JPH07211671A - ダイシング方法及び装置 - Google Patents
ダイシング方法及び装置Info
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- JPH07211671A JPH07211671A JP298894A JP298894A JPH07211671A JP H07211671 A JPH07211671 A JP H07211671A JP 298894 A JP298894 A JP 298894A JP 298894 A JP298894 A JP 298894A JP H07211671 A JPH07211671 A JP H07211671A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエーハのカットラインの位置精度を正確に
管理して、半導体チップの生産性の向上を図る。 【構成】 ストリート１２にカットライン４０を加工し
た後、基準パターンＰ1、Ｐ2 からカットライン４０の
エッジＥmax1、Ｅmin1、Ｅmax2、Ｅmin2までの距離を求
めて、求められた距離が許容範囲内に入るようにカット
ライン４０の位置を管理する。従って、例えば、フルカ
ットでストリート１２にカットライン４０を加工して、
テープ等の伸縮でカットライン４０が変化した場合や、
温度変化等によるブレード２６の位置ずれでカットライ
ン４０の位置が変位した場合でも、カットライン４０の
位置を正確に管理できる。
管理して、半導体チップの生産性の向上を図る。 【構成】 ストリート１２にカットライン４０を加工し
た後、基準パターンＰ1、Ｐ2 からカットライン４０の
エッジＥmax1、Ｅmin1、Ｅmax2、Ｅmin2までの距離を求
めて、求められた距離が許容範囲内に入るようにカット
ライン４０の位置を管理する。従って、例えば、フルカ
ットでストリート１２にカットライン４０を加工して、
テープ等の伸縮でカットライン４０が変化した場合や、
温度変化等によるブレード２６の位置ずれでカットライ
ン４０の位置が変位した場合でも、カットライン４０の
位置を正確に管理できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はダイシング方法に係
り、特にウエハに配列された半導体チップを個々に分割
するために、ウエハのストリートに加工される切溝の位
置を制御するダイシング方法に関する。
り、特にウエハに配列された半導体チップを個々に分割
するために、ウエハのストリートに加工される切溝の位
置を制御するダイシング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイシング装置は顕微鏡とブレードを備
えていて、顕微鏡の基準線とブレードは同一線上に位置
決めされている。このダイシング装置で、図５に示すウ
エハ２のストリート４を切断する場合、先ず、ダイシン
グ装置のテーブルにウエハ２を載置し、ウエハ２のスト
リート４の中心Ｌc に顕微鏡の基準線をあわせる。次
に、ブレードでウエハ２のストリート４の中心Ｌc に切
溝８を加工する。次いで、ストリート４に加工された切
溝８を画像処理して切溝８の中心Ｅc とストリート４の
中心Ｌc とのずれδを求めて、ずれδが許容範囲内にあ
る場合に切断が適切に行われたと評価する。
えていて、顕微鏡の基準線とブレードは同一線上に位置
決めされている。このダイシング装置で、図５に示すウ
エハ２のストリート４を切断する場合、先ず、ダイシン
グ装置のテーブルにウエハ２を載置し、ウエハ２のスト
リート４の中心Ｌc に顕微鏡の基準線をあわせる。次
に、ブレードでウエハ２のストリート４の中心Ｌc に切
溝８を加工する。次いで、ストリート４に加工された切
溝８を画像処理して切溝８の中心Ｅc とストリート４の
中心Ｌc とのずれδを求めて、ずれδが許容範囲内にあ
る場合に切断が適切に行われたと評価する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、半導体チップ２
が良品であるか不良品であるかは、半導体チップ２の切
断面（半導体チップの外側面）Ｅ1 、Ｅ2 が、半導体チ
ップ２の本体から一定寸法の位置に存在していか否かで
実際に評価される場合がある（図５の場合、半導体チッ
プ２の本体から切断面Ｅ1 、Ｅ2 までの距離は、夫々Ｌ
1 、Ｌ2 である。）。従って、従来のように、ストリー
ト４の中心Ｌc に対する切溝８の中心Ｅcが許容範囲内
にあるか否かで、ストリート４の切断が適切に行われた
か否かを評価すると、ストリート４の切断が適切に行わ
れた場合でも、半導体チップ２が不良品と評価される場
合がある。しかしながら、ストリート４の切断は適切で
あると評価されるので、切溝８の位置精度を調整せず
に、引き続きストリート４が切断される。従って、切溝
の位置精度が正確に管理されないので不良品が多くな
り、半導体チップの生産性が低いという問題がある。
が良品であるか不良品であるかは、半導体チップ２の切
断面（半導体チップの外側面）Ｅ1 、Ｅ2 が、半導体チ
ップ２の本体から一定寸法の位置に存在していか否かで
実際に評価される場合がある（図５の場合、半導体チッ
プ２の本体から切断面Ｅ1 、Ｅ2 までの距離は、夫々Ｌ
1 、Ｌ2 である。）。従って、従来のように、ストリー
ト４の中心Ｌc に対する切溝８の中心Ｅcが許容範囲内
にあるか否かで、ストリート４の切断が適切に行われた
か否かを評価すると、ストリート４の切断が適切に行わ
れた場合でも、半導体チップ２が不良品と評価される場
合がある。しかしながら、ストリート４の切断は適切で
あると評価されるので、切溝８の位置精度を調整せず
に、引き続きストリート４が切断される。従って、切溝
の位置精度が正確に管理されないので不良品が多くな
り、半導体チップの生産性が低いという問題がある。
【０００４】特に、上述したような問題は、ウエハ２を
フルカット（ウエハの裏面に貼りつけられたテープのみ
を残してウエハを完全に切断すること。）するとき顕著
に現れる。すなわち、ウエハ２をフルカットした場合、
ウエハ２の裏面に貼られたテープが伸縮して切断面
Ｅ1 、Ｅ2 が移動するので、切溝８とストリート４との
中心ずれδを正確に計測することができない。このた
め、半導体チップ６の本体から切断面Ｅ1 、Ｅ2 までの
寸法が許容範囲から外れていても、半導体チップ６が良
品として評価される場合が多い。
フルカット（ウエハの裏面に貼りつけられたテープのみ
を残してウエハを完全に切断すること。）するとき顕著
に現れる。すなわち、ウエハ２をフルカットした場合、
