次のような問題点がある。
それは電流狭窄層８のキャリア濃度が１×１０19／cm3
と高いために、電流狭窄層８を形成する２回目のエピタ
キシャル成長過程、第３クラッド層９とコンタクト層１
０を形成する３回目のエピタキシャル成長過程で、電流
狭窄層８のドーパント（Ｓｅ）が、バッファ層２〜キャ
ップ層６を形成する１回目のエピタキシャル成長膜に拡
散して、電流狭窄のためのｐ−ｎジャンクションが形成
されないので、レーザ発振が不可能となることである。
この発振不可能となったＬＤについて、ＳＩＭＳ分析に
より、ドーパントの拡散状態を分析すると、電流狭窄層
８からドーパントのＳｅが、第２クラッド層５中に拡散
し、電流狭窄層８内のＳｅ濃度が１×１０17／cm3 以下
となっており、そのため素子の歩留りを低下させるとい
う問題がある。
【０００７】本発明は上述の点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、電流狭窄層のドーパントが拡散して
その濃度を低下することなく、正常なレーザ発振を行な
う半導体レーザ素子とその製造方法をを提供することに
ある。
あり、その目的は、電流狭窄層のドーパントが拡散して
その濃度を低下することなく、正常なレーザ発振を行な
う半導体レーザ素子とその製造方法をを提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明のＬＤは、電流狭窄層を形成する前に、電
流狭窄層を形成する個所にあるキャップ層を、過酸化水
素水を含むエッチング液を用いて除去し、第２クラッド
層と電流狭窄層との界面に、第２クラッド層が酸化され
たＡｌＧａＡｓ酸化物層を形成したものである。
めに、本発明のＬＤは、電流狭窄層を形成する前に、電
流狭窄層を形成する個所にあるキャップ層を、過酸化水
素水を含むエッチング液を用いて除去し、第２クラッド
層と電流狭窄層との界面に、第２クラッド層が酸化され
たＡｌＧａＡｓ酸化物層を形成したものである。
【０００９】
【作用】以上のように、第２クラッド層と電流狭窄層と
の界面に形成したＡｌＧａＡｓ酸化物層は、電流狭窄層
中のドーパント（Ｓｅ）が拡散するのを防止するので、
電流狭窄が正常に行なわれ、高歩留りで特性のよいＬＤ
を得ることができる。
の界面に形成したＡｌＧａＡｓ酸化物層は、電流狭窄層
中のドーパント（Ｓｅ）が拡散するのを防止するので、
電流狭窄が正常に行なわれ、高歩留りで特性のよいＬＤ
を得ることができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき説明する。図
１に本発明のＬＤの要部構成を図１の模式断面図に示
し、図３と共通部分を同一符号で表わしてある。本発明
のＬＤが従来と異なる点は、電流狭窄層８の下部にＡｌ
ＧａＡｓ酸化物層１３を形成したことにある。このＡｌ
ＧａＡｓ酸化物層１３は、アモルファス状の結晶構造を
持っているため、結晶周期が乱れ、エピタキシャル成長
で得られた結晶と比べて、ドーパントの拡散が起こり難
い。そのため、電流狭窄層８中のドーパントの拡散が抑
制され、所定のドーピングレベルを維持することができ
る。
１に本発明のＬＤの要部構成を図１の模式断面図に示
し、図３と共通部分を同一符号で表わしてある。本発明
のＬＤが従来と異なる点は、電流狭窄層８の下部にＡｌ
ＧａＡｓ酸化物層１３を形成したことにある。このＡｌ
ＧａＡｓ酸化物層１３は、アモルファス状の結晶構造を
持っているため、結晶周期が乱れ、エピタキシャル成長
で得られた結晶と比べて、ドーパントの拡散が起こり難
い。そのため、電流狭窄層８中のドーパントの拡散が抑
制され、所定のドーピングレベルを維持することができ
る。
【００１１】次に、本発明のＬＤの製造方法について説
明する。図２（ａ）〜（ｃ）はその主な工程順を示して
おり、これまでの図と共通部分を同一符号で表してい
る。まず、ＭＯＣＶＤ装置を用いて、基板１上に各膜を
積層し、ＳｉＯ2 膜７で幅５μｍのストライプを形成す
るは、図４（ａ）の場合と同じである［図２（ａ）］。
明する。図２（ａ）〜（ｃ）はその主な工程順を示して
おり、これまでの図と共通部分を同一符号で表してい
る。まず、ＭＯＣＶＤ装置を用いて、基板１上に各膜を
積層し、ＳｉＯ2 膜７で幅５μｍのストライプを形成す
るは、図４（ａ）の場合と同じである［図２（ａ）］。
【００１２】次に、このＳｉＯ2 膜７をマスクとして、
エッチングを行なう。エッチング液は、硫酸：過酸化水
素水：水（５：１：１）のエッチング液を用い、キャッ
プ層６を除去する。このとき、同時に第２クラッド層５
の露出面が酸化されて、ＡｌＧａＡｓ酸化物層１３が形
成される［図２（ｂ）］。そして、以下図４（ｃ）に示
したのと同様に、第３クラッド層９，コンタクト層１０
を成長させる［図４（ｃ）］。
エッチングを行なう。エッチング液は、硫酸：過酸化水
素水：水（５：１：１）のエッチング液を用い、キャッ
