JPH0721609A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0721609A JPH0721609A JP12824792A JP12824792A JPH0721609A JP H0721609 A JPH0721609 A JP H0721609A JP 12824792 A JP12824792 A JP 12824792A JP 12824792 A JP12824792 A JP 12824792A JP H0721609 A JPH0721609 A JP H0721609A
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- Japan
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- film
- recording
- magneto
- magnetic field
- recording film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小さい外部磁界で記録消去が可能な光磁気記
録媒体を提供する。 【構成】 記録層として第一記録膜と第二記録膜からな
る交換結合二層膜を用いた光磁気記録媒体において、上
記第二記録膜が、上記第一記録膜のキュリー温度以上の
温度領域で、２００Ｏｅ以下の保磁力を有するととも
に、磁化を残留する構成とする。
録媒体を提供する。 【構成】 記録層として第一記録膜と第二記録膜からな
る交換結合二層膜を用いた光磁気記録媒体において、上
記第二記録膜が、上記第一記録膜のキュリー温度以上の
温度領域で、２００Ｏｅ以下の保磁力を有するととも
に、磁化を残留する構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体に関
し、特に、非常に小さい外部磁界によって記録消去の可
能な光磁気記録媒体に関する。
し、特に、非常に小さい外部磁界によって記録消去の可
能な光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録は、消去過程において、レー
ザー光で記録膜を加熱すると同時に一定方向に磁界をか
けておくことでいったん消去を行ない、次に、記録過程
において消去過程とは逆の方向に磁界をかけながらレー
ザーをパルス状に照射することで記録ビットを形成して
いる。ここで、消去，記録システムの小型化及び省電力
化を考慮すると、記録の消去過程時における外部磁界
は、小さくすることが望ましい。
ザー光で記録膜を加熱すると同時に一定方向に磁界をか
けておくことでいったん消去を行ない、次に、記録過程
において消去過程とは逆の方向に磁界をかけながらレー
ザーをパルス状に照射することで記録ビットを形成して
いる。ここで、消去，記録システムの小型化及び省電力
化を考慮すると、記録の消去過程時における外部磁界
は、小さくすることが望ましい。
【０００３】ところで、光磁気媒体は実用化の段階に入
り、アクセス速度の高速化が望まれており、それを実現
する技術としてオーバーライト技術が検討されている。
オーバーライト技術の一つに磁界変調オーバーライトが
ある。この磁界変調オーバーライトは、レーザー光を熱
エネルギとして連続照射し、同時に印加する磁界を変調
させることで記録消去を行なうものである。ただしこの
場合、高速で磁界を変調させる必要があるため、印加す
る外部磁界の小さいことが特に重要となってくる。
り、アクセス速度の高速化が望まれており、それを実現
する技術としてオーバーライト技術が検討されている。
オーバーライト技術の一つに磁界変調オーバーライトが
ある。この磁界変調オーバーライトは、レーザー光を熱
エネルギとして連続照射し、同時に印加する磁界を変調
させることで記録消去を行なうものである。ただしこの
場合、高速で磁界を変調させる必要があるため、印加す
る外部磁界の小さいことが特に重要となってくる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現在、
光磁気記録媒体の主流となっているＴｂＦｅＣｏ等のア
