JPH05342657A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH05342657A JPH05342657A JP16833192A JP16833192A JPH05342657A JP H05342657 A JPH05342657 A JP H05342657A JP 16833192 A JP16833192 A JP 16833192A JP 16833192 A JP16833192 A JP 16833192A JP H05342657 A JPH05342657 A JP H05342657A
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- magnetic layer
- layer
- recording
- magneto
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 磁気記録層が、第１磁性層：Ｇｄｘ１（Ｆ
ｅ１−ｙ１Ｃｏｙ１）１ −ｘ１（０．１５＜ｘ１＜０．
２３、０≦ｙ１＜０．５）、第２磁性層：Ｔｂｘ ２（Ｆ
ｅ１−ｙ２Ｃｏｙ２）１−ｘ２（０．１３＜ｘ２＜０．
２２、０．０５＜ｙ２＜０．２）、第３磁性層：Ｔｂ
ｘ３（Ｆｅ１−ｙ３Ｃｏｙ３）１−ｘ３（０．２４＜ｘ
３＜０．３６、０．０５＜ｙ３＜０．２）の順に積層さ
れ、第１〜第３磁性層のキュリー温度をＴｃ１、Ｔｃ
２、Ｔｃ３とするとＴｃ３＜Ｔｃ２＜Ｔｃ１である光磁
気記録媒体。 【効果】 光磁気記録媒体の記録安定性を保ちながら
磁界感度を更に高める。
ｅ１−ｙ１Ｃｏｙ１）１ −ｘ１（０．１５＜ｘ１＜０．
２３、０≦ｙ１＜０．５）、第２磁性層：Ｔｂｘ ２（Ｆ
ｅ１−ｙ２Ｃｏｙ２）１−ｘ２（０．１３＜ｘ２＜０．
２２、０．０５＜ｙ２＜０．２）、第３磁性層：Ｔｂ
ｘ３（Ｆｅ１−ｙ３Ｃｏｙ３）１−ｘ３（０．２４＜ｘ
３＜０．３６、０．０５＜ｙ３＜０．２）の順に積層さ
れ、第１〜第３磁性層のキュリー温度をＴｃ１、Ｔｃ
２、Ｔｃ３とするとＴｃ３＜Ｔｃ２＜Ｔｃ１である光磁
気記録媒体。 【効果】 光磁気記録媒体の記録安定性を保ちながら
磁界感度を更に高める。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、書き換えが可能な光磁
気記録媒体に関する。更に詳しくは、磁界変調オ−バ−
ライトに適した光磁気記録媒体に関し、高い磁界感度と
記録安定性を両立を可能とするものである。
気記録媒体に関する。更に詳しくは、磁界変調オ−バ−
ライトに適した光磁気記録媒体に関し、高い磁界感度と
記録安定性を両立を可能とするものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は書き換え可能な光記録
媒体であり、相変化型光記録媒体などと比較して繰り返
し消去／書き込み耐久性や消去比率に優れ、可搬型大容
量の記録媒体として注目されている。
媒体であり、相変化型光記録媒体などと比較して繰り返
し消去／書き込み耐久性や消去比率に優れ、可搬型大容
量の記録媒体として注目されている。
【０００３】光磁気記録媒体に記録する場合、従来、レ
−ザ−の連続光を照射しながら一定の値の消去磁界をか
けて消去した後、レ−ザ−パワ−を記録パタ−ンに従っ
て変調しながら一定の値の記録磁界をかけて記録する方
式がとられていた。この方式では、消去した後、記録す
るため記録に時間がかかる。
−ザ−の連続光を照射しながら一定の値の消去磁界をか
けて消去した後、レ−ザ−パワ−を記録パタ−ンに従っ
て変調しながら一定の値の記録磁界をかけて記録する方
式がとられていた。この方式では、消去した後、記録す
るため記録に時間がかかる。
【０００４】この問題を解決する為、近年、レ−ザ−の
