JPH07211855A - 半導体装置と半導体装置形成体及びその形成体の製造方法 - Google Patents
半導体装置と半導体装置形成体及びその形成体の製造方法Info
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- JPH07211855A JPH07211855A JP6021992A JP2199294A JPH07211855A JP H07211855 A JPH07211855 A JP H07211855A JP 6021992 A JP6021992 A JP 6021992A JP 2199294 A JP2199294 A JP 2199294A JP H07211855 A JPH07211855 A JP H07211855A
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 めっき電極をリードフレームに接続するだけ
でリードと金属放熱体とにめっきをそれぞれ容易に施し
たり、半導体チップマウント箇所近くの金属放熱体上に
丈高の整合回路用チップマウント用の小段差部を手数を
かけずに設けたりできる半導体装置を得る。 【構成】 リードフレームに備えた接合部材１００を金
属放熱体１０上に接合する。そして、リードフレームに
めっき電極を接続して、リードフレームに備えたリード
４２ａ、４２ｂ及び接合部材１００とその接合部材を接
合した金属放熱体１０とにめっき電極をそれぞれ電気的
に接続する。それと共に、接合部材１００を用いて突出
部１８を形成したり接合部材１００近くの金属放熱体１
０上に小段差部１６を設けたりする。そして、その突出
部１８上と小段差部１６上とに丈低の半導体チップ６０
と丈高の整合回路用チップ５０とをそれぞれマウントす
る。
でリードと金属放熱体とにめっきをそれぞれ容易に施し
たり、半導体チップマウント箇所近くの金属放熱体上に
丈高の整合回路用チップマウント用の小段差部を手数を
かけずに設けたりできる半導体装置を得る。 【構成】 リードフレームに備えた接合部材１００を金
属放熱体１０上に接合する。そして、リードフレームに
めっき電極を接続して、リードフレームに備えたリード
４２ａ、４２ｂ及び接合部材１００とその接合部材を接
合した金属放熱体１０とにめっき電極をそれぞれ電気的
に接続する。それと共に、接合部材１００を用いて突出
部１８を形成したり接合部材１００近くの金属放熱体１
０上に小段差部１６を設けたりする。そして、その突出
部１８上と小段差部１６上とに丈低の半導体チップ６０
と丈高の整合回路用チップ５０とをそれぞれマウントす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＦＥＴ（電界効果トラ
ンジスタ）等の半導体チップを封止してなる半導体装置
とそれを形成するための半導体装置形成体及びその形成
体の製造方法に関する。
ンジスタ）等の半導体チップを封止してなる半導体装置
とそれを形成するための半導体装置形成体及びその形成
体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の上記半導体装置は、金属部材から
なるメタルパッケージ又は金属放熱体の上方周囲をセラ
ミックフレームで囲んでなるセラミックパッケージに半
導体チップを気密に封止している。
なるメタルパッケージ又は金属放熱体の上方周囲をセラ
ミックフレームで囲んでなるセラミックパッケージに半
導体チップを気密に封止している。
【０００３】ところで、上記メタルパッケージ又はセラ
ミックパッケージは、何れもその製造に多大な手数と時
間を要するものであって、高価である。それに対して、
近時の半導体チップは、その製造技術が向上したため
に、安価なものとなっている。そのため、近時の安価な
半導体チップに見合う製造容易で安価な樹脂封止タイプ
の半導体装置が求められている。
ミックパッケージは、何れもその製造に多大な手数と時
間を要するものであって、高価である。それに対して、
近時の半導体チップは、その製造技術が向上したため
に、安価なものとなっている。そのため、近時の安価な
半導体チップに見合う製造容易で安価な樹脂封止タイプ
の半導体装置が求められている。
【０００４】この樹脂封止タイプの半導体装置として、
図１０に示したような、半導体装置が提案されている。
この半導体装置は、金属放熱体１０両脇の段差部１２
ａ、１２ｂ上にセラミック端子２０ａ、２０ｂをそれぞ
れマウントしている。セラミック端子２０ａ、２０ｂ上
面には、メタライズからなるパッド３０ａ、３０ｂをそ
れぞれ備えて、それらのパッド３０ａ、３０ｂにリード
４２ａ、４２ｂの内端をそれぞれ接続している。金属放
熱体１０上面には、小段差部１６を設けて、その小段差
部１６上に整合回路用チップ５０をマウントしている。
小段差部１６近くの金属放熱体の突出部１８上には、半
導体チップ６０をマウントしている。そして、丈低の半
導体チップ６０上面の電極を丈高の整合回路用チップ５
０上面の電極の高さにほぼ一致させて、それらの電極間
をワイヤ７０を介して距離短く接続し、それらの電極間
を高周波信号を伝送損失少なく伝えることができるよう
にしている。その他の半導体チップ６０の電極と整合回
路用チップ５０の電極とは、リード４２ａ、４２ｂの内
端にワイヤ７０を介してそれぞれ接続している。半導体
チップ６０と整合回路用チップ５０とリード４２ａ、４
２ｂの内端とワイヤ７０とは、樹脂材８０を用いて金属
放熱体１０上に樹脂封止している。金属放熱体１０下面
は、樹脂材８０外部に露出させていて、半導体チップ６
０が発する熱を金属放熱体１０外部に効率良く放散させ
ることができるようにしている。
図１０に示したような、半導体装置が提案されている。
この半導体装置は、金属放熱体１０両脇の段差部１２
ａ、１２ｂ上にセラミック端子２０ａ、２０ｂをそれぞ
れマウントしている。セラミック端子２０ａ、２０ｂ上
面には、メタライズからなるパッド３０ａ、３０ｂをそ
れぞれ備えて、それらのパッド３０ａ、３０ｂにリード
４２ａ、４２ｂの内端をそれぞれ接続している。金属放
熱体１０上面には、小段差部１６を設けて、その小段差
部１６上に整合回路用チップ５０をマウントしている。
小段差部１６近くの金属放熱体の突出部１８上には、半
導体チップ６０をマウントしている。そして、丈低の半
導体チップ６０上面の電極を丈高の整合回路用チップ５
０上面の電極の高さにほぼ一致させて、それらの電極間
をワイヤ７０を介して距離短く接続し、それらの電極間
を高周波信号を伝送損失少なく伝えることができるよう
にしている。その他の半導体チップ６０の電極と整合回
路用チップ５０の電極とは、リード４２ａ、４２ｂの内
端にワイヤ７０を介してそれぞれ接続している。半導体
チップ６０と整合回路用チップ５０とリード４２ａ、４
２ｂの内端とワイヤ７０とは、樹脂材８０を用いて金属
放熱体１０上に樹脂封止している。金属放熱体１０下面
は、樹脂材８０外部に露出させていて、半導体チップ６
０が発する熱を金属放熱体１０外部に効率良く放散させ
ることができるようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記半導体
装置を形成するための半導体装置形成体、即ち図１１に
示したような、金属放熱体１０上にマウントしたセラミ
ック端子２０ａ、２０ｂにリードフレーム４０に備えた