ウエハ２の裏面に貼られたテープが伸縮して切断面
Ｅ1 、Ｅ2 が移動するので、切溝８とストリート４との
中心ずれδを正確に計測することができない。このた
め、半導体チップ６の本体から切断面Ｅ1 、Ｅ2 までの
寸法が許容範囲から外れていても、半導体チップ６が良
品として評価される場合が多い。
【０００５】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、半導体チップの切溝の位置を正確に管理するこ
とができるダイシング方法を提供することを目的とす
る。
もので、半導体チップの切溝の位置を正確に管理するこ
とができるダイシング方法を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成する為に、テーブル上に半導体ウエハを載置し、回転
刃又はテーブルをＸ方向に切削送りすることによって前
記半導体ウエハのチップ間のストリートの溝切を行い、
続いて前記チップのＹ方向だけ前記回転刃又はテーブル
をＹ方向にピッチ送りしたのち、回転刃又はテーブルを
Ｘ方向に切削送りすることによって次のストリートの溝
切を行うダイシング方法において、前記ストリートの外
側部に予め設けられた基準パターンを画像処理して基準
パターンの画像データ及び位置データを登録し、前記ス
トリートに前記切溝を加工した後、前記基準パターン及
び前記切溝を撮像して該切溝を画像処理し、前記登録さ
れた基準パターンから前記切溝のエッジまでの距離を求
め、該求められた距離と前記登録された基準パターンか
ら前記切溝のエッジまでの予め設定されていた基準距離
との差が許容範囲から外れた場合に警告信号を発生する
ことを特徴とする。
成する為に、テーブル上に半導体ウエハを載置し、回転
刃又はテーブルをＸ方向に切削送りすることによって前
記半導体ウエハのチップ間のストリートの溝切を行い、
続いて前記チップのＹ方向だけ前記回転刃又はテーブル
をＹ方向にピッチ送りしたのち、回転刃又はテーブルを
Ｘ方向に切削送りすることによって次のストリートの溝
切を行うダイシング方法において、前記ストリートの外
側部に予め設けられた基準パターンを画像処理して基準
パターンの画像データ及び位置データを登録し、前記ス
トリートに前記切溝を加工した後、前記基準パターン及
び前記切溝を撮像して該切溝を画像処理し、前記登録さ
れた基準パターンから前記切溝のエッジまでの距離を求
め、該求められた距離と前記登録された基準パターンか
ら前記切溝のエッジまでの予め設定されていた基準距離
との差が許容範囲から外れた場合に警告信号を発生する
ことを特徴とする。
【０００７】また、本発明は、前記目的を達成する為
に、前記求められた距離と前記登録された基準パターン
から前記切溝のエッジまでの予め設定されていた基準距
離との差を算出して次のストリートの溝切を行うことを
特徴とする。
に、前記求められた距離と前記登録された基準パターン
から前記切溝のエッジまでの予め設定されていた基準距
離との差を算出して次のストリートの溝切を行うことを
特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明によれば、ストリートに切溝を加工した
後、基準パターンから切溝のエッジまでの距離を求め
て、求められた距離が許容範囲内に入るように切溝の位
置を管理する。従って、例えば、フルカットでストリー
トに切溝を加工してテープ等の伸縮で切溝が変化した場
合や、温度変化等による切断刃の位置ずれで切溝の位置
が変位した場合でも、ストリートの切溝を正確に管理す
ることができる。
後、基準パターンから切溝のエッジまでの距離を求め
て、求められた距離が許容範囲内に入るように切溝の位
置を管理する。従って、例えば、フルカットでストリー
トに切溝を加工してテープ等の伸縮で切溝が変化した場
合や、温度変化等による切断刃の位置ずれで切溝の位置
が変位した場合でも、ストリートの切溝を正確に管理す
ることができる。
【０００９】
【実施例】以下添付図面に従って本発明に係るダイシン
グ方法について詳説する。図１はダイシング装置で切断
されたウエハの要部拡大図、図２はウエハの平面図、図
３はダイシング装置の全体図である。図２に示すように
ウエハ１０にはＸ、Ｙ方向に所定間隔でストリート１
２、１２…が碁盤目状に形成され、ストリート１２、１
２…が形成する矩形枠の中には半導体チップ１４、１４
…が配置されている。また、図１に示すように半導体チ
ップ１４、１４…にはストリート１２の近傍に、ストリ
ート中心ＬC から予め距離のわかっている（計測して距
離を得てもよい。）位置に基準パターンＰ1 、Ｐ2 …が
設けられている。
グ方法について詳説する。図１はダイシング装置で切断
されたウエハの要部拡大図、図２はウエハの平面図、図
３はダイシング装置の全体図である。図２に示すように
ウエハ１０にはＸ、Ｙ方向に所定間隔でストリート１
２、１２…が碁盤目状に形成され、ストリート１２、１
２…が形成する矩形枠の中には半導体チップ１４、１４
…が配置されている。また、図１に示すように半導体チ
ップ１４、１４…にはストリート１２の近傍に、ストリ
ート中心ＬC から予め距離のわかっている（計測して距
離を得てもよい。）位置に基準パターンＰ1 、Ｐ2 …が
設けられている。
【００１０】また、図３に示すように、ダイシング装置
２２は顕微鏡２４とブレード２６を備えていて、顕微鏡
２４の基準線Ａとブレード２６は同一線上に位置決めさ
れている。このダイシング装置２２で、図２に示すウエ
ハ１０のストリート１２を切断する場合、先ず、テーブ
ル１８に載置されたウエハ１０のストリート１２の中心
に顕微鏡２４の基準線Ａをあわせて、次に、ブレード２
６でウエハ１０のストリート１２の中心に切溝４０を加
工する（図１参照）。
２２は顕微鏡２４とブレード２６を備えていて、顕微鏡
２４の基準線Ａとブレード２６は同一線上に位置決めさ
れている。このダイシング装置２２で、図２に示すウエ
ハ１０のストリート１２を切断する場合、先ず、テーブ
ル１８に載置されたウエハ１０のストリート１２の中心
に顕微鏡２４の基準線Ａをあわせて、次に、ブレード２
６でウエハ１０のストリート１２の中心に切溝４０を加
工する（図１参照）。
【００１１】さらに、ダイシング装置２２は画像処理部
３２、メモリ部３４及び演算部３６を備え、画像処理部
３２はストリート１２に加工された切溝４０を撮像して
画像処理する。メモリ部３４は、基準パターンＰ1 、Ｐ
2 …の画像データ及び位置データを予め登録し、登録さ
れた画像データ及び位置データを品種データの中に登録
する。また、メモリ部３４は、演算部３６で求められた
