JPH0720510A - 全光素子 - Google Patents
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- JPH0720510A JPH0720510A JP5164455A JP16445593A JPH0720510A JP H0720510 A JPH0720510 A JP H0720510A JP 5164455 A JP5164455 A JP 5164455A JP 16445593 A JP16445593 A JP 16445593A JP H0720510 A JPH0720510 A JP H0720510A
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- light
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F3/00—Optical logic elements; Optical bistable devices
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/3515—All-optical modulation, gating, switching, e.g. control of a light beam by another light beam
- G02F1/3517—All-optical modulation, gating, switching, e.g. control of a light beam by another light beam using an interferometer
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/212—Mach-Zehnder type
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3136—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of interferometric switch type
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- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 実励起型非線形屈折率変化（バンド充填効果
による屈折率変化）を用いた、高効率全高素子の遅いス
イッチオフ時間を飛躍的に短縮する。 【構成】 マッハツェンダー型全光スイッチの両アーム
に同等の光学非線形性を持たせ、片アームを励起するこ
とによりスイッチオンを、他のアームを励起することに
よりスイッチオフを超高速で行う。 【効果】 低励起パワーで動作可能な、バンド充填効果
を用いた素子で、１ピコ秒という、超高速スイッチング
が可能になる。
による屈折率変化）を用いた、高効率全高素子の遅いス
イッチオフ時間を飛躍的に短縮する。 【構成】 マッハツェンダー型全光スイッチの両アーム
に同等の光学非線形性を持たせ、片アームを励起するこ
とによりスイッチオンを、他のアームを励起することに
よりスイッチオフを超高速で行う。 【効果】 低励起パワーで動作可能な、バンド充填効果
を用いた素子で、１ピコ秒という、超高速スイッチング
が可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光で光を直接制御する全
光素子、特に光ファイバー通信や光情報処理等の分野で
光制御素子として用いられる超高速全光素子に関する。
光素子、特に光ファイバー通信や光情報処理等の分野で
光制御素子として用いられる超高速全光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバー通信や光情報処理システム
高速化には、光制御を行う素子の高速化が必要不可欠で
ある。従来の光制御素子においては、電気信号により光
制御を行う方法（電気−光制御）が取られてきたが、近
年、より高速の動作が期待される方法として、光により
光を直接制御する方法（光−光制御）が注目されてい
る。光−光制御方式を用いた場合の利点として、電気回
路のＣＲ時定数により動作速度が制限されないこと、電
気パルスよりも超短パルスの発生が可能な光パルスが直
接利用可能なことが挙げられる。しかし、このような全
光素子を実現するためには、多くの課題が残されてい
る。特に全光素子の実現においては、幾つもの条件を同
時に満足する必要があることを忘れてはならない。これ
らは素子としての機能、低パワー特性、信号光の高透過
率、そして高い繰り返しスイッチング速度等である。機
能に関しては制御光により信号光のルートを切り替える
という機能、および従属接続が可能なことが望ましい。
これらを満足する素子形態として、マッハツェンダー型
もしくは方向性結合器型の導波路素子が考えられる。こ
のうち前者の動作に必要な光パワーが後者の約半分であ
るため、マッハツェンダー型導波路素子が最も優れてい
ると考えられる。
高速化には、光制御を行う素子の高速化が必要不可欠で
ある。従来の光制御素子においては、電気信号により光
制御を行う方法（電気−光制御）が取られてきたが、近
年、より高速の動作が期待される方法として、光により
光を直接制御する方法（光−光制御）が注目されてい