リード４２ａ、４２ｂの内端を接続した半導体装置形成
体においては、リードフレーム４０が金属ベース１０に
電気的に接続されていなかった。
装置を形成するための半導体装置形成体、即ち図１１に
示したような、金属放熱体１０上にマウントしたセラミ
ック端子２０ａ、２０ｂにリードフレーム４０に備えた
リード４２ａ、４２ｂの内端を接続した半導体装置形成
体においては、リードフレーム４０が金属ベース１０に
電気的に接続されていなかった。
【０００６】そのため、半導体装置形成体のリード４２
ａ、４２ｂと金属放熱体１０とに防錆用又はワイヤボン
ディング用やダイボンディング用のめっきをそれぞれ施
す際に、めっき電極を、リード４２ａ、４２ｂを備えた
リードフレーム４０に加えて、金属放熱体１０に接続し
なければならず、金属放熱体１０にめっき電極を接続す
る作業に多大な手数と時間を要した。
ａ、４２ｂと金属放熱体１０とに防錆用又はワイヤボン
ディング用やダイボンディング用のめっきをそれぞれ施
す際に、めっき電極を、リード４２ａ、４２ｂを備えた
リードフレーム４０に加えて、金属放熱体１０に接続し
なければならず、金属放熱体１０にめっき電極を接続す
る作業に多大な手数と時間を要した。
【０００７】また、金属放熱体１０上面に整合回路用チ
ップ５０マウント用の小段差部１６を形成する作業にも
多大な手数と時間を要した。
ップ５０マウント用の小段差部１６を形成する作業にも
多大な手数と時間を要した。
【０００８】本発明は、このような課題に鑑みてなされ
たもので、めっき電極をリードフレームに加えて金属放
熱体に接続したり、金属放熱体上面に整合回路用チップ
マウント用の小段差部を形成したりする必要のない簡便
な樹脂封止タイプの半導体装置とそれを形成するための
半導体装置形成体及びその形成体の製造方法を提供する
ことを目的としている。
たもので、めっき電極をリードフレームに加えて金属放
熱体に接続したり、金属放熱体上面に整合回路用チップ
マウント用の小段差部を形成したりする必要のない簡便
な樹脂封止タイプの半導体装置とそれを形成するための
半導体装置形成体及びその形成体の製造方法を提供する
ことを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置は、金属放熱体上に半導体チッ
プとセラミック端子とをそれぞれマウントして、前記セ
ラミック端子にリードの内端を接合すると共に、前記半
導体チップの電極を前記リードの内端にワイヤを介して
接続し、さらに、前記半導体チップとリードの内端とワ
イヤとを前記金属放熱体上に樹脂封止してなる半導体装
置において、前記リードを備えたリードフレームから切
断、分離した接合部材を前記金属放熱体上に接合したこ
とを特徴としている。
に、本発明の半導体装置は、金属放熱体上に半導体チッ
プとセラミック端子とをそれぞれマウントして、前記セ
ラミック端子にリードの内端を接合すると共に、前記半
導体チップの電極を前記リードの内端にワイヤを介して
接続し、さらに、前記半導体チップとリードの内端とワ
イヤとを前記金属放熱体上に樹脂封止してなる半導体装
置において、前記リードを備えたリードフレームから切
断、分離した接合部材を前記金属放熱体上に接合したこ
とを特徴としている。
【００１０】本発明の半導体装置においては、金属放熱
体上に代えて、接合部材上に半導体チップをマウントす
ることを好適としている。
体上に代えて、接合部材上に半導体チップをマウントす
ることを好適としている。
【００１１】それと共に、接合部材近くの金属放熱体上
に整合回路用チップをマウントして、その整合回路用チ
ップの電極を半導体チップの電極とリードの内端とにワ
イヤを介してそれぞれ接続すると共に、前記整合回路用
チップとワイヤとを半導体チップと共に前記金属放熱体
上に樹脂封止することを好適としている。
に整合回路用チップをマウントして、その整合回路用チ
ップの電極を半導体チップの電極とリードの内端とにワ
イヤを介してそれぞれ接続すると共に、前記整合回路用
チップとワイヤとを半導体チップと共に前記金属放熱体
上に樹脂封止することを好適としている。
【００１２】又は、接合部材を金属放熱体上にマウント
した半導体チップのグランド電極接続用の端子に用いる
ことを好適としている。
した半導体チップのグランド電極接続用の端子に用いる
ことを好適としている。
【００１３】本発明の半導体装置形成体は、リードフレ
ームに備えたリードの内端を金属放熱体上にマウントし
たセラミック端子に接続すると共に、前記リードフレー
ムに備えためっき電極接続用の接合部材を前記金属放熱
体上に接合し、さらに、前記リードフレームに備えたリ
ード及び接合部材とその接合部材を接合した金属放熱体
とに防錆用又はワイヤボンディング用やダイボンディン
グ用のめっきをそれぞれ施してなることを特徴としてい
る。
ームに備えたリードの内端を金属放熱体上にマウントし
たセラミック端子に接続すると共に、前記リードフレー
ムに備えためっき電極接続用の接合部材を前記金属放熱
体上に接合し、さらに、前記リードフレームに備えたリ
ード及び接合部材とその接合部材を接合した金属放熱体
とに防錆用又はワイヤボンディング用やダイボンディン
グ用のめっきをそれぞれ施してなることを特徴としてい
る。
【００１４】本発明の半導体装置形成体の製造方法は、
次の工程を含むことを特徴としている。 ａ．金属放熱体上にセラミック端子をマウントして、そ
のセラミック端子にリードフレームに備えたリードの内
端を接合すると共に、前記リードフレームに備えためっ
き電極接続用の接合部材を前記金属放熱体上に接合する
工程。 ｂ．ａ工程で金属放熱体上に接合した接合部材を備えた
リードフレームにめっき電極を接続して、リードフレー
ムに備えたリード及び接続部材と金属放熱体とに防錆用
又はワイヤボンディング用やダイボンディング用のめっ
きをそれぞれ施す工程。
次の工程を含むことを特徴としている。 ａ．金属放熱体上にセラミック端子をマウントして、そ
のセラミック端子にリードフレームに備えたリードの内
端を接合すると共に、前記リードフレームに備えためっ
き電極接続用の接合部材を前記金属放熱体上に接合する
工程。 ｂ．ａ工程で金属放熱体上に接合した接合部材を備えた
リードフレームにめっき電極を接続して、リードフレー
ムに備えたリード及び接続部材と金属放熱体とに防錆用
又はワイヤボンディング用やダイボンディング用のめっ
きをそれぞれ施す工程。
【００１５】
【作用】本発明の半導体装置においては、その製造に際
して、リードフレームに備えた接合部材を金属放熱体上
に接合して、リードフレームにめっき電極を接続するこ
とにより、リードフレームに備えたリード及び接合部材
とその接合部材を接合した金属放熱体とにめっき電極を
それぞれ電気的に接続できる。
して、リードフレームに備えた接合部材を金属放熱体上
に接合して、リードフレームにめっき電極を接続するこ
とにより、リードフレームに備えたリード及び接合部材
とその接合部材を接合した金属放熱体とにめっき電極を
それぞれ電気的に接続できる。
【００１６】それと共に、接合部材を用いて金属放熱体
上に突出部を形成したり接合部材近くの金属放熱体上に
小段差部を設けたりできる。そして、それらの突出部上
と小段差部上とに丈低の半導体チップと丈高の整合回路
用チップとをそれぞれマウントして、それらのチップ上
面の電極の高さをほぼ一致させることができる。