切溝４０（図１参照）の最大幅上エッジＥmax1、最大幅
下エッジＥmax2、最小幅上エッジＥmin1、最小幅下エッ
ジＥmin2の位置を測定して、これらのエッジ位置データ
を登録する。さらに、メモリ部３４は、演算部３６が求
めた基準パターンＰ1 、Ｐ2 の位置データを登録する。
３２、メモリ部３４及び演算部３６を備え、画像処理部
３２はストリート１２に加工された切溝４０を撮像して
画像処理する。メモリ部３４は、基準パターンＰ1 、Ｐ
2 …の画像データ及び位置データを予め登録し、登録さ
れた画像データ及び位置データを品種データの中に登録
する。また、メモリ部３４は、演算部３６で求められた
切溝４０（図１参照）の最大幅上エッジＥmax1、最大幅
下エッジＥmax2、最小幅上エッジＥmin1、最小幅下エッ
ジＥmin2の位置を測定して、これらのエッジ位置データ
を登録する。さらに、メモリ部３４は、演算部３６が求
めた基準パターンＰ1 、Ｐ2 の位置データを登録する。
【００１２】演算部３６は、画像処理部３２から入力さ
れた画像データに基づいて、切溝４０の最大幅上エッジ
Ｅmax1、最大幅下エッジＥmax2、最小幅上エッジ
Ｅmin1、最小幅下エッジＥmin2の位置を測定する。ま
た、演算部３６は、画像処理された基準パターンＰ1 、
Ｐ2 とメモリ部３４に予め登録された基準パターン
Ｐ1 、Ｐ2の画像データとをパターンマッチングして、
基準パターンＰ1 、Ｐ2 の位置を求める。さらに、演算
部３６は、求められた切溝４０の最大幅上エッジ
Ｅmax1、最大幅下エッジＥmax2、最小幅上エッジ
Ｅmin1、最小幅下エッジＥmin2のエッジ位置データと、
基準パターンＰ1 、Ｐ2 の位置データとに基づいて、次
のデータを求める。
れた画像データに基づいて、切溝４０の最大幅上エッジ
Ｅmax1、最大幅下エッジＥmax2、最小幅上エッジ
Ｅmin1、最小幅下エッジＥmin2の位置を測定する。ま
た、演算部３６は、画像処理された基準パターンＰ1 、
Ｐ2 とメモリ部３４に予め登録された基準パターン
Ｐ1 、Ｐ2の画像データとをパターンマッチングして、
基準パターンＰ1 、Ｐ2 の位置を求める。さらに、演算
部３６は、求められた切溝４０の最大幅上エッジ
Ｅmax1、最大幅下エッジＥmax2、最小幅上エッジ
Ｅmin1、最小幅下エッジＥmin2のエッジ位置データと、
基準パターンＰ1 、Ｐ2 の位置データとに基づいて、次
のデータを求める。
【００１３】（１）基準パターンＰ1 を基準にした最大
幅上エッジＥmax1の位置 （２）基準パターンＰ1 を基準にした最小幅上エッジＥ
min1の位置 （３）基準パターンＰ2 を基準にした最大幅下エッジＥ
max2の位置 （４）基準パターンＰ2 を基準にした最小幅下エッジＥ
min2の位置 （５）切溝の最大幅 （６）切溝の最小幅 （７）切溝の中心位置 （８）チッピング量 前記の如く構成された本発明に係るダイシング方法を図
４に示すフローチャートに基づいて説明する。先ず、ダ
イシング装置２２のテーブル１８に載置されたウエハ１
０のストリート１２の中心に顕微鏡２４の基準線Ａをあ
わせる。次に、ダイシング装置２２のブレード２６でス
トリート１２を切断して、ストリート１２に切溝４０を
加工する（ステップ５０）。次いで、基準パターン
Ｐ1 、Ｐ2 及びストリート１２に加工された切溝４０を
撮像して、ストリート１２に加工された切溝４０を画像
処理部３２で画像処理する。これにより、切溝４０の最
大幅上エッジＥmax1、最大幅下エッジＥmax2、最小幅上
エッジＥmin1、最小幅下エッジＥmin2の位置を求めて
（ステップ５２）、これらのエッジ位置データをメモリ
部３４に登録する（ステップ５４）。次に、撮像された
基準パターンＰ1 、Ｐ2 とメモリ部３４に予め登録され
た基準パターンＰ1 、Ｐ2 の画像データとをパターンマ
ッチングし、これにより、撮像された基準パターン
Ｐ1 、Ｐ2 の位置を求め（ステップ５６）、求められた
基準パターンＰ1 、Ｐ2 の位置データをメモリ部３４に
登録する（ステップ５８）。
幅上エッジＥmax1の位置 （２）基準パターンＰ1 を基準にした最小幅上エッジＥ
min1の位置 （３）基準パターンＰ2 を基準にした最大幅下エッジＥ
max2の位置 （４）基準パターンＰ2 を基準にした最小幅下エッジＥ
min2の位置 （５）切溝の最大幅 （６）切溝の最小幅 （７）切溝の中心位置 （８）チッピング量 前記の如く構成された本発明に係るダイシング方法を図
４に示すフローチャートに基づいて説明する。先ず、ダ
イシング装置２２のテーブル１８に載置されたウエハ１
０のストリート１２の中心に顕微鏡２４の基準線Ａをあ
わせる。次に、ダイシング装置２２のブレード２６でス
トリート１２を切断して、ストリート１２に切溝４０を
加工する（ステップ５０）。次いで、基準パターン
Ｐ1 、Ｐ2 及びストリート１２に加工された切溝４０を
撮像して、ストリート１２に加工された切溝４０を画像
処理部３２で画像処理する。これにより、切溝４０の最
大幅上エッジＥmax1、最大幅下エッジＥmax2、最小幅上
エッジＥmin1、最小幅下エッジＥmin2の位置を求めて
（ステップ５２）、これらのエッジ位置データをメモリ
部３４に登録する（ステップ５４）。次に、撮像された
基準パターンＰ1 、Ｐ2 とメモリ部３４に予め登録され
た基準パターンＰ1 、Ｐ2 の画像データとをパターンマ
ッチングし、これにより、撮像された基準パターン
Ｐ1 、Ｐ2 の位置を求め（ステップ５６）、求められた
基準パターンＰ1 、Ｐ2 の位置データをメモリ部３４に
登録する（ステップ５８）。
【００１４】次いで、求められた切溝４０の最大幅上エ
ッジＥmax1、最大幅下エッジＥmax2、最小幅上エッジＥ
min1、最小幅下エッジＥmin2のエッジ位置データと、基
準パターンＰ1 、Ｐ2 の位置データとに基づいて、次の
データを求める（ステップ６０）。 （１）基準パターンＰ1 を基準にした最大幅上エッジＥ
max1の位置 （２）基準パターンＰ1 を基準にした最小幅上エッジＥ
min1の位置 （３）基準パターンＰ2 を基準にした最大幅下エッジＥ
max2の位置 （４）基準パターンＰ2 を基準にした最小幅下エッジＥ
min2の位置 （５）切溝の最大幅 （６）切溝の最小幅 （７）切溝の中心位置 （８）チッピング量 ステップ６０で求められた算出データに基づいて、切溝
位置の精度を管理し、その結果設定位置から外れる場合
にはエラー信号で警告するか、自動修正を行うようにす
る（ステップ６２）。ここで、自動修正について説明す
る。例えば基準パターンＰ1 と最大幅上エッジＥmax1間