る。光−光制御方式を用いた場合の利点として、電気回
路のＣＲ時定数により動作速度が制限されないこと、電
気パルスよりも超短パルスの発生が可能な光パルスが直
接利用可能なことが挙げられる。しかし、このような全
光素子を実現するためには、多くの課題が残されてい
る。特に全光素子の実現においては、幾つもの条件を同
時に満足する必要があることを忘れてはならない。これ
らは素子としての機能、低パワー特性、信号光の高透過
率、そして高い繰り返しスイッチング速度等である。機
能に関しては制御光により信号光のルートを切り替える
という機能、および従属接続が可能なことが望ましい。
これらを満足する素子形態として、マッハツェンダー型
もしくは方向性結合器型の導波路素子が考えられる。こ
のうち前者の動作に必要な光パワーが後者の約半分であ
るため、マッハツェンダー型導波路素子が最も優れてい
ると考えられる。
【０００３】どのような形態であろうとも、全光素子の
動作は非線形屈折率変化に基づく。即ち非線形屈折率変
化の速度や効率が、素子の速度や動作エネルギーを決め
る。種々の非線形屈折率変化を伴う非線形光学現象があ
るが、これらを大別すると、まず共鳴増強型現象である
か否かに分けられよう。非共鳴型効果を利用すれば、現
状でもＴＨｚ以上の超高繰り返し動作の可能な素子は考
えられるが、問題は非常に高い光パワーが要求される事
である。そこで共鳴増強により光強度を低減する事が考
えられるが、共鳴増強型効果はコヒーレント効果か否か
に大別される。
動作は非線形屈折率変化に基づく。即ち非線形屈折率変
化の速度や効率が、素子の速度や動作エネルギーを決め
る。種々の非線形屈折率変化を伴う非線形光学現象があ
るが、これらを大別すると、まず共鳴増強型現象である
か否かに分けられよう。非共鳴型効果を利用すれば、現
状でもＴＨｚ以上の超高繰り返し動作の可能な素子は考
えられるが、問題は非常に高い光パワーが要求される事
である。そこで共鳴増強により光強度を低減する事が考
えられるが、共鳴増強型効果はコヒーレント効果か否か
に大別される。
【０００４】超高速応答を達成するためには、応答時間
が電子系の縦緩和時間により制限されないコヒーレント
効果が望ましい。ここで言うコヒーレント効果とは、光
と物質が相互作用する間、電子系の波動関数の位相と光
の位相の間に厳密な相関が保たれるものを言う。このた
めには光のパルス幅が物質の位相緩和時間（室温バルク
ＧａＡｓで０．１−０．２ｐｓ程度）より短いことが条
件となる。パルス幅が位相緩和時間より広い場合はキャ
リアの実励起が生じ、実励起による遅い縦緩和により動
作速度が制限されると同時に、コヒーレント効果の発現
を妨げることになる。光パルス幅が位相緩和時間より短
い場合でも、実際には２光子吸収等で実励起が生ずるこ
とが指摘されている。実励起の蓄積は、パルス繰り返し
周波数が高いほど顕著になる。したがって１００ＭＨｚ
程度（キャリア寿命より遅い）のモードロックレーザの
発生するフェムト秒級極超短パルスで観測可能な超光速
現像も、繰り返し周波数を挙げていくと実励起の影響に
より観測されなくなると予想される。以上の理由によ
り、現状ではＡＣ−Ｓｔａｒｋ効果等の共鳴増強型コヒ
ーレント効果を利用して超高繰り返し動作が可能な全光
素子を実現することは不可能と考えられる。
が電子系の縦緩和時間により制限されないコヒーレント
効果が望ましい。ここで言うコヒーレント効果とは、光
と物質が相互作用する間、電子系の波動関数の位相と光
の位相の間に厳密な相関が保たれるものを言う。このた
めには光のパルス幅が物質の位相緩和時間（室温バルク
ＧａＡｓで０．１−０．２ｐｓ程度）より短いことが条
件となる。パルス幅が位相緩和時間より広い場合はキャ
リアの実励起が生じ、実励起による遅い縦緩和により動
作速度が制限されると同時に、コヒーレント効果の発現
を妨げることになる。光パルス幅が位相緩和時間より短
い場合でも、実際には２光子吸収等で実励起が生ずるこ
とが指摘されている。実励起の蓄積は、パルス繰り返し
周波数が高いほど顕著になる。したがって１００ＭＨｚ
程度（キャリア寿命より遅い）のモードロックレーザの
発生するフェムト秒級極超短パルスで観測可能な超光速
現像も、繰り返し周波数を挙げていくと実励起の影響に
より観測されなくなると予想される。以上の理由によ
り、現状ではＡＣ−Ｓｔａｒｋ効果等の共鳴増強型コヒ
ーレント効果を利用して超高繰り返し動作が可能な全光
素子を実現することは不可能と考えられる。
【０００５】これに対してキャリア実励起による共鳴型
インコヒーレント効果の場合は１ワット以下の低パワー
動作が可能と考えられるため、極めて現実的である。し
かしながら、そのスイッチオフ時間（非線形屈折率の緩
和時間）はキャリアの縦緩和時間（バンド間再結合時
間）により制限される。バンド間再結合時間はＧａＡｓ
の場合数ナノ秒であるため、光の高速性を生かすことが
出来ない。
インコヒーレント効果の場合は１ワット以下の低パワー
動作が可能と考えられるため、極めて現実的である。し
かしながら、そのスイッチオフ時間（非線形屈折率の緩
和時間）はキャリアの縦緩和時間（バンド間再結合時
間）により制限される。バンド間再結合時間はＧａＡｓ
の場合数ナノ秒であるため、光の高速性を生かすことが
出来ない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで何らかの方法