モルファス合金薄膜を用いた記録層は、記録消去に±４
００Ｏｅ以上の大きな外部磁界を印加しなければならな
かった。このため、小さな外部磁界で記録の消去を行な
おうとする上述の磁界変調オーバーライトには、ＴｂＦ
ｅＣｏ等のアモルファス合金薄膜は記録媒体として不適
当であった。
光磁気記録媒体の主流となっているＴｂＦｅＣｏ等のア
モルファス合金薄膜を用いた記録層は、記録消去に±４
００Ｏｅ以上の大きな外部磁界を印加しなければならな
かった。このため、小さな外部磁界で記録の消去を行な
おうとする上述の磁界変調オーバーライトには、ＴｂＦ
ｅＣｏ等のアモルファス合金薄膜は記録媒体として不適
当であった。
【０００５】本発明は上記の問題点にかんがみてなされ
たもので、アモルファス合金薄膜を記録層とした記録媒
体における記録消去を、±１００Ｏｅ以下の小さな外部
磁界を印加することによって可能とし、磁界変調オーバ
ーライト技術を、現在光磁気記録媒体の主流となってい
るアモルファス合金薄膜を用いた光磁気記録媒体に、適
用できるようにしたことを目的とする。
たもので、アモルファス合金薄膜を記録層とした記録媒
体における記録消去を、±１００Ｏｅ以下の小さな外部
磁界を印加することによって可能とし、磁界変調オーバ
ーライト技術を、現在光磁気記録媒体の主流となってい
るアモルファス合金薄膜を用いた光磁気記録媒体に、適
用できるようにしたことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の光磁気記録媒体は、第一記録膜と第二記録
膜からなる交換結合二層膜を記録層として用い、かつ上
記第二記録膜を、上記第一記録膜のキュリー温度以上の
温度領域で、２００Ｏｅ以下の保磁力を有するととも
に、磁化を残留した構成としてあり、好ましくは、第一
記録膜にＲ−ＦｅＣｏ（ＲはＴｂかＤｙの少なくとも一
方を含んだ希土類合金）を用い、第二記録膜にＧｄＦｅ
Ｃｏを用いた構成としてある。
め、本発明の光磁気記録媒体は、第一記録膜と第二記録
膜からなる交換結合二層膜を記録層として用い、かつ上
記第二記録膜を、上記第一記録膜のキュリー温度以上の
温度領域で、２００Ｏｅ以下の保磁力を有するととも
に、磁化を残留した構成としてあり、好ましくは、第一
記録膜にＲ−ＦｅＣｏ（ＲはＴｂかＤｙの少なくとも一
方を含んだ希土類合金）を用い、第二記録膜にＧｄＦｅ
Ｃｏを用いた構成としてある。
【０００７】なお、光磁気記録媒体の記録層として交換
結合二層膜を用いる技術については、電気学会：マグネ
ティスクス研究会資料Ｐ５３（１９８６）及び特開昭６
０−２５０３６号において開示されているが、これらに
は小さい外部磁界で記録消去を行なう点についての記載
はなんらされていない。
結合二層膜を用いる技術については、電気学会：マグネ
ティスクス研究会資料Ｐ５３（１９８６）及び特開昭６
０−２５０３６号において開示されているが、これらに
は小さい外部磁界で記録消去を行なう点についての記載
はなんらされていない。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
光磁気記録媒体は、図１に示すような、第一記録膜１１
と第二記録膜１２からなる記録層１０を用いている。第
一記録膜１１は垂直磁化膜であって、保磁力を数ＫＯｅ
備えたものとする。ここで、垂直磁化膜を得るにはＫｕ
＞２πＭｓ2 とする（Ｋｕは垂直磁気異方性エネルギ
（ｅｒｇ／ｃｃ）、Ｍｓは飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ）で
ある）。したがって、記録膜を垂直磁化膜とするには希
土類元素を添加して飽和磁化（Ｍｓ）を下げる必要があ
るが、希土類元素の添加はθｋの減少をともなうので、
θｋの減少が少ない範囲（Ｋｕ＞２πＭｓ2 ）でＭｓを
最小とすることが好ましい。第一記録膜１１には、Ｔｂ
ＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ又はＮｄＤｙＦｅＣｏ等の少な
くともＴｂ（テルビウム）かＤｙ（ジスプロシウム）を
含んだ希土類合金を用いる。これはＴｂかＤｙの希土類