の距離及び基準パターンＰ2 と最大幅下エッジＥmax2間
の距離に基づいて切溝４０の位置を正確に管理する場
合、基準パターンＰ1 と最大幅上エッジＥmax1間の距離
及び基準パターンＰ2 と最大幅下エッジＥmax2間の距離
を求め、これらの距離と予め設定されている基準距離と
の差を算出し、算出された差に基づいて、次のストリー
トへのピッチ送り量を補正して次のストリートの溝切を
行う。
ッジＥmax1、最大幅下エッジＥmax2、最小幅上エッジＥ
min1、最小幅下エッジＥmin2のエッジ位置データと、基
準パターンＰ1 、Ｐ2 の位置データとに基づいて、次の
データを求める（ステップ６０）。 （１）基準パターンＰ1 を基準にした最大幅上エッジＥ
max1の位置 （２）基準パターンＰ1 を基準にした最小幅上エッジＥ
min1の位置 （３）基準パターンＰ2 を基準にした最大幅下エッジＥ
max2の位置 （４）基準パターンＰ2 を基準にした最小幅下エッジＥ
min2の位置 （５）切溝の最大幅 （６）切溝の最小幅 （７）切溝の中心位置 （８）チッピング量 ステップ６０で求められた算出データに基づいて、切溝
位置の精度を管理し、その結果設定位置から外れる場合
にはエラー信号で警告するか、自動修正を行うようにす
る（ステップ６２）。ここで、自動修正について説明す
る。例えば基準パターンＰ1 と最大幅上エッジＥmax1間
の距離及び基準パターンＰ2 と最大幅下エッジＥmax2間
の距離に基づいて切溝４０の位置を正確に管理する場
合、基準パターンＰ1 と最大幅上エッジＥmax1間の距離
及び基準パターンＰ2 と最大幅下エッジＥmax2間の距離
を求め、これらの距離と予め設定されている基準距離と
の差を算出し、算出された差に基づいて、次のストリー
トへのピッチ送り量を補正して次のストリートの溝切を
行う。
【００１５】尚、自動修正する場合に基準パターンＰ1
と最大幅上エッジＥmax1間の距離及び基準パターンＰ2
と最大幅下エッジＥmax2間の距離を使用する場合につい
て説明したが、ステップ６０で求められた算出データに
基づいて、算出データに基づいて切溝の中心とストリー
ト中心のずれ量、基準パターンＰ1 と最大幅上エッジＥ
max1間の距離、基準パターンＰ1 と最小幅上エッジＥ
min1間の距離、基準パターンＰ2 と最大幅下エッジＥ
max2間の距離、基準パターンＰ2 と最小幅下エッジＥ
min2間の距離等を求めることができる。
と最大幅上エッジＥmax1間の距離及び基準パターンＰ2
と最大幅下エッジＥmax2間の距離を使用する場合につい
て説明したが、ステップ６０で求められた算出データに
基づいて、算出データに基づいて切溝の中心とストリー
ト中心のずれ量、基準パターンＰ1 と最大幅上エッジＥ
max1間の距離、基準パターンＰ1 と最小幅上エッジＥ
min1間の距離、基準パターンＰ2 と最大幅下エッジＥ
max2間の距離、基準パターンＰ2 と最小幅下エッジＥ
min2間の距離等を求めることができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るダイシ
ング方法によれば、ストリートに切溝を加工した後、基
準パターンから切溝のエッジまでの距離を求めて、求め
られた距離が許容範囲内に入るように切溝の位置を管理
する。従って、例えば、フルカットでストリートに切溝
を加工してテープ等の伸縮で切溝が変化した場合や、温
度変化等による切断刃の位置ずれで切溝の位置が変位し
た場合でも、切溝の位置を正確に管理することができ
る。このように、切溝の位置を正確に管理するができる
ので、不良品が減少して半導体チップの生産性の向上を
図ることができる。
ング方法によれば、ストリートに切溝を加工した後、基
準パターンから切溝のエッジまでの距離を求めて、求め
られた距離が許容範囲内に入るように切溝の位置を管理
する。従って、例えば、フルカットでストリートに切溝
を加工してテープ等の伸縮で切溝が変化した場合や、温
度変化等による切断刃の位置ずれで切溝の位置が変位し
た場合でも、切溝の位置を正確に管理することができ
る。このように、切溝の位置を正確に管理するができる
ので、不良品が減少して半導体チップの生産性の向上を
図ることができる。
【図１】本発明に係るダイシング方法を説明する説明図
【図２】ウエハの平面図
【図３】本発明に係るダイシング方法に適用されるダイ
シング装置の全体図
シング装置の全体図
【図４】本発明に係るダイシング方法の作用を説明する
フローチャート
フローチャート
【図５】従来のダイシング方法を説明する説明図
１０…ウエハ １２…ストリート １４…半導体チップ ４０…切溝 Ｅmax1、Ｅmin1、Ｅmax2、Ｅmin2…エッジ Ｐ1 、Ｐ2 …基準パターン
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年９月２日
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 ダイシング方法及び装置
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はダイシング方法及び装置
に係り、特にウエハに配列された半導体チップを個々に
分割するために、ウエハのストリートに加工される切溝
の位置を制御するダイシング方法及び装置に関する。
に係り、特にウエハに配列された半導体チップを個々に
分割するために、ウエハのストリートに加工される切溝
の位置を制御するダイシング方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイシング装置は顕微鏡とブレードを備
えていて、顕微鏡の基準線とブレードは同一線上に位置
決めされている。このダイシング装置で、図５に示すウ
エハ２のストリート４を切断する場合、先ず、ダイシン
グ装置のテーブルにウエハ２を載置し、ウエハ２のスト
リート４の中心Ｌc に顕微鏡の基準線をあわせる。次
に、ブレードでウエハ２のストリート４の中心Ｌc に切
溝８を加工する。次いで、ストリート４に加工された切
溝８を画像処理して切溝８の中心Ｅc とストリート４の
中心Ｌc とのずれδを求めて、ずれδが許容範囲内にあ
る場合に切断が適切に行われたと評価する。
えていて、顕微鏡の基準線とブレードは同一線上に位置
決めされている。このダイシング装置で、図５に示すウ
エハ２のストリート４を切断する場合、先ず、ダイシン
グ装置のテーブルにウエハ２を載置し、ウエハ２のスト
リート４の中心Ｌc に顕微鏡の基準線をあわせる。次
に、ブレードでウエハ２のストリート４の中心Ｌc に切
