JPH07214330A - 横向きプラズマアーク溶接方法 - Google Patents

横向きプラズマアーク溶接方法

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JPH07214330A
JPH07214330A JP6013683A JP1368394A JPH07214330A JP H07214330 A JPH07214330 A JP H07214330A JP 6013683 A JP6013683 A JP 6013683A JP 1368394 A JP1368394 A JP 1368394A JP H07214330 A JPH07214330 A JP H07214330A
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JP
Japan
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plasma
gas
plasma arc
welding
bead
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JP6013683A
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English (en)
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Fumito Yoshino
文人 芳野
Fusaki Koshiishi
房樹 輿石
Susumu Imaoka
進 今岡
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Kobe Steel Ltd
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Kobe Steel Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 板厚10mm以上の厚板で構成される横向き
溶接用継手を、横向き姿勢にて安定した裏波ビードを形
成してプラズマアーク溶接することができるようする。 【構成】 上板及び下板からなる横向き溶接用継手を、
横向き姿勢にて裏波ビードが得られるようにプラズマア
ーク溶接するに際し、その横向き溶接用継手に0.5〜
10mmの範囲に設定されたルートギャップを有する開
先を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、板厚10mm以上の
中・厚板で構成される横向き溶接用継手を、横向き姿勢
にて安定した裏波ビードを形成してプラズマアーク溶接
することができるようにした、横向きプラズマアーク溶
接方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】周知のように、プラズマアーク溶接の特
徴は、高エネルギー密度のプラズマ流を利用してキーホ
ール形の裏波溶接が実施できる点にある。このような特
徴を利用して、従来、板厚10mm未満の構造用鋼から
なる上板及び下板で構成されるギャップゼロのI形突合
せ継手を、横向き姿勢にて裏波ビードを形成してプラズ
マアーク溶接することが行われている。
【0003】このような板厚10mm未満の部材の横向
きプラズマアーク溶接方法では、通常、プラズマガスは
Arガスが用いられ、シールドガスはAr+4〜7%H
2 の混合ガスが用いられ、板厚に応じた一定のプラズマ
アーク電流にて溶接が行われている。なお、裏波ビード
を形成する第1パス(第1層)ではフィラワイヤ(溶加
材)を使用せず、余盛を形成する第2パス(第2層)で
はフィラワイヤを用いたノン・キーホール形のプラズマ
アーク溶接を行っている。この場合、前記第1パスのみ
にて溶接を終了できる継手もある。また、裏波ビードの
垂れ落ちを防ぐための裏当て材は、使用されていない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の方法で
は、板厚10mm以上の厚板で構成されるギャップゼロ
のI形突合せ継手を横向き姿勢にて溶接しようとする
と、溶融部が垂れ落ちないプラズマアーク電流条件では
プラズマアークが継手を常に安定して貫通せず、連続し