連続光を照射しながら磁界に記録パタ−ンに従った変調
をかけて消去と記録を同時に行なう、つまり先の記録上
に重ね書き（オ−バ−ライト）を行なう方式が開発さ
れ、磁界変調オ−バ−ライト方式とよばれている。ま
た、さらに記録時間を短縮するために媒体の回転数を大
きくすることも試みられているが、記録周波数も同時に
あげる必要があり、磁界変調オ−バ−ライト方式では、
磁気ヘッドの電流のスイッチング速度を向上させる必要
がある。ピ−ク電流が小さいほどスイッチング速度を向
上させることは容易になるので、より小さな記録変調磁
界でオ−バ−ライトできる光磁気記録媒体が求められて
いる。
連続光を照射しながら磁界に記録パタ−ンに従った変調
をかけて消去と記録を同時に行なう、つまり先の記録上
に重ね書き（オ−バ−ライト）を行なう方式が開発さ
れ、磁界変調オ−バ−ライト方式とよばれている。ま
た、さらに記録時間を短縮するために媒体の回転数を大
きくすることも試みられているが、記録周波数も同時に
あげる必要があり、磁界変調オ−バ−ライト方式では、
磁気ヘッドの電流のスイッチング速度を向上させる必要
がある。ピ−ク電流が小さいほどスイッチング速度を向
上させることは容易になるので、より小さな記録変調磁
界でオ−バ−ライトできる光磁気記録媒体が求められて
いる。
【０００５】一方、光磁気記録媒体の磁界感度の向上に
関しては、例えば、第１５回日本学術講演概要集（１９
９１年）第４３０〜４４０頁に報告されているように、
反射型構造の媒体で磁性膜をＧｄＦｅＣｏとＴｂＦｅＣ
ｏの積層とした媒体や、同講演概要集の第３０６頁に報
告されているように、ＴｂＦｅＣｏにＰｔＣｏなどの面
内膜を積層とした媒体が知られており、いずれも磁性層
に積層膜を用いたものである。
関しては、例えば、第１５回日本学術講演概要集（１９
９１年）第４３０〜４４０頁に報告されているように、
反射型構造の媒体で磁性膜をＧｄＦｅＣｏとＴｂＦｅＣ
ｏの積層とした媒体や、同講演概要集の第３０６頁に報
告されているように、ＴｂＦｅＣｏにＰｔＣｏなどの面
内膜を積層とした媒体が知られており、いずれも磁性層
に積層膜を用いたものである。
【０００６】ＧｄＦｅＣｏとＴｂＦｅＣｏの積層とした
媒体については、１００Ｏｅ程度の変調磁界で記録して
も十分なＣ／Ｎで再生可能であるが、５０Ｏｅ以下で変
調した場合、Ｃ／Ｎが十分でなく、オ−バ−ライトした
際、先の信号の消し残りが生じる。この原因としては、
ＧｄＦｅＣｏが軟磁性垂直磁化膜であるため、磁界感度
が良く、ノイズの原因となる極微小磁区が生じにくく、
さらにキュリ−温度がＴｂＦｅＣｏより高いことを利用
してＦｅＣｏリッチなＧｄＦｅＣｏから保磁力の大きな
補償組成近辺のＴｂＦｅＣｏへの転写で記録が行なわれ
ていたが、ＧｄＦｅＣｏとＴｂＦｅＣｏとの交換結合
は、ＴｂＦｅＣｏどうしと比較して１／５程度で、記録
時の温度では、必ずしも十分強いとは言えないため、５
０Ｏｅ以下の変調磁界でキャリアが十分に上がらなかっ
た。
媒体については、１００Ｏｅ程度の変調磁界で記録して
も十分なＣ／Ｎで再生可能であるが、５０Ｏｅ以下で変
調した場合、Ｃ／Ｎが十分でなく、オ−バ−ライトした
際、先の信号の消し残りが生じる。この原因としては、
ＧｄＦｅＣｏが軟磁性垂直磁化膜であるため、磁界感度
が良く、ノイズの原因となる極微小磁区が生じにくく、
さらにキュリ−温度がＴｂＦｅＣｏより高いことを利用
してＦｅＣｏリッチなＧｄＦｅＣｏから保磁力の大きな
補償組成近辺のＴｂＦｅＣｏへの転写で記録が行なわれ
ていたが、ＧｄＦｅＣｏとＴｂＦｅＣｏとの交換結合
は、ＴｂＦｅＣｏどうしと比較して１／５程度で、記録
時の温度では、必ずしも十分強いとは言えないため、５
０Ｏｅ以下の変調磁界でキャリアが十分に上がらなかっ
た。
【０００７】また、記録の安定性については、例えば、
特開平１−１３３２４３号公報に開示されているよう
