JPH0721520A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 追加的なプロセスを実質的に必要とすること
なしに、アンダーシュートを抑制できる構造を有する薄
膜磁気ヘッドを提供する。 【構成】 スライダ１と、薄膜磁気変換素子２とを有す
る。薄膜磁気変換素子２は、下部磁性膜２１２１及び上
部磁性膜２２２２がポール部２１１、２２１とヨーク部
２１２、２２２とを有し、コイル膜２３がヨーク部２１
２、２２２の結合部の周りに渦巻状に配置され、ギャッ
プ膜２４がポール部２１１ー２２１間に設けられ、有機
絶縁膜２５１〜２５３が上部磁性膜２２及びコイル膜２
３を支持している。上部磁性膜２２は、ポール部２２１
の先端面がギャップ膜２４上に位置し、ギャップ膜２４
上から有機絶縁膜２５１の傾斜面に沿って立ち上がるよ
うに設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、浮上型の薄膜磁気ヘッ
ドに関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の薄膜磁気ヘッドは、周知のよう
に、スライダに薄膜磁気変換素子を設けた構造となって
いる。図４は従来の薄膜磁気ヘッドの薄膜磁気変換素子
部分の拡大断面図である。図は構造の概略を示すために
用いられているもので、各部寸法は誇張されている。図
において、１はスライダ、２は薄膜磁気変換素子であ
る。スライダ１はAl₂O₃-Tic 等で構成される基体１０１
の上に、アルミナ等の絶縁膜１０２を有している。図示
はされていないが、スライダ１は媒体対向面側に２つの
レールを有し、レールの表面を空気ベアリング面として
利用するタイプや、媒体対向面がレール部を持たない平
面状の空気ベアリング面となっているもの等がある。

【０００３】薄膜磁気変換素子２は、下部磁性膜２１
と、上部磁性膜２２と、コイル膜２３と、ギャップ膜２
４と、有機絶縁膜２５１〜２５３とを有する。下部磁性
膜２１及び上部磁性膜２２は、パーマロイ等で構成さ
れ、互いに対向するポール部２１１、２２１とその後方
に連なるヨーク部２１２、２２とを有し、ヨーク部２１
２、２２２がポール部２１１、２２１の後方側で、磁気
回路を完成するように互いに結合されている。コイル膜
２３はヨーク部２１２、２２２の結合部の周りに渦巻状
に配置されている。ギャップ膜２４はアルミナ等によっ
て構成され、ポール部２１１ー２２１間に介在して設け
られている。有機絶縁膜２５１〜２５３は上部磁性膜２
２及びコイル膜２３を支持している。これらは、通常、
ノボラック樹脂等の有機樹脂で構成される。２６はアル
ミナ等でなる保護膜である。

【０００４】上部磁性膜２２のポール部２２２はスライ
ダ１の面１０３に対して実質的に平行となり、高さを変
えずに、ゼロ．スロート点Ｘまで伸びる部分と、ゼロ．
スロート点Ｘに連続し有機絶縁膜２５１〜２５３の傾斜
に従ってスライダ１の面１０３から次第に離れながら、
点Ｙに達する立ち上がり部分とを有する。この構造は、
主として、読み取り時の分解能を高めるために採られる
構造であり、特開昭５５ー８４０１９号（米国特許4,19
0,872号明細書）公報で公知である。上部磁性膜２２の
ヨーク部２２２はポール部２２１よりも厚い膜厚を有
し、点Ｙでポール部２２１の立ち上り部分に連なり、点
Ｙでその厚みが増大すると共に、面積が次第に増大す
る。

【０００５】図５は上述の薄膜磁気ヘッドを用いて、磁
気記録媒体に記録した１ショットの信号を再生した場合
の孤立再生波形を示している。孤立再生波形の下側に
は、ポール部２１１、２２１が孤立再生波形と対応する
関係で示されている。Ｍは磁気記録媒体である。

