JP2885724B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
に使用される薄膜磁気ヘッドに関し、特に薄膜磁気ヘッ
ドにおけるＮｉＦｅ膜の形成に関する。
に使用される薄膜磁気ヘッドに関し、特に薄膜磁気ヘッ
ドにおけるＮｉＦｅ膜の形成に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜磁気ヘッドは、図４に示すよ
うに、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板１上にスパッタリング
法，フォトリソグラフィー技術、電気めっき法等を用い
てＡｌ2Ｏ3 絶縁層２および磁気コアとなる下部磁極３
を形成後、外部磁界を発生させるためのギャップ膜４を
成膜し、有機絶縁膜５ａ〜５ｄおよびコイル導体６ａ〜
６ｃを交互に積層し、次いで、上部磁極８ｂ、Ａｌ2 Ｏ
3 保護膜１０を順次積層する。
うに、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板１上にスパッタリング
法，フォトリソグラフィー技術、電気めっき法等を用い
てＡｌ2Ｏ3 絶縁層２および磁気コアとなる下部磁極３
を形成後、外部磁界を発生させるためのギャップ膜４を
成膜し、有機絶縁膜５ａ〜５ｄおよびコイル導体６ａ〜
６ｃを交互に積層し、次いで、上部磁極８ｂ、Ａｌ2 Ｏ
3 保護膜１０を順次積層する。
【０００３】ここで、磁極の材料として軟磁性体である
１６〜２０ｗｔ％のＦｅ組成からなるＮｉＦｅ膜（Ｎｉ
Ｆｅは、一般的にＮｉＦｅの組成を頭につけて呼ぶ習慣
があり、ここでは１６〜２０ｗｔ％のＦｅ組成の平均値
が１８％であることから８２ＮｉＦｅと呼ぶ）を使用し
たものが最もよく用いられている。
１６〜２０ｗｔ％のＦｅ組成からなるＮｉＦｅ膜（Ｎｉ
Ｆｅは、一般的にＮｉＦｅの組成を頭につけて呼ぶ習慣
があり、ここでは１６〜２０ｗｔ％のＦｅ組成の平均値
が１８％であることから８２ＮｉＦｅと呼ぶ）を使用し
たものが最もよく用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の薄膜磁
気ヘッドでは、高密度記録のために磁気記録媒体の保持
力（Ｈｃ）を高くすると、書き込み電流をさらに増加す
る必要があるが、必要以上に書き込み電流を増加する
と、８２ＮｉＦｅ膜が磁気的に過飽和してしまい、書き
込み時の磁界勾配が悪化するため、磁気記録媒体が磁化
されにくく、再生時に磁気記録媒体からの漏れ磁束が減
少し、再生出力が低下する。すなわち、上部磁極に８２
ＮｉＦｅ膜のみを用いると、高密度記録を行う場合に十
分な再生出力が得られない。
気ヘッドでは、高密度記録のために磁気記録媒体の保持
力（Ｈｃ）を高くすると、書き込み電流をさらに増加す
る必要があるが、必要以上に書き込み電流を増加する
と、８２ＮｉＦｅ膜が磁気的に過飽和してしまい、書き
込み時の磁界勾配が悪化するため、磁気記録媒体が磁化
されにくく、再生時に磁気記録媒体からの漏れ磁束が減
少し、再生出力が低下する。すなわち、上部磁極に８２
ＮｉＦｅ膜のみを用いると、高密度記録を行う場合に十
分な再生出力が得られない。
【０００５】また、書き込み時の磁界勾配の悪化によ
り、磁気記録媒体に磁化されるパターンの磁化遷移領域
が大きくなり、再生波形の半値幅（ＰＷ50）が大きくな
って悪化するため、波形干渉に弱くなりリードエラーが
発生しやすくなる。
り、磁気記録媒体に磁化されるパターンの磁化遷移領域
が大きくなり、再生波形の半値幅（ＰＷ50）が大きくな
って悪化するため、波形干渉に弱くなりリードエラーが
発生しやすくなる。
【０００６】本発明の目的は、高密度記録における書き