溝８を加工する。次いで、ストリート４に加工された切
溝８を画像処理して切溝８の中心Ｅc とストリート４の
中心Ｌc とのずれδを求めて、ずれδが許容範囲内にあ
る場合に切断が適切に行われたと評価する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、半導体チップ２
が良品であるか不良品であるかは、半導体チップ２の切
断面（半導体チップの外側面）Ｅ1 、Ｅ2 が、半導体チ
ップ２の本体から一定寸法の位置に存在しているか否か
で実際に評価される場合がある（図５の場合、半導体チ
ップ２の本体から切断面Ｅ1 、Ｅ2 までの距離は、夫々
Ｌ1 、Ｌ2 である。）。従って、従来のように、ストリ
ート４の中心Ｌc に対する切溝８の中心Ｅ c が許容範囲
内にあるか否かで、ストリート４の切断が適切に行われ
たか否かを評価すると、ストリート４の切断が適切に行
われた場合でも、半導体チップ２が不良品と評価される
場合がある。しかしながら、ストリート４の切断は適切
であると評価されるので、切溝８の位置精度を調整せず
に、引き続きストリート４が切断される。従って、切溝
の位置精度が正確に管理されないので不良品が多くな
り、半導体チップの生産性が低いという問題がある。
が良品であるか不良品であるかは、半導体チップ２の切
断面（半導体チップの外側面）Ｅ1 、Ｅ2 が、半導体チ
ップ２の本体から一定寸法の位置に存在しているか否か
で実際に評価される場合がある（図５の場合、半導体チ
ップ２の本体から切断面Ｅ1 、Ｅ2 までの距離は、夫々
Ｌ1 、Ｌ2 である。）。従って、従来のように、ストリ
ート４の中心Ｌc に対する切溝８の中心Ｅ c が許容範囲
内にあるか否かで、ストリート４の切断が適切に行われ
たか否かを評価すると、ストリート４の切断が適切に行
われた場合でも、半導体チップ２が不良品と評価される
場合がある。しかしながら、ストリート４の切断は適切
であると評価されるので、切溝８の位置精度を調整せず
に、引き続きストリート４が切断される。従って、切溝
の位置精度が正確に管理されないので不良品が多くな
り、半導体チップの生産性が低いという問題がある。
【０００４】特に、上述したような問題は、ウエハ２を
フルカット（ウエハの裏面に貼りつけられたテープのみ
を残してウエハを完全に切断すること。）するとき顕著
に現れる。すなわち、ウエハ２をフルカットした場合、
ウエハ２の裏面に貼られたテープが伸縮して切断面
Ｅ1 、Ｅ2 が移動するので、切溝８とストリート４との
中心ずれδを正確に計測することができない。このた
め、半導体チップ６の本体から切断面Ｅ1 、Ｅ2 までの
寸法が許容範囲から外れていても、半導体チップ６が良
品として評価される場合が多い。
フルカット（ウエハの裏面に貼りつけられたテープのみ
を残してウエハを完全に切断すること。）するとき顕著
に現れる。すなわち、ウエハ２をフルカットした場合、
ウエハ２の裏面に貼られたテープが伸縮して切断面
Ｅ1 、Ｅ2 が移動するので、切溝８とストリート４との
中心ずれδを正確に計測することができない。このた
め、半導体チップ６の本体から切断面Ｅ1 、Ｅ2 までの
寸法が許容範囲から外れていても、半導体チップ６が良
品として評価される場合が多い。
【０００５】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、半導体チップの切溝の位置を正確に管理するこ
とができるダイシング方法及び装置を提供することを目
的とする。
もので、半導体チップの切溝の位置を正確に管理するこ
とができるダイシング方法及び装置を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成する為に、テーブル上に半導体ウエハを載置し、回転
刃又はテーブルをＸ方向に切削送りすることによって前
記半導体ウエハのチップ間のストリートの溝切を行い、
続いて前記チップのＹ方向だけ前記回転刃又はテーブル
をＹ方向にピッチ送りしたのち、回転刃又はテーブルを
Ｘ方向に切削送りすることによって次のストリートの溝
切を行うダイシング方法において、前記ストリートの外
側部に予め設けられた基準パターンを画像処理して基準
パターンの画像データ及び位置データを登録し、前記ス
トリートに前記切溝を加工した後、前記基準パターン及
び前記切溝を撮像して該切溝を画像処理し、前記登録さ
れた基準パターンから前記切溝のエッジまでの距離を求
め、該求められた距離と前記登録された基準パターンか
ら前記切溝のエッジまでの予め設定されていた基準距離
との差が許容範囲から外れた場合に警告信号を発生する
ことを特徴とする。
成する為に、テーブル上に半導体ウエハを載置し、回転
刃又はテーブルをＸ方向に切削送りすることによって前
記半導体ウエハのチップ間のストリートの溝切を行い、
続いて前記チップのＹ方向だけ前記回転刃又はテーブル
をＹ方向にピッチ送りしたのち、回転刃又はテーブルを
Ｘ方向に切削送りすることによって次のストリートの溝
切を行うダイシング方法において、前記ストリートの外
側部に予め設けられた基準パターンを画像処理して基準
パターンの画像データ及び位置データを登録し、前記ス
トリートに前記切溝を加工した後、前記基準パターン及
び前記切溝を撮像して該切溝を画像処理し、前記登録さ
れた基準パターンから前記切溝のエッジまでの距離を求
め、該求められた距離と前記登録された基準パターンか
ら前記切溝のエッジまでの予め設定されていた基準距離
との差が許容範囲から外れた場合に警告信号を発生する
ことを特徴とする。
【０００７】また、本発明は、前記目的を達成する為
に、前記求められた距離と前記登録された基準パターン
から前記切溝のエッジまでの予め設定されていた基準距
離との差を算出し、該算出された差に基づいて次のスト
リートの溝切を行うときに前記回転刃又はテーブルの研
削送り量を補正することを特徴とする
に、前記求められた距離と前記登録された基準パターン
から前記切溝のエッジまでの予め設定されていた基準距
離との差を算出し、該算出された差に基づいて次のスト
リートの溝切を行うときに前記回転刃又はテーブルの研
削送り量を補正することを特徴とする
【０００８】
【作用】本発明によれば、ストリートに切溝を加工した
後、基準パターンから切溝のエッジまでの距離を求め
て、求められた距離が許容範囲内に入るように切溝の位
置を管理する。従って、例えば、フルカットでストリー
トに切溝を加工してテープ等の伸縮で切溝が変化した場
合や、温度変化等による切断刃の位置ずれで切溝の位置
が変位した場合でも、ストリートの切溝を正確に管理す
ることができる。