で、バンド充填効果のような、共鳴型インコヒーレント
効果の緩和時間を短縮することが望ましい。バンド充填
効果の緩和時間の高速化にはいくつかの方法が考えられ
る。例えばプロトン照射等により再結合中心を導入する
ことであるが、場合によっては非線形性の低下が考えら
れる。表面準位による緩和時間の高速化はエタロンのよ
うな単純形態では有効であるが、導波路素子との整合性
に疑問が残る上、高速化にも限界がある。何れにしても
従来のこれらの方法では、光の高速性を発揮するピコ秒
オーダーの動作は不可能であり、同時に非線形性の低下
などの問題が伴った。
で、バンド充填効果のような、共鳴型インコヒーレント
効果の緩和時間を短縮することが望ましい。バンド充填
効果の緩和時間の高速化にはいくつかの方法が考えられ
る。例えばプロトン照射等により再結合中心を導入する
ことであるが、場合によっては非線形性の低下が考えら
れる。表面準位による緩和時間の高速化はエタロンのよ
うな単純形態では有効であるが、導波路素子との整合性
に疑問が残る上、高速化にも限界がある。何れにしても
従来のこれらの方法では、光の高速性を発揮するピコ秒
オーダーの動作は不可能であり、同時に非線形性の低下
などの問題が伴った。
【０００７】本発明の目的は、以上のような非線形材料
の物性上の問題を緩和する光回路、すなわち、そのスイ
ッチオフ時間が非線形効果の縦緩和時間に依存してない
マッハツェンダー型全光素子を提供することである。
の物性上の問題を緩和する光回路、すなわち、そのスイ
ッチオフ時間が非線形効果の縦緩和時間に依存してない
マッハツェンダー型全光素子を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の制御光で非制御
光を制御するマッハツェンダー型全光スイッチは、マッ
ハツェンダー系を構成する両アームの各々の少なくとも
一部が３次の光学非線形性を示す材料により構成され、
かつ該マッハツェンダー系の両アームの各々の光学非線
形性発現部に制御光を導入する手段を有することを特徴
とする。
光を制御するマッハツェンダー型全光スイッチは、マッ
ハツェンダー系を構成する両アームの各々の少なくとも
一部が３次の光学非線形性を示す材料により構成され、
かつ該マッハツェンダー系の両アームの各々の光学非線
形性発現部に制御光を導入する手段を有することを特徴
とする。
【０００９】また本発明の制御光で非制御光を制御する
マッハツェンダー型全光スイッチは、マッハツェンダー
系を構成する両アームの各々の少なくとも一部が吸収飽
和特性とそれに伴う非線形性屈折率示す材料により構成
され、かつ該マッハツェンダー系の両アームの各々の光
学非線形性発現部に制御光を導入する手段を有すること
を特徴とする。
マッハツェンダー型全光スイッチは、マッハツェンダー
系を構成する両アームの各々の少なくとも一部が吸収飽
和特性とそれに伴う非線形性屈折率示す材料により構成
され、かつ該マッハツェンダー系の両アームの各々の光
学非線形性発現部に制御光を導入する手段を有すること
を特徴とする。
【００１０】また本発明の制御光で非制御光を制御する
マッハツェンダー型全光素子は、構成要素であるマッハ
ツェンダー系の両アームが３次光学非線形性を示す材料
からなり、かつ該マッハツェンダー系の両アームの各々
の光学非線形性発現部に制御光を導入する手段を有する
が、さらに前記の両アームの光学非線形性の特性がほぼ
等しいことを特徴とする。
マッハツェンダー型全光素子は、構成要素であるマッハ
ツェンダー系の両アームが３次光学非線形性を示す材料
からなり、かつ該マッハツェンダー系の両アームの各々
の光学非線形性発現部に制御光を導入する手段を有する
が、さらに前記の両アームの光学非線形性の特性がほぼ
等しいことを特徴とする。
【００１１】また本発明の制御光で非制御光を制御する
マッハツェンダー型全光素子は、構成要素であるマッハ
ツェンダー系の両アームが３次の光学非線形性を示す材
料により構成されるが、さらに単一の制御光をほぼ２分
し、これらを前記２ヵ所の光学非線形性発現部に有限の
時間差をもって導入する手段を有する事を特徴とする。
マッハツェンダー型全光素子は、構成要素であるマッハ
ツェンダー系の両アームが３次の光学非線形性を示す材
料により構成されるが、さらに単一の制御光をほぼ２分
し、これらを前記２ヵ所の光学非線形性発現部に有限の
時間差をもって導入する手段を有する事を特徴とする。
【００１２】また本発明の制御光で非制御光を制御する
マッハツェンダー型全光スイッチは、マッハツェンダー
系を構成する両アームの複数部が有限の３次の光学非線
形性を示す材料により構成され、かつ該マッハツェンダ
ー系の両アームの複数の光学非線形性発現部のそれぞれ
に独立して制御光を導入する手段を有することを特徴と
する。
マッハツェンダー型全光スイッチは、マッハツェンダー
系を構成する両アームの複数部が有限の３次の光学非線
形性を示す材料により構成され、かつ該マッハツェンダ
ー系の両アームの複数の光学非線形性発現部のそれぞれ
に独立して制御光を導入する手段を有することを特徴と
する。
【００１３】
【実施例】本発明を説明する前に従来技術について説明
する。
する。
【００１４】図８に従来のマッハツェンダー型全光素子
を示す。マッハツェンダー型全光スイッチは同図に示す
ように、３ｄＢカプラー、波長選択カプラー、非線形性
材料からなる導波路、そしてそれらを接続する通常の光