元素を含ませることで必要な保磁力を有するからであ
る。このときのＴｂ，Ｄｙの組成比は、他の組成物の比
率にもよるが、大体１９％〜２２％とすることが好まし
い。
光磁気記録媒体は、図１に示すような、第一記録膜１１
と第二記録膜１２からなる記録層１０を用いている。第
一記録膜１１は垂直磁化膜であって、保磁力を数ＫＯｅ
備えたものとする。ここで、垂直磁化膜を得るにはＫｕ
＞２πＭｓ2 とする（Ｋｕは垂直磁気異方性エネルギ
（ｅｒｇ／ｃｃ）、Ｍｓは飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ）で
ある）。したがって、記録膜を垂直磁化膜とするには希
土類元素を添加して飽和磁化（Ｍｓ）を下げる必要があ
るが、希土類元素の添加はθｋの減少をともなうので、
θｋの減少が少ない範囲（Ｋｕ＞２πＭｓ2 ）でＭｓを
最小とすることが好ましい。第一記録膜１１には、Ｔｂ
ＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ又はＮｄＤｙＦｅＣｏ等の少な
くともＴｂ（テルビウム）かＤｙ（ジスプロシウム）を
含んだ希土類合金を用いる。これはＴｂかＤｙの希土類
元素を含ませることで必要な保磁力を有するからであ
る。このときのＴｂ，Ｄｙの組成比は、他の組成物の比
率にもよるが、大体１９％〜２２％とすることが好まし
い。
【０００９】第二記録膜１２は、第一記録膜１１より高
キュリー温度としてある。また、第二記録膜１２は、第
一記録膜１１より高キュリー温度下において、保磁力が
２００Ｏｅ以下でかつ磁化の残留した状態としてある。
ここで、磁化が残留することとは、飽和磁化が５ｅｍｕ
／ｃｃ以上であることを意味する。第二記録膜１２には
ＧｄＦｅＣｏ合金，ＰｔＣｏ合金，ＰｄＣｏ合金及びＰ
ｔ／Ｃｏ多層膜，Ｐｄ／Ｃｏ多層膜等を用いる。このう
ち、外部磁界をできるだけ小さくする点からするとＧｄ
ＦｅＣｏ合金を用いることが好ましい。このときのＧｄ
ＦｅＣｏの組成比は１９〜２２：５４〜７１：０〜２４
とすることが好ましい。
キュリー温度としてある。また、第二記録膜１２は、第
一記録膜１１より高キュリー温度下において、保磁力が
２００Ｏｅ以下でかつ磁化の残留した状態としてある。
ここで、磁化が残留することとは、飽和磁化が５ｅｍｕ
／ｃｃ以上であることを意味する。第二記録膜１２には
ＧｄＦｅＣｏ合金，ＰｔＣｏ合金，ＰｄＣｏ合金及びＰ
ｔ／Ｃｏ多層膜，Ｐｄ／Ｃｏ多層膜等を用いる。このう
ち、外部磁界をできるだけ小さくする点からするとＧｄ
ＦｅＣｏ合金を用いることが好ましい。このときのＧｄ
ＦｅＣｏの組成比は１９〜２２：５４〜７１：０〜２４
とすることが好ましい。
【００１０】第一記録膜１１と第二記録膜１２は磁性体
で形成してあり、両者は交換結合してある。第一記録膜
１１と第二記録膜１２の厚さは交換結合二層膜とした時
の保磁力が数ＫＯｅとなるように適宜調整すれば良い。
また、記録膜全体の厚さは２０〜８０ｎｍとすることが
好ましい。これは、大きな再生信号が得られるためであ
る。
で形成してあり、両者は交換結合してある。第一記録膜
１１と第二記録膜１２の厚さは交換結合二層膜とした時
の保磁力が数ＫＯｅとなるように適宜調整すれば良い。
また、記録膜全体の厚さは２０〜８０ｎｍとすることが
好ましい。これは、大きな再生信号が得られるためであ
る。
【００１１】本発明の光磁気記録媒体における上記記録
層以外の他の構成要素は特に制限されない。例えば、本
発明の光磁気記録媒体は、基板／保護膜／記録層（交換
結合二層膜）／保護膜／反射膜の五層構造、あるいは基
板／保護膜／記録膜（交換結合二層膜）／保護膜の四層
構造とすることができる。また、第一記録膜１１と第二
記録膜１２の配置についても特に制限はなく、基板側／
第一記録膜／第二記録膜あるいは基板側／第二記録膜／
第一記録膜のいずれとしてもよい。
層以外の他の構成要素は特に制限されない。例えば、本
発明の光磁気記録媒体は、基板／保護膜／記録層（交換
結合二層膜）／保護膜／反射膜の五層構造、あるいは基
板／保護膜／記録膜（交換結合二層膜）／保護膜の四層
構造とすることができる。また、第一記録膜１１と第二