上に突出部を形成したり接合部材近くの金属放熱体上に
小段差部を設けたりできる。そして、それらの突出部上
と小段差部上とに丈低の半導体チップと丈高の整合回路
用チップとをそれぞれマウントして、それらのチップ上
面の電極の高さをほぼ一致させることができる。
【００１７】本発明の半導体装置形成体においては、リ
ードフレームにめっき電極を接続することにより、リー
ドフレームに備えたリード及び接合部材とその接合部材
を接合した金属放熱体とにめっき電極をそれぞれ電気的
に接続できる。
ードフレームにめっき電極を接続することにより、リー
ドフレームに備えたリード及び接合部材とその接合部材
を接合した金属放熱体とにめっき電極をそれぞれ電気的
に接続できる。
【００１８】本発明の半導体装置形成体の製造方法にお
いては、ｂ工程において、リードフレームにめっき電極
を接続することにより、リードフレームに備えたリード
及び接合部材とａ工程で接合部材を接合した金属放熱体
とにめっき電極をそれぞれ電気的に接続できる。
いては、ｂ工程において、リードフレームにめっき電極
を接続することにより、リードフレームに備えたリード
及び接合部材とａ工程で接合部材を接合した金属放熱体
とにめっき電極をそれぞれ電気的に接続できる。
【００１９】本発明の半導体装置形成体やその形成体の
製造方法においては、定尺帯状等のリードフレームに備
えた複数個の接合部材と複数本のリードの内端とを複数
個の金属放熱体上とそれらの金属放熱体上にマウントし
たセラミック端子とにそれぞれ接合して、そのリードフ
レームにめっき電極を接続することにより、上記複数本
のリード及び複数個の接合部材と複数個の金属放熱体と
にめっき電極をそれぞれ電気的に容易に接続できる。そ
れと共に、定尺帯状等のリードフレームに備えた複数個
の接合部材を複数個の金属放熱体上にそれぞれ接合した
り、それらの複数個の接続部材上や複数個の金属放熱体
上に半導体チップや整合回路用チップをそれぞれマウン
トしたりして、複数個の金属放熱体や半導体チップや整
合回路用チップをリードフレームを介して一連に結合で
きる。そして、そのリードフレームを介して一連に結合
した複数個の金属放熱体や半導体チップや整合回路用チ
ップの取扱いの容易化が図れる。
製造方法においては、定尺帯状等のリードフレームに備
えた複数個の接合部材と複数本のリードの内端とを複数
個の金属放熱体上とそれらの金属放熱体上にマウントし
たセラミック端子とにそれぞれ接合して、そのリードフ
レームにめっき電極を接続することにより、上記複数本
のリード及び複数個の接合部材と複数個の金属放熱体と
にめっき電極をそれぞれ電気的に容易に接続できる。そ
れと共に、定尺帯状等のリードフレームに備えた複数個
の接合部材を複数個の金属放熱体上にそれぞれ接合した
り、それらの複数個の接続部材上や複数個の金属放熱体
上に半導体チップや整合回路用チップをそれぞれマウン
トしたりして、複数個の金属放熱体や半導体チップや整
合回路用チップをリードフレームを介して一連に結合で
きる。そして、そのリードフレームを介して一連に結合
した複数個の金属放熱体や半導体チップや整合回路用チ
ップの取扱いの容易化が図れる。
【００２０】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に従い説明す
る。図１は本発明の半導体装置の好適な実施例を示し、
詳しくはその正面断面図を示している。以下に、この半
導体装置を説明する。
る。図１は本発明の半導体装置の好適な実施例を示し、
詳しくはその正面断面図を示している。以下に、この半
導体装置を説明する。
【００２１】図の半導体装置では、リードフレーム（図
示せず）から切断、分離した接合部材１００を金属放熱
体１０上にろう付け接合している。そして、接合部材１
００を用いて金属放熱体１０上に突出部１８を設けてい
る。それと共に、接合部材１００近くの金属放熱体１０
上に小段差部１６を設けている。
示せず）から切断、分離した接合部材１００を金属放熱
体１０上にろう付け接合している。そして、接合部材１
００を用いて金属放熱体１０上に突出部１８を設けてい
る。それと共に、接合部材１００近くの金属放熱体１０
上に小段差部１６を設けている。
【００２２】接合部材１００上には、丈低の半導体チッ
プ６０をマウントしている。小段差部１６上には、丈高
の整合回路用チップ５０をマウントしている。そして、
半導体チップ６０上面の電極を整合回路用チップ５０上
面の電極の高さにほぼ一致させて、それらの電極間をワ
イヤ７０を介して距離短く接続している。その他の半導
体チップ６０の電極と整合回路用チップ５０の電極と
は、その近くのリード４２ａ、４２ｂの内端にワイヤ７
０を介してそれぞれ接続している。
プ６０をマウントしている。小段差部１６上には、丈高
の整合回路用チップ５０をマウントしている。そして、
半導体チップ６０上面の電極を整合回路用チップ５０上
面の電極の高さにほぼ一致させて、それらの電極間をワ
イヤ７０を介して距離短く接続している。その他の半導
体チップ６０の電極と整合回路用チップ５０の電極と
は、その近くのリード４２ａ、４２ｂの内端にワイヤ７
０を介してそれぞれ接続している。
【００２３】半導体チップ６０と整合回路用チップ５０
とリード４２ａ、４２ｂの内端とワイヤ７０とは、樹脂
材８０を用いて金属放熱体１０上に樹脂封止している。
具体的には、半導体チップ６０と整合回路用チップ５０
とリード４２ａ、４２ｂの内端とワイヤ７０とを金属放
熱体１０上部と共に樹脂封止金型（図示せず）内に入れ
て、その金型に樹脂材８０を注入したり、半導体チップ
６０と整合回路用チップ５０とリード４２ａ、４２ｂの
内端とワイヤ７０とにそれらの上方から加熱、溶融させ
た樹脂材８０をポッティングしたりして、半導体チップ
６０と整合回路用チップ５０とリード４２ａ、４２ｂの
内端とワイヤ７０とを金属放熱体１０上に一体に樹脂封
止している。
とリード４２ａ、４２ｂの内端とワイヤ７０とは、樹脂
材８０を用いて金属放熱体１０上に樹脂封止している。
具体的には、半導体チップ６０と整合回路用チップ５０
とリード４２ａ、４２ｂの内端とワイヤ７０とを金属放
熱体１０上部と共に樹脂封止金型（図示せず）内に入れ
て、その金型に樹脂材８０を注入したり、半導体チップ
６０と整合回路用チップ５０とリード４２ａ、４２ｂの
内端とワイヤ７０とにそれらの上方から加熱、溶融させ
た樹脂材８０をポッティングしたりして、半導体チップ
６０と整合回路用チップ５０とリード４２ａ、４２ｂの
内端とワイヤ７０とを金属放熱体１０上に一体に樹脂封
止している。
【００２４】その他は、前述図１０に示した半導体装置
と同様に構成していて、この半導体装置においては、そ
の製造に際して、リードフレーム（図示せず）にめっき
電極を接続することにより、リードフレームに備えたリ
ード４２ａ、４２ｂ及び接合部材１００とその接合部材
１００を接合した金属放熱体１０とにめっき電極をそれ
ぞれ電気的に接続できる。それと共に、接合部材１００
を用いて金属放熱体１０上に半導体チップ６０マウント
用の突出部１８を形成したり、接合部材１００近くの金
属放熱体１０上に整合回路用チップ５０マウント用の小
段差部１６を設けたりできる。
と同様に構成していて、この半導体装置においては、そ
の製造に際して、リードフレーム（図示せず）にめっき
電極を接続することにより、リードフレームに備えたリ