導波路からなる。入出力ポート、３ｄＢ及び波長選択カ
プラー、そしてそれらを接続する導波路は光ファイバー
により構成され、非線型導波路はＧａＡｓコア／ＡｌＧ
ａＡｓクラッドの半導体導波路である。（全てのコンポ
ーネントを半導体で構成してもよい）。入力ポートＡよ
り信号光は系に入り、３ｄＢカプラー１により２分さ
れ、アームＡ及びＢへと導かれる。両アームを伝搬した
信号光は３ｄＢカプラー２内で干渉し、合波される。３
ｄＢカプラー内で干渉・合波された信号光の行き先は、
両アームを伝搬してきた光の３ｄＢカプラーの干渉部に
於ける相対位相により決まる。すなわち、両アームの光
学長（屈折率を考慮した光の伝搬距離）が全く等しいと
きには、合波後の信号光は出力ポートＡ及びＢへ再び２
分される。しかしアームＡの光学長がＢよりも１／４波
長短いときは、合波された信号光は全てポートＡへ導か
れる。逆にアームＡの光学長がＢよりも１／４波長、長
いときは、合波された信号光は全てポートＢへ導かれ
る。従って、アームＡもしくはＢの光学長を変化させれ
ば、入力ポートＡに入射した信号光の行き先（出力ポー
トＡもしくはＢ）を選ぶことが可能である。光学長は実
際の距離ｘ屈折率であるため、従来例ではアームＢに非
線形材料を挿入し、これを光学的に励起することにより
同アーム中の非線形導波路の屈折率、従って同アームの
光学長を変化させる。
を示す。マッハツェンダー型全光スイッチは同図に示す
ように、３ｄＢカプラー、波長選択カプラー、非線形性
材料からなる導波路、そしてそれらを接続する通常の光
導波路からなる。入出力ポート、３ｄＢ及び波長選択カ
プラー、そしてそれらを接続する導波路は光ファイバー
により構成され、非線型導波路はＧａＡｓコア／ＡｌＧ
ａＡｓクラッドの半導体導波路である。（全てのコンポ
ーネントを半導体で構成してもよい）。入力ポートＡよ
り信号光は系に入り、３ｄＢカプラー１により２分さ
れ、アームＡ及びＢへと導かれる。両アームを伝搬した
信号光は３ｄＢカプラー２内で干渉し、合波される。３
ｄＢカプラー内で干渉・合波された信号光の行き先は、
両アームを伝搬してきた光の３ｄＢカプラーの干渉部に
於ける相対位相により決まる。すなわち、両アームの光
学長（屈折率を考慮した光の伝搬距離）が全く等しいと
きには、合波後の信号光は出力ポートＡ及びＢへ再び２
分される。しかしアームＡの光学長がＢよりも１／４波
長短いときは、合波された信号光は全てポートＡへ導か
れる。逆にアームＡの光学長がＢよりも１／４波長、長
いときは、合波された信号光は全てポートＢへ導かれ
る。従って、アームＡもしくはＢの光学長を変化させれ
ば、入力ポートＡに入射した信号光の行き先（出力ポー
トＡもしくはＢ）を選ぶことが可能である。光学長は実
際の距離ｘ屈折率であるため、従来例ではアームＢに非
線形材料を挿入し、これを光学的に励起することにより
同アーム中の非線形導波路の屈折率、従って同アームの
光学長を変化させる。
【００１５】すなわち制御光により非線形導波路の屈折
率を変化させることにより、信号光の出力ポートを切り
替えることが出来、従って光で光を直接制御できる（全
光素子動作）。ここで吸収端が８７０ｎｍ程度である非
線形材料（ＧａＡｓ）は信号光の波長（９００ｎｍ）で
は透明なため、信号光の吸収損失はほとんど無い。同様
の理由で、信号光による非線形導波路の屈折率変化は無
視できる程度である。これは前記のごとく信号光の波長
が材料に共鳴しない、すなわち非共鳴励起であるため、
この波長では非常に強い励起を行わない限り大きな屈折
率変化は起きないためである。（無視でき得る程度の小
さな屈折率は起きる）。
率を変化させることにより、信号光の出力ポートを切り
替えることが出来、従って光で光を直接制御できる（全
光素子動作）。ここで吸収端が８７０ｎｍ程度である非
線形材料（ＧａＡｓ）は信号光の波長（９００ｎｍ）で
は透明なため、信号光の吸収損失はほとんど無い。同様
の理由で、信号光による非線形導波路の屈折率変化は無
視できる程度である。これは前記のごとく信号光の波長
が材料に共鳴しない、すなわち非共鳴励起であるため、
この波長では非常に強い励起を行わない限り大きな屈折
率変化は起きないためである。（無視でき得る程度の小
さな屈折率は起きる）。
【００１６】これに対して、波長選択カプラーにより非
線形導波路へと導かれる制御光の波長（８６５ｎｍ）は
非線形導波路のコアの吸収端より短波長であり、従って
制御光は非線形材料に吸収される（インコヒーレント共
鳴励起）。前述のごとく、共鳴励起では低パワー励起で
大きな屈折率変化が起きる。特にこの従来例の様に、共
鳴吸収型の非線形屈折率変化の場合の非線形性は大き
く、動作エネルギーの小さい全光素子が可能である。こ
の様に共鳴吸収型非線形性を用いれば低エネルギー動作
の可能な素子が実現可能であるが、励起された光キャリ
アの縦緩和時間（キャリア寿命）により、動作速度が制
限されるという問題がある。この状況を図８及び図９を
用いて説明する。
線形導波路へと導かれる制御光の波長（８６５ｎｍ）は
非線形導波路のコアの吸収端より短波長であり、従って
制御光は非線形材料に吸収される（インコヒーレント共
鳴励起）。前述のごとく、共鳴励起では低パワー励起で
大きな屈折率変化が起きる。特にこの従来例の様に、共
鳴吸収型の非線形屈折率変化の場合の非線形性は大き
く、動作エネルギーの小さい全光素子が可能である。こ
の様に共鳴吸収型非線形性を用いれば低エネルギー動作