安定した裏波ビードを形成してプラズマアーク溶接する
ことができないという問題があった。
【0005】この発明は、前記問題点を解消するために
なされたものであって、板厚10mm以上の上板及び下
板で構成される横向き溶接用継手を、横向き姿勢にてプ
ラズマアークを貫通させ安定した裏波ビードを形成して
プラズマアーク溶接することができるようにした、横向
きプラズマアーク溶接方法を提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、板厚
10mm以上の上板及び下板からなる横向き溶接用継手
を、プラズマガス及びシールドガスを用いプラズマアー
ク電流を流し横向き姿勢にて裏波ビードを形成してプラ
ズマアーク溶接する方法であって、前記横向き溶接用継
手に0.5〜10mmの範囲に設定されたルートギャッ
プを有する開先を設けてプラズマ溶接を行うことを特徴
とする横向きプラズマアーク溶接方法である。請求項2
の発明は、前記請求項1の発明において、前記プラズマ
ガス又は前記シールドガスの少なくともいずれか一方と
してHeガスを混合したものを用い、且つ、そのHeガ
スが混合されたプラズマガスもしくはシールドガスの流
量に対するHeガス混合比が1.0vol%以上である
横向きプラズマアーク溶接方法である。請求項3の発明
は、前記請求項1又は前記請求項2の発明において、前
記プラズマアーク電流又は前記プラズマガスの少なくと
もいずれか一方について、低周波数にてその値を大なる
値と小なる値とに交互に繰り返し変化させる横向きプラ
ズマアーク溶接方法である。請求項4の発明は、前記請
求項1〜前記請求項3のいずれかに記載の発明におい
て、前記横向き溶接用継手の裏面側に裏波ビードの垂れ
落ちを防ぐための着脱可能な裏当て材を、ルートギャッ
プ部を通過したプラズマ気流が排出可能な状態で設ける
ようにした横向きプラズマアーク溶接方法である。
【0007】
【作用】この発明による横向きプラズマアーク溶接方法
によると、上板及び下板からなる横向き溶接用継手を、
横向き姿勢にて裏波ビードが得られるようにプラズマア
ーク溶接するに際し、その横向き溶接用継手に0.5〜
10mmの範囲に設定されたルートギャップを有する開
先を設けるようにしたので、前記横向き溶接用継手が板
厚10mm以上の上板及び下板からなるものであって
も、プラズマアークをこの継手のルートギャップ部を容
易に貫通させることができ、不連続部のない安定した裏
波ビードを形成してプラズマアーク溶接することができ
る。
【0008】前記板厚の実用的上限値は、60mm程度
である。板厚がこれを超える継手では、プラズマアーク
の貫通が困難になる。なお、継手の代表的開先形状とし
ては、前記ギャップを有するI形開先が挙げられる。ま
た、ルートギャップが0.5〜1mm程度と比較的狭い
場合にはフィラワイヤを用いなくてもよいが、ルートギ
ャップを設けること、溶接金属成分の調整が容易である
ことなどから、直径0.8〜2.4mm程度のフィラワ
イヤを用いるようになされている。
【0009】前記ルートギャップの寸法範囲としては、
前記のように0.5〜10mmとする必要がある。これ
は、0.5mmより狭い寸法ではプラズマアークを安定
して貫通させることができず、10mmを超えると裏波
ビードの垂れ下がりが大きくなり裏波ビード上側にカッ
トが生じるようになって安定した裏波ビードが得られな
くなるためである。なお、ギャップ寸法が狭いと溶接施
工時におけるギャップ管理に手間がかかること、ギャッ
プ寸法が広いと溶接能率が低下することから、好ましい
前記ルートギャップ寸法範囲は、2〜5mmである。
【0010】本発明によるプラズマアーク溶接では、プ
ラズマガス又はシールドガスの少なくともいずれか一方
としてHeガスを混合したものを用いるようにしてもよ
い。プラズマガスとして、例えばArガスにHeガスを
添加することにより、Heガスの電離電圧がArガスの
それよりも高いので、Heガス混合比が増えるに従って
その溶込み幅(ビード幅)が拡がるようになることか
ら、溶込み形状がお椀形になり継手母材とのなじみが改
善され、溶融池の安定化が促進されて垂れ下がりのない
安定した裏波ビードが得られる。この溶融池安定化効果
は、シールドガスとしてHeガスを混合したものを用い
るようにしても得られる。なお、Heガスを混合する
と、アークの集中性が低下してその貫通力が弱くなる傾