ード４２ａ、４２ｂ及び接合部材１００とその接合部材
１００を接合した金属放熱体１０とにめっき電極をそれ
ぞれ電気的に接続できる。それと共に、接合部材１００
を用いて金属放熱体１０上に半導体チップ６０マウント
用の突出部１８を形成したり、接合部材１００近くの金
属放熱体１０上に整合回路用チップ５０マウント用の小
段差部１６を設けたりできる。
【００２５】なお、上述半導体装置においては、半導体
チップ６０が発する熱が少ない場合等には、金属放熱体
１０下部周囲を金属放熱体１０上部と共に樹脂材８０で
一連に覆っても良く、そのようにしても、上述半導体装
置とほぼ同様な作用を有する半導体装置を提供できる。
チップ６０が発する熱が少ない場合等には、金属放熱体
１０下部周囲を金属放熱体１０上部と共に樹脂材８０で
一連に覆っても良く、そのようにしても、上述半導体装
置とほぼ同様な作用を有する半導体装置を提供できる。
【００２６】図２は本発明の半導体装置の他の好適な実
施例を示し、詳しくはその正面断面図を示している。以
下に、この半導体装置を説明する。
施例を示し、詳しくはその正面断面図を示している。以
下に、この半導体装置を説明する。
【００２７】図の半導体装置では、接合部材１００上に
半導体チップをマウントせずに、接合部材１００近くの
金属放熱体１０上に、整合回路用チップに代えて、半導
体チップ６０をマウントしている。
半導体チップをマウントせずに、接合部材１００近くの
金属放熱体１０上に、整合回路用チップに代えて、半導
体チップ６０をマウントしている。
【００２８】接合部材１００は、半導体チップ６０のグ
ランド電極接続用の端子に用いている。そして、その接
合部材１００に半導体チップ６０のグランド電極をワイ
ヤ７０を介して接続している。
ランド電極接続用の端子に用いている。そして、その接
合部材１００に半導体チップ６０のグランド電極をワイ
ヤ７０を介して接続している。
【００２９】半導体チップ６０の信号用等の電極は、そ
の近くのリード４２ａ、４２ｂの内端にワイヤ７０を用
いて接合部材１００上方を乗り越える等してそれぞれ接
続している。
の近くのリード４２ａ、４２ｂの内端にワイヤ７０を用
いて接合部材１００上方を乗り越える等してそれぞれ接
続している。
【００３０】その他は、前述図１に示した半導体装置と
同様に構成していて、この半導体装置においては、その
製造に際して、リードフレーム（図示せず）にめっき電
極を接続することにより、リードフレームに備えたリー
ド４２ａ、４２ｂ及び接合部材１００とその接合部材１
００を接合した金属放熱体１０とにめっき電極をそれぞ
れ電気的に接続できる。
同様に構成していて、この半導体装置においては、その
製造に際して、リードフレーム（図示せず）にめっき電
極を接続することにより、リードフレームに備えたリー
ド４２ａ、４２ｂ及び接合部材１００とその接合部材１
００を接合した金属放熱体１０とにめっき電極をそれぞ
れ電気的に接続できる。
【００３１】図３は図１又は図２に示した半導体装置を
形成するための半導体装置形成体の好適な実施例を示
し、詳しくはその斜視図を示している。以下に、この半
導体装置形成体を説明する。
形成するための半導体装置形成体の好適な実施例を示
し、詳しくはその斜視図を示している。以下に、この半
導体装置形成体を説明する。
【００３２】図において、４０は、定尺帯状のリードフ
レームであって、リードフレーム４０には、複数本のリ
ード４２ａ、４２ｂ及びめっき電極接続用の複数個の接
合部材１００をそれぞれ所定ピッチで並べて備えてい
る。具体的には、リードフレーム４０の一対のガイドレ
ール４４ａ、４４ｂに、複数本のリード４２ａ、４２ｂ
をガイドレール４４ａ、４４ｂ内側に向けてそれぞれ所
定ピッチで横方向に並べて備えている。それと共に、一
対のガイドレール４４ａ、４４ｂの内側空間に、複数個
の帯状の接合部材１００をタイバー４６を介して所定ピ
ッチで縦方向に並べて備えている。
レームであって、リードフレーム４０には、複数本のリ
ード４２ａ、４２ｂ及びめっき電極接続用の複数個の接
合部材１００をそれぞれ所定ピッチで並べて備えてい
る。具体的には、リードフレーム４０の一対のガイドレ
ール４４ａ、４４ｂに、複数本のリード４２ａ、４２ｂ
をガイドレール４４ａ、４４ｂ内側に向けてそれぞれ所
定ピッチで横方向に並べて備えている。それと共に、一
対のガイドレール４４ａ、４４ｂの内側空間に、複数個
の帯状の接合部材１００をタイバー４６を介して所定ピ
ッチで縦方向に並べて備えている。
【００３３】リードフレーム４０に備えたリード４２
ａ、４２ｂの内端は、金属放熱体１０上にマウントした
セラミック端子２０ａ、２０ｂにそれぞれ接合してい
る。具体的には、金属放熱体１０両脇の段差部１２ａ、
１２ｂ上にそれぞれマウントしたセラミック端子２０
ａ、２０ｂ上面のパッド３０ａ、３０ｂにリード４２
ａ、４２ｂの内端をそれぞれろう付け接合している。
ａ、４２ｂの内端は、金属放熱体１０上にマウントした
セラミック端子２０ａ、２０ｂにそれぞれ接合してい
る。具体的には、金属放熱体１０両脇の段差部１２ａ、
１２ｂ上にそれぞれマウントしたセラミック端子２０
ａ、２０ｂ上面のパッド３０ａ、３０ｂにリード４２
ａ、４２ｂの内端をそれぞれろう付け接合している。
【００３４】リードフレーム４０に備えた接合部材１０
０は、金属放熱体１０上に接合して、その接合部材１０
０を金属放熱体１０に電気的に接続している。具体的に
は、帯状の接合部材１００を金属放熱体１０上面に横架
して、その接合部材１００を金属放熱体１０上にろう付
け接合している。
０は、金属放熱体１０上に接合して、その接合部材１０
０を金属放熱体１０に電気的に接続している。具体的に
は、帯状の接合部材１００を金属放熱体１０上面に横架
して、その接合部材１００を金属放熱体１０上にろう付
け接合している。
【００３５】リードフレーム４０に備えたリード４２
ａ、４２ｂ及び接合部材１００とその接合部材１００を
接合した金属放熱体１０とには、防錆用又はワイヤボン
ディング用やダイボンディング用のＮｉめっき、Ａｕめ
っき等のめっきをそれぞれ施している。
ａ、４２ｂ及び接合部材１００とその接合部材１００を
接合した金属放熱体１０とには、防錆用又はワイヤボン
ディング用やダイボンディング用のＮｉめっき、Ａｕめ
っき等のめっきをそれぞれ施している。
【００３６】図３に示した半導体装置形成体は、以上の
ように構成していて、この半導体装置形成体において
は、リードフレーム４０にめっき電極を接続することに
より、リードフレーム４０に備えたリード４２ａ、４２
ｂ及び接合部材１００とその接合部材１００を接合した
金属放熱体１０とにめっき電極をそれぞれ電気的に接続
できる。
ように構成していて、この半導体装置形成体において
は、リードフレーム４０にめっき電極を接続することに
より、リードフレーム４０に備えたリード４２ａ、４２
ｂ及び接合部材１００とその接合部材１００を接合した
金属放熱体１０とにめっき電極をそれぞれ電気的に接続
できる。
【００３７】次に、この図３に示した半導体装置形成体
を本発明の半導体装置形成体の製造方法により形成する
好適な実施例を説明する。
を本発明の半導体装置形成体の製造方法により形成する
好適な実施例を説明する。
【００３８】図３に示したように、定尺帯状のリードフ
レーム４０に、前述したように、複数本のリード４２
ａ、４２ｂと複数個の接合部材１００とをそれぞれ所定