込み時の性能向上と読み込み時の波形干渉によるリード
エラーを防止することにある。
込み時の性能向上と読み込み時の波形干渉によるリード
エラーを防止することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、磁気記録媒体と相対運動をなすスライダと、上部磁
極および下部磁極を含む電磁変換素子とを備える薄膜磁
気ヘッドであって、前記上部磁極を形成する前に前記磁
気記録媒体に対向する前記スライダ表面に露出せず、か
つスロートハイトの範囲内から前記電磁変換素子後部に
向かって下部磁極との接合部を含まない範囲に成膜する
Ｆｅ組成が５２〜５７ｗｔ％の第１のＮｉＦｅ膜と、こ
の第１のＮｉＦｅ膜の上に形成する前記上部磁極とを備
えることを特徴とする。
は、磁気記録媒体と相対運動をなすスライダと、上部磁
極および下部磁極を含む電磁変換素子とを備える薄膜磁
気ヘッドであって、前記上部磁極を形成する前に前記磁
気記録媒体に対向する前記スライダ表面に露出せず、か
つスロートハイトの範囲内から前記電磁変換素子後部に
向かって下部磁極との接合部を含まない範囲に成膜する
Ｆｅ組成が５２〜５７ｗｔ％の第１のＮｉＦｅ膜と、こ
の第１のＮｉＦｅ膜の上に形成する前記上部磁極とを備
えることを特徴とする。
【０００８】また、上部磁極は、全面にＦｅ組成が５２
〜５７ｗｔ％であって０．１〜０．５μｍの膜厚にて成
膜された第２のＮｉＦｅ膜を含んでもよく、Ｆｅ組成５
２〜５７ｗｔ％の第１と第２のＮｉＦｅ膜の積層膜厚の
合計が、０．２〜１．０μｍであってもよく、さらに、
Ｆｅ組成５２〜５７ｗｔ％の第２のＮｉＦｅ膜を含む上
部磁極は、下部磁極との接合部を含まない範囲に成膜し
てもよい。
〜５７ｗｔ％であって０．１〜０．５μｍの膜厚にて成
膜された第２のＮｉＦｅ膜を含んでもよく、Ｆｅ組成５
２〜５７ｗｔ％の第１と第２のＮｉＦｅ膜の積層膜厚の
合計が、０．２〜１．０μｍであってもよく、さらに、
Ｆｅ組成５２〜５７ｗｔ％の第２のＮｉＦｅ膜を含む上
部磁極は、下部磁極との接合部を含まない範囲に成膜し
てもよい。
【０００９】本発明の薄膜磁気ヘッドは、Ａｌ2 Ｏ3 −
ＴｉＣ基板１上にＡｌ2 Ｏ3 絶縁膜２，下部磁極３，ギ
ャップ膜４，有機絶縁膜５およびコイル導体６を順次積
層する。そして、上部磁極を形成する段階において、上
部磁極を形成する前にＦｅ組成が５２〜５７ｗｔ％の４
５ＮｉＦｅ厚付け膜７をスライダ浮上面１５に露出する
ことなく、スロートハイト１１の範囲内から電磁変換素
子後部に向かって下部磁極接合部１６を含まない範囲に
積層する。
ＴｉＣ基板１上にＡｌ2 Ｏ3 絶縁膜２，下部磁極３，ギ
ャップ膜４，有機絶縁膜５およびコイル導体６を順次積
層する。そして、上部磁極を形成する段階において、上
部磁極を形成する前にＦｅ組成が５２〜５７ｗｔ％の４
５ＮｉＦｅ厚付け膜７をスライダ浮上面１５に露出する
ことなく、スロートハイト１１の範囲内から電磁変換素
子後部に向かって下部磁極接合部１６を含まない範囲に
積層する。
【００１０】次に、Ｆｅ組成が５２〜５７ｗｔ％の４５
ＮｉＦｅ上部磁極８ａを０．１〜０．５μｍの膜厚にて
上部磁極全面に成膜し、Ｆｅ組成５２〜５７ｗｔ％の４
５ＮｉＦｅ膜の積層膜厚の合計が０．２〜１．０μｍに
なるようにし、さらに、８２ＮｉＦｅ８ｂを積層し、最
後にＡｌ2 Ｏ3 保護膜１０を積層する。
ＮｉＦｅ上部磁極８ａを０．１〜０．５μｍの膜厚にて
上部磁極全面に成膜し、Ｆｅ組成５２〜５７ｗｔ％の４
５ＮｉＦｅ膜の積層膜厚の合計が０．２〜１．０μｍに
なるようにし、さらに、８２ＮｉＦｅ８ｂを積層し、最
後にＡｌ2 Ｏ3 保護膜１０を積層する。
【００１１】本発明の薄膜磁気ヘッドは、上部磁極に４