向がある。したがってこの点からも本発明のように前記
ルートギャップを設けることが有効となる。
【0011】プラズマガス又はシールドガスの少なくと
もいずれか一方としてHeガスを混合したものを用いる
場合、そのHeガスが混合されたプラズマガスもしくは
シールドガスの流量に対するHeガス混合比が1.0v
ol%以上であることが必要である。これは前記Heガ
ス混合比が1.0vol%を下回ると、前記溶融池安定
化効果が得られないためである。前記Heガス混合比
は、前記溶融池安定化効果が顕著に発揮される点から、
好ましくは10vol%以上である。また、シールドガ
スの流量はプラズマガスのそれに比較して多いことか
ら、プラズマガスとして、Heガスを混合したものを用
いるようにすることが経済的に有利である。Heガス混
合比の上限値は、75%程度である。Heガス混合比が
これを超えると、溶接開始時においてパイロットアー
ク、メインアークのスタートが困難となる。なお、プラ
ズマガス流量は、3〜12リットル/minの範囲が適
当である。3リットル/minより少ないと、プラズマ
気流の継手裏側への貫通の程度が低下するようになり、
12リットル/minを超えると裏波ビードが過多とな
る傾向があるためである。一方、シールドガス流量は、
耐気孔性、ビードの酸化防止、及びスラグの発生抑制な
どの点から、15リットル/min以上が適当である。
【0012】一方、プラズマアーク電流又はプラズマガ
スの少なくともいずれか一方について、低周波数にてそ
の値を大なる値と小なる値とに交互に繰り返し変化させ
るようにしてもよい。プラズマアーク電流を、低周波数
にてその値を大なる値(ピーク電流)と小なる値(ベー
ス電流)とに交互に繰り返し変化させて、ピーク電流時
にプラズマアークが継手を貫通するようにし、ベース電
流時に溶融池の凝固を促進するようすることで、ビード
形成の安定化が促進されて垂れ下がりのない平滑に近い
裏波ビードが得られる。また、プラズマガスを、低周波
数にてその値を大なる値(ピーク流量)と小なる値(ベ
ース流量)とに交互に繰り返し変化させるようにして
も、前記同様にして、ビード形成の安定化が促進されて
垂れ下がりのない平滑に近い裏波ビードが得られる。プ
ラズマガスを大小変化させる場合は、入熱が一定である
ため、前記したビード形成の安定化効果が顕著となる。
なお、プラズマアーク電流及びプラズマガスの両者を大
小変化させてもビード形成の安定化が促進される。プラ
ズマアーク電流又はプラズマガスの少なくともいずれか
一方を大小変化させる場合の前記低周波数としては、横
向き姿勢にて前記ビード形成の安定化効果が顕著に発揮
される点から、0.5〜2Hzの範囲が適当である。
【0013】そして、横向き溶接用継手の裏面側に裏波
ビードの垂れ落ちを防ぐための着脱可能な裏当て材を、
ルートギャップ部を通過したプラズマ気流が排出可能な
状態で設けるようにしてもよい。裏当て材を用いるよう
にすることで、裏波ビードの万一の垂れ落ちを防ぐこと
ができるとともに、裏当て材のビード整形作用を利用し
て垂れ下がりのない平滑な裏波ビードを得ることもでき
る。使用に際し、継手裏面におけるルートギャップ部を
塞ぐように裏当て材を設けると、プラズマ気流が排出さ
れず前記裏当て材によるプラズマ気流の吹き返しによっ
て安定に溶接を行うことが困難なため、裏当て材は、継
手裏面におけるルートギャップ部を塞ぐことなく設けら
れている。裏当て材は全体として板状であり、裏当て材
の材質としては、耐熱性を有し熱伝導性に優れた、銅あ
るいは銅合金が挙げられる。また、耐熱性に優れている
ことから、Al2 3 、MgO、SiO2 、TiO2
及びZrO2 等の酸化物のセラミックスを単独で用いた
り、あるいはこれらを適宜混合してなるものを用いたり
することができる。
【0014】
【実施例】以下、この発明の実施例を説明する。図1は
この発明にかかる横向き溶接用継手の開先形状を示す
図、図2はこの発明にかかる裏当て材の一実施例を示す
断面図、図3はこの発明にかかる裏当て材の他の例を示
す断面図である。この発明による横向きプラズマアーク
溶接方法が適用される横向き溶接用継手の開先形状の例
としては、板厚tが10mm以上の上板W1及び下板W
2からなる溶接用継手であって、その寸法が0.5〜1
0mmの範囲に設定されたルートギャップGを有する図
1に示すようなものがある。