ピッチで並べて備える。
レーム４０に、前述したように、複数本のリード４２
ａ、４２ｂと複数個の接合部材１００とをそれぞれ所定
ピッチで並べて備える。
【００３９】複数個の接合部材１００は、図３に示した
ように、リードフレーム４０に備えたリード４２ａ、４
２ｂの内端を金属放熱体１０両脇の段差部１２ａ、１２
ｂ上にマウントしたセラミック端子２０ａ、２０ｂ上面
のパッド３０ａ、３０ｂにそれぞれ重ね合わせた状態に
おいて、上記接合部材１００が半導体チップ６０をマウ
ントする金属放熱体１０上面に横架されるように、リー
ドフレーム４０に並べて備える。
ように、リードフレーム４０に備えたリード４２ａ、４
２ｂの内端を金属放熱体１０両脇の段差部１２ａ、１２
ｂ上にマウントしたセラミック端子２０ａ、２０ｂ上面
のパッド３０ａ、３０ｂにそれぞれ重ね合わせた状態に
おいて、上記接合部材１００が半導体チップ６０をマウ
ントする金属放熱体１０上面に横架されるように、リー
ドフレーム４０に並べて備える。
【００４０】それと共に、金属放熱体１０両脇の段差部
１２ａ、１２ｂ上にセラミック端子２０ａ、２０ｂをマ
ウントして、そのセラミック端子２０ａ、２０ｂ上面の
パッド３０ａ、３０ｂにリードフレーム４０に備えたリ
ード４２ａ、４２ｂの内端をそれぞれろう付け接合す
る。さらに、リードフレーム４０に備えた接合部材１０
０を、金属放熱体１０上面に横架した状態で、金属放熱
体１０上にろう付け接合する。
１２ａ、１２ｂ上にセラミック端子２０ａ、２０ｂをマ
ウントして、そのセラミック端子２０ａ、２０ｂ上面の
パッド３０ａ、３０ｂにリードフレーム４０に備えたリ
ード４２ａ、４２ｂの内端をそれぞれろう付け接合す
る。さらに、リードフレーム４０に備えた接合部材１０
０を、金属放熱体１０上面に横架した状態で、金属放熱
体１０上にろう付け接合する。
【００４１】次いで、リードフレーム４０にめっき電極
を接続して、リードフレーム４０に備えたリード４２
ａ、４２ｂ及び接合部材１００とその接合部材１００を
接合した金属放熱体１０とにめっき電極をそれぞれ電気
的に接続する。そして、リードフレーム４０を金属放熱
体１０と共にめっき液に浸漬して、リード４２ａ、４２
ｂ及び接合部材１００と金属放熱体１０とに防錆用又は
ワイヤボンディング用やダイボンディング用のＮｉめっ
き、Ａｕめっき等のめっきをそれぞれ施す。
を接続して、リードフレーム４０に備えたリード４２
ａ、４２ｂ及び接合部材１００とその接合部材１００を
接合した金属放熱体１０とにめっき電極をそれぞれ電気
的に接続する。そして、リードフレーム４０を金属放熱
体１０と共にめっき液に浸漬して、リード４２ａ、４２
ｂ及び接合部材１００と金属放熱体１０とに防錆用又は
ワイヤボンディング用やダイボンディング用のＮｉめっ
き、Ａｕめっき等のめっきをそれぞれ施す。
【００４２】図３に示した半導体装置形成体の製造方法
は、以上の工程からなり、この半導体装置形成体を用い
て図１又は図２に示した半導体装置を形成する際には、
次のようにする。
は、以上の工程からなり、この半導体装置形成体を用い
て図１又は図２に示した半導体装置を形成する際には、
次のようにする。
【００４３】図１に示した半導体装置を得る際には、上
述半導体装置形成体のめっきを施した接合部材１００上
とその近くの金属放熱体１０上とに丈低の半導体チップ
６０と丈高の整合回路用チップ５０とをそれぞれマウン
トして、それらのチップ６０、５０上面の電極の高さを
ほぼ一致させる。
述半導体装置形成体のめっきを施した接合部材１００上
とその近くの金属放熱体１０上とに丈低の半導体チップ
６０と丈高の整合回路用チップ５０とをそれぞれマウン
トして、それらのチップ６０、５０上面の電極の高さを
ほぼ一致させる。
【００４４】次いで、半導体チップ６０の電極と整合回
路用チップ５０の電極とをワイヤ７０を介して距離短く
接続する。それと共に、その他の半導体チップ６０の電
極と整合回路用チップ５０の電極とをそれらの近くのリ
ード４２ａ、４２ｂの内端にワイヤ７０を介してそれぞ
れ接続する。
路用チップ５０の電極とをワイヤ７０を介して距離短く
接続する。それと共に、その他の半導体チップ６０の電
極と整合回路用チップ５０の電極とをそれらの近くのリ
ード４２ａ、４２ｂの内端にワイヤ７０を介してそれぞ
れ接続する。
【００４５】次いで、半導体チップ６０と整合回路用チ
ップ５０とリード４２ａ、４２ｂの内端とワイヤ７０と
を樹脂材８０を用いて金属放熱体１０上に樹脂封止す
る。
ップ５０とリード４２ａ、４２ｂの内端とワイヤ７０と
を樹脂材８０を用いて金属放熱体１０上に樹脂封止す
る。
【００４６】その後、接合部材１００をリードフレーム
４０のタイバー４６から切断、分離する。それと共に、
リード４２ａ、４２ｂをリードフレーム４０の一対のガ
イドレール４４ａ、４４ｂからそれぞれ切断、分離す
る。そして、図１に示した半導体装置を得る。
４０のタイバー４６から切断、分離する。それと共に、
リード４２ａ、４２ｂをリードフレーム４０の一対のガ
イドレール４４ａ、４４ｂからそれぞれ切断、分離す
る。そして、図１に示した半導体装置を得る。
【００４７】図２に示した半導体装置を得る際には、上
述半導体装置形成体のめっきを施した接合部材１００近
くの金属放熱体１０上に半導体チップ６０をマウントし
て、そのチップ６０上面の電極をその近くのリード４２
ａ、４２ｂの内端にワイヤ７０を用いて接合部材１００
上方を乗り越える等してそれぞれ接続する。それと共
に、半導体チップ６０のグランド電極を接合部材１００
にワイヤ７０を介して接続する。
述半導体装置形成体のめっきを施した接合部材１００近
くの金属放熱体１０上に半導体チップ６０をマウントし
て、そのチップ６０上面の電極をその近くのリード４２
ａ、４２ｂの内端にワイヤ７０を用いて接合部材１００
上方を乗り越える等してそれぞれ接続する。それと共
に、半導体チップ６０のグランド電極を接合部材１００
にワイヤ７０を介して接続する。
【００４８】次いで、半導体チップ６０とリード４２
ａ、４２ｂの内端とワイヤ７０とを樹脂材８０を用いて
金属放熱体１０上に樹脂封止する。
ａ、４２ｂの内端とワイヤ７０とを樹脂材８０を用いて
金属放熱体１０上に樹脂封止する。
【００４９】その後、接合部材１００をリードフレーム
４０のタイバー４６から切断、分離する。それと共に、
リード４２ａ、４２ｂをリードフレーム４０の一対のガ
イドレール４４ａ、４４ｂからそれぞれ切断、分離す
る。そして、図２に示した半導体装置を得る。
４０のタイバー４６から切断、分離する。それと共に、
リード４２ａ、４２ｂをリードフレーム４０の一対のガ
イドレール４４ａ、４４ｂからそれぞれ切断、分離す
る。そして、図２に示した半導体装置を得る。
【００５０】なお、上述図１又は図２に示した半導体装
置の製造方法においては、半導体チップ６０や整合回路
用チップ５０とリード４２ａ、４２ｂの内端とワイヤ７
０とを金属放熱体１０上に樹脂封止する前であって、半
導体チップ６０や整合回路用チップ５０を接合部材１０
０上や金属放熱体１０上にマウントする前後に、めっき
を施した接合部材１００をリードフレーム４０のタイバ
ー４６から切断、分離したり、めっきを施したリード４
２ａ、４２ｂをリードフレーム４０の一対のガイドレー
ル４４ａ、４４ｂからそれぞれ切断、分離したりしても
良い。
置の製造方法においては、半導体チップ６０や整合回路