に、ＧｄリッチのＧｄＦｅＣｏとＴｂリッチのＴｂＦｅ
Ｃｏの積層が望ましいとされているが、磁界変調オ−バ
−ライトで低磁界でのＣ／Ｎを上げるにはＴｂＦｅＣｏ
の組成をある程度ＦｅＣｏリッチ側へ寄せることが望ま
しいために、記録の安定性と低磁界でのＣ／Ｎを完全に
両立させることは難しかった。
特開平１−１３３２４３号公報に開示されているよう
に、ＧｄリッチのＧｄＦｅＣｏとＴｂリッチのＴｂＦｅ
Ｃｏの積層が望ましいとされているが、磁界変調オ−バ
−ライトで低磁界でのＣ／Ｎを上げるにはＴｂＦｅＣｏ
の組成をある程度ＦｅＣｏリッチ側へ寄せることが望ま
しいために、記録の安定性と低磁界でのＣ／Ｎを完全に
両立させることは難しかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、光磁気記録
媒体の記録の安定性を保ちながら磁界感度をさらに高
め、高速記録再生に適した媒体を得ることを目的とす
る。
媒体の記録の安定性を保ちながら磁界感度をさらに高
め、高速記録再生に適した媒体を得ることを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記のよ
うな現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、磁界に対して
比較的高感度で、ＦｅＣｏリッチなＧｄＦｅＣｏからの
交換結合による有効磁界の向きが、外部磁界の方向と一
致するＦｅＣｏリッチなＴｂＦｅＣｏへＧｄＦｅＣｏか
ら一度転写したのち、大きな交換結合による有効磁界で
ＴｂリッチなＴｂＦｅＣｏへさらに転写して記録するこ
とにより、高磁界感度と記録保持の安定性を同時に満足
できることを見出し、本発明を完成するに至った。
うな現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、磁界に対して
比較的高感度で、ＦｅＣｏリッチなＧｄＦｅＣｏからの
交換結合による有効磁界の向きが、外部磁界の方向と一
致するＦｅＣｏリッチなＴｂＦｅＣｏへＧｄＦｅＣｏか
ら一度転写したのち、大きな交換結合による有効磁界で
ＴｂリッチなＴｂＦｅＣｏへさらに転写して記録するこ
とにより、高磁界感度と記録保持の安定性を同時に満足
できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】すなわち、本発明は、少なくとも基板と、
希土類元素と遷移金属との合金の磁気記録層からなる光
磁気記録媒体において、前記磁気記録層が、第１磁性
層、第２磁性層、第３磁性層の順に積層され、各磁性層
として、第１磁性層がＧｄｘ１（Ｆｅ１−ｙ１Ｃ
ｏｙ１）１−ｘ１（但し、０．１５＜ｘ１＜０．２３、
０≦ｙ１＜０．５）、第２磁性層がＴｂｘ２（Ｆｅ
１−ｙ２Ｃｏｙ２）１−ｘ２（但し、０．１３＜ｘ２＜
０．２２、０．０５＜ｙ２＜０．２）、第３磁性層がＴ
ｂｘ３（Ｆｅ１−ｙ３Ｃｏｙ３）１−ｘ３（但し、０．
２４＜ｘ３＜０．３６、０．０５＜ｙ３＜０．２）、か
ら構成されており、第１磁性層、第２磁性層、第３磁性
層それぞれのキュリ−温度をＴｃ１、Ｔｃ２、Ｔｃ３と
すると、Ｔｃ３＜Ｔｃ２＜Ｔｃ１であることを特徴とす
る光磁気記録媒体に関する。
希土類元素と遷移金属との合金の磁気記録層からなる光
磁気記録媒体において、前記磁気記録層が、第１磁性
層、第２磁性層、第３磁性層の順に積層され、各磁性層
として、第１磁性層がＧｄｘ１（Ｆｅ１−ｙ１Ｃ
ｏｙ１）１−ｘ１（但し、０．１５＜ｘ１＜０．２３、
０≦ｙ１＜０．５）、第２磁性層がＴｂｘ２（Ｆｅ
１−ｙ２Ｃｏｙ２）１−ｘ２（但し、０．１３＜ｘ２＜
０．２２、０．０５＜ｙ２＜０．２）、第３磁性層がＴ
ｂｘ３（Ｆｅ１−ｙ３Ｃｏｙ３）１−ｘ３（但し、０．
２４＜ｘ３＜０．３６、０．０５＜ｙ３＜０．２）、か