の可能な素子が実現可能であるが、励起された光キャリ
アの縦緩和時間（キャリア寿命）により、動作速度が制
限されるという問題がある。この状況を図８及び図９を
用いて説明する。
【００１７】図９は図８の全光素子の各部に於ける変化
を、横軸を時間として模式的に表したものである。入力
ポートＡへの信号光（波長９００ｎｍ）は、簡単のため
図９に示したような一定強度のものとする。また制御光
による非線形屈折率変化がないときの両アームの長さ
は、信号光が全て出力ポートＢより出射する様に設定さ
れている。波長８６５ｎｍの制御光はパルス幅１０ｐｓ
（ピコ秒）で繰返し周波数は１ＧＨｚ（ギガヘルツ）で
ある。制御光が波長選択カプラーにより非線形導波路に
導かれ、吸収されると、非線形導波路を構成する非線形
材料内には図９に示すようにキャリアが励起される。
を、横軸を時間として模式的に表したものである。入力
ポートＡへの信号光（波長９００ｎｍ）は、簡単のため
図９に示したような一定強度のものとする。また制御光
による非線形屈折率変化がないときの両アームの長さ
は、信号光が全て出力ポートＢより出射する様に設定さ
れている。波長８６５ｎｍの制御光はパルス幅１０ｐｓ
（ピコ秒）で繰返し周波数は１ＧＨｚ（ギガヘルツ）で
ある。制御光が波長選択カプラーにより非線形導波路に
導かれ、吸収されると、非線形導波路を構成する非線形
材料内には図９に示すようにキャリアが励起される。
【００１８】図９に示したように、キャリア数は制御光
パルスが吸収されるに従い急速に増大し、その後自然再
結合過程により減少する。非線形材料の屈折率は、粗い
近似を用いると、内部に励起されたキャリア数とほぼ比
例関係にある。ここで制御光パルスのエネルギーは、ア
ームＢの光学長を半波長変化させる数のキャリアを生成
する程度であれば、出力ポートＡ及びＢからの光出力は
図９に示したように変化する。すなわち制御光によりキ
ャリアが急激に励起されると、それに伴い非線形導波路
の屈折率が変化し、アームＢの光学長が変化するため
に、信号光出力は出力ポートＢからＡへと急激にスイッ
チされる。しかし励起されたキャリアの寿命が数百ｐｓ
であるため、屈折率の回復がこれにより制限される。そ
の結果、短パルスの励起光を用いたにもかかわらず、ス
イッチング波形は図９に見られるように長い尾を引いた
ものになる。
パルスが吸収されるに従い急速に増大し、その後自然再
結合過程により減少する。非線形材料の屈折率は、粗い
近似を用いると、内部に励起されたキャリア数とほぼ比
例関係にある。ここで制御光パルスのエネルギーは、ア
ームＢの光学長を半波長変化させる数のキャリアを生成
する程度であれば、出力ポートＡ及びＢからの光出力は
図９に示したように変化する。すなわち制御光によりキ
ャリアが急激に励起されると、それに伴い非線形導波路
の屈折率が変化し、アームＢの光学長が変化するため
に、信号光出力は出力ポートＢからＡへと急激にスイッ
チされる。しかし励起されたキャリアの寿命が数百ｐｓ
であるため、屈折率の回復がこれにより制限される。そ
の結果、短パルスの励起光を用いたにもかかわらず、ス
イッチング波形は図９に見られるように長い尾を引いた
ものになる。
【００１９】（実施例）本発明は、上記の遅いスイッチ
オフ時間の問題を解決するものである。その構成を図１
に示す。本発明の全光素子は、ほぼ図８の従来例と同じ
あるが、従来例との唯一の相違は、制御光入射ポートを
マッハツェンダー系の両アームに持ち、完全に上下対称
の構成になっている点にある。図１の各部の時間的変化
を図２に示す。信号光は以前と同じ様に一定強度で変化
しない。制御光Ｂの動作は図８と図９に於ける従来例の
制御光と同じで、アームＢの非線形導波路Ｂを光励起’
（キャリア生成）することにより、同非線形導波路の屈
折率を変化させる。ここで、もし制御光Ａが無いとする
と、その動作は図９の場合と全く同じ様に、出力は光吸
収に伴い急激に変化し、その後のキャリア再結合により
緩やかに元に戻る。 ところが本実施例においては、図
２に示したように、制御光Ｂによる励起後５０ｐｓ後に
制御光ＡがアームＡを励起する。制御光Ａのパルスエネ
ルギーは、制御光Ａが非線形導波路Ａを励起する瞬間
に、非線形導波路Ｂ内に残存する数のキャリアを励起す
る程度であり、したがって、制御光Ｂよりも弱い。この
ため制御光Ａが非線形導波路Ａを励起した瞬時に両アー
ムの実効長が同じになる。したがって、その出力光は図
２に示したように、制御光Ｂ励起時に急激に立ち上がり
（スイッチオン）、制御光Ａ励起の瞬間に急激に元に戻
る（スイッチオフ）。この結果、本素子のスイッチング
スピードは、非線形材料の緩和時間に依存しない事にな
る。
オフ時間の問題を解決するものである。その構成を図１
に示す。本発明の全光素子は、ほぼ図８の従来例と同じ
あるが、従来例との唯一の相違は、制御光入射ポートを
マッハツェンダー系の両アームに持ち、完全に上下対称
の構成になっている点にある。図１の各部の時間的変化
を図２に示す。信号光は以前と同じ様に一定強度で変化
しない。制御光Ｂの動作は図８と図９に於ける従来例の
制御光と同じで、アームＢの非線形導波路Ｂを光励起’
（キャリア生成）することにより、同非線形導波路の屈
折率を変化させる。ここで、もし制御光Ａが無いとする
と、その動作は図９の場合と全く同じ様に、出力は光吸
収に伴い急激に変化し、その後のキャリア再結合により