後、基準パターンから切溝のエッジまでの距離を求め
て、求められた距離が許容範囲内に入るように切溝の位
置を管理する。従って、例えば、フルカットでストリー
トに切溝を加工してテープ等の伸縮で切溝が変化した場
合や、温度変化等による切断刃の位置ずれで切溝の位置
が変位した場合でも、ストリートの切溝を正確に管理す
ることができる。
【０００９】
【実施例】以下添付図面に従って本発明に係るダイシン
グ方法及び装置について詳説する。図１はダイシング装
置で切断されたウエハの要部拡大図、図２はウエハの平
面図、図３はダイシング装置の全体図である。図２に示
すようにウエハ１０にはＸ、Ｙ方向に所定間隔でストリ
ート１２、１２…が碁盤目状に形成され、ストリート１
２、１２…が形成する矩形枠の中には半導体チップ１
４、１４…が配置されている。また、図１に示すように
半導体チップ１４、１４…にはストリート１２の近傍
に、ストリート中心ＬC から予め距離のわかっている
（計測して距離を得てもよい。）位置に基準パターンＰ
1 、Ｐ2 …が設けられている。
グ方法及び装置について詳説する。図１はダイシング装
置で切断されたウエハの要部拡大図、図２はウエハの平
面図、図３はダイシング装置の全体図である。図２に示
すようにウエハ１０にはＸ、Ｙ方向に所定間隔でストリ
ート１２、１２…が碁盤目状に形成され、ストリート１
２、１２…が形成する矩形枠の中には半導体チップ１
４、１４…が配置されている。また、図１に示すように
半導体チップ１４、１４…にはストリート１２の近傍
に、ストリート中心ＬC から予め距離のわかっている
（計測して距離を得てもよい。）位置に基準パターンＰ
1 、Ｐ2 …が設けられている。
【００１０】また、図３に示すように、ダイシング装置
２２は顕微鏡２４とブレード２６を備えていて、顕微鏡
２４の基準線Ａとブレード２６は同一線上に位置決めさ
れている。このダイシング装置２２で、図２に示すウエ
ハ１０のストリート１２を切断する場合、先ず、テーブ
ル１８に載置されたウエハ１０のストリート１２の中心
に顕微鏡２４の基準線Ａをあわせて、次に、ブレード２
６でウエハ１０のストリート１２の中心に切溝４０を加
工する（図１参照）。
２２は顕微鏡２４とブレード２６を備えていて、顕微鏡
２４の基準線Ａとブレード２６は同一線上に位置決めさ
れている。このダイシング装置２２で、図２に示すウエ
ハ１０のストリート１２を切断する場合、先ず、テーブ
ル１８に載置されたウエハ１０のストリート１２の中心
に顕微鏡２４の基準線Ａをあわせて、次に、ブレード２
６でウエハ１０のストリート１２の中心に切溝４０を加
工する（図１参照）。
【００１１】さらに、ダイシング装置２２は画像処理部
３２、メモリ部３４及び演算部３６を備え、画像処理部
３２はストリート１２に加工された切溝４０を撮像して
画像処理する。メモリ部３４は、基準パターンＰ1 、Ｐ
2 …の画像データ及び位置データを予め登録し、登録さ
れた画像データ及び位置データを品種データの中に登録
する。また、メモリ部３４は、演算部３６で求められた
切溝４０（図１参照）の最大幅上エッジＥmax1、最大幅
下エッジＥmax2、最小幅上エッジＥmin1、最小幅下エッ
ジＥmin2の位置を測定して、これらのエッジ位置データ
を登録する。さらに、メモリ部３４は、演算部３６が求
めた基準パターンＰ1 、Ｐ2 の位置データを登録する。
３２、メモリ部３４及び演算部３６を備え、画像処理部
３２はストリート１２に加工された切溝４０を撮像して
画像処理する。メモリ部３４は、基準パターンＰ1 、Ｐ
2 …の画像データ及び位置データを予め登録し、登録さ
れた画像データ及び位置データを品種データの中に登録
する。また、メモリ部３４は、演算部３６で求められた
切溝４０（図１参照）の最大幅上エッジＥmax1、最大幅
下エッジＥmax2、最小幅上エッジＥmin1、最小幅下エッ
ジＥmin2の位置を測定して、これらのエッジ位置データ
を登録する。さらに、メモリ部３４は、演算部３６が求
めた基準パターンＰ1 、Ｐ2 の位置データを登録する。
【００１２】演算部３６は、画像処理部３２から入力さ
れた画像データに基づいて、切溝４０の最大幅上エッジ
Ｅmax1、最大幅下エッジＥmax2、最小幅上エッジ
Ｅmin1、最小幅下エッジＥmin2の位置を測定する。ま
た、演算部３６は、画像処理された基準パターンＰ1 、
Ｐ2 とメモリ部３４に予め登録された基準パターン
Ｐ1 、Ｐ2の画像データとをパターンマッチングして、
基準パターンＰ1 、Ｐ2 の位置を求める。さらに、演算
部３６は、求められた切溝４０の最大幅上エッジ
Ｅmax1、最大幅下エッジＥmax2、最小幅上エッジ
Ｅmin1、最小幅下エッジＥmin2のエッジ位置データと、
基準パターンＰ1 、Ｐ2 の位置データとに基づいて、次
のデータを求める。
れた画像データに基づいて、切溝４０の最大幅上エッジ
Ｅmax1、最大幅下エッジＥmax2、最小幅上エッジ
Ｅmin1、最小幅下エッジＥmin2の位置を測定する。ま
た、演算部３６は、画像処理された基準パターンＰ1 、
Ｐ2 とメモリ部３４に予め登録された基準パターン
Ｐ1 、Ｐ2の画像データとをパターンマッチングして、
基準パターンＰ1 、Ｐ2 の位置を求める。さらに、演算
部３６は、求められた切溝４０の最大幅上エッジ
Ｅmax1、最大幅下エッジＥmax2、最小幅上エッジ
Ｅmin1、最小幅下エッジＥmin2のエッジ位置データと、
基準パターンＰ1 、Ｐ2 の位置データとに基づいて、次
のデータを求める。
【００１３】（１）基準パターンＰ1 を基準にした最大
幅上エッジＥmax1の位置 （２）基準パターンＰ1 を基準にした最小幅上エッジＥ
min1の位置 （３）基準パターンＰ2 を基準にした最大幅下エッジＥ
max2の位置 （４）基準パターンＰ2 を基準にした最小幅下エッジＥ
min2の位置 （５）切溝の最大幅 （６）切溝の最小幅 （７）切溝の中心位置 （８）チッピング量 前記の如く構成された本発明に係るダイシング方法を図
４に示すフローチャートに基づいて説明する。先ず、ダ
イシング装置２２のテーブル１８に載置されたウエハ１
０のストリート１２の中心に顕微鏡２４の基準線Ａをあ
わせる。次に、ダイシング装置２２のブレード２６でス
トリート１２を切断して、ストリート１２に切溝４０を
加工する（ステップ５０）。次いで、基準パターン
Ｐ1 、Ｐ2 及びストリート１２に加工された切溝４０を
撮像して、ストリート１２に加工された切溝４０を画像
処理部３２で画像処理する。これにより、切溝４０の最
大幅上エッジＥmax1、最大幅下エッジＥmax2、最小幅上