ら構成されており、第１磁性層、第２磁性層、第３磁性
層それぞれのキュリ−温度をＴｃ１、Ｔｃ２、Ｔｃ３と
すると、Ｔｃ３＜Ｔｃ２＜Ｔｃ１であることを特徴とす
る光磁気記録媒体に関する。
【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１２】図１は本発明の光磁気記録媒体の一例であ
り、基板１上に誘電体層２、第１磁性層３、第２磁性層
４、第３磁性層５、誘電体層６及び反射膜７をこの順に
積層した状態を示している。
り、基板１上に誘電体層２、第１磁性層３、第２磁性層
４、第３磁性層５、誘電体層６及び反射膜７をこの順に
積層した状態を示している。
【００１３】基板１の材料としては、ポリカ−ボネ−ト
等の透明樹脂、ガラス等の透明材料を例示することがで
きる。誘電体層２の材料としては、窒化ケイ素、窒化ア
ルミニウム等を例示することができ、膜厚としては、５
００オングストローム以上１５００オングストローム以
下が好ましい。また、もう一方の誘電体層６の材料とし
ては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等を例示すること
ができ、膜厚としては、１５０オングストローム以上６
００オングストローム以下が好ましい。反射膜７として
は、アルミニウム、アルミニウムと、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ
等との合金、プラチナ等を例示することができ、膜厚と
しては、３００オングストローム以上１０００オングス
トローム以下が好ましい。
等の透明樹脂、ガラス等の透明材料を例示することがで
きる。誘電体層２の材料としては、窒化ケイ素、窒化ア
ルミニウム等を例示することができ、膜厚としては、５
００オングストローム以上１５００オングストローム以
下が好ましい。また、もう一方の誘電体層６の材料とし
ては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等を例示すること
ができ、膜厚としては、１５０オングストローム以上６
００オングストローム以下が好ましい。反射膜７として
は、アルミニウム、アルミニウムと、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ
等との合金、プラチナ等を例示することができ、膜厚と
しては、３００オングストローム以上１０００オングス
トローム以下が好ましい。
【００１４】又、第１磁性層は、Ｇｄｘ１（Ｆｅ
１−ｙ１Ｃｏｙ１）１−ｘ１からなり、ｘ１の値は０．
１５＜ｘ１＜０．２３、好ましくは、０．１６＜ｘ１＜
０．２１であり、ｙ１の値は０≦ｙ１＜０．５、好まし
くは、０＜ｙ１＜０．２である。
１−ｙ１Ｃｏｙ１）１−ｘ１からなり、ｘ１の値は０．
１５＜ｘ１＜０．２３、好ましくは、０．１６＜ｘ１＜
０．２１であり、ｙ１の値は０≦ｙ１＜０．５、好まし
くは、０＜ｙ１＜０．２である。
【００１５】第２磁性層は、Ｔｂｘ２（Ｆｅ１−ｙ２Ｃ
ｏｙ２）１−ｘ２からなり、ｘ２の値は０．１３＜ｘ２
＜０．２２、好ましくは、０．１５＜ｘ２＜０．２１で
あり、ｙ２の値は０．０５＜ｙ２＜０．２、好ましく
は、０．０５＜ｙ２＜０．１５である。
ｏｙ２）１−ｘ２からなり、ｘ２の値は０．１３＜ｘ２
＜０．２２、好ましくは、０．１５＜ｘ２＜０．２１で
あり、ｙ２の値は０．０５＜ｙ２＜０．２、好ましく
は、０．０５＜ｙ２＜０．１５である。
【００１６】第３磁性層は、Ｔｂｘ３（Ｆｅ１−ｙ３Ｃ
ｏｙ３）１−ｘ３からなり、ｘ３の値は０．２４＜ｘ３
＜０．３６、好ましくは、０．２５＜ｘ３＜０．３４で
あり、ｙ３の値は０．０５＜ｙ３＜０．２、好ましく
は、０．０５＜ｙ３＜０．１５である。更にこれらの第
１磁性層、第２磁性層、第３磁性層それぞれのキュリ−