５ＮｉＦｅと８２ＮｉＦｅを積層することにより、書き
込み時には飽和磁束密度（Ｂｓ）の高い４５ＮｉＦｅ側
で記録を行い、読み込み時には透磁率の低い４５ＮｉＦ
ｅ膜がコア内の磁束の流れを妨げることはない。
５ＮｉＦｅと８２ＮｉＦｅを積層することにより、書き
込み時には飽和磁束密度（Ｂｓ）の高い４５ＮｉＦｅ側
で記録を行い、読み込み時には透磁率の低い４５ＮｉＦ
ｅ膜がコア内の磁束の流れを妨げることはない。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
面を参照して詳細に説明する。
面を参照して詳細に説明する。
【００１３】図１は、本発明の請求項１に記載の薄膜磁
気ヘッドの一実施の形態を示す断面図であり、図２は、
本発明の請求項２および３に記載の薄膜磁気ヘッドの一
実施の形態を示す断面図である。また、図３は、図２の
薄膜磁気ヘッドの先端部の詳細を示す拡大断面図であ
る。
気ヘッドの一実施の形態を示す断面図であり、図２は、
本発明の請求項２および３に記載の薄膜磁気ヘッドの一
実施の形態を示す断面図である。また、図３は、図２の
薄膜磁気ヘッドの先端部の詳細を示す拡大断面図であ
る。
【００１４】図１，図２および図３を参照すると、本発
明の薄膜磁気ヘッドは、従来例と同様に、スライダ材料
となるＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板１上に、磁気ヘッドをＡ
ｌ2Ｏ3 −ＴｉＣ基板と絶縁するためのＡｌ2 Ｏ3 絶縁
膜２、磁気コアとなる下部磁極３を形成し、外部磁界を
発生させるためのギャップ膜４を形成する。これらはス
パッタリング法，フォトリソグラフィー技術，電気めっ
き法を用いて形成される。
明の薄膜磁気ヘッドは、従来例と同様に、スライダ材料
となるＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板１上に、磁気ヘッドをＡ
ｌ2Ｏ3 −ＴｉＣ基板と絶縁するためのＡｌ2 Ｏ3 絶縁
膜２、磁気コアとなる下部磁極３を形成し、外部磁界を
発生させるためのギャップ膜４を形成する。これらはス
パッタリング法，フォトリソグラフィー技術，電気めっ
き法を用いて形成される。
【００１５】次いで、フォトレジストをフォトリソグラ
フィー技術にてパターニング後、これをハードベークし
て有機絶縁膜５ａを形成し、フォトリソグラフィー技術
とスパッタリング技術，電気めっき法にてコイル導体６
ａを形成する。同様にして有機絶縁膜５ｂ〜５ｄ、コイ
ル導体６ｂ〜６ｃを交互に形成する。ここで有機絶縁膜
５は各層で形成される磁極、コイル導体間の絶縁を行う
とともに、上下の磁極を分離させることを目的とする。
フィー技術にてパターニング後、これをハードベークし
て有機絶縁膜５ａを形成し、フォトリソグラフィー技術
とスパッタリング技術，電気めっき法にてコイル導体６
ａを形成する。同様にして有機絶縁膜５ｂ〜５ｄ、コイ
ル導体６ｂ〜６ｃを交互に形成する。ここで有機絶縁膜
５は各層で形成される磁極、コイル導体間の絶縁を行う
とともに、上下の磁極を分離させることを目的とする。
【００１６】次に、上部磁極は以下のプロセスにより形
成される。まず、めっき電極となる下地膜をスパッタリ
ング法によって成膜する。このとき、下地膜は後の工程
で形成する５２〜５７ｗｔ％のＦｅ組成を有するＮｉＦ
ｅ膜（４５ＮｉＦｅ）と同一組成であることが望まし
い。次いで、フォトリソグラフィー技術によってレジス
トフレームを形成した後、電気めっき法によって４５Ｎ
ｉＦｅ厚付け膜７を形成する。
成される。まず、めっき電極となる下地膜をスパッタリ
ング法によって成膜する。このとき、下地膜は後の工程
で形成する５２〜５７ｗｔ％のＦｅ組成を有するＮｉＦ