緩やかに元に戻る。 ところが本実施例においては、図
２に示したように、制御光Ｂによる励起後５０ｐｓ後に
制御光ＡがアームＡを励起する。制御光Ａのパルスエネ
ルギーは、制御光Ａが非線形導波路Ａを励起する瞬間
に、非線形導波路Ｂ内に残存する数のキャリアを励起す
る程度であり、したがって、制御光Ｂよりも弱い。この
ため制御光Ａが非線形導波路Ａを励起した瞬時に両アー
ムの実効長が同じになる。したがって、その出力光は図
２に示したように、制御光Ｂ励起時に急激に立ち上がり
（スイッチオン）、制御光Ａ励起の瞬間に急激に元に戻
る（スイッチオフ）。この結果、本素子のスイッチング
スピードは、非線形材料の緩和時間に依存しない事にな
る。
【００２０】以上の事は、次のような簡単な計算によっ
ても確かめられることが出来る。この計算のモデルは以
下のようなものである。
ても確かめられることが出来る。この計算のモデルは以
下のようなものである。
【００２１】・励起パルスはｓｅｃｈ2 型 ・非線形導波路のコア内に励起される光キャリア数Ｎ
は、簡単なレート方程式で記述可能 ｄＮ／ｄｔ＝Ｇ−Ｎ／τ，Ｇ：ｃａｒｒｉｅｒ ｇｅｎ
ｅｒａｔｉｏｎ ｒａｔｅ，τ：ｃａｒｒｉｅｒ ｌｉ
ｆｅｔｉｍｅ ・理想的なマッハツェンダー型全光スイッチ Ｉo u t ＝１／２ｓｉｎ（Δφ−π／２）＋１／２ Δφ＝ｎｏｎｌｉｎｅａｒ ｐｈａｓｅ−ｓｈｉｆｔ ・非線形屈折率変化はキャリア数に比例する ・線形吸収および非線形吸収変化は無視できる そして以下のような動作条件とする。
は、簡単なレート方程式で記述可能 ｄＮ／ｄｔ＝Ｇ−Ｎ／τ，Ｇ：ｃａｒｒｉｅｒ ｇｅｎ
ｅｒａｔｉｏｎ ｒａｔｅ，τ：ｃａｒｒｉｅｒ ｌｉ
ｆｅｔｉｍｅ ・理想的なマッハツェンダー型全光スイッチ Ｉo u t ＝１／２ｓｉｎ（Δφ−π／２）＋１／２ Δφ＝ｎｏｎｌｉｎｅａｒ ｐｈａｓｅ−ｓｈｉｆｔ ・非線形屈折率変化はキャリア数に比例する ・線形吸収および非線形吸収変化は無視できる そして以下のような動作条件とする。
【００２２】 励起パルス幅 １ｐｓ（Ｆ
ＷＨＭ） 非線形屈折率変化の緩和速度 １ｎｓ スイッチング速度＝パルスの時間差 １０ｐｓ 制御光Ａのパルスエネルギー＝０．９９×制御光Ｂパル
スエネルギー 計算結果を図３に示す（図３の値は適当に規格化されて
いる）。制御光Ａは素子をスイッチオフさせるものであ
るが、ここではそれを強調するために負のパルスとして
描かれている。図３における有効キャリア数とは、半導
体導波路Ｂ中のキャリア数から半導体導波路Ａのそれを
引いたものであり、スイッチング波形と同じ様に、スイ
ッチ後にはゼロになるのが望ましい。すなわち、第二の
パルスで第一のパルスによる遅い緩和を完全にキャンセ
ルできる事が分かる。ここでの非線形屈折率変化の緩和
速度は１ｎｓとしたため、両パルスのエネルギー差は無
視できる程度である。しかし何らかの方法で緩和速度を
速くした場合は、パルスエネルギーの関係を適当にする
ことが良好なスイッチング特性を得るためには必要とな
る。
ＷＨＭ） 非線形屈折率変化の緩和速度 １ｎｓ スイッチング速度＝パルスの時間差 １０ｐｓ 制御光Ａのパルスエネルギー＝０．９９×制御光Ｂパル
スエネルギー 計算結果を図３に示す（図３の値は適当に規格化されて
いる）。制御光Ａは素子をスイッチオフさせるものであ
るが、ここではそれを強調するために負のパルスとして
描かれている。図３における有効キャリア数とは、半導
体導波路Ｂ中のキャリア数から半導体導波路Ａのそれを
引いたものであり、スイッチング波形と同じ様に、スイ
ッチ後にはゼロになるのが望ましい。すなわち、第二の
パルスで第一のパルスによる遅い緩和を完全にキャンセ
ルできる事が分かる。ここでの非線形屈折率変化の緩和
速度は１ｎｓとしたため、両パルスのエネルギー差は無
視できる程度である。しかし何らかの方法で緩和速度を
速くした場合は、パルスエネルギーの関係を適当にする
ことが良好なスイッチング特性を得るためには必要とな
る。
【００２３】また本スッイチは、その動作原理上、スイ
ッチオンのみならずスイッチオフも超高速の光吸収によ
るため、スイッチング波形は励起パルスに完全に追随し
ているのみならず、スイッチング速度より短いパルスを
用いれば、図３に見られるような矩形のスイッチング
（デジタルスイッチング）が可能である。このようにス
イッチ速度が非線形屈折率変化の緩和に依存せず、光路
差により決まるため、このような極超短パルスが発生可
能なら、それに見あうスイッチング速度が得られる。
ッチオンのみならずスイッチオフも超高速の光吸収によ
るため、スイッチング波形は励起パルスに完全に追随し
ているのみならず、スイッチング速度より短いパルスを
用いれば、図３に見られるような矩形のスイッチング
（デジタルスイッチング）が可能である。このようにス
イッチ速度が非線形屈折率変化の緩和に依存せず、光路
差により決まるため、このような極超短パルスが発生可
能なら、それに見あうスイッチング速度が得られる。
【００２４】以上の例では、励起光入力ポートが複数あ
ったが、実際問題としては、単一のポートより入力され
た励起光を内部で分割する方が望ましい。この様な例を
図４に示す。ここでは単一の励起光入力ポートより入射
された励起光を、３ｄＢカプラー３でほぼ２等分し、そ
の後アームＡ及びＢへ波長選択カプラーで導いている。
この場合のスイッチング速度は、励起パルスが十分に短
パルスであれば、３ｄＢカプラー３から各々の非線形導