温度をＴｃ１、Ｔｃ２、Ｔｃ３とすると、Ｔｃ３＜Ｔｃ
２＜Ｔｃ１なる関係を満たす必要がある。
ｏｙ３）１−ｘ３からなり、ｘ３の値は０．２４＜ｘ３
＜０．３６、好ましくは、０．２５＜ｘ３＜０．３４で
あり、ｙ３の値は０．０５＜ｙ３＜０．２、好ましく
は、０．０５＜ｙ３＜０．１５である。更にこれらの第
１磁性層、第２磁性層、第３磁性層それぞれのキュリ−
温度をＴｃ１、Ｔｃ２、Ｔｃ３とすると、Ｔｃ３＜Ｔｃ
２＜Ｔｃ１なる関係を満たす必要がある。
【００１７】第１、第２及び第３磁性層の積層の順番は
基板側からこの順であってもよいし、あるいは反射膜側
からこの順であっても良い。
基板側からこの順であってもよいし、あるいは反射膜側
からこの順であっても良い。
【００１８】上述の誘電体層２から反射膜７までの各層
は、例えば、スパッタリング法により形成するのが好ま
しい。例えば、第１磁性層は、Ｇｄスパッタリングター
ゲットとＦｅＣｏスパッタリングターゲットとから、第
２及び第３磁性層は、Ｔｂスパッタリングターゲットと
ＦｅＣｏスパッタリングターゲットとから形成すること
ができる。
は、例えば、スパッタリング法により形成するのが好ま
しい。例えば、第１磁性層は、Ｇｄスパッタリングター
ゲットとＦｅＣｏスパッタリングターゲットとから、第
２及び第３磁性層は、Ｔｂスパッタリングターゲットと
ＦｅＣｏスパッタリングターゲットとから形成すること
ができる。
【００１９】なお、上記した各磁性層の成分に、耐久性
向上等を目的として、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａなどの他の成分
を数％程度添加してもよい。この場合、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｆ
ｅ、及びＣｏのみの組成が上記の条件を満たしていれば
よい。
向上等を目的として、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａなどの他の成分
を数％程度添加してもよい。この場合、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｆ
ｅ、及びＣｏのみの組成が上記の条件を満たしていれば
よい。
【００２０】磁気記録層全体の厚みは、１５０オングス
トローム以上３５０オングストローム以下が好ましく、
更に好ましくは、２００以上３００以下である。各層の
厚さは、それぞれ第１磁性層を２０オングストローム以
上１２０オングストローム以下、第２磁性層を３０オン
グストローム以上１８０オングストローム以下、第３磁
性層を５０オングストローム以上２００オングストロー
ム以下とするのが、高磁界感度を発現させる上で好まし
い。
トローム以上３５０オングストローム以下が好ましく、
更に好ましくは、２００以上３００以下である。各層の
厚さは、それぞれ第１磁性層を２０オングストローム以
上１２０オングストローム以下、第２磁性層を３０オン
グストローム以上１８０オングストローム以下、第３磁
性層を５０オングストローム以上２００オングストロー
ム以下とするのが、高磁界感度を発現させる上で好まし
い。
【００２１】このように磁気記録層全体の膜厚が３５０
オングストローム以内と薄く、それぞれ層の好ましい膜
厚の範囲も２００オングストローム以下と薄いので、常
温付近ではパラレルタイプの結合をしている第１磁性層
と第２磁性層は単層膜と同様にふるまい、アンチパラレ
ルタイプでＴｂＦｅＣｏが結合しているので、保磁力は
それぞれの値の足し合わせより大きくなり、記録の保持
は従来のＧｄＦｅＣｏ／ＴｂＦｅＣｏの２層膜と同様以
上に良好に保たれる。
オングストローム以内と薄く、それぞれ層の好ましい膜
厚の範囲も２００オングストローム以下と薄いので、常
温付近ではパラレルタイプの結合をしている第１磁性層