用チップ５０とリード４２ａ、４２ｂの内端とワイヤ７
０とを金属放熱体１０上に樹脂封止する前であって、半
導体チップ６０や整合回路用チップ５０を接合部材１０
０上や金属放熱体１０上にマウントする前後に、めっき
を施した接合部材１００をリードフレーム４０のタイバ
ー４６から切断、分離したり、めっきを施したリード４
２ａ、４２ｂをリードフレーム４０の一対のガイドレー
ル４４ａ、４４ｂからそれぞれ切断、分離したりしても
良い。
【００５１】また、本発明の半導体装置形成体及びその
形成体の製造方法においては、図４、図５、図６又は図
７に示したような、複数本のリード４２ａ、４２ｂ及び
複数個のめっき電極接続用の接合部材１００を、タイバ
ー４６を介して又は介さずに、一対のガイドレール４４
ａ、４４ｂの内側空間に所定ピッチで並べて備えたリー
ドフレーム４０を用いても良く、そのようにしても、前
述図３とほぼ同様な図４、図５、図６又は図７に示した
本発明の半導体装置形成体を得たり、前述と同様な半導
体装置形成体の製造方法により図４、図５、図６又は図
７に示した本発明の半導体装置形成体を形成したりでき
る。
形成体の製造方法においては、図４、図５、図６又は図
７に示したような、複数本のリード４２ａ、４２ｂ及び
複数個のめっき電極接続用の接合部材１００を、タイバ
ー４６を介して又は介さずに、一対のガイドレール４４
ａ、４４ｂの内側空間に所定ピッチで並べて備えたリー
ドフレーム４０を用いても良く、そのようにしても、前
述図３とほぼ同様な図４、図５、図６又は図７に示した
本発明の半導体装置形成体を得たり、前述と同様な半導
体装置形成体の製造方法により図４、図５、図６又は図
７に示した本発明の半導体装置形成体を形成したりでき
る。
【００５２】図８は本発明の半導体装置のもう一つの好
適な実施例を示し、詳しくはその正面断面図を示してい
る。以下に、この半導体装置を説明する。
適な実施例を示し、詳しくはその正面断面図を示してい
る。以下に、この半導体装置を説明する。
【００５３】図の半導体装置では、太帯状に幅広く形成
した接合部材１０２を金属放熱体１０上にろう付け接合
して、その接合部材１０２で金属放熱体１０上面を幅広
く覆っている。
した接合部材１０２を金属放熱体１０上にろう付け接合
して、その接合部材１０２で金属放熱体１０上面を幅広
く覆っている。
【００５４】接合部材１０２上には、幅広い大型の半導
体チップ６２をマウントしている。そして、その半導体
チップ６２の電極をその近くのリード４２ａ、４２ｂの
内端にワイヤ７０を介してそれぞれ接続している。
体チップ６２をマウントしている。そして、その半導体
チップ６２の電極をその近くのリード４２ａ、４２ｂの
内端にワイヤ７０を介してそれぞれ接続している。
【００５５】半導体チップ６２とリード４２ａ、４２ｂ
の内端とワイヤ７０とは、樹脂材８０を用いて金属放熱
体１０上に樹脂封止している。
の内端とワイヤ７０とは、樹脂材８０を用いて金属放熱
体１０上に樹脂封止している。
【００５６】その他は、前述図１に示した半導体装置と
同様に構成していて、この半導体装置においては、その
製造に際して、リードフレーム（図示せず）にめっき電
極を接続することにより、リードフレームに備えたリー
ド４２ａ、４２ｂ及び接合部材１０２とその接合部材１
０２を接合した金属放熱体１０とにめっき電極をそれぞ
れ電気的に接続できる。
同様に構成していて、この半導体装置においては、その
製造に際して、リードフレーム（図示せず）にめっき電
極を接続することにより、リードフレームに備えたリー
ド４２ａ、４２ｂ及び接合部材１０２とその接合部材１
０２を接合した金属放熱体１０とにめっき電極をそれぞ
れ電気的に接続できる。
【００５７】図９は図８に示した半導体装置を形成する
ための本発明の半導体装置形成体の好適な実施例を示
し、詳しくはその斜視図を示している。以下に、この半
導体装置形成体を説明する。
ための本発明の半導体装置形成体の好適な実施例を示
し、詳しくはその斜視図を示している。以下に、この半
導体装置形成体を説明する。
【００５８】図の半導体装置形成体においては、定尺帯
状のリードフレーム４０の一対のガイドレール４４ａ、
４４ｂの内側空間に、太帯状の接合部材１０２をタイバ
ー４６を介して所定ピッチで縦方向に複数個並べて備え
ている。そして、その接合部材１０２を金属放熱体１０
上にろう付け接合して、接合部材１０２で金属放熱体１
０上面を幅広く覆っている。
状のリードフレーム４０の一対のガイドレール４４ａ、
４４ｂの内側空間に、太帯状の接合部材１０２をタイバ
ー４６を介して所定ピッチで縦方向に複数個並べて備え
ている。そして、その接合部材１０２を金属放熱体１０
上にろう付け接合して、接合部材１０２で金属放熱体１
０上面を幅広く覆っている。
【００５９】その他は、前述図３に示した半導体装置形
成体と同様に構成していて、この半導体装置形成体にお
いては、リードフレーム４０にめっき電極を接続するこ
とにより、リードフレーム４０に備えたリード４２ａ、
４２ｂ及び接合部材１０２とその接合部材１０２を接合
した金属放熱体１０とにめっき電極をそれぞれ電気的に
接続できる。
成体と同様に構成していて、この半導体装置形成体にお
いては、リードフレーム４０にめっき電極を接続するこ
とにより、リードフレーム４０に備えたリード４２ａ、
４２ｂ及び接合部材１０２とその接合部材１０２を接合
した金属放熱体１０とにめっき電極をそれぞれ電気的に
接続できる。
【００６０】次に、この図９に示した半導体装置形成体
を本発明の半導体装置形成体の製造方法により形成する
好適な実施例を説明する。
を本発明の半導体装置形成体の製造方法により形成する
好適な実施例を説明する。
【００６１】図９に示したように、定尺帯状のリードフ
レーム４０の一対のガイドレール４４ａ、４４ｂの内側
空間に、太帯状の接合部材１０２を所定ピッチで縦方向
に複数個並べて備える。そして、その接合部材１０２を
金属放熱体１０上にろう付け接合して、接合部材１０２
で金属放熱体１０上面を幅広く覆う。
レーム４０の一対のガイドレール４４ａ、４４ｂの内側
空間に、太帯状の接合部材１０２を所定ピッチで縦方向
に複数個並べて備える。そして、その接合部材１０２を
金属放熱体１０上にろう付け接合して、接合部材１０２
で金属放熱体１０上面を幅広く覆う。
【００６２】それと共に、金属放熱体１０両脇の段差部
１２ａ、１２ｂ上にセラミック端子２０ａ、２０ｂをマ
ウントして、そのセラミック端子２０ａ、２０ｂ上面の
パッド３０ａ、３０ｂにリードフレーム４０に備えたリ
ード４２ａ、４２ｂの内端をそれぞれろう付け接合す
る。
１２ａ、１２ｂ上にセラミック端子２０ａ、２０ｂをマ
ウントして、そのセラミック端子２０ａ、２０ｂ上面の
パッド３０ａ、３０ｂにリードフレーム４０に備えたリ
ード４２ａ、４２ｂの内端をそれぞれろう付け接合す
る。
【００６３】次いで、リードフレーム４０にめっき電極
を接続して、リードフレーム４０に備えたリード４２
ａ、４２ｂ及び接合部材１０２とその接合部材１０２を
接合した金属放熱体１０とにめっき電極をそれぞれ電気
的に接続する。そして、リードフレーム４０を金属放熱
体１０と共にめっき液に浸漬して、リードフレーム４０
のリード４２ａ、４２ｂ及び接合部材１０２と金属放熱
体１０とに防錆用又はワイヤボンディング用やダイボン
ディング用のめっきをそれぞれ施す。