記録膜１２の配置についても特に制限はなく、基板側／
第一記録膜／第二記録膜あるいは基板側／第二記録膜／
第一記録膜のいずれとしてもよい。
【００１２】ここで、基板としては、熱硬化エポキシ樹
脂，ポリカーボネート樹脂などのプラスチック、あるい
はガラス等の耐熱性が高く透明な材料を用いる。また、
基板は、平坦で複屈曲性が少ないものであることが好ま
しい。基板の厚さ、形状等は適宜選択される。
脂，ポリカーボネート樹脂などのプラスチック、あるい
はガラス等の耐熱性が高く透明な材料を用いる。また、
基板は、平坦で複屈曲性が少ないものであることが好ま
しい。基板の厚さ、形状等は適宜選択される。
【００１３】保護膜は、ＳｉＮ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＡｌＮ
あるいはＳｉＡｌＯＮなどの窒化膜は酸化膜で形成され
る。保護膜は、主として記録層の酸化を防ぐ目的と、読
み出し光を干渉させるいわゆるエンハンス効果を持たせ
る目的で形成する。この保護膜は、蒸着法やスパッタリ
ング法等によって形成される。
あるいはＳｉＡｌＯＮなどの窒化膜は酸化膜で形成され
る。保護膜は、主として記録層の酸化を防ぐ目的と、読
み出し光を干渉させるいわゆるエンハンス効果を持たせ
る目的で形成する。この保護膜は、蒸着法やスパッタリ
ング法等によって形成される。
【００１４】反射膜はＡｌ，Ｔｉ，Ａｇ等の反射率の高
い材料で形成され、光を反射することで記録膜のファラ
デー効果を生じさせる作用をする。また、記録時の熱拡
散層としても機能する。この反射膜も、スパッタリング
法や蒸着法等によって形成される。
い材料で形成され、光を反射することで記録膜のファラ
デー効果を生じさせる作用をする。また、記録時の熱拡
散層としても機能する。この反射膜も、スパッタリング
法や蒸着法等によって形成される。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。実施例 実施例の光磁気記録媒体は、厚さ１．２ｍｍ、大きさφ
８６ｍｍのポリカーボネート基板上に、高周波マグネト
ロンスパッタ法によって全ての薄膜を形成した。すなわ
ち、基板１の上に、まず保護膜２であるＳｉＡｌＮを成
膜し、この保護膜２の上に第二記録膜１２であるＧｄＦ
ｅＣｏを成膜し、この第二記録膜１２の上に第一記録膜
１１であるＴｂＦｅＣｏを成膜し、この第一記録膜１１
の上に保護膜３であるＳｉＡｌＮを成膜し、最後に保護
膜３の上に反射膜４であるＡｌＴｉを成膜した（図２参
照）。したがって、光磁気記録媒体の層構成はＰＣ基板
／ＳｉＡｌＮ／ＧｄＦｅＣｏ／ＴｂＦｅＣｏ／ＳｉＡｌ
Ｎ／ＡｌＴｉとなる。これらを成膜させるためのスパッ
タリングの条件は、初期到達真空度５×１０-7Ｔｏｒｒ
以下、ガス圧５ｍｍＴｏｒｒ、投入電力はＳｉＡｌＮを
４．７Ｗ／ｃｍ2 ，ＧｄＦｅＣｏとＴｂＦｅＣｏを０．
３８Ｗ／ｃｍ2 ，ＡｌＴｉを２．４Ｗ／ｃｍ2 とした。
また、交換結合二層膜である記録膜両層の組成はＧｄ：
Ｆｅ：Ｃｏ＝２１：７４：５、ＴｂＦｅＣｏ＝２１：７
０：９とした。比較例 ＧｄＦｅＣｏ／ＴｂＦｅＣｏ交換結合二層膜の記録膜部
分をＴｂＦｅＣｏ単層とした以外は、実施例と同様にし
て比較用サンプルを作製した（図３参照）。
８６ｍｍのポリカーボネート基板上に、高周波マグネト
ロンスパッタ法によって全ての薄膜を形成した。すなわ
ち、基板１の上に、まず保護膜２であるＳｉＡｌＮを成
膜し、この保護膜２の上に第二記録膜１２であるＧｄＦ
ｅＣｏを成膜し、この第二記録膜１２の上に第一記録膜
１１であるＴｂＦｅＣｏを成膜し、この第一記録膜１１
の上に保護膜３であるＳｉＡｌＮを成膜し、最後に保護
膜３の上に反射膜４であるＡｌＴｉを成膜した（図２参
照）。したがって、光磁気記録媒体の層構成はＰＣ基板
／ＳｉＡｌＮ／ＧｄＦｅＣｏ／ＴｂＦｅＣｏ／ＳｉＡｌ
Ｎ／ＡｌＴｉとなる。これらを成膜させるためのスパッ
タリングの条件は、初期到達真空度５×１０-7Ｔｏｒｒ
以下、ガス圧５ｍｍＴｏｒｒ、投入電力はＳｉＡｌＮを
４．７Ｗ／ｃｍ2 ，ＧｄＦｅＣｏとＴｂＦｅＣｏを０．
３８Ｗ／ｃｍ2 ，ＡｌＴｉを２．４Ｗ／ｃｍ2 とした。