と第２磁性層は単層膜と同様にふるまい、アンチパラレ
ルタイプでＴｂＦｅＣｏが結合しているので、保磁力は
それぞれの値の足し合わせより大きくなり、記録の保持
は従来のＧｄＦｅＣｏ／ＴｂＦｅＣｏの２層膜と同様以
上に良好に保たれる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２３】光磁気記録媒体の構造としては、図１に示
したような構造とした。即ち、ポリカ−ボネ−ト基板１
上に、膜厚９００オングストロームの窒化ケイ素よりな
る誘電体層２、ＧｄＦｅＣｏからなる第１磁性層３、Ｔ
ｂＦｅＣｏからなる第２磁性層４、ＴｂＦｅＣｏからな
る第３磁性層５、膜厚３００オングストロームの窒化ケ
イ素よりなる誘電体層６及び膜厚３００オングストロー
ムのアルミニウムからなる反射膜７をこの順に積層し
た。なお、各層はすべてスパッタリング法により形成し
た。以下、この構造で、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏの
組成、膜厚などを変化させた。
したような構造とした。即ち、ポリカ−ボネ−ト基板１
上に、膜厚９００オングストロームの窒化ケイ素よりな
る誘電体層２、ＧｄＦｅＣｏからなる第１磁性層３、Ｔ
ｂＦｅＣｏからなる第２磁性層４、ＴｂＦｅＣｏからな
る第３磁性層５、膜厚３００オングストロームの窒化ケ
イ素よりなる誘電体層６及び膜厚３００オングストロー
ムのアルミニウムからなる反射膜７をこの順に積層し
た。なお、各層はすべてスパッタリング法により形成し
た。以下、この構造で、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏの
組成、膜厚などを変化させた。
【００２４】実施例１ 第１磁性層をＧｄ０．１９（Ｆｅ０．９２Ｃ
ｏ０．０８）０．８１（Ｔｃ１：２８０℃）で膜厚を５
０オングストローム、第２磁性層をＴｂ０．１９（Ｆｅ
０ ．９２Ｃｏ０．０８）０．８１（Ｔｃ２：２０５℃）
で１００オングストローム、第３磁性層をＴｂ０．２７
（Ｆｅ０．９２Ｃｏ０．０８）０．７３（Ｔｃ３：１８
０℃）で１５０オングストロームとした。この媒体の保
磁力は、１５ｋＯｅ以上であった。
ｏ０．０８）０．８１（Ｔｃ１：２８０℃）で膜厚を５
０オングストローム、第２磁性層をＴｂ０．１９（Ｆｅ
０ ．９２Ｃｏ０．０８）０．８１（Ｔｃ２：２０５℃）
で１００オングストローム、第３磁性層をＴｂ０．２７
（Ｆｅ０．９２Ｃｏ０．０８）０．７３（Ｔｃ３：１８
０℃）で１５０オングストロームとした。この媒体の保
磁力は、１５ｋＯｅ以上であった。
【００２５】この媒体を８ｍ／ｓｅｃの線速度で回転さ
せながら、７８０ｎｍのレ−ザ−光を８ｍＷのパワ−で
連続照射し、浮上型磁気ヘッドからの磁界を５０％のデ
ュ−ティ−で４．９ＭＨｚで変調させながら、変調磁界
の値を１００、５０Ｏｅと変化させて記録した後、１．
５ｍＷのレ−ザ−ビ−ムを照射して再生を行ないＣ／Ｎ
を測定した。これとは別に、変調周波数を３ＭＨｚ、変
調磁界を１００Ｏｅとした以外は、前述と同様の条件で
記録した後、４．９ＭＨｚで変調させながら、変調磁界
の値を１００、５０Ｏｅと変化させて記録し、３ＭＨｚ
の信号の消し残りのＣ／Ｎを測定した。
せながら、７８０ｎｍのレ−ザ−光を８ｍＷのパワ−で
連続照射し、浮上型磁気ヘッドからの磁界を５０％のデ
ュ−ティ−で４．９ＭＨｚで変調させながら、変調磁界
の値を１００、５０Ｏｅと変化させて記録した後、１．
５ｍＷのレ−ザ−ビ−ムを照射して再生を行ないＣ／Ｎ
を測定した。これとは別に、変調周波数を３ＭＨｚ、変
調磁界を１００Ｏｅとした以外は、前述と同様の条件で
記録した後、４．９ＭＨｚで変調させながら、変調磁界
の値を１００、５０Ｏｅと変化させて記録し、３ＭＨｚ
の信号の消し残りのＣ／Ｎを測定した。