【０００６】図５に示すように、孤立再生波形はポール
部２１１、２２１の端縁に対応する位置で、疑似波形で
あるアンダーシュートＡ、Ｂを生じている。アンダーシ
ュートＡ、Ｂは、薄膜磁気ヘッドに特有の構造に起因し
て発生するものである。即ち、薄膜磁気ヘッドにおいて
は、バルク型磁気ヘッド等と異なって、磁気記録媒体Ｍ
の走行方向ａで見たポール部２１１、２２１の端部の厚
みが薄い。しかも、下部磁性膜２１のポール部２１１
は、先端面２１３の膜厚方向が磁気記録媒体Ｍの走行方
向ａに一致するように配置されており、上部磁性膜２２
のポール部２２２はスライダ１の面１０３に対して実質
的に平行となり、高さを変えずに、ゼロ．スロート点Ｘ
まで伸びる部分と、ゼロ．スロート点Ｘに連続し有機絶
縁膜２５１〜２５３の傾斜に従ってスライダ１の面１０
３から次第に離れながら、点Ｙに達する立ち上がり部分
とを有し、先端面２２３の膜厚方向が磁気記録媒体Ｍの
走行方向ａに一致するように配置されている。このた
め、ギャップ膜２４による本来の変換ギャップの他に、
ポール部２１１、２２１の各端部２１０、２２０による
疑似ギャップが発生し、この擬似ギャップによってアン
ダーシュートＡ、Ｂを生じる。

【０００７】アンダーシュートＡ、Ｂの存在は、高密度
記録の場合、ピークシフトが大きくなるため、読み出し
のエラーマージンもしくは位相マージンに限界を生じ、
高密度記録の大きな障害となる。

【０００８】アンダーシュートを抑制するための従来技
術としては、特公昭５３−２９０９０号公報、特開昭６
３−９１８１２号公報、特開昭６３−１０３４１０号公
報等に記載された技術が知られている。

【０００９】まず、特公昭５３−２９０９０号公報で
は、記録媒体対向面での上部及び下部磁性体の少なくと
も一方の磁性体の端部を、ギャップ部材と垂直方向への
厚さを、全体にわたって異ならしめ、端部がギャップ部
と全体にわたって平行とならないように形成して、アン
ダーシュートを抑制してあった。

【００１０】特開昭６３−９１８１２号公報では、磁極
の外側の面上に、透磁率が磁極よりも充分に低い低透磁
率層を設けて、アンダーシュートを抑制する技術を開示
している。

【００１１】特開昭６３−１０３４１０号公報は、磁極
の磁気特性をギャップより遠くなるほど、低くすること
により、アンダーシュートを抑制している。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特公昭
５３−２９０９０号公報では、上部及び下部磁性体の少
なくとも一方の磁性体の端部が、ギャップ部と全体にわ
たって平行とならないように、ギャップ部材と垂直方向
への厚さを全体にわたって異ならしめて形成する必要が
あるため、磁性体が媒体対向面側で部分的に突出する複
雑な形状となり、この形状を付与するためのプロセスが
余分に必要になり、製造プロセスが複雑になると共に、
歩留の低下を招く。

【００１３】特開昭６３−９１８１２号公報では、磁極
の外側の面上に、透磁率が磁極よりも充分に低い低透磁
率層を設けることが必要であるため、やはり、低透磁率
層を形成するためのプロセスが必要になり、工程数の増
加、歩留の低下を招く。

【００１４】特開昭６３−１０３４１０号公報では、磁
極の磁気特性をギャップより遠くなるほど、低くなるよ
うに制御する必要があり、同様の問題を回避することが
できない。

【００１５】そこで、本発明の課題は、上述する従来の
問題点を解決し、追加的なプロセスを実質的に必要とす
ることなしに、アンダーシュートを抑制できる構造を有
する薄膜磁気ヘッドを提供することである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上述する課題解決のた
め、本発明は、スライダと、薄膜磁気変換素子とを有す
る薄膜磁気ヘッドであって、前記スライダは、前記薄膜
磁気変換素子を支持しており、前記薄膜磁気変換素子
は、下部磁性膜と、上部磁性膜と、コイル膜と、ギャッ
プ膜と、有機絶縁膜とを有し、前記下部磁性膜及び前記
上部磁性膜が互いに対向するポール部とその後方に連な
るヨーク部とを有し、前記ヨーク部が前記ポール部の後
方側で互いに結合され、前記コイル膜が前記ヨーク部の
結合部の周りに渦巻状に配置され、前記ギャップ膜が前
記ポール部間に介在して設けられ、前記有機絶縁膜が前
記上部磁性膜及び前記コイル膜を支持しており、前記上
部磁性膜は、前記ポール部の先端面が前記ギャップ膜上
に位置し、前記ギャップ膜上から前記有機絶縁膜の傾斜
面に沿って立ち上がるように設けられていることを特徴
とする。