また、交換結合二層膜である記録膜両層の組成はＧｄ：
Ｆｅ：Ｃｏ＝２１：７４：５、ＴｂＦｅＣｏ＝２１：７
０：９とした。比較例 ＧｄＦｅＣｏ／ＴｂＦｅＣｏ交換結合二層膜の記録膜部
分をＴｂＦｅＣｏ単層とした以外は、実施例と同様にし
て比較用サンプルを作製した（図３参照）。
【００１６】特性の評価 実施例と比較例における、信号特性の外部磁界に対する
磁場依存性を図４に示す。同図によると、実施例の光磁
気記録媒体が−５０Ｏｅという非常に小さい外部磁界で
記録が消去されているのに対し、比較例の光磁気記録媒
体が−４００Ｏｅ以下の大きい外部磁界でないと完全に
記録が消去されていない。これにより、本発明の実施例
に係る光磁気記録媒体は、非常に小さい外部磁界で記録
を消去できることが判明した。このように、小さな外部
磁界で記録の消去を行なえると、消去，記録のために用
いるシステムの小型化、省電力化が可能となる。
磁場依存性を図４に示す。同図によると、実施例の光磁
気記録媒体が−５０Ｏｅという非常に小さい外部磁界で
記録が消去されているのに対し、比較例の光磁気記録媒
体が−４００Ｏｅ以下の大きい外部磁界でないと完全に
記録が消去されていない。これにより、本発明の実施例
に係る光磁気記録媒体は、非常に小さい外部磁界で記録
を消去できることが判明した。このように、小さな外部
磁界で記録の消去を行なえると、消去，記録のために用
いるシステムの小型化、省電力化が可能となる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光磁気記
録媒体は、非常に小さな外部磁界で完全に記録を消去で
きる効果を有する。
録媒体は、非常に小さな外部磁界で完全に記録を消去で
きる効果を有する。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の記録層の一例を示す
構成図。
構成図。
【図２】実施例として用いた光磁気記録媒体の構成図。
【図３】比較例として用いた光磁気記録媒体の構成図。
【図４】実施例と比較例の特性評価図。
１０…記録層 １１…第一記録膜 １２…第二記録膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 市谷 克実 千葉県袖ケ浦市上泉1280番地 出光石油化 学株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 記録層に、第一記録膜と第二記録膜から
なる交換結合二層膜を用いた光磁気記録媒体において、 上記第二記録膜が、上記第一記録膜のキュリー温度以上
の温度領域で、２００Ｏｅ以下の保磁力を有するととも
に、磁化を残留していることを特徴とした光磁気記録媒
体。 - 【請求項２】 第一記録膜にＲ−ＦｅＣｏ（ＲはＴｂか
Ｄｙの少なくとも一方を含んだ希土類合金）を用い、第
二記録膜にＧｄＦｅＣｏを用いた請求項１記載の光磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12824792A JPH0721609A (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12824792A JPH0721609A (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0721609A true JPH0721609A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=14980137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12824792A Pending JPH0721609A (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0721609A (ja) |
-
1992
- 1992-04-21 JP JP12824792A patent/JPH0721609A/ja active Pending
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