ｅ膜（４５ＮｉＦｅ）と同一組成であることが望まし
い。次いで、フォトリソグラフィー技術によってレジス
トフレームを形成した後、電気めっき法によって４５Ｎ
ｉＦｅ厚付け膜７を形成する。
【００１７】この４５ＮｉＦｅのめっきは、Ｎ．Ｃ．Ａ
ｎｄｅｒｓｏｎ ａｎｄ Ｃ．Ｒ．Ｇｒｏｖｅｒ．Ｊ
ｒ．，Ｕ．Ｓ．Ｐａｔｅｎｔ ４，２７９，７０７（１
９８１）に記載のＬＣＤ−Ｂ浴を一部改良したものを使
用した。
ｎｄｅｒｓｏｎ ａｎｄ Ｃ．Ｒ．Ｇｒｏｖｅｒ．Ｊ
ｒ．，Ｕ．Ｓ．Ｐａｔｅｎｔ ４，２７９，７０７（１
９８１）に記載のＬＣＤ−Ｂ浴を一部改良したものを使
用した。
【００１８】そして、４５ＮｉＦｅ膜の成膜部分は、後
の工程で磁気記録媒体と対向し走行運動するためのスラ
イダ浮上面１５となる部分より有機絶縁膜５ｂによって
磁極が分離される部分までの距離を指すスロートハイト
１１の範囲内で、かつスライダ浮上面１５に４５ＮｉＦ
ｅが露出しない位置から素子後部の上下磁極接合部１４
の手前までの範囲に成膜される。
の工程で磁気記録媒体と対向し走行運動するためのスラ
イダ浮上面１５となる部分より有機絶縁膜５ｂによって
磁極が分離される部分までの距離を指すスロートハイト
１１の範囲内で、かつスライダ浮上面１５に４５ＮｉＦ
ｅが露出しない位置から素子後部の上下磁極接合部１４
の手前までの範囲に成膜される。
【００１９】さらに、この４５ＮｉＦｅ厚付け膜７の膜
厚は０．１〜０．５μｍの範囲で成膜される。次いで、
４５ＮｉＦｅ厚付け膜７の上に４５ＮｉＦｅからなる４
５ＮｉＦｅ上部磁極８ａを上部磁極全面に形成する（図
２および図３参照）。このとき、先に形成された４５Ｎ
ｉＦｅ厚付け膜７と４５ＮｉＦｅ上部磁極８ａの膜厚の
総厚は０．２〜１．０μｍとなるようにする。
厚は０．１〜０．５μｍの範囲で成膜される。次いで、
４５ＮｉＦｅ厚付け膜７の上に４５ＮｉＦｅからなる４
５ＮｉＦｅ上部磁極８ａを上部磁極全面に形成する（図
２および図３参照）。このとき、先に形成された４５Ｎ
ｉＦｅ厚付け膜７と４５ＮｉＦｅ上部磁極８ａの膜厚の
総厚は０．２〜１．０μｍとなるようにする。
【００２０】次に、４５ＮｉＦｅ上部磁極８ａを形成
後、１５〜２０ｗｔ％のＦｅ組成からなるＮｉＦｅ膜
（８２ＮｉＦｅ）によって８２ＮｉＦｅ上部磁極８ｂを
形成する（図１，図２および図３参照）。そして、上部
磁極形成後、４５ＮｉＦｅ厚付け膜７，４５ＮｉＦｅ上
部磁極８ａ，８２ＮｉＦｅ上部磁極８ｂの磁気異方性を
安定化するために、１５０〜２５０℃のアニール（磁気
焼鈍）を行う。これら４５ＮｉＦｅおよび８２ＮｉＦｅ
の磁気特性（透磁率，飽和磁束密度，磁気異方性）は、
表１に示すとおりとなる。
後、１５〜２０ｗｔ％のＦｅ組成からなるＮｉＦｅ膜
（８２ＮｉＦｅ）によって８２ＮｉＦｅ上部磁極８ｂを
形成する（図１，図２および図３参照）。そして、上部
磁極形成後、４５ＮｉＦｅ厚付け膜７，４５ＮｉＦｅ上
部磁極８ａ，８２ＮｉＦｅ上部磁極８ｂの磁気異方性を
安定化するために、１５０〜２５０℃のアニール（磁気
焼鈍）を行う。これら４５ＮｉＦｅおよび８２ＮｉＦｅ
の磁気特性（透磁率，飽和磁束密度，磁気異方性）は、
表１に示すとおりとなる。
【００２１】
【表１】
【００２２】次に、このようにして作製した磁性膜につ
いて、薄膜磁気ヘッドの三次元モデリングを行い、これ
を有限要素法によりシミュレーションを行った結果につ
いて表２に示す。
いて、薄膜磁気ヘッドの三次元モデリングを行い、これ
を有限要素法によりシミュレーションを行った結果につ
いて表２に示す。
【００２３】
【表２】
【００２４】表２からわかるように、読み込み時のリー
ド効率は、８２ＮｉＦｅのみの場合とほぼ同程度である
が、最大磁界強度Ｈmax および磁界勾配は、本発明の薄
膜磁気ヘッドの方が大きいことから、記録能力が大きく
向上することがわかる。そして、記録能力が向上するこ
とにより、再生時における再生波形の半値幅（ＰＷ50）
が減少するため波形干渉に強くなる。すなわち、リード
エラーを起こしにくい薄膜磁気ヘッドができる。
ド効率は、８２ＮｉＦｅのみの場合とほぼ同程度である
が、最大磁界強度Ｈmax および磁界勾配は、本発明の薄
膜磁気ヘッドの方が大きいことから、記録能力が大きく
向上することがわかる。そして、記録能力が向上するこ
とにより、再生時における再生波形の半値幅（ＰＷ50）
が減少するため波形干渉に強くなる。すなわち、リード
エラーを起こしにくい薄膜磁気ヘッドができる。
【００２５】次に、ＮｉＦｅの組成の違いによる磁歪
（λ）の値を表３に示す。
（λ）の値を表３に示す。
【００２６】
【表３】
【００２７】表３からわかるように、４５ＮｉＦｅのλ
は、８２ＮｉＦｅのλに比べ正磁歪であり、しかも圧縮
応力のため、８２ＮｉＦｅの引っ張り応力に対して逆向
きに働く。このため、４５ＮｉＦｅ厚付け膜７と８２Ｎ
ｉＦｅ上部磁極８ｂを積層した部分の上部磁極の磁区構
造は磁壁が見えにくくなり、いわゆる単磁区構造に近い
状態となる。これにより、再生時における磁壁の位相遅
れによるノイズ（ウィグル）を低減することができる。
は、８２ＮｉＦｅのλに比べ正磁歪であり、しかも圧縮
応力のため、８２ＮｉＦｅの引っ張り応力に対して逆向
きに働く。このため、４５ＮｉＦｅ厚付け膜７と８２Ｎ
ｉＦｅ上部磁極８ｂを積層した部分の上部磁極の磁区構
造は磁壁が見えにくくなり、いわゆる単磁区構造に近い
状態となる。これにより、再生時における磁壁の位相遅
れによるノイズ（ウィグル）を低減することができる。
【００２８】次に、本発明の薄膜磁気ヘッドの動作につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２９】まず、コイル導体６に電流を流すことによ
り、発生する磁束を下部磁極３と４５ＮｉＦｅ上部磁極
８ａ，８２ＮｉＦｅ上部磁極８ｂとによって先端部に導
き、ギャップ膜４に対向する部分から外部に漏れる磁束
により、磁気記録媒体を磁化し情報を記録する。
り、発生する磁束を下部磁極３と４５ＮｉＦｅ上部磁極
８ａ，８２ＮｉＦｅ上部磁極８ｂとによって先端部に導
き、ギャップ膜４に対向する部分から外部に漏れる磁束
により、磁気記録媒体を磁化し情報を記録する。
【００３０】このとき、磁気記録媒体に記録される磁化
パターンは、磁界強度（Ｈ）と上部磁極側で発生する磁
界分布の影響を受ける。ギャップ膜に隣接した上部磁極
の材料に８２ＮｉＦｅよりも飽和磁束密度（Ｂｓ）の高
い４５ＮｉＦｅを用いると、図５に示すように、本発明
の薄膜磁気ヘッドは、従来の薄膜磁気ヘッドの場合に比
べてギャップ先端部で発生するＨが大きくなる。
パターンは、磁界強度（Ｈ）と上部磁極側で発生する磁
界分布の影響を受ける。ギャップ膜に隣接した上部磁極
の材料に８２ＮｉＦｅよりも飽和磁束密度（Ｂｓ）の高
い４５ＮｉＦｅを用いると、図５に示すように、本発明
の薄膜磁気ヘッドは、従来の薄膜磁気ヘッドの場合に比
べてギャップ先端部で発生するＨが大きくなる。
【００３１】従って、上部磁極８ａ，８ｂ側で発生する
本発明のヘッドの磁界分布１３は、従来を薄膜磁気ヘッ
ドの磁界分布１２よりも横方向の磁界の広がりを小さく
することができるため、磁界勾配を大きくすることがで
きる。すなわち、磁気記録媒体に書き込まれる磁化パタ
ーンの磁化遷移領域を減少させることができる。
本発明のヘッドの磁界分布１３は、従来を薄膜磁気ヘッ
ドの磁界分布１２よりも横方向の磁界の広がりを小さく
することができるため、磁界勾配を大きくすることがで
きる。すなわち、磁気記録媒体に書き込まれる磁化パタ
ーンの磁化遷移領域を減少させることができる。
【００３２】次に、読み込み時には、磁気記録媒体から
の漏れ磁束を磁極に導き、電磁誘導現象によって再生出
力を得る。このとき、４５ＮｉＦｅ上部磁極８ａの透磁
率（μ）は８２ＮｉＦｅ上部磁極８ｂのμに比べて低い
が、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、浮上面に露出する４
５ＮｉＦｅ上部磁極８ａの厚みが十分に薄いため、再生
効率を悪化させることはない。
の漏れ磁束を磁極に導き、電磁誘導現象によって再生出
力を得る。このとき、４５ＮｉＦｅ上部磁極８ａの透磁
率（μ）は８２ＮｉＦｅ上部磁極８ｂのμに比べて低い
が、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、浮上面に露出する４
５ＮｉＦｅ上部磁極８ａの厚みが十分に薄いため、再生
効率を悪化させることはない。
【００３３】また、表３に示すように、８２ＮｉＦｅの
負磁歪に対し、４５ＮｉＦｅは正磁歪となるため、８２
ＮｉＦｅ上部磁極と４５ＮｉＦｅ上部磁極との積層部で
は両者の応力の干渉によって単磁区に近い構造となる。
従って、ウィグル等の再生時における磁壁の位相遅れに
よるノイズを抑えることが可能となる。
負磁歪に対し、４５ＮｉＦｅは正磁歪となるため、８２
ＮｉＦｅ上部磁極と４５ＮｉＦｅ上部磁極との積層部で
は両者の応力の干渉によって単磁区に近い構造となる。
従って、ウィグル等の再生時における磁壁の位相遅れに
よるノイズを抑えることが可能となる。
【００３４】
【００３５】
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の薄膜磁気
ヘッドは、上部磁極のギャップ隣接部に飽和磁束密度の
高い５２〜５７ｗｔ％のＦｅ組成を有する４５ＮｉＦｅ
を積層するため、書き込み時の能力が向上する。
ヘッドは、上部磁極のギャップ隣接部に飽和磁束密度の
高い５２〜５７ｗｔ％のＦｅ組成を有する４５ＮｉＦｅ
を積層するため、書き込み時の能力が向上する。
【００３７】また、書き込み時の磁界強度および磁界勾
配を大きくできるため、媒体に書き込まれる磁化パター
ンの磁化反転領域を減少でき、読み込み時においても４
５ＮｉＦｅの膜厚が十分に薄いため再生効率を悪化させ
ないため、読み込み時の再生出力の半値幅（ＰＷ50）が
減少し、再生時のリードエラーが抑制される。
配を大きくできるため、媒体に書き込まれる磁化パター
ンの磁化反転領域を減少でき、読み込み時においても４
５ＮｉＦｅの膜厚が十分に薄いため再生効率を悪化させ
ないため、読み込み時の再生出力の半値幅（ＰＷ50）が
減少し、再生時のリードエラーが抑制される。
【００３８】さらに、正磁歪である４５ＮｉＦｅと負磁
歪である８２ＮｉＦｅを積層することにより、上部磁極
の磁区構造が単磁区構造に近く、磁壁が見えにくくなる
なるため、位相遅れが起こりにくくなり、読み込み時に
おける磁壁の位相遅れによって発生するノイズ（ウィグ
ル）を抑制できる。
歪である８２ＮｉＦｅを積層することにより、上部磁極
の磁区構造が単磁区構造に近く、磁壁が見えにくくなる
なるため、位相遅れが起こりにくくなり、読み込み時に
おける磁壁の位相遅れによって発生するノイズ（ウィグ
ル）を抑制できる。
【図１】本発明の請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドの一
実施の形態を示す断面図である。
実施の形態を示す断面図である。
【図２】本発明の請求項２および３に記載の薄膜磁気ヘ
ッドの一実施の形態を示す断面図である。
ッドの一実施の形態を示す断面図である。
【図３】 図２の薄膜磁気ヘッドの先端部の詳細を示す
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図４】 従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示す断面図で
ある。
ある。
【図５】 本発明および従来の薄膜磁気ヘッドのギャッ
プ近傍の磁界分布モデルを示す図である。
プ近傍の磁界分布モデルを示す図である。
１ Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板 ２ Ａｌ2 Ｏ3 絶縁膜 ３ 下部磁極 ４ ギャップ膜 ５ａ〜５ｄ 有機絶縁膜 ６ａ〜６ｃ コイル導体 ７ ４５ＮｉＦｅ厚付け膜 ８ａ ４５ＮｉＦｅ上部磁極 ８ｂ ８２ＮｉＦｅ上部磁極 １０ Ａｌ2 Ｏ3 保護膜 １１ スロートハイト １２ 従来の薄膜磁気ヘッドの磁界分布 １３ 本発明の薄膜磁気ヘッドの磁界分布 １４ 上下磁極接合部 １５ スライダ浮上面
Claims (3)
- 【請求項１】 磁気記録媒体と相対運動をなすスライダ
と、上部磁極および下部磁極を含む電磁変換素子とを備
える薄膜磁気ヘッドであって、 前記上部磁極を形成する前に前記磁気記録媒体に対向す
る前記スライダ表面に露出せず、かつスロートハイトの
範囲内から前記電磁変換素子後部に向かって下部磁極と
の接合部を含まない範囲に成膜するＦｅ組成が５２〜５
７ｗｔ％の第１のＮｉＦｅ膜と、この第１のＮｉＦｅ膜
の上に形成する前記上部磁極とを備えることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記上部磁極は、全面にわたりＦｅ組成
が５２〜５７ｗｔ％であって０．１〜０．５μｍの膜厚
にて成膜された第２のＮｉＦｅ膜を含むことを特徴とす
る請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 Ｆｅ組成５２〜５７ｗｔ％の第１と第２
のＮｉＦｅ膜の積層膜厚の合計が、０．２〜１．０μｍ
であることを特徴とする請求項１または２記載の薄膜磁
気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25168896A JP2885724B2 (ja) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25168896A JP2885724B2 (ja) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10105918A JPH10105918A (ja) | 1998-04-24 |
| JP2885724B2 true JP2885724B2 (ja) | 1999-04-26 |
Family
ID=17226537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25168896A Expired - Lifetime JP2885724B2 (ja) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2885724B2 (ja) |
-
1996
- 1996-09-24 JP JP25168896A patent/JP2885724B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10105918A (ja) | 1998-04-24 |
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