波路への光路長差により決定される。図４より明らかな
ように、非線形導波路Ｂが先に励起されるが、この場合
以下の注意も必要である。すなわち、３ｄＢカプラーは
正確には３ｄＢカプラーではなく、非線形導波路Ａを励
起する瞬間に、非線形導波路Ｂ内に残存する数のキャリ
アを、励起する程度のパルスエネルギーがアームＡへ配
分されるように設定する。
ったが、実際問題としては、単一のポートより入力され
た励起光を内部で分割する方が望ましい。この様な例を
図４に示す。ここでは単一の励起光入力ポートより入射
された励起光を、３ｄＢカプラー３でほぼ２等分し、そ
の後アームＡ及びＢへ波長選択カプラーで導いている。
この場合のスイッチング速度は、励起パルスが十分に短
パルスであれば、３ｄＢカプラー３から各々の非線形導
波路への光路長差により決定される。図４より明らかな
ように、非線形導波路Ｂが先に励起されるが、この場合
以下の注意も必要である。すなわち、３ｄＢカプラーは
正確には３ｄＢカプラーではなく、非線形導波路Ａを励
起する瞬間に、非線形導波路Ｂ内に残存する数のキャリ
アを、励起する程度のパルスエネルギーがアームＡへ配
分されるように設定する。
【００２５】以上説明したごとく、本発明の全光素子
は、両アームの非線形導波路を時間差をもって励起する
ことにより、非線形性の緩和時間に依存しない超高速ス
イッチングを達成する。しかし本発明は、スイッチング
スピードの超高速化は実現するものの、スイッチング周
波数の改善には、さほど貢献しないように考えられる
が、これに関して次に考慮する。図５の全光素子は、不
完全ながら動作周波数の問題の一部を解決した例であ
る。これは図４の素子とほぼ同じあるが、励起光導入部
を２セット有することが特徴である。ここで制御光入力
ポート１及び２の動作は、異なる非線形導波路に依存す
るため、全く独立である。したがって励起光ポート１及
び２を位相は異なるが同一周波数の励起光パルス例で駆
動することにより、２倍の動作周波数が達成される。本
実施例では励起光入力ポートは２セットであるが、これ
を１０セット装備することにより、１０倍の動作周波数
が達成可能である。さらに、これと、ほぼ同様の効果
は、非線形導波路の飽和特性を適当に設定することによ
っても得られる。この状況を図６及び７に示す。
は、両アームの非線形導波路を時間差をもって励起する
ことにより、非線形性の緩和時間に依存しない超高速ス
イッチングを達成する。しかし本発明は、スイッチング
スピードの超高速化は実現するものの、スイッチング周
波数の改善には、さほど貢献しないように考えられる
が、これに関して次に考慮する。図５の全光素子は、不
完全ながら動作周波数の問題の一部を解決した例であ
る。これは図４の素子とほぼ同じあるが、励起光導入部
を２セット有することが特徴である。ここで制御光入力
ポート１及び２の動作は、異なる非線形導波路に依存す
るため、全く独立である。したがって励起光ポート１及
び２を位相は異なるが同一周波数の励起光パルス例で駆
動することにより、２倍の動作周波数が達成される。本
実施例では励起光入力ポートは２セットであるが、これ
を１０セット装備することにより、１０倍の動作周波数
が達成可能である。さらに、これと、ほぼ同様の効果
は、非線形導波路の飽和特性を適当に設定することによ
っても得られる。この状況を図６及び７に示す。
【００２６】図６は、非線形導波路を構成する半導体
（本実施例においてはＧａＡｓもしくはＧａＡｓ／Ａｌ
ＧａＡｓの量子井戸）の、励起子共鳴波長の制御光によ
り励起れた光キャリアの濃度と、同制御光波長に於ける
光透過率の、かなり一般的な関係を示す。半導体内キャ
リア濃度の増加に伴い光吸収率は非線形的に増大し、６
×１０1 7 ／ｃｃ程度で、ほぼゼロになる。これは励起
光強度の増大に伴い吸収率が低下する現像で、吸収飽和
という。従って、この様な半導体導波路を構成し、それ
を端面から光励起する場合に於けるキャリア濃度の導波
路方向分布は、上記吸収飽和特性の影響を強く受ける。
（本実施例においてはＧａＡｓもしくはＧａＡｓ／Ａｌ
ＧａＡｓの量子井戸）の、励起子共鳴波長の制御光によ
り励起れた光キャリアの濃度と、同制御光波長に於ける
光透過率の、かなり一般的な関係を示す。半導体内キャ
リア濃度の増加に伴い光吸収率は非線形的に増大し、６
×１０1 7 ／ｃｃ程度で、ほぼゼロになる。これは励起
光強度の増大に伴い吸収率が低下する現像で、吸収飽和
という。従って、この様な半導体導波路を構成し、それ
を端面から光励起する場合に於けるキャリア濃度の導波
路方向分布は、上記吸収飽和特性の影響を強く受ける。
【００２７】この様子を図７に示す。図７は、半導体導
波路を上記のような条件で光励起した場合における、光
キャリアの分布を模式的に示したものである。横長の長
方形は半導体導波路を示し、説明の簡便のために同導波
路を、Ａ、Ｂ、Ｃの３セクションに分けて考える。ｔは
時間を表し、その時の状態が各々の時間に対応して描か
れている。図７の最上段に示されているように、ｔ＝０
では導波路は、また光励起されていない。ｔ＝１で導波
路は左より光励起され、Ａセクションが吸収飽和を起こ
す。図７では、吸収飽和を起こした部分は斜線により示
される。ｔ＝２に、次の励起パルスが左より導波路を励
起するが、図７の第２列に示されるように、Ａセクショ
ンは既に吸収飽和を起こしているため、パルスはそこを
透過し、Ｂセクションで吸収され、同セクションをブリ