【００２６】実施例２ 第１磁性層をＧｄ０．１９（Ｆｅ０．９２Ｃ
ｏ０．０８）０．８１（Ｔｃ１：２８０℃）で膜厚を５
０オングストローム、第２磁性層をＴｂ０．１６（Ｆｅ
０ ．９２Ｃｏ０．０８）０．８４（Ｔｃ２：２２０℃）
で１００オングストローム、第３磁性層をＴｂ０．２９
（Ｆｅ０．９２Ｃｏ０．０８）０．７１（Ｔｃ３：１７
５℃）で１５０オングストロームとした。この媒体の保
磁力は、１０ｋＯｅであった。
ｏ０．０８）０．８１（Ｔｃ１：２８０℃）で膜厚を５
０オングストローム、第２磁性層をＴｂ０．１６（Ｆｅ
０ ．９２Ｃｏ０．０８）０．８４（Ｔｃ２：２２０℃）
で１００オングストローム、第３磁性層をＴｂ０．２９
（Ｆｅ０．９２Ｃｏ０．０８）０．７１（Ｔｃ３：１７
５℃）で１５０オングストロームとした。この媒体の保
磁力は、１０ｋＯｅであった。
【００２７】記録再生の評価は実施例１と全く同じ条件
で行なった。
で行なった。
【００２８】比較例１ 第１磁性層をＧｄ０．１９（Ｆｅ０．９２Ｃ
ｏ０．０８）０．８１（Ｔｃ：２８０℃）で膜厚を５０
オングストローム、第２磁性層をＴｂ０．２５（Ｆｅ
０． ９２Ｃｏ０．０８）０．７５（Ｔｃ：１９５℃）で
２５０オングストロームとした。この媒体の保磁力は、
１２ｋＯｅであった。
ｏ０．０８）０．８１（Ｔｃ：２８０℃）で膜厚を５０
オングストローム、第２磁性層をＴｂ０．２５（Ｆｅ
０． ９２Ｃｏ０．０８）０．７５（Ｔｃ：１９５℃）で
２５０オングストロームとした。この媒体の保磁力は、
１２ｋＯｅであった。
【００２９】記録再生の評価は実施例１と全く同じ条件
で行なった。
で行なった。
【００３０】比較例２ 磁性層が２層となった以外は実施例と同様の構造で第１
磁性層をＧｄ０．１９（Ｆｅ０．９２Ｃｏ０．０８）
０．８１（Ｔｃ：２８０℃）で膜厚を５０オングストロ
ーム、第２磁性層をＴｂ０．２０（Ｆｅ０．９２Ｃｏ
０．０８）０．８０（Ｔｃ：２１０℃）で２５０オング
ストロームとした。この媒体の保磁力は、６ｋＯｅであ
った。
磁性層をＧｄ０．１９（Ｆｅ０．９２Ｃｏ０．０８）
０．８１（Ｔｃ：２８０℃）で膜厚を５０オングストロ
ーム、第２磁性層をＴｂ０．２０（Ｆｅ０．９２Ｃｏ
０．０８）０．８０（Ｔｃ：２１０℃）で２５０オング
ストロームとした。この媒体の保磁力は、６ｋＯｅであ
った。
【００３１】記録再生の評価は実施例１と全く同じ条件
で行なった。
で行なった。
【００３２】比較例３ 第１磁性層をＧｄ０．１９（Ｆｅ０．９２Ｃ
ｏ０．０８）０．８１（Ｔｃ１：２８０℃）で膜厚を５
０オングストローム、第２磁性層をＴｂ０．２９（Ｆｅ
０ ．９２Ｃｏ０．０８）０．７１（Ｔｃ２：１７５℃）
で１５０オングストローム、第３磁性層をＴｂ０．１６
（Ｆｅ０．９２Ｃｏ０．０８）０．８４（Ｔｃ３：２２
０℃）で１００オングストロームとした。この媒体の保
磁力は、１５ｋＯｅであった。
ｏ０．０８）０．８１（Ｔｃ１：２８０℃）で膜厚を５
０オングストローム、第２磁性層をＴｂ０．２９（Ｆｅ
０ ．９２Ｃｏ０．０８）０．７１（Ｔｃ２：１７５℃）
で１５０オングストローム、第３磁性層をＴｂ０．１６
（Ｆｅ０．９２Ｃｏ０．０８）０．８４（Ｔｃ３：２２
０℃）で１００オングストロームとした。この媒体の保
磁力は、１５ｋＯｅであった。
【００３３】記録再生の評価は実施例１と全く同じ条件
で行なった。以上の実施例、比較例の評価結果を表１に
示す。
で行なった。以上の実施例、比較例の評価結果を表１に
示す。
【００３４】
【００３５】比較例１と実施例１、２はＴｂＦｅＣｏの
平均組成が同等で、ＧｄＦｅＣｏと積層したあとも室温
で保磁力が１０ｋＯｅ以上である。５０ＯｅでのＣ／Ｎ
は比較例１に対して実施例１、２で改善された。比較例
３のように、実施例２の磁性層の順番をかえると、Ｃ／
Ｎは大きく悪化した。