を接続して、リードフレーム４０に備えたリード４２
ａ、４２ｂ及び接合部材１０２とその接合部材１０２を
接合した金属放熱体１０とにめっき電極をそれぞれ電気
的に接続する。そして、リードフレーム４０を金属放熱
体１０と共にめっき液に浸漬して、リードフレーム４０
のリード４２ａ、４２ｂ及び接合部材１０２と金属放熱
体１０とに防錆用又はワイヤボンディング用やダイボン
ディング用のめっきをそれぞれ施す。
【００６４】図９に示した半導体装置形成体の製造方法
は、以上の工程からなり、この半導体装置形成体を用い
て図８に示した半導体装置を形成する際には、次のよう
にする。
は、以上の工程からなり、この半導体装置形成体を用い
て図８に示した半導体装置を形成する際には、次のよう
にする。
【００６５】上述半導体装置形成体のめっきを施した接
合部材１０２上に幅広い大型の半導体チップ６２をマウ
ントして、そのチップ６２上面の電極をその近くのリー
ド４２ａ、４２ｂの内端にワイヤ７０を介してそれぞれ
接続する。
合部材１０２上に幅広い大型の半導体チップ６２をマウ
ントして、そのチップ６２上面の電極をその近くのリー
ド４２ａ、４２ｂの内端にワイヤ７０を介してそれぞれ
接続する。
【００６６】次いで、半導体チップ６２とリード４２
ａ、４２ｂの内端とワイヤ７０とを樹脂材８０を用いて
金属放熱体１０上に樹脂封止する。
ａ、４２ｂの内端とワイヤ７０とを樹脂材８０を用いて
金属放熱体１０上に樹脂封止する。
【００６７】その後、接合部材１０２をリードフレーム
４０のタイバー４６から切断、分離する。それと共に、
リード４２ａ、４２ｂをリードフレーム４０の一対のガ
イドレール４４ａ、４４ｂからそれぞれ切断、分離す
る。そして、図８に示した半導体装置を得る。
４０のタイバー４６から切断、分離する。それと共に、
リード４２ａ、４２ｂをリードフレーム４０の一対のガ
イドレール４４ａ、４４ｂからそれぞれ切断、分離す
る。そして、図８に示した半導体装置を得る。
【００６８】なお、上述図８に示した半導体装置の製造
方法においても、半導体チップ６２とリード４２ａ、４
２ｂの内端とワイヤ７０とを金属放熱体１０上に樹脂封
止する前であって、半導体チップ６２を接合部材１０２
上にマウントする前後に、めっきを施した接合部材１０
２をリードフレーム４０のタイバー４６から切断、分離
したり、めっきを施したリード４２ａ、４２ｂをリード
フレーム４０の一対のガイドレール４４ａ、４４ｂから
それぞれ切断、分離したりしても良い。
方法においても、半導体チップ６２とリード４２ａ、４
２ｂの内端とワイヤ７０とを金属放熱体１０上に樹脂封
止する前であって、半導体チップ６２を接合部材１０２
上にマウントする前後に、めっきを施した接合部材１０
２をリードフレーム４０のタイバー４６から切断、分離
したり、めっきを施したリード４２ａ、４２ｂをリード
フレーム４０の一対のガイドレール４４ａ、４４ｂから
それぞれ切断、分離したりしても良い。
【００６９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置や半導体装置形成体によれば、その製造に際して、リ
ードフレームにめっき電極を接続することにより、リー
ドフレームに備えたリード及び接合部材とその接合部材
を接合した金属放熱体とにめっき電極をそれぞれ電気的
に接続できる。同様に、本発明の半導体装置形成体の製
造方法によれば、リードフレームにめっき電極を接続す
ることにより、リードフレームに備えたリード及び接合
部材とその接合部材を接合した金属放熱体とにめっき電
極をそれぞれ電気的に接続できる。そして、リードフレ
ームと共に金属放熱体をめっき液に浸漬して、リードフ
レームに備えたリード及び接合部材と金属放熱体とに防
錆用又はワイヤボンディング用やダイボンディング用の
めっきをそれぞれ手数をかけずに容易に施すことができ
る。
置や半導体装置形成体によれば、その製造に際して、リ
ードフレームにめっき電極を接続することにより、リー
ドフレームに備えたリード及び接合部材とその接合部材
を接合した金属放熱体とにめっき電極をそれぞれ電気的
に接続できる。同様に、本発明の半導体装置形成体の製
造方法によれば、リードフレームにめっき電極を接続す
ることにより、リードフレームに備えたリード及び接合
部材とその接合部材を接合した金属放熱体とにめっき電
極をそれぞれ電気的に接続できる。そして、リードフレ
ームと共に金属放熱体をめっき液に浸漬して、リードフ
レームに備えたリード及び接合部材と金属放熱体とに防
錆用又はワイヤボンディング用やダイボンディング用の
めっきをそれぞれ手数をかけずに容易に施すことができ
る。
【００７０】本発明の半導体装置や半導体装置形成体に
よれば、接合部材を用いて金属放熱体上に突出部を形成
したり接続部材近くの金属放熱体上に小段差部を設けた
りできる。そして、それらの突出部上と小段差部上とに
丈低の半導体チップと丈高の整合回路用チップとをそれ
ぞれマウントして、それらのチップ上面の電極の高さを
ほぼ一致させてそれらの電極間をワイヤを介して距離短
く接続し、それらの電極間を高周波信号を伝送損失少な
く伝えることができる。それと共に、金属放熱体上面に
整合回路用チップマウント用の小段差部を形成する面倒
な作業を省くことができる。
よれば、接合部材を用いて金属放熱体上に突出部を形成
したり接続部材近くの金属放熱体上に小段差部を設けた
りできる。そして、それらの突出部上と小段差部上とに
丈低の半導体チップと丈高の整合回路用チップとをそれ
ぞれマウントして、それらのチップ上面の電極の高さを
ほぼ一致させてそれらの電極間をワイヤを介して距離短
く接続し、それらの電極間を高周波信号を伝送損失少な
く伝えることができる。それと共に、金属放熱体上面に
整合回路用チップマウント用の小段差部を形成する面倒
な作業を省くことができる。
【００７１】本発明の半導体装置形成体やその形成体の
製造方法によれば、定尺帯状等のリードフレームに備え
た複数個の接合部材と複数本のリードの内端とを複数個
の金属放熱体上とそれらの金属放熱体上にマウントした
セラミック端子とにそれぞれ接合して、そのリードフレ
ームにめっき電極を接続することにより、上記複数本の
リード及び複数個の接合部材と複数個の金属放熱体とに
めっき電極をそれぞれ電気的に容易に接続できる。それ
と共に、定尺帯状等のリードフレームに備えた複数個の
接合部材を複数個の金属放熱体上にそれぞれ接合した
り、それらの複数個の接合部材上や複数個の金属放熱体
上に半導体チップや整合回路用チップをそれぞれマウン
トしたりして、複数個の金属放熱体や半導体チップや整
合回路用チップをリードフレームを介して一連に結合
し、それらのリードフレームを介して一連に結合した複
数個の金属放熱体や半導体チップや整合回路用チップの
取扱いの容易化が図れる。
製造方法によれば、定尺帯状等のリードフレームに備え
た複数個の接合部材と複数本のリードの内端とを複数個
の金属放熱体上とそれらの金属放熱体上にマウントした
セラミック端子とにそれぞれ接合して、そのリードフレ
ームにめっき電極を接続することにより、上記複数本の
リード及び複数個の接合部材と複数個の金属放熱体とに
めっき電極をそれぞれ電気的に容易に接続できる。それ
と共に、定尺帯状等のリードフレームに備えた複数個の
接合部材を複数個の金属放熱体上にそれぞれ接合した
り、それらの複数個の接合部材上や複数個の金属放熱体