【0015】この実施例では、実施例18でY形開先を
用い、実施例19でU形開先を用い、それ以外は比較例
をも含めて図1の(a)に示すI形開先を用い、表1及
び表2に示す溶接条件にて、1パスの横向きプラズマア
ーク溶接を行って、その溶接結果を評価した。その評価
では、前記第1パスについての裏波ビード及び表ビード
のビード形状を評価し、3点以上のビード形状評価点が
得られたものを合格とした。なお、この実施例の継手
は、本来は前記第1パスの後にいわゆる化粧盛りと称さ
れる余盛を形成するための第2パスの溶接を行うもので
あるが、ここではその第2パスについては省略してい
る。
【0016】またこの実施例では、継手母材は、JIS
−G−3106 SM400A相当のものを用い、フィ
ラワイヤは、直径1.6mmであって、JIS−Z−3
316 YGT相当のものを用いた。さらに、一部の実
施例に用いられる裏当て材BPとしては、図2に示すよ
うに、全体として板状であって、下板W2ルート面に対
応する面が狭幅の水平な縁面と凹状湾曲面とで形成され
たものを用いた。このうち、セラミックス製裏当て材
は、Al2 3 :10重量%と、SiO2 :40重量%
と、ZrO2 :50重量%とを混合し、これを成形し焼
成してなるものである。裏当て材BPは、図示しない取
付け治具を用いて、下板W2裏面にギャップに沿って押
し付けて支持固定した。なお、裏当て材としては、図3
に示すようなものを使用してもよい。
【0017】図4〜図6はこの発明にかかる図であっ
て、図4はプラズマアーク電流の時間的大小変化の一実
施例を説明するための図、図5はプラズマガス流量の時
間的大小変化の一実施例を説明するための図、図6はプ
ラズマアーク電流及びプラズマガス流量の時間的大小変
化の一実施例を説明するための図である。実施例25で
は、図4に示すように、プラズマアーク電流を、そのピ
ーク電流IP が350A、ベース電流IB が240Aと
なるように制御し変化させた。ピーク電流時間t IP
0.5s、ベース電流時間tIBは、同じく0.5sとし
た。周波数は1Hzである。また、実施例26では、図
5に示すように、プラズマガス流量を、そのピーク流量
P が12リットル/min、ベース流量FB が4リッ
トル/minとなるように変化させた。ピーク流量時間
FP及びベース流量時間tFBは、0.5sとした。実施
例27では、図4に示すように、プラズマアーク電流及
びプラズマガス流量の両者を、そのピーク同士、ベース
同士を同期させて大小変化させた。溶接結果を表1及び
表2に示す。
【0018】
【表1】
【0019】
【表2】
【0020】板厚が10mmを超えたものであって、ル
ートギャップがゼロの比較例2や、ルートギャップが
0.3mmの比較例3では、プラズマアークが継手を常
に安定して貫通せず、連続し安定した裏波ビードを形成
し得なかった。また、ルートギャップが10mmを超え
た比較例4では、裏波ビードの垂れ下がりが大きくなり
裏波ビード上側にカットが生じた。
【0021】これに対してこの発明の実施例では、横向
き溶接用継手に0.5〜10mmの範囲に設定されたル
ートギャップを有する開先を設けるようにしたので、前
記横向き溶接用継手が板厚10mm以上の上板及び下板
からなるものであっても、プラズマアークをこの継手の
ルートギャップ部を容易に貫通させることができ、不連
続部のない安定した裏波ビードを形成してプラズマアー
ク溶接することができた。
【0022】また、プラズマガス又はシールドガスの少
なくともいずれか一方としてHeガスを混合したものを
用い、且つ、そのHeガスが混合されたプラズマガスも
しくはシールドガスの流量に対するHeガス混合比を
1.0vol%以上とすることにより、溶融池の安定化
が促進されて垂れ下がりのない安定した裏波ビードが得
られた。
【0023】また、プラズマアーク電流又はプラズマガ
スの少なくともいずれか一方について、低周波数にてそ
の値を大なる値と小なる値とに交互に繰り返し変化させ
るようにすることにより、ビード形成の安定化が促進さ
れて垂れ下がりのない平滑に近い裏波ビードが得られ
た。
【0024】さらに、横向き溶接用継手の裏面側に裏波
ビードの垂れ落ちを防ぐための着脱可能な裏当て材を、
ルートギャップ部を通過したプラズマ気流が排出可能な
状態で設けるようにすることにより、裏波ビードの万一