【００１７】

【作用】上部磁性膜は、ポール部の先端面がギャップ膜
上に位置し、ギャップ膜上から有機絶縁膜の傾斜面に沿
って立ち上がるように設けられているので、上部磁性膜
のポール部の磁気特性を、上部磁性膜の傾斜に応じて、
磁気記録媒体の走行方向に徐々に低下させたのと実質的
に同様の作用が得られる。このため、上部磁性膜のポー
ル部に発生するアンダーシュートが、上部磁性膜の傾斜
に従い徐々に変化するような波形となり、無視できる程
度に弱められる。

【００１８】下部磁性膜のポール部に発生するアンダー
シュートは、特公昭５３−２９０９０号公報、特開昭６
３−９１８１２号公報、特開昭６３−１０３４１０号公
報等に記載の技術を適用することによって抑制できる。
この場合、上部磁性膜のポール部に発生するアンダーシ
ュートは無視できる程度に抑制できるので、上述した従
来技術は、下部磁性膜のポール部に発生するアンダーシ
ュートの除去だけに適用すればよく、全体として、付加
すべきアンダーシュート抑制手段もしくは構造が簡単に
なる。

【００１９】しかも、従来の製造プロセスを殆ど変更す
る必要がなく、主として、上部磁性膜のポール部の形状
をコントロールするだけでよいので、製造が容易であ
り、実用性に富む。

【００２０】

【実施例】図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜磁
気変換素子部分の断面図である。図において、図４と同
一の参照符号は同一性ある構成部分を示している。上部
磁性膜２２は、ポール部２２１の先端面２２３がギャッ
プ膜２４上に位置している。従って、上部磁性膜２２の
ポール部２２１の先端面２２３の膜厚ｔ２が磁気記録媒
体の走行方向ａと直交する方向にあり、ギャップ膜２４
の両側におけるポール部２１１ー２２１間の重なり深さ
ＴＨを定めている。そして、上部磁性膜２２は、ギャッ
プ膜２４上から有機絶縁膜２５３の傾斜面に沿って立ち
上がるように設けられている。有機絶縁膜２５３は次第
に後退する方向に傾斜しているから、ポール部２２１は
有機絶縁膜２５３の傾斜に応じて後方に傾斜するように
立ち上がる。

【００２１】上述のように、上部磁性膜２２は、ポール
部２２１の先端面２２３がギャップ膜２４上に位置し、
ギャップ膜２４上から有機絶縁膜２５３の傾斜面に沿っ
て立ち上がるように設けられているので、上部磁性膜２
２のポール部２２１の磁気特性を、上部磁性膜２２の傾
斜に応じて、磁気記録媒体の走行方向ａに徐々に低下さ
せたのと実質的に同様の作用が得られる。このため、図
２に示すように、上部磁性膜２２のポール部２２１に発
生するアンダーシュートＢが無視できる程度に弱められ
る。下部磁性膜２１のポール部２１１に発生するアンダ
ーシュートＡは、この実施例では抑制できないが、特公
昭５３−２９０９０号公報、特開昭６３−９１８１２号
公報、特開昭６３−１０３４１０号公報等に記載の技術
を適用することによって抑制できる。この場合、磁性膜
２２のポール部２２１に発生するアンダーシュートＢは
無視できる程度に抑制できるので、上述した従来技術
は、下部磁性膜２１のポール部２１１に発生するアンダ
ーシュートＡの除去だけに適用すればよく、全体とし
て、付加すべきアンダーシュート抑制手段もしくは構造
が簡単になる。

【００２２】しかも、従来の製造プロセスを殆ど変更す
る必要がなく、主として、上部磁性膜２２のポール部２
２１の形状をコントロールするだけでよいので、製造が
容易であり、実用性に富む。