上に半導体チップや整合回路用チップをそれぞれマウン
トしたりして、複数個の金属放熱体や半導体チップや整
合回路用チップをリードフレームを介して一連に結合
し、それらのリードフレームを介して一連に結合した複
数個の金属放熱体や半導体チップや整合回路用チップの
取扱いの容易化が図れる。
【図１】本発明の半導体装置の正面断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の正面断面図である。
【図３】本発明の半導体装置形成体の斜視図である。
【図４】本発明の半導体装置形成体の平面図である。
【図５】本発明の半導体装置形成体の平面図である。
【図６】本発明の半導体装置形成体の平面図である。
【図７】本発明の半導体装置形成体の平面図である。
【図８】本発明の半導体装置の正面断面図である。
【図９】本発明の半導体装置形成体の斜視図である。
【図１０】従来の半導体装置の正面断面図である。
【図１１】従来の半導体装置形成体の斜視図である。
１０ 金属放熱体 １２ａ、１２ｂ 段差部 １６ 小段差部 １８ 突出部 ２０ａ、２０ｂ セラミック端子 ３０ａ、３０ｂ パッド ４０ リードフレーム ４２ａ、４２ｂ リード ４４ａ、４４ｂ ガイドレール ４６ タイバー ５０ 整合回路用チップ ６０、６２ 半導体チップ ７０ ワイヤ ８０ 樹脂材 １００、１０２ めっき電極接続用の接合部材
Claims (6)
- 【請求項１】 金属放熱体上に半導体チップとセラミッ
ク端子とをそれぞれマウントして、前記セラミック端子
にリードの内端を接合すると共に、前記半導体チップの
電極を前記リードの内端にワイヤを介して接続し、さら
に、前記半導体チップとリードの内端とワイヤとを前記
金属放熱体上に樹脂封止してなる半導体装置において、
前記リードを備えたリードフレームから切断、分離した
接合部材を前記金属放熱体上に接合したことを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項２】 金属放熱体上に代えて、接合部材上に半
導体チップをマウントした請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 接合部材近くの金属放熱体上に整合回路
用チップをマウントして、その整合回路用チップの電極
を半導体チップの電極とリードの内端とにワイヤを介し
てそれぞれ接続すると共に、前記整合回路用チップとワ
イヤとを半導体チップと共に前記金属放熱体上に樹脂封
止した請求項２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 接合部材を金属放熱体上にマウントした
半導体チップのグランド電極接続用の端子に用いた請求
項１記載の半導体装置。 - 【請求項５】 リードフレームに備えたリードの内端を
金属放熱体上にマウントしたセラミック端子に接続する
と共に、前記リードフレームに備えためっき電極接続用
の接合部材を前記金属放熱体上に接合し、さらに、前記
リードフレームに備えたリード及び接合部材とその接合
部材を接合した金属放熱体とに防錆用又はワイヤボンデ
ィング用やダイボンディング用のめっきをそれぞれ施し
てなる半導体装置形成体。 - 【請求項６】 次の工程を含むことを特徴とする半導体
装置形成体の製造方法。 ａ．金属放熱体上にセラミック端子をマウントして、そ
のセラミック端子にリードフレームに備えたリードの内
端を接合すると共に、前記リードフレームに備えためっ
き電極接続用の接合部材を前記金属放熱体上に接合する
工程。 ｂ．ａ工程で金属放熱体上に接合した接合部材を備えた
リードフレームにめっき電極を接続して、リードフレー
ムに備えたリード及び接合部材と金属放熱体とに防錆用
又はワイヤボンディング用やダイボンディング用のめっ
きをそれぞれ施す工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02199294A JP3395918B2 (ja) | 1994-01-20 | 1994-01-20 | 半導体装置と半導体装置形成体及びその形成体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02199294A JP3395918B2 (ja) | 1994-01-20 | 1994-01-20 | 半導体装置と半導体装置形成体及びその形成体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211855A true JPH07211855A (ja) | 1995-08-11 |
| JP3395918B2 JP3395918B2 (ja) | 2003-04-14 |
Family
ID=12070527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02199294A Expired - Fee Related JP3395918B2 (ja) | 1994-01-20 | 1994-01-20 | 半導体装置と半導体装置形成体及びその形成体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3395918B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010062301A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 電子部品、電子機器、および電子部品の製造方法 |
| WO2013094101A1 (ja) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | パナソニック株式会社 | 半導体パッケージ、その製造方法及び金型、半導体パッケージの入出力端子 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190111549A (ko) * | 2018-03-23 | 2019-10-02 | 김선국 | 알에프 칩 패키지 |
-
1994
- 1994-01-20 JP JP02199294A patent/JP3395918B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2013094101A1 (ja) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | パナソニック株式会社 | 半導体パッケージ、その製造方法及び金型、半導体パッケージの入出力端子 |
| US8937374B2 (en) | 2011-12-22 | 2015-01-20 | Panasonic Corporation | Semiconductor package, method and mold for producing same, input and output terminals of semiconductor package |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3395918B2 (ja) | 2003-04-14 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |