JPH07210825A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 クロストーク特性の劣化を防止し、高記録密
度化を達成する。 【構成】 ＭＲ素子４を非磁性絶縁膜を介して下層シー
ルド磁性体２と上層シールド磁性体３とで挟み込んでな
るシールド型のＭＲヘッドにおいて、ＡＢＳ面６近傍に
おける再生磁気ギャップのトラック幅Ｔｗ以外の部分に
おいて下層シールド磁性体２と上層シールド磁性体３を
磁気的に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
等の如き磁気記録媒体に書き込まれた記録情報を読み出
すのに用いて有用な磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、ハードディスク駆動装置等に搭
載される再生専用の磁気ヘッドとしては、短波長感度に
優れることから磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と称
する。）を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、Ｍ
Ｒヘッドと称する。）が用いられている。

【０００３】かかるＭＲヘッドとしては、例えば図２８
及び図２９に示すように、ＭＲ素子１０１を非磁性絶縁
膜１０２を介して下層シールド磁性体１０３と上層シー
ルド磁性体１０４とによって挟み込んだ，いわゆるシー
ルド構造とされるのが一般的である。

【０００４】そして、上記ＭＲ素子１０１と上層シール
ド磁性体１０４との間には、当該ＭＲ素子１０１にセン
ス電流を通電すると共に、バイアス磁界を印加するため
の導体配線１０５が形成されている。

【０００５】導体配線１０５は、ハードディスクとの対
接面１０６（以下、ＡＢＳ面１０６と称する。）に対し
て平行であってＭＲ素子１０１と直交する方向に設けら
れ、その一端が当該ＭＲ素子１０１の後端部に電気的に
接続されるようになっている。したがって、この導体配
線１０５へのセンス電流の通電により、上記ＭＲ素子１
０１にセンス電流が通電されると共に、かかるセンス電
流によるバイアス磁界が当該ＭＲ素子１０１の磁化困難
軸方向に印加されることになる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
に構成されたＭＲヘッドのＭＲ素子１０１が設けられる
トラック部分には、ハードディスクからの磁束が図２９
中矢印で示すように入り込み、当該ＭＲヘッドによって
再生信号の読出しがなされる。

【０００７】ところが、再生トラック以外の部分にも、
図３０に示すようにハードディスクからの磁束が入り込
むため、再生系にノイズが発生するといった問題が発生
し、クロストーク特性の劣化が生じる。図３１にクロス
トーク特性の劣化の様子を示す。同図中Ｗ₁ はＭＲヘッ
ドのトラック幅に相当するが、トラック幅以外の部分に
クロストークが発生していることが判る。

【０００８】クロストーク特性の劣化は、再生トラック
以外の隣接トラックからの磁気フラックスと、再生トラ
ック以外の部分に入り込んだ磁束と導体配線１０５との
交差する部分で誘導磁気効果の発生によりノイズが生じ
るという現象に起因する。このクロストーク特性の劣化
は、近年の高記録密度化を実現する上でトラック密度を
高くしていった場合に大きな支障となる。

【０００９】そこで本発明は、上述の従来の有する実情
に鑑みて提案されたものであり、クロストーク特性の劣
化を防止し、高記録密度化が図れる磁気抵抗効果型磁気
ヘッド及びその製造方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明のヘッドは、磁気
抵抗効果素子を非磁性絶縁膜を介して下層シールド磁性
体と上層シールド磁性体とによって挟み込むことにより
構成され、磁気記録媒体との対接面に再生磁気ギャップ
を形成した，いわゆるシールド型構造の磁気抵抗効果型
磁気ヘッドである。その磁気記録媒体との対接面近傍に
おける再生磁気ギャップのトラック幅以外の部分におい
て、下層シールド磁性体と上層シールド磁性体を磁気的
に接続することにより、上述の課題を解決する。

【００１１】また、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造方法においては、基板上に形成された下層シール
ド磁性体の上に下層ギャップ膜を成膜した後、磁気記録
媒体との対接面近傍において磁気抵抗効果素子が配置さ
れるトラック幅以外の部分の下層ギャップ膜を除去し
て、当該下層シールド磁性体を露出させる。

【００１２】次に、下層ギャップ膜上に磁気記録媒体と
の対接面に対してその長手方向が垂直となるように磁気
抵抗効果素子を形成した後、上記露出した下層シールド
磁性体上も含めて上記磁気抵抗効果素子上に上層ギャッ
プ膜を成膜する。次いで、磁気記録媒体との対接面近傍
において磁気抵抗効果素子が配置されたトラック幅以外
の部分の上層ギャップ膜を除去し、上記下層シールド磁
性体を露出させる。

【００１３】そして、上層ギャップ膜上に上層シールド
磁性体を積層し、磁気記録媒体との対接面近傍に露出し
た下層シールド磁性体とこの上層シールド磁性体を磁気
的に接続させることにより、上述の課題を解決する。

【００１４】

【作用】ＭＲ素子を下層シールド磁性体と上層シールド
磁性体とによって挟み込んだシールド型構成をとる磁気
抵抗効果型磁気ヘッドにおいては、磁気記録媒体との対
接面近傍における再生ギャップのトラック幅以外の部分
において下層シールド磁性体と上層シールド磁性体を磁
気的に接続しているので、再生トラック以外の隣接トラ
ックからヘッドに入り込む磁束が磁気的結合部分よりヘ
ッド後方へと入り込むことが防止される。したがって、
再生トラック以外の部分から入り込んだ磁束がＭＲ素子
にバイアス磁界を印加するバイアス導体と交差しなくな
り、その結果誘導磁気効果の発生が回避される。

【００１５】下層シールド磁性体上に成膜された下層ギ
ャップ膜のうち、磁気記録媒体との対接面近傍のＭＲ素
子が配置されるトラック幅以外の部分を除去した後、Ｍ
Ｒ素子を形成し、さらにこの上に上層ギャップ膜を成膜
する。そして、その上層ギャップ膜の磁気記録媒体との
対接面近傍のＭＲ素子が配置されるトラック幅以外の部
分における上層ギャップ膜を除去して下層シールド磁性
体を露出せしめる。しかる後、その露出した下層シール
ド磁性体上に上層シールド磁性体を積層すると、磁気記
録媒体との対接面近傍で下層シールド磁性体と上層シー
ルド磁性体とが磁気的に接続する。

【００１６】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例のＭ
Ｒヘッドにおいては、図１及び図２に示すように、例え
ばＡｌ₂Ｏ₃ −ＴｉＣ（いわゆるアルチック材）よりな
る基板１上に下層シールド磁性体２と上層シールド磁性
体３が所定間隔を持って積層され、これらシールド磁性
体２，３間にＭＲ素子４と、このＭＲ素子４にセンス電
流を通電すると共にバイアス磁界を印加するための導体
配線５が設けられた構成とされている。

【００１７】ＭＲ素子４は、例えば平面形状が略長方形
パターンとして形成され、その長手方向が磁気記録媒体
との対接面６〔以下、ＡＢＳ面６（エア・ベアリング・
サーフエス面）と称する。〕に対して垂直となるように
設けられている。また、このＭＲ素子４の先端側の一側
縁は、上記ＡＢＳ面６に臨むようになされている。

【００１８】かかるＭＲ素子４は、例えばパーマロイ等
の強磁性体薄膜からなり、下層シールド磁性体２上に設
けられたギャップ膜として機能する非磁性絶縁膜からな
る下層ギャップ膜７上に蒸着やスパッタリング等の真空
薄膜形成手段によって形成されている。したがって、上
記ＭＲ素子４と下層シールド磁性体２間には、上記ＡＢ
Ｓ面６に臨む下層の再生磁気ギャップｇ₁ が構成され
る。

【００１９】このＭＲ素子４は、パーマロイよりなるＭ
Ｒ薄膜の単層膜であってもよいが、例えばＳｉＯ₂ 等よ
りなる非磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対の
ＭＲ薄膜を積層するようにしてもよい。積層膜構造とす
ることによって、バルクハウゼンノイズの発生が回避で
きる。

【００２０】導体配線５は、非磁性且つ導電性を有する
材料からなり、ＭＲ素子４上に設けられた非磁性絶縁層
８上に形成されている。この導体配線５は、帯状の配線
パターンとして形成され、ＭＲ素子４の長手方向に対し
て略直交する方向、言い換えるとＡＢＳ面６と略平行に
このＭＲ素子４を横切るようにして設けられている。そ
して、その導体配線５の一端部５ａは、ＭＲ素子４の後
端部上に積層され、当該ＭＲ素子４に対し電気的に接続
されるようになっている。

【００２１】下層シールド磁性体２は、上層シールド磁
性体３とによってＭＲ素子４から離れた位置の磁気記録
媒体からの磁界の影響を受けないようにするためのもの
である。かかる下層シールド磁性体２は、例えばパーマ
ロイ等の強磁性材料からなり、上記基板１の表面性改善
と絶縁のためのアルミナ膜９を介してこの基板１上に、
蒸着やスパッタリング或いはメッキ等の手法によって形
成されている。この下層シールド磁性体２は、上記ＡＢ
Ｓ面６にその一側縁を臨ませるようにして、このＡＢＳ
面６に対して垂直方向に延在するようにして設けられて
いる。

【００２２】一方、上層シールド磁性体３は、下層シー
ルド磁性体２と同様にＡＢＳ面６にその一側縁を臨ませ
るようにしてこのＡＢＳ面６に対し垂直方向に延在して
設けられている。この上層シールド磁性体３は、ＭＲ素
子４上に設けられる上層ギャップ膜１０を介して積層さ
れ、上記ＡＢＳ面６に上層の再生磁気ギャップｇ₂ を構
成するようになっている。

【００２３】この上層ギャップ膜１０は、ＡＢＳ面６側
においてＭＲ素子４に対し電気的に接続されている。ま
た、この上層ギャップ膜１０は、ＭＲ素子４にセンス電
流を通電するための先端電極としても機能するようにな
っている。

【００２４】なお、上層シールド磁性体３と導体配線５
との間には、これら上層シールド磁性体３と導体配線５
間の絶縁をとるためのＳｉＯ₂ 等からなる絶縁膜１１が
設けられている。また、上層シールド磁性体３上には、
ＭＲ素子４等を保護するための保護層１２が形成されて
いる。

【００２５】そして特に、本実施例のＭＲヘッドでは、
図１及び図３に示すように、ＡＢＳ面近傍における再生
磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ のトラック幅Ｔｗ以外の部分に
おいて、下層シールド磁性体２と上層シールド磁性体３
が磁気的に接続されている。すなわち、ＭＲ素子４のト
ラック幅Ｔｗ部分を除き、ＡＢＳ面６から導体配線５近
傍部に至る領域（図１中斜線で示す領域）において下層
シールド磁性体２と上層シールド磁性体３が直接接触し
て磁気的に接続されている。

【００２６】下層シールド磁性体２と上層シールド磁性
体３の接触する領域は、再生トラック以外の隣接トラッ
クからの磁束のヘッドへの入り込みを防止する必要性か
ら、なるべくＭＲ素子４に近接した位置とすることが望
ましい。一方、ＭＲ素子４の長手方向における接続領域
は、下層シールド磁性体２と上層シールド磁性体３が磁
気的に接続できればよいため、特に導体配線５に近接す
る位置まで接続領域をとる必要はない。但し、製造プロ
セス技術上の観点より、確実に磁気的接続が確保できる
面積をとる必要はある。

【００２７】このように、ＡＢＳ面近傍におけるトラッ
ク幅Ｔｗ以外の部分において下層シールド磁性体２と上
層シールド磁性体３を磁気的に接続すれば、再生トラッ
ク以外の隣接トラックから磁束が図３中矢印に示すよう
に入り込んできたとしても、導体配線５に達することな
くヘッドの外に出てしまう。したがって、導体配線５に
到達する隣接トラックからの磁束が大幅に減少し、かか
る磁束が導体配線５と交差することによる誘導磁気効果
によって生ずるノイズを大幅に低減することができる。
その結果、クロストーク特性の劣化を回避でき、高密度
記録化を達成することができる。

【００２８】実際に、このＭＲヘッドのクロストーク特
性を調べて見たところ、図４に示すように、トラック幅
Ｔｗに相当する同図中Ｗ₂ なる幅の領域以外の部分には
クロストークがほとんど発生していないことが判る。

【００２９】次に、ＭＲヘッドの製造方法について説明
する。ここでは、ＭＲ素子にバイアス磁界を印加する導
体配線を、該ＭＲ素子にセンス電流を通電する電極配線
とは別個に持たせたＭＲヘッドの製造方法として説明す
る。

【００３０】先ず、図５に示すように、Ａｌ₂ Ｏ₃ −Ｔ
ｉＣ材からなる基板上１３に、該基板１３の絶縁と表面
性の改善を目的として膜厚１０μｍのＡｌ₂ Ｏ₃ 膜１４
を形成する。

【００３１】次に、上記Ａｌ₂ Ｏ₃ 膜１４の上に再生用
の磁路となる下層シールド磁性体１５を形成する。かか
る下層シールド磁性体１５は、例えばパーマロイ等の磁
性膜をスパッタリングやメッキ等の手法によりその膜厚
が１．５〜２．５μｍとなるように成膜した後、これを
所定形状に加工して形成される。

【００３２】次に、図６に示すように、後述のＭＲ素子
やバイアス導体に電流を供給するための所定の配線パタ
ーンを有するリード電極１６を、Ａｌ₂ Ｏ₃ 膜１４上の
下層シールド磁性体１３と重ならない部分に形成する。
なお、上記リード電極１６は、膜厚１．５〜２．５μｍ
のＣｕ等のパターンメッキによって形成する。その結
果、図７に示すように、Ａｌ₂ Ｏ₃ 膜１４上に所定形状
を有する下層シールド磁性体１５及び所定配線パターン
を有するリード電極１６が形成される。

【００３３】そして、下層シールド磁性体１５及びリー
ド電極１６を平坦化するために、図８に示すように、こ
れらの上に膜厚３〜５μｍのＡｌ₂ Ｏ₃ 膜１７をスパッ
タリングにより成膜する。しかる後、機械研磨を施して
図９に示すように、Ａｌ₂ Ｏ₃ 膜１７を平坦化して下層
シールド磁性体１５及びリード電極１６を露出させる。
平坦化終了後の下層シールド磁性体１５とリード電極１
６の厚さを１〜２μｍとする。

【００３４】次に、下層シールド磁性体１５上に磁気的
相互作用低減層を形成する。磁気的相互作用低減層を形
成するには、先ず図１０に示すように、下層シールド磁
性体１５及びＡｌ₂ Ｏ₃ 膜１７上に絶縁性を有する第１
の非磁性材料膜１８をスパッタリングして形成する。非
磁性材料膜１８としては、膜厚３００〜４００ｎｍのＡ
ｌ₂ Ｏ₃ 膜を用いた。

【００３５】次に、下層シールド磁性体１５のデプス零
位置よりもＡＢＳ面側に形成される第１の非磁性材料膜
１８を除去する。すなわち、図１１に示すように、第１
の非磁性材料膜１８のＡＢＳ面側の端面１８ａを傾斜面
とするように、図中破線で示す部分をパターニング及び
エッチングによって除去する。

【００３６】この結果、第１の非磁性材料膜１８の端面
１８ａは傾斜面とされ、その先端位置Ｄが再生磁気ギャ
ップのデプス零位置となる。本実施例では、研削部の下
層シールド磁性体１５とＡｌ₂ Ｏ₃ 膜１７に接する部分
のデプス方向の長さＬを４０μｍとした。

【００３７】次に、エッチングによって表面性が劣化し
た第１の非磁性材料膜１８の表面性の改善及びエッジの
緩和並びに膜厚・形状を規制する目的で、図１２に示す
第１の非磁性材料膜１８の端面１８ａ及び上面１８ｂに
ケミカル研磨を施す。

【００３８】ケミカル研磨は、粒子径１〜７００ｎｍ程
度のコロイダルシリカ（ＳｉＯ₂ ）系超微粒子をｐＨ９
〜１２程度のアルカリ性溶液に分散させた研磨液（Ｓｉ
Ｏ₂砥粒濃度は１０〜３０ｗｔ％程度とする。）と、高
分子樹脂等からなる発砲ポリウレタン系の人工皮革やポ
リエステル不織布、または硬軟質二層構造ポリシャ等の
研磨布を組み合わせて被研磨物である基板を研磨する方
法である。

【００３９】このケミカル研磨は、研磨液中のＳｉＯ₂
砥粒による機械的研磨とアルカリ性溶液による化学的な
エッチングを組み合わせた複合研磨であり、両者の相互
作用により表面粗度が中心線平均粗さＲａで１ｎｍ以下
程度の鏡面研磨を可能となすものである。また、ケミカ
ル研磨においては、研磨液のｐＨを変化させることによ
り化学的エッチング速度を変化させることが可能であ
り、研磨液中の砥粒を例えばダイヤモンドやＺｒＯ₂ 等
に変える、或いは研磨液中の砥粒濃度を変えることによ
り機械的研磨速度を変化させ、研磨布の種類を変えるこ
とにより総合的な研磨速度を変化させることが可能であ
る。

【００４０】上述のケミカル研磨を行うことにより、中
心線平均粗さＲａが１ｎｍ以下の鏡面加工を行うことが
でき、表面性の良好な磁気的相互作用低減層１９が形成
される。

【００４１】次に、下層ギャップ膜として第２の非磁性
材料膜２０を、図１３に示すように、下層シールド磁性
体１５及び磁気的相互作用低減層１９上に形成する。す
なわち、絶縁性を有する第２の非磁性材料膜２０を磁気
的相互作用低減膜１９、下層シールド磁性体１５及びＡ
ｌ₂ Ｏ₃ 膜１７上に形成する。なお、本実施例において
は、第２の非磁性材料膜２０として膜厚３０〜４０ｎｍ
のＡｌ₂ Ｏ₃ 膜を形成した。

【００４２】次に、図１４に示すように、ＡＢＳ面近傍
においてＭＲ素子が配置されるトラック幅以外の部分の
第２の非磁性材料膜２０をパターニングした後、エッチ
ングして除去することにより、この第２の非磁性材料膜
２０の下に設けられた下層シールド磁性体１５を露出さ
せる。

【００４３】すなわち、媒体との対接面となるＡＢＳ面
近傍において、その長手方向がＡＢＳ面に対して垂直に
配されるＭＲ素子のトラック幅方向における両側縁近傍
部に長方形パターンとなるように第２の非磁性材料膜２
０を除去し、第１のシールド磁性体接続用開口部２１を
形成する。なお、これら第１のシールド磁性体接続用開
口部２１，２１の対向間距離Ｗは、少なくとも再生磁気
ギャップのトラック幅よりも大きくする必要がある。

【００４４】次に、第２の非磁性材料膜２０の面粗度の
向上とエッジのさらなる緩和を目的として、この第２の
非磁性材料膜２０をケミカル研磨する。その結果、図１
５に示すような表面性が良好で、厚さが良好に制御され
た下層ギャップ膜２２が形成される。

【００４５】次に、リード電極１６の端子部となる部分
に積層される下層ギャップ膜２２をエッチング等によっ
て除去し、該リード電極１６の電気的接続をとるための
コンタクトホールを形成する。以上の工程で、所定ギャ
ップ長を有し、且つデプス零以降のＭＲ素子と下層シー
ルド磁性体１５間の磁気的相互作用を低減させるに充分
である構造が形成される。

【００４６】次に、図１５及び図１６に示すように、Ｍ
Ｒ素子２３を下層ギャップ膜２２上に形成する。ＭＲ素
子２３を形成するに際しては、パーマロイをスパッタリ
ングや蒸着によってその膜厚が１００ｎｍ以下となるよ
うに形成する。また、かかるＭＲ素子２３は、先の第１
のシールド磁性体接続用開口部２１，２１の対向間に、
その長手方向がＡＢＳ面に対して垂直となるように平面
長方形パターンとして形成する。また、当然のことなが
ら、再生ギャップのデプス零位置Ｄを跨ぐようにしてＡ
ＢＳ面側からバック側へ亘って形成する。

【００４７】なお、以下の工程をより判り易くするため
に、前述の工程で作製した磁気的相互作用低減層１９
は、図１７に示すようにそれ以降の工程図で省略するも
のとする。

【００４８】次に、図１８に示すように、ＭＲ素子２３
と後述のバイアス導体の電気的絶縁を図るために、Ｓｉ
Ｏ₂ 等の絶縁膜２４を下層ギャップ膜２２及びＭＲ素子
２３上に形成する。そして、図１９に示すように、ＭＲ
素子２３の後端部２３ａに電気的接続をとるためのコン
タクトホール２５とリード電極と電気的接続をとるため
のリード電極用コンタクトホールを上記絶縁膜２４を除
去することにより形成する。

【００４９】次いで、図２０に示すように、バイアス磁
界を発生させるためのバイアス導体２６とＭＲ素子２３
にセンス電流を流すための導体２７を、絶縁膜２４上並
び一部下層ギャップ膜２２上に形成する。

【００５０】バイアス導体２６は、このバイアス導体２
６に流れるバイアス電流の方向がＭＲ素子２３のセンス
電流の方向に対して垂直になるように形成する。一方、
センス電流を通電する導体２７は、その一部がコンタク
トホール２５においてＭＲ素子２３の後端部２３ａに接
続されるように形成する。なお、これらバイアス導体２
６及び導体２７は、Ｔｉ／Ｃｕ／Ｔｉ等をスパッタリン
グによって成膜した後、所定形状に加工することにより
形成する。

【００５１】次に、図２１に示すように、ＳｉＯ₂ 等の
絶縁膜２８を、ＭＲ素子２３上に設けられる絶縁膜２
４、バイアス導体２６及び導体２７上に形成する。次い
で、ＭＲ素子２３の先端部２３ｂに電気的接続をとるた
めのコンタクトホール３０を、図２２及び２３に示すよ
うに、絶縁膜２４，２８のエッチングによって形成す
る。

【００５２】次に、ＭＲ素子２３にセンス電流を流す電
極としての機能と再生ギャップ膜としての機能を兼ね備
えるＴｉ等からなる上層ギャップ膜３１を、上記コンタ
クトホール３０に接続するようにして絶縁膜２８上に形
成する。

【００５３】そして、図２４に示すように、先の第１の
シールド磁性体接続用開口部２１と対向する部分の上層
ギャップ膜３１を、パターニングした後エッチングして
下層シールド磁性体１５を露出させる。この結果、下層
シールド磁性体１５を露出させる第２のシールド磁性体
接続用開口部２９，２９が形成される。

【００５４】次に、図２５に示すように、再生用の磁路
となる上層シールド磁性体３２を、上記上層ギャップ膜
３１上に形成する。この結果、上層シールド磁性体３２
は、第２のシールド磁性体接続用開口部２９，２９で下
層シールド磁性体１５と磁気的に接続される。そして、
図２６に示すように、下層シールド磁性体１５と上層シ
ールド磁性体３２間に、ＭＲ素子２３及びバイアス導体
２６が配置されたＭＲヘッドが完成する。

【００５５】次に、上記ＭＲヘッド上に記録用のインダ
クティブヘッドの形成を行う。ここで形成するインダク
ティブヘッドは、上記ＭＲヘッドの上層シールド磁性体
３２を一方の記録用磁気コアとして使用するヘッドであ
る。

【００５６】インダクティブヘッドを形成するには、先
ず、図２７に示すように上層シールド磁性体３２上にＡ
ｌ₂ Ｏ₃ をスパッタリングして記録ギャップ膜３３を形
成する。そして、上記記録ギャップ膜３３の一部を除去
して後述する記録用薄膜磁気コアと上層シールド磁性体
３２との磁気的結合を図るためのコンタクトホール３４
を形成する。

【００５７】次に、上層シールド磁性体３２と後述の記
録用コイルとの絶縁を図ると共に、平坦なコイル形成面
を得るために、有機材料よりなる第１の平坦化層３５を
記録ギャップ膜３３上に形成する。続いて、上記第１の
平坦化層３５上にＣｕのパターンメッキにより記録用コ
イル３６を形成する。

【００５８】次に、上記記録用コイル３６上に該記録用
コイル３６と後述の記録用薄膜磁気コアとの絶縁を図る
と共に、平坦な磁気コア形成面を得るために、有機材料
よりなる第２の平坦化層３７を第１の平坦化層３５及び
記録用コイル３６上に形成する。次いで、上記第２の平
坦化層３７上に、もう一方の記録用薄膜磁気コア３８を
パーマロイ等の磁性材料をメッキし又はスパッタリング
した後、所定形状に加工して形成し、インダクティブヘ
ッドを完成する。

【００５９】そして、上記記録用薄膜磁気コア３８上
に、素子の保護のためにＡｌ₂ Ｏ₃ 等よりなる保護膜３
９を形成する。次いで、図示しない外部回路との接続端
子を形成し、スライダー加工を行って３ポール構造の複
合型磁気ヘッドを完成する。

【００６０】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明は、ＭＲ素子を下層シールド磁性体と上層シールド磁
性体とによって挟み込んだシールド型構成をとる磁気抵
抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気記録媒体との対接面
近傍における再生ギャップのトラック幅以外の部分にお
いて下層シールド磁性体と上層シールド磁性体を磁気的
に接続しているので、再生トラック以外の隣接トラック
からヘッドに入り込む磁束を磁気的結合部分よりヘッド
後方へと入り込むのを防止することができる。

【００６１】したがって、本発明の磁気抵抗効果型磁気
ヘッドにおいては、再生トラック以外の部分から入り込
んだ磁束がＭＲ素子にバイアス磁界を印加するバイアス
導体と交差しなくなり、その結果誘導磁気効果の発生を
回避することができ、クロストーク特性の向上並びに高
トラック密度を得ることができる。

【００６２】また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造方法においては、ＡＢＳ面近傍のＭＲ素子が
配置されるトラック幅以外の部分に成膜されるギャップ
膜を除去して下層シールド磁性体を露出させた後、その
露出する下層シールド磁性体上に上層シールド磁性体を
磁気的に接続させるようにしているので、簡単なプロセ
スでＡＢＳ面側において該下層シールド磁性体と上層シ
ールド磁性体を磁気的に接続してなるクロストーク特性
に優れた磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＭＲヘッドの平面図である。

【図２】図１中Ｙ−Ｙ線で示す位置におけるＭＲヘッド
の要部拡大断面図である。

【図３】図１中Ｘ−Ｘ線で示す位置におけるＭＲヘッド
の要部拡大断面図である。

【図４】図１に示すＭＲヘッドのクロストーク特性を示
す特性図である。

【図５】３ポール構造の複合型磁気ヘッドの製造方法を
工程順に示すものであり、基板上にＡｌ₂ Ｏ₃ 膜と下層
シールド磁性体を形成する工程を示す断面図である。

【図６】３ポール構造の複合型磁気ヘッドの製造方法を
工程順に示すものであり、Ａｌ ₂ Ｏ₃ 膜上にリード電極
を形成する工程を示す断面図である。

【図７】３ポール構造の複合型磁気ヘッドの製造方法を
工程順に示すものであり、下層シールド磁性体とリード
電極が形成された状態を示す平面図である。

【図８】３ポール構造の複合型磁気ヘッドの製造方法を
工程順に示すものであり、下層シールドコアにＡｌ₂ Ｏ
₃ 膜を形成する工程を示す断面図である。

【図９】３ポール構造の複合型磁気ヘッドの製造方法を
工程順に示すものであり、Ａｌ ₂ Ｏ₃ 膜を平坦化し、下
層シールド磁性体とリード電極を露出させる工程を示す
断面図である。

【図１０】３ポール構造の複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、下層シールド磁性体上に第
１の非磁性材料膜を形成する工程を示す断面図である。

【図１１】３ポール構造の複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、第１の非磁性材料膜の研削
部を除去する工程を示す断面図である。

【図１２】３ポール構造の複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、第１の非磁性材料膜にケミ
カル研磨を施し、磁気的相互作用低減層を形成する工程
を示す断面図である。

【図１３】３ポール構造の複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、磁気的相互作用低減層上に
第２の非磁性材料膜を形成する工程を示す断面図であ
る。

【図１４】３ポール構造の複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、下層ギャップ膜除去工程を
示す平面図である。

【図１５】３ポール構造の複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、下層ギャップ膜上にＭＲ素
子を形成する工程を示す断面図である。

【図１６】３ポール構造の複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、下層ギャップ膜上にＭＲ素
子を形成する工程を示す平面図である。

【図１７】３ポール構造の複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、ＭＲ素子を形成した状態を
簡略して示す断面図である。

【図１８】３ポール構造の複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、ＭＲ素子上に絶縁膜を形成
する工程を示す断面図である。

【図１９】３ポール構造の複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、絶縁膜にコンタクトホール
を形成する工程を示す断面図である。

【図２０】３ポール構造の複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、バイアス導体と導体を形成
する工程を示す断面図である。

【図２１】３ポール構造の複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、バイアス導体上に絶縁膜を
形成する工程を示す断面図である。

【図２２】３ポール構造の複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、絶縁膜にコンタクトホール
を形成する工程を示す断面図である。

【図２３】３ポール構造の複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、絶縁膜にコンタクトホール
を形成する工程を示す平面図である。

【図２４】３ポール構造の複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、上層ギャップ膜を除去する
工程を示す平面図である。

【図２５】３ポール構造の複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、上層シールド磁性体を形成
する工程を示す断面図である。

【図２６】３ポール構造の複合型磁気ヘッドの製造方法
を工程順に示すものであり、ＭＲヘッドが完成した状態
を示す平面図である。

【図２７】ＭＲヘッドとインダクティブヘッドを同一基
板上に積層した３ポール構造の複合型磁気ヘッドが完成
した状態を示す断面図である。

【図２８】従来のＭＲヘッドの平面図である。

【図２９】図２８のＣ−Ｃ線で示す位置におけるＭＲヘ
ッドの要部拡大断面図である。

【図３０】図２８のＢ−Ｂ線で示す位置におけるＭＲヘ
ッドの要部拡大断面図である。

【図３１】図２８に示すＭＲヘッドのクロストーク特性
を示す特性図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 下層シールド磁性体 ３ 上層シールド磁性体 ４ ＭＲ素子 ５ 導体配線 ６ ＡＢＳ面 ７ 下層ギャップ膜 １０ 上層ギャップ膜 １２ 保護層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気抵抗効果素子を非磁性絶縁膜を介し
   て下層シールド磁性体と上層シールド磁性体とによって
   挟み込んでなり、磁気記録媒体との対接面に再生磁気ギ
   ャップを形成してなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおい
   て、 上記磁気記録媒体との対接面近傍における再生磁気ギャ
   ップのトラック幅以外の部分において下層シールド磁性
   体と上層シールド磁性体を磁気的に接続したことを特徴
   とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 基板上に形成された下層シールド磁性体
   の上に下層ギャップ膜を成膜する工程と、 磁気記録媒体との対接面近傍において磁気抵抗効果素子
   が配置されるトラック幅以外の部分の下層ギャップ膜を
   除去し、下層シールド磁性体を露出させる工程と、 上記下層ギャップ膜上に磁気記録媒体との対接面に対し
   てその長手方向が垂直となるように磁気抵抗効果素子を
   形成する工程と、 上記露出した下層シールド磁性体上も含めて上記磁気抵
   抗効果素子上に上層ギャップ膜を成膜する工程と、 磁気記録媒体との対接面近傍において磁気抵抗効果素子
   が配置されたトラック幅以外の部分の上層ギャップ膜を
   除去し、上記下層シールド磁性体を露出させる工程と、 上記上層ギャップ膜上に上層シールド磁性体を積層し、
   磁気記録媒体との対接面近傍に露出した下層シールド磁
   性体とこの上層シールド磁性体を磁気的に接続させる工
   程を有してなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。