平均組成が同等で、ＧｄＦｅＣｏと積層したあとも室温
で保磁力が１０ｋＯｅ以上である。５０ＯｅでのＣ／Ｎ
は比較例１に対して実施例１、２で改善された。比較例
３のように、実施例２の磁性層の順番をかえると、Ｃ／
Ｎは大きく悪化した。
【００３６】また、３ＭＨｚで記録した後、４．９ＭＨ
ｚでオ−バ−ライトした後の３ＭＨｚの信号の消し残り
に関しても、実施例１、２は比較例に対して改善されて
いる。
ｚでオ−バ−ライトした後の３ＭＨｚの信号の消し残り
に関しても、実施例１、２は比較例に対して改善されて
いる。
【００３７】比較例２では、５０ＯｅでのＣ／Ｎは実施
例１に近いが、オ−バ−ライトした後の３ＭＨｚの信号
の消し残りに関して比較例１よりも悪い結果となり、室
温で保磁力も６ｋＯｅ程度と低い。
例１に近いが、オ−バ−ライトした後の３ＭＨｚの信号
の消し残りに関して比較例１よりも悪い結果となり、室
温で保磁力も６ｋＯｅ程度と低い。
【００３８】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は、記録の安定
性を保ちながらＧｄＦｅＣｏ／ＴｂＦｅＣｏの２層膜よ
りも磁界感度を高め、高速記録再生に適した媒体を得る
ことができる。また、オ−バ−ライト後の消去比につい
ても２層膜以上の性能が得られる。
性を保ちながらＧｄＦｅＣｏ／ＴｂＦｅＣｏの２層膜よ
りも磁界感度を高め、高速記録再生に適した媒体を得る
ことができる。また、オ−バ−ライト後の消去比につい
ても２層膜以上の性能が得られる。
【図１】 本発明の光磁気記録媒体の構造の一例を示す
断面図である。
断面図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも基板と、希土類元素と遷移金
属との合金の磁気記録層からなる光磁気記録媒体におい
て、前記磁気記録層が、第１磁性層、第２磁性層、第３
磁性層の順に積層され、各磁性層として、第１磁性層が
Ｇｄｘ１（Ｆｅ１−ｙ１Ｃｏｙ１）１−ｘ１（但し、
０．１５＜ｘ１＜０．２３、０≦ｙ１＜０．５）、第２
磁性層がＴｂｘ２（Ｆｅ１−ｙ２Ｃｏｙ２）
１−ｘ２（但し、０．１３＜ｘ２＜０．２２、０．０５
＜ｙ２＜０．２）、第３磁性層がＴｂｘ３（Ｆｅ
１−ｙ３Ｃｏｙ３）１−ｘ３（但し、０．２４＜ｘ３＜
０．３６、０．０５＜ｙ３＜０．２）、から構成されて
おり、第１磁性層、第２磁性層、第３磁性層それぞれの
キュリ−温度をＴｃ１、Ｔｃ２、Ｔｃ３とすると、Ｔｃ
３＜Ｔｃ２＜Ｔｃ１であることを特徴とする光磁気記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16833192A JPH05342657A (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16833192A JPH05342657A (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05342657A true JPH05342657A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15866071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16833192A Pending JPH05342657A (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05342657A (ja) |
-
1992
- 1992-06-04 JP JP16833192A patent/JPH05342657A/ja active Pending
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