【００２３】実施例において、有機絶縁膜２５１〜２５
３は複数層備えられ、最外側層２５３がポール部２１
１、２２１側においてギャップ膜２４に達し、全体を覆
っている。上部磁性膜２２はこの最外側の有機絶縁膜２
５３の上に設けられている。

【００２４】上部磁性膜２２のポール部２２１の先端面
の膜厚ｔ２は、下部磁性膜２１のポール部２１１の膜厚
をｔ１としたとき、 ｔ２≦ｔ１ を満たすように設定すると、アンダーシュートの抑制
に、更に良い結果が得られる。

【００２５】図３は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の
実施例における断面図を示している。この実施例では、
下部磁性膜２１のポール部２１１が、ギャップ膜２４と
は反対側に凹部２１４を有している。このような構造で
あると、下部磁性膜２１側でもアンダーシュートを抑制
できる。下部磁性膜２１のポール部２１１に発生するア
ンダーシュートは、従来技術の適用によって抑制できる
ことは前述した通りであるが、図３に示すような構造の
場合は、従来技術を適用した場合よりも、簡単な構造
で、確実に、下部磁性膜２１のポール部２１１のアンダ
ーシュートを抑制できる。

【００２６】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）上部磁性膜は、ポール部の先端面がギャップ膜上
に位置し、ギャップ膜上から有機絶縁膜の傾斜面に沿っ
て立ち上がるように設けられているから、上部磁性膜の
ポール部におけるアンダーシュートを、無視できる程度
に弱めた高密度記録対応の薄膜磁気ヘッドを提供でき
る。 （ｂ）上部磁性膜のポール部に発生するアンダーシュー
トは無視できる程度に抑制できるので、従来のアンダー
シュート抑制技術を付加する場合、下部磁性膜のポール
部に発生するアンダーシュートの除去だけに適用すれば
よく、全体として、付加すべきアンダーシュート抑制手
段もしくは構造を簡単化し得る薄膜磁気ヘッドを提供で
きる。 （ｃ）従来の製造プロセスを殆ど変更する必要がなく、
主として、上部磁性膜のポール部の形状をコントロール
するだけでよいので、製造が容易であり、実用性に富む
アンダーシュート抑制タイプの薄膜磁気ヘッドを提供で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜磁気変換素
子部分の断面図である。

【図２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの孤立再生波形を
示す図である。

【図３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例にお
ける薄膜磁気変換素子の断面図である。

【図４】従来の薄膜磁気ヘッドの薄膜磁気変換素子部分
の拡大断面図である。

【図５】従来の薄膜磁気ヘッドの孤立再生波形を示す図
である。

【符号の説明】

１ スライダ ２ 薄膜磁気変換素子 ２１ 下部磁性膜 ２２ 上部磁性膜 ２３ コイル膜 ２４ ギャップ膜 ２５１〜２５３ 有機絶縁膜

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 スライダと、薄膜磁気変換素子とを有す
   る薄膜磁気ヘッドであって、 前記スライダは、前記薄膜磁気変換素子を支持してお
   り、 前記薄膜磁気変換素子は、下部磁性膜と、上部磁性膜
   と、コイル膜と、ギャップ膜と、有機絶縁膜とを有し、
   前記下部磁性膜及び前記上部磁性膜が互いに対向するポ
   ール部とその後方に連なるヨーク部とを有し、前記ヨー
   ク部が前記ポール部の後方側で互いに結合され、前記コ
   イル膜が前記ヨーク部の結合部の周りに渦巻状に配置さ
   れ、前記ギャップ膜が前記ポール部間に介在して設けら
   れ、前記有機絶縁膜が前記上部磁性膜及び前記コイル膜
   を支持しており、 前記上部磁性膜は、前記ポール部の先端面が前記ギャッ
   プ膜上に位置し、前記ギャップ膜上から前記有機絶縁膜
   の傾斜面に沿って立ち上がるように設けられていること
   を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記有機絶縁膜は複数層備えられ、最外
   側層が前記ポール部側において前記ギャップ膜に達し全
   体を覆っていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜
   磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 前記下部磁性膜の前記ポール部の膜厚を
   ｔ１とし、前記上部磁性膜の前記先端面の膜厚をｔ２と
   したとき、 ｔ１≧ｔ２ を満たすことを特徴とする請求項１または２に記載の薄
   膜磁気ヘッド。