エッジＥmin1、最小幅下エッジＥmin2の位置を求めて
（ステップ５２）、これらのエッジ位置データをメモリ
部３４に登録する（ステップ５４）。次に、撮像された
基準パターンＰ1 、Ｐ2 とメモリ部３４に予め登録され
た基準パターンＰ1 、Ｐ2 の画像データとをパターンマ
ッチングし、これにより、撮像された基準パターン
Ｐ1 、Ｐ2 の位置を求め（ステップ５６）、求められた
基準パターンＰ1 、Ｐ2 の位置データをメモリ部３４に
登録する（ステップ５８）。
幅上エッジＥmax1の位置 （２）基準パターンＰ1 を基準にした最小幅上エッジＥ
min1の位置 （３）基準パターンＰ2 を基準にした最大幅下エッジＥ
max2の位置 （４）基準パターンＰ2 を基準にした最小幅下エッジＥ
min2の位置 （５）切溝の最大幅 （６）切溝の最小幅 （７）切溝の中心位置 （８）チッピング量 前記の如く構成された本発明に係るダイシング方法を図
４に示すフローチャートに基づいて説明する。先ず、ダ
イシング装置２２のテーブル１８に載置されたウエハ１
０のストリート１２の中心に顕微鏡２４の基準線Ａをあ
わせる。次に、ダイシング装置２２のブレード２６でス
トリート１２を切断して、ストリート１２に切溝４０を
加工する（ステップ５０）。次いで、基準パターン
Ｐ1 、Ｐ2 及びストリート１２に加工された切溝４０を
撮像して、ストリート１２に加工された切溝４０を画像
処理部３２で画像処理する。これにより、切溝４０の最
大幅上エッジＥmax1、最大幅下エッジＥmax2、最小幅上
エッジＥmin1、最小幅下エッジＥmin2の位置を求めて
（ステップ５２）、これらのエッジ位置データをメモリ
部３４に登録する（ステップ５４）。次に、撮像された
基準パターンＰ1 、Ｐ2 とメモリ部３４に予め登録され
た基準パターンＰ1 、Ｐ2 の画像データとをパターンマ
ッチングし、これにより、撮像された基準パターン
Ｐ1 、Ｐ2 の位置を求め（ステップ５６）、求められた
基準パターンＰ1 、Ｐ2 の位置データをメモリ部３４に
登録する（ステップ５８）。
【００１４】次いで、求められた切溝４０の最大幅上エ
ッジＥmax1、最大幅下エッジＥmax2、最小幅上エッジＥ
min1、最小幅下エッジＥmin2のエッジ位置データと、基
準パターンＰ1 、Ｐ2 の位置データとに基づいて、次の
データを求める（ステップ６０）。 （１）基準パターンＰ1 を基準にした最大幅上エッジＥ
max1の位置 （２）基準パターンＰ1 を基準にした最小幅上エッジＥ
min1の位置 （３）基準パターンＰ2 を基準にした最大幅下エッジＥ
max2の位置 （４）基準パターンＰ2 を基準にした最小幅下エッジＥ
min2の位置 （５）切溝の最大幅 （６）切溝の最小幅 （７）切溝の中心位置 （８）チッピング量 ステップ６０で求められた算出データに基づいて、切溝
位置の精度を管理し、その結果設定位置から外れる場合
にはエラー信号で警告するか、自動修正を行うようにす
る（ステップ６２）。ここで、自動修正について説明す
る。例えば基準パターンＰ1 と最大幅上エッジＥmax1間
の距離及び基準パターンＰ2 と最大幅下エッジＥmax2間
の距離に基づいて切溝４０の位置を正確に管理する場
合、基準パターンＰ1 と最大幅上エッジＥmax1間の距離
及び基準パターンＰ2 と最大幅下エッジＥmax2間の距離
を求め、これらの距離と予め設定されている基準距離と
の差を算出し、算出された差に基づいて、次のストリー
トへのピッチ送り量を補正して次のストリートの溝切を
行う。
ッジＥmax1、最大幅下エッジＥmax2、最小幅上エッジＥ
min1、最小幅下エッジＥmin2のエッジ位置データと、基
準パターンＰ1 、Ｐ2 の位置データとに基づいて、次の
データを求める（ステップ６０）。 （１）基準パターンＰ1 を基準にした最大幅上エッジＥ
max1の位置 （２）基準パターンＰ1 を基準にした最小幅上エッジＥ
min1の位置 （３）基準パターンＰ2 を基準にした最大幅下エッジＥ
max2の位置 （４）基準パターンＰ2 を基準にした最小幅下エッジＥ
min2の位置 （５）切溝の最大幅 （６）切溝の最小幅 （７）切溝の中心位置 （８）チッピング量 ステップ６０で求められた算出データに基づいて、切溝
位置の精度を管理し、その結果設定位置から外れる場合
にはエラー信号で警告するか、自動修正を行うようにす
る（ステップ６２）。ここで、自動修正について説明す
る。例えば基準パターンＰ1 と最大幅上エッジＥmax1間
の距離及び基準パターンＰ2 と最大幅下エッジＥmax2間
の距離に基づいて切溝４０の位置を正確に管理する場
合、基準パターンＰ1 と最大幅上エッジＥmax1間の距離
及び基準パターンＰ2 と最大幅下エッジＥmax2間の距離
を求め、これらの距離と予め設定されている基準距離と
の差を算出し、算出された差に基づいて、次のストリー
トへのピッチ送り量を補正して次のストリートの溝切を
行う。
【００１５】尚、自動修正する場合に基準パターンＰ1
と最大幅上エッジＥmax1間の距離及び基準パターンＰ2
と最大幅下エッジＥmax2間の距離を使用する場合につい
て説明したが、ステップ６０で求められた算出データに
基づいて、算出データに基づいて切溝の中心とストリー
ト中心のずれ量、基準パターンＰ1 と最大幅上エッジＥ
max1間の距離、基準パターンＰ1 と最小幅上エッジＥ
min1間の距離、基準パターンＰ2 と最大幅下エッジＥ
max2間の距離、基準パターンＰ2 と最小幅下エッジＥ
min2間の距離等を求めることができる。
と最大幅上エッジＥmax1間の距離及び基準パターンＰ2
と最大幅下エッジＥmax2間の距離を使用する場合につい
て説明したが、ステップ６０で求められた算出データに
基づいて、算出データに基づいて切溝の中心とストリー
ト中心のずれ量、基準パターンＰ1 と最大幅上エッジＥ
max1間の距離、基準パターンＰ1 と最小幅上エッジＥ
min1間の距離、基準パターンＰ2 と最大幅下エッジＥ
max2間の距離、基準パターンＰ2 と最小幅下エッジＥ
min2間の距離等を求めることができる。
【００１６】尚、チップはウエハ上にくり返し存在する
ので、基準パターンＰ1 、Ｐ2 は１つのパターンで代用
することも可能である。
ので、基準パターンＰ1 、Ｐ2 は１つのパターンで代用
することも可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るダイシ
ング方法及び装置によれば、ストリートに切溝を加工し
た後、基準パターンから切溝のエッジまでの距離を求め
て、求められた距離が許容範囲内に入るように切溝の位
置を管理する。従って、例えば、フルカットでストリー