の垂れ落ちを防ぐことができるとともに、裏当て材のビ
ード整形作用を利用して垂れ下がりのない平滑な裏波ビ
ードが得られた。
【0025】
【発明の効果】以上述べたように、この発明による横向
きプラズマアーク溶接方法によると、上板及び下板から
なる横向き溶接用継手を、プラズマガス及びシールドガ
スを用いプラズマアーク電流を流し横向き姿勢にて裏波
ビードが得られるようにプラズマアーク溶接するに際
し、その横向き溶接用継手に0.5〜10mmの範囲に
設定されたルートギャップを有する開先を設けるように
したものであるから、前記横向き溶接用継手が板厚10
mm以上の上板及び下板からなるものであっても、プラ
ズマアークをこの継手のルートギャップ部を容易に貫通
させることができ、不連続部のない安定した裏波ビード
を形成してプラズマアーク溶接することができる。ま
た、プラズマガス又はシールドガスの少なくともいずれ
か一方としてHeガスを混合したものを用い、且つ、そ
のHeガスが混合されたプラズマガスもしくはシールド
ガスの流量に対するHeガス混合比を1.0vol%以
上とすることにより、溶融池の安定化が促進されて垂れ
下がりのない安定した裏波ビードが得られる。また、プ
ラズマアーク電流又はプラズマガスの少なくともいずれ
か一方について、低周波数にてその値を大なる値と小な
る値とに交互に繰り返し変化させるようにすることによ
り、ビード形成の安定化が促進されて垂れ下がりのない
平滑に近い裏波ビードが得られる。さらに、横向き溶接
用継手の裏面側に裏波ビードの垂れ落ちを防ぐための着
脱可能な裏当て材を、ルートギャップ部を通過したプラ
ズマ気流が排出可能な状態で設けるようにすることによ
り、裏波ビードの万一の垂れ落ちを防ぐことができると
ともに、裏当て材のビード整形作用を利用して垂れ下が
りのない平滑な裏波ビードを得ることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明にかかる横向き溶接用継手の開先形状
を示す図である。
【図2】この発明にかかる裏当て材の一実施例を示す断
面図である。
【図3】この発明にかかる裏当て材の他の例を示す断面
図である。
【図4】この発明にかかる図であって、プラズマアーク
電流の時間的大小変化の一実施例を説明するための図で
ある。
【図5】この発明にかかる図であって、プラズマガス流
量の時間的大小変化の一実施例を説明するための図であ
る。
【図6】この発明にかかる図であって、プラズマアーク
電流及びプラズマガス流量の時間的大小変化の一実施例
を説明するための図である。
【符号の説明】
W1…上板 W2…下板 G…ルートギャップ BP…
裏当て材

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 板厚10mm以上の上板及び下板からな
    る横向き溶接用継手を、プラズマガス及びシールドガス
    を用いプラズマアーク電流を流し横向き姿勢にて裏波ビ
    ードを形成してプラズマアーク溶接する方法であって、
    前記横向き溶接用継手に0.5〜10mmの範囲に設定
    されたルートギャップを有する開先を設けてプラズマ溶
    接を行うことを特徴とする横向きプラズマアーク溶接方
    法。
  2. 【請求項2】 前記プラズマガス又は前記シールドガス
    の少なくともいずれか一方としてHeガスを混合したも
    のを用い、且つ、そのHeガスが混合されたプラズマガ
    スもしくはシールドガスの流量に対するHeガス混合比
    が1.0vol%以上である請求項1記載の横向きプラ
    ズマアーク溶接方法。
  3. 【請求項3】 前記プラズマアーク電流又は前記プラズ
    マガスの少なくともいずれか一方について、低周波数に
    てその値を大なる値と小なる値とに交互に繰り返し変化
    させる請求項1又は請求項2記載の横向きプラズマアー
    ク溶接方法。
  4. 【請求項4】 前記横向き溶接用継手の裏面側に裏波ビ
    ードの垂れ落ちを防ぐための着脱可能な裏当て材を、ル
    ートギャップ部を通過したプラズマ気流が排出可能な状
    態で設けるようにした請求項1〜請求項3のいずれかに
    記載の横向きプラズマアーク溶接方法。
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