プ層６を除去する。このとき、同時に第２クラッド層５
の露出面が酸化されて、ＡｌＧａＡｓ酸化物層１３が形
成される［図２（ｂ）］。そして、以下図４（ｃ）に示
したのと同様に、第３クラッド層９，コンタクト層１０
を成長させる［図４（ｃ）］。
【００１３】その後は、上部のｐ型電極１１，下部のｎ
型電極１２の両電極を形成し、ウェハを劈開しチップ化
して、図１に示した構造を持つＬＤを得ることができ
る。次に、このようにして得られた本発明のＬＤ１００
個と、比較のために従来のＬＤ１００個を用いて、それ
ぞれの特性を測定した。その結果、従来のＬＤには、５
２個の発振不能のものがあったのに対して、本発明によ
るＬＤは発振不能のものは見られなかった。
型電極１２の両電極を形成し、ウェハを劈開しチップ化
して、図１に示した構造を持つＬＤを得ることができ
る。次に、このようにして得られた本発明のＬＤ１００
個と、比較のために従来のＬＤ１００個を用いて、それ
ぞれの特性を測定した。その結果、従来のＬＤには、５
２個の発振不能のものがあったのに対して、本発明によ
るＬＤは発振不能のものは見られなかった。
【００１４】本発明によるＬＤについて、前述と同様に
ＳＩＭＳ分析を行なった結果は、電流狭窄層８中のドー
パントのＳｅ濃度は、１×１０19／cm3 であり、第２ク
ラッド層５中への拡散は起こっていない。次いで、Ｓｉ
Ｏ2 膜７をマスクとして、キャップ層６を除去するエッ
チングを行なう際のエッチングの影響について調べた。
エッチング方法次の４種類である。
ＳＩＭＳ分析を行なった結果は、電流狭窄層８中のドー
パントのＳｅ濃度は、１×１０19／cm3 であり、第２ク
ラッド層５中への拡散は起こっていない。次いで、Ｓｉ
Ｏ2 膜７をマスクとして、キャップ層６を除去するエッ
チングを行なう際のエッチングの影響について調べた。
エッチング方法次の４種類である。
【００１５】 上述の硫酸：過酸化水素水：水（５：
１：１）のエッチング液による湿式エッチング 燐酸：過酸化水素水：水（１０：１：１）のエッチ
ング液による湿式エッチング ブロム−メタノールエッチング液による湿式エッチ
ング Ａｒによるドライエッチング これらにより、それぞれＬＤ１００個を作製してエッチ
ングを行ない、得られたＬＤについてその特性を評価
し、その結果を表１に示す。
１：１）のエッチング液による湿式エッチング 燐酸：過酸化水素水：水（１０：１：１）のエッチ
ング液による湿式エッチング ブロム−メタノールエッチング液による湿式エッチ
ング Ａｒによるドライエッチング これらにより、それぞれＬＤ１００個を作製してエッチ
ングを行ない、得られたＬＤについてその特性を評価
し、その結果を表１に示す。
【００１６】
【表１】 表１中の〜は、上述のエッチング液、エッチング方
法〜に対応する。表１から、エッチング液に過酸化
水素水を使用したエッチング方法のみ、電流狭窄層８の
ドーパントの拡散を抑えられることがわかる。しかし、
，についても、ＳＩＭＳ分析により得られた電流狭
窄層８のＳｅ（ドーパント）濃度は、１×１０18／cm3
程度であり、従来のＬＤに比べて、拡散を１桁以上抑制
することができる。
法〜に対応する。表１から、エッチング液に過酸化
水素水を使用したエッチング方法のみ、電流狭窄層８の
ドーパントの拡散を抑えられることがわかる。しかし、
，についても、ＳＩＭＳ分析により得られた電流狭
窄層８のＳｅ（ドーパント）濃度は、１×１０18／cm3
程度であり、従来のＬＤに比べて、拡散を１桁以上抑制
することができる。
【００１７】そこで、それぞれの試料についてエッチン
グを行ない、２回目のエピタキシャル成長条件と同じ条
件のＡｓ圧下でアニールを施した試料について、表面を
ＥＳＣＡで分析した。その結果、エッチング液および
については、自然酸化膜以外に、エッチング過程で形
成されたＡｌＧａＡｓ酸化物層１３が観察されたが、
とについては観察することができなかった。これらの
ことから、エッチング液中の過酸化水素水の酸化作用に
より形成される酸化物層１３が、ドーパントの拡散を抑
えるのに効果的であることが判明した。
グを行ない、２回目のエピタキシャル成長条件と同じ条
件のＡｓ圧下でアニールを施した試料について、表面を
ＥＳＣＡで分析した。その結果、エッチング液および
については、自然酸化膜以外に、エッチング過程で形
成されたＡｌＧａＡｓ酸化物層１３が観察されたが、
とについては観察することができなかった。これらの
ことから、エッチング液中の過酸化水素水の酸化作用に
より形成される酸化物層１３が、ドーパントの拡散を抑
えるのに効果的であることが判明した。
【００１８】以上の結果を総合すると、キャップ層６の
一部をエッチングして、酸化物層１３を形成すること
は、歩留りを上げるために重要であり、さらに、過酸化
水素水を加えたエッチング液を用いてエッチングするこ
とにより、高歩留りでＬＤを製造することができる。
一部をエッチングして、酸化物層１３を形成すること
は、歩留りを上げるために重要であり、さらに、過酸化
水素水を加えたエッチング液を用いてエッチングするこ
とにより、高歩留りでＬＤを製造することができる。
【００１９】
【発明の効果】ＬＤは電流狭窄層のキャリア濃度が高
く、２回目、３回目のエピタキシャル成長過程で、電流
狭窄層のドーパントが、１回目のエピタキシャル成長膜
に拡散すしてｐｎ接合の形成を阻害し、従来のＬＤは電
流狭窄が十分に行なわれず、レーザ発振が不可能となる
ことも生じていたが、これに対してなされた本発明のＬ
Ｄは実施例で述べた如く、電流狭窄層を形成する前に、
電流狭窄層を形成する個所にあるキャップ層を、過酸化
水素水を含むエッチング液を用いて除去するとともに、
第２クラッド層と電流狭窄層との界面に、第２クラッド
層が酸化されたＡｌＧａＡｓ酸化物層を形成したため
に、この酸化物層が電流狭窄層中のドーパントの拡散を
防止するので、このようにして得られた本発明のＬＤ
は、電流狭窄が正常に行なわれ、発振しきい値電流も低
く、製造歩留りを向上させる。
く、２回目、３回目のエピタキシャル成長過程で、電流
狭窄層のドーパントが、１回目のエピタキシャル成長膜
に拡散すしてｐｎ接合の形成を阻害し、従来のＬＤは電
流狭窄が十分に行なわれず、レーザ発振が不可能となる
ことも生じていたが、これに対してなされた本発明のＬ
Ｄは実施例で述べた如く、電流狭窄層を形成する前に、
電流狭窄層を形成する個所にあるキャップ層を、過酸化
水素水を含むエッチング液を用いて除去するとともに、
第２クラッド層と電流狭窄層との界面に、第２クラッド
層が酸化されたＡｌＧａＡｓ酸化物層を形成したため
に、この酸化物層が電流狭窄層中のドーパントの拡散を
防止するので、このようにして得られた本発明のＬＤ
は、電流狭窄が正常に行なわれ、発振しきい値電流も低
く、製造歩留りを向上させる。
【図１】本発明の半導体レーザ素子の要部構成を示す模
式断面図
式断面図
【図２】本発明の半導体レーザ素子の主な製造工程順を
示し、それぞれ（ａ）は１回目のエピタキシャル成長過
程、（ｂ）は２回目のエピタキシャル成長過程、（ｃ）
は３回目のエピタキシャル成長過程を表わす模式断面図
示し、それぞれ（ａ）は１回目のエピタキシャル成長過
程、（ｂ）は２回目のエピタキシャル成長過程、（ｃ）
は３回目のエピタキシャル成長過程を表わす模式断面図
【図３】従来の半導体レーザ素子の要部構成を示す模式
断面図
断面図
【図４】従来の半導体レーザ素子の主な製造工程順を示
し、それぞれ（ａ）は１回目のエピタキシャル成長過
程、（ｂ）は２回目のエピタキシャル成長過程、（ｃ）
は３回目のエピタキシャル成長過程を表わす模式断面図
し、それぞれ（ａ）は１回目のエピタキシャル成長過
程、（ｂ）は２回目のエピタキシャル成長過程、（ｃ）
は３回目のエピタキシャル成長過程を表わす模式断面図
１ 基板 ２ バッファ層 ３ 第１クラッド層 ４ 活性層 ５ 第２クラッド層 ６ キャップ層 ７ ＳｉＯ2 膜 ８ 電流狭窄層 ９ 第３クラッド層 １０ コンタクト層 １１ ｐ型電極 １２ ｎ型電極 １３ 酸化物層
Claims (3)
- 【請求項１】Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ系（０≦Ｘ≦１）半導
体レーザ素子のＧａＡｓ基板の一主面上に、Ａｌx Ｇａ
1-x Ａｓ第１クラッド層、ＡｌY Ｇａ1-Y Ａｓ活性層、
Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ第２クラッド層、ＧａＡｓキャップ
層、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ第３クラッド層、およびコンタ
クト層を有し（０≦Ｙ≦Ｘ≦１）、前記第３クラッド層
の両側面に、前記第３クラッド層とは逆導電型の電流狭
窄層がレーザ光と平行に形成された半導体レーザ素子に
おいて、前記第２クラッド層と前記電流狭窄層との界面
に、前記第２クラッド層を酸化したＡｌＧａＡｓ酸化物
層を有することを特徴とする半導体レーザ素子。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体レーザ素子を製造す
るに当たり、基板の一主面上に、第１クラッド層, 活性
層，第２クラッド層，キャップ層をこの順に成長させた
後、続いて電流狭窄層を成長させる前に、電流狭窄層を
形成する個所にあるキャップ層をエッチング除去すると
ともに、ここに酸化物層を形成する工程を含むことを特
徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項３】請求項２記載の方法において、キャップ層
をエッチングするエッチング液中に過酸化水素水を含む
ことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1390494A JPH07221393A (ja) | 1994-02-08 | 1994-02-08 | 半導体レーザ素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1390494A JPH07221393A (ja) | 1994-02-08 | 1994-02-08 | 半導体レーザ素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221393A true JPH07221393A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=11846169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1390494A Pending JPH07221393A (ja) | 1994-02-08 | 1994-02-08 | 半導体レーザ素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07221393A (ja) |
-
1994
- 1994-02-08 JP JP1390494A patent/JPH07221393A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5023880A (en) | Semiconductor laser device | |
| JP3982985B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| US5665612A (en) | Method for fabricating a planar buried heterostructure laser diode | |
| US20080283852A1 (en) | Light-emitting device and a method for producing the same | |
| JPH07221393A (ja) | 半導体レーザ素子とその製造方法 | |
| JPH05211372A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2629678B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| KR930008359B1 (ko) | 반도체레이저장치의 제조방법 | |
| JP2003069158A (ja) | 窒化物系半導体レーザ素子の形成方法 | |
| JP3689733B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH08222808A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JPH10510102A (ja) | チャネル内のリッジ状レーザ | |
| JPH0634426B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JPH07283482A (ja) | 半導体レーザ装置及びその作製方法 | |
| JPH05275797A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2685800B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH09307185A (ja) | 半導体レ−ザ素子の製造方法 | |
| JPH07131110A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPH08167757A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2525776B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0306225A2 (en) | Method of producing a semiconductor laser | |
| JP3033664B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPH05283799A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPH08340151A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH0669591A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 |