トに切溝を加工してテープ等の伸縮で切溝が変化した場
合や、温度変化等による切断刃の位置ずれで切溝の位置
が変位した場合でも、切溝の位置を正確に管理すること
ができる。このように、切溝の位置を正確に管理するが
できるので、不良品が減少して半導体チップの生産性の
向上を図ることができる。
ング方法及び装置によれば、ストリートに切溝を加工し
た後、基準パターンから切溝のエッジまでの距離を求め
て、求められた距離が許容範囲内に入るように切溝の位
置を管理する。従って、例えば、フルカットでストリー
トに切溝を加工してテープ等の伸縮で切溝が変化した場
合や、温度変化等による切断刃の位置ずれで切溝の位置
が変位した場合でも、切溝の位置を正確に管理すること
ができる。このように、切溝の位置を正確に管理するが
できるので、不良品が減少して半導体チップの生産性の
向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るダイシング方法を説明する説明図
【図２】ウエハの平面図
【図３】本発明に係るダイシング装置の全体図
【図４】本発明に係るダイシング方法の作用を説明する
フローチャート
フローチャート
【図５】従来のダイシング方法を説明する説明図
【符号の説明】 １０…ウエハ １２…ストリート １４…半導体チップ ４０…切溝 Ｅmax1、Ｅmin1、Ｅmax2、Ｅmin2…エッジ Ｐ1 、Ｐ2 …基準パターン
Claims (2)
- 【請求項１】 テーブル上に半導体ウエハを載置し、回
転刃又はテーブルをＸ方向に切削送りすることによって
前記半導体ウエハのチップ間のストリートの溝切を行
い、続いて前記チップのＹ方向だけ前記回転刃又はテー
ブルをＹ方向にピッチ送りしたのち、回転刃又はテーブ
ルをＸ方向に切削送りすることによって次のストリート
の溝切を行うダイシング方法において、 前記ストリートの外側部に予め設けられた基準パターン
を画像処理して基準パターンの画像データ及び位置デー
タを登録し、 前記ストリートに前記切溝を加工した後、前記基準パタ
ーン及び前記切溝を撮像して該切溝を画像処理し、前記
登録された基準パターンから前記切溝のエッジまでの距
離を求め、 該求められた距離と前記登録された基準パターンから前
記切溝のエッジまでの予め設定されていた基準距離との
差が許容範囲から外れた場合に警告信号を発生すること
を特徴とするダイシング方法。 - 【請求項２】 テーブル上に半導体ウエハを載置し、回
転刃又はテーブルをＸ方向に切削送りすることによって
前記半導体ウエハのチップ間のストリートの溝切を行
い、続いて前記チップのＹ方向だけ前記回転刃又はテー
ブルをＹ方向にピッチ送りしたのち、回転刃又はテーブ
ルをＸ方向に切削送りすることによって次のストリート
の溝切を行うダイシング方法において、 前記ストリートの外側部に予め設けられた基準パターン
を画像処理して基準パターンの画像データ及び位置デー
タを登録し、 前記ストリートに前記切溝を加工した後、前記基準パタ
ーン及び前記切溝を撮像して該切溝を画像処理し、前記
登録された基準パターンから前記切溝のエッジまでの距
離を求め、 該求められた距離と前記登録された基準パターンから前
記切溝のエッジまでの予め設定されていた基準距離との
差を算出して次のストリートの溝切を行うことを特徴と
するダイシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP298894A JP3248646B2 (ja) | 1994-01-17 | 1994-01-17 | ダイシング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP298894A JP3248646B2 (ja) | 1994-01-17 | 1994-01-17 | ダイシング方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211671A true JPH07211671A (ja) | 1995-08-11 |
| JP3248646B2 JP3248646B2 (ja) | 2002-01-21 |
Family
ID=11544764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP298894A Expired - Fee Related JP3248646B2 (ja) | 1994-01-17 | 1994-01-17 | ダイシング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3248646B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005150432A (ja) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Sanyo Electric Co Ltd | ダイシング方法及びダイシング装置 |
| JP2008258496A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工方法 |
| JP2009253017A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-29 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシング方法 |
| CN102347276A (zh) * | 2010-07-26 | 2012-02-08 | 株式会社迪思科 | 切削方法 |
| KR20160078455A (ko) * | 2013-10-29 | 2016-07-04 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 발광 디바이스들의 웨이퍼의 분리 |
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| JP2016219492A (ja) * | 2015-05-15 | 2016-12-22 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
-
1994
- 1994-01-17 JP JP298894A patent/JP3248646B2/ja not_active Expired - Fee Related
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