ーチする（吸収飽和を発生する）。
波路を上記のような条件で光励起した場合における、光
キャリアの分布を模式的に示したものである。横長の長
方形は半導体導波路を示し、説明の簡便のために同導波
路を、Ａ、Ｂ、Ｃの３セクションに分けて考える。ｔは
時間を表し、その時の状態が各々の時間に対応して描か
れている。図７の最上段に示されているように、ｔ＝０
では導波路は、また光励起されていない。ｔ＝１で導波
路は左より光励起され、Ａセクションが吸収飽和を起こ
す。図７では、吸収飽和を起こした部分は斜線により示
される。ｔ＝２に、次の励起パルスが左より導波路を励
起するが、図７の第２列に示されるように、Ａセクショ
ンは既に吸収飽和を起こしているため、パルスはそこを
透過し、Ｂセクションで吸収され、同セクションをブリ
ーチする（吸収飽和を発生する）。
【００２８】ｔ＝３で次の励起パルスが来るが、Ａ及び
Ｂセクションは既に吸収飽和を起こしているため、Ｃセ
クションに吸収され、同セクションをブリーチする。こ
こで、半導体内の光キャリアの寿命をｔと同じ時間単位
で２．５とする。図７内の時間ｔ’は、各々のセクショ
ンが光励起を受けてからの局部時間を表わす。ｔ＝３で
は３セクションともブリーチを起こしているが、Ａセク
ションは吸収後既にｔ’＝２の時間が経過している。こ
のためｔ＝４で次のパルスが来る前に、Ａセクションの
吸収飽和は回復する。この状況を図７の右側に示してあ
る。ｔ＝４で励起パルスが再び来るが、Ａセクションの
吸収飽和は回復しているため、Ａクションが励起パルス
を吸収し、再びブリーチされる。この時間に於て、Ｂセ
クションは励起後ｔ’＝２の時間が経過しているため、
図に示したように次励起パルス到着以前に吸収飽和は回
復する。このためｔ＝５では、Ｂセクションが励起パル
スを吸収し、吸収飽和を起こす。
Ｂセクションは既に吸収飽和を起こしているため、Ｃセ
クションに吸収され、同セクションをブリーチする。こ
こで、半導体内の光キャリアの寿命をｔと同じ時間単位
で２．５とする。図７内の時間ｔ’は、各々のセクショ
ンが光励起を受けてからの局部時間を表わす。ｔ＝３で
は３セクションともブリーチを起こしているが、Ａセク
ションは吸収後既にｔ’＝２の時間が経過している。こ
のためｔ＝４で次のパルスが来る前に、Ａセクションの
吸収飽和は回復する。この状況を図７の右側に示してあ
る。ｔ＝４で励起パルスが再び来るが、Ａセクションの
吸収飽和は回復しているため、Ａクションが励起パルス
を吸収し、再びブリーチされる。この時間に於て、Ｂセ
クションは励起後ｔ’＝２の時間が経過しているため、
図に示したように次励起パルス到着以前に吸収飽和は回
復する。このためｔ＝５では、Ｂセクションが励起パル
スを吸収し、吸収飽和を起こす。
【００２９】次にｔ’＝２となったＣセクションが吸収
飽和を回復するが、ｔ＝６にて再びブリーチされる。こ
の様に非線形導波路の吸収飽和特性を適当に設定するこ
とにより、導波路上の空間的に異なる場所が交互に吸収
飽和を起こすため、励起パルスの繰返し周波数が非線形
導波路の緩和時間（キャリア寿命）の逆数より速い場合
でも、これに応答可能である。これは等価的に非線形発
現部を複数備え、これを交互に励起するものであり、原
理的には図５の素子に近いが、各ポートの励起光入力ポ
ートが単数のため、動作的には完全な素子といえる。
飽和を回復するが、ｔ＝６にて再びブリーチされる。こ
の様に非線形導波路の吸収飽和特性を適当に設定するこ
とにより、導波路上の空間的に異なる場所が交互に吸収
飽和を起こすため、励起パルスの繰返し周波数が非線形
導波路の緩和時間（キャリア寿命）の逆数より速い場合
でも、これに応答可能である。これは等価的に非線形発
現部を複数備え、これを交互に励起するものであり、原
理的には図５の素子に近いが、各ポートの励起光入力ポ
ートが単数のため、動作的には完全な素子といえる。
【００３０】以上、スイッチング速度が非線形材料の緩
和時間に制限されない全光素子の関して、例を上げて説
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。本実施例ではＧａＡｓの光キャリアの実励起に
伴う非線形屈折率変化を用いたが、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡ
ｓＰなど、他の半導体や、有機材料など、全ての材料に
適用可能である。また本実施例では、説明の簡単さのた
めに、非線形導波路以外をファーバーなどで作られたコ
ンポーネントで構成したが、これは半導体で全てを構成
することが可能である。また、実施例に於けるマッハツ
ェンダー回路は一対の３ｄＢカプラーにより構成されて
いるが、これはＹ分岐型の分波・合波光回路でもよい。
さらに、波長選択カプラーも機能的に満足できるもので
あえば、その形態は問題ではない。
和時間に制限されない全光素子の関して、例を上げて説
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。本実施例ではＧａＡｓの光キャリアの実励起に
伴う非線形屈折率変化を用いたが、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡ
ｓＰなど、他の半導体や、有機材料など、全ての材料に
適用可能である。また本実施例では、説明の簡単さのた
めに、非線形導波路以外をファーバーなどで作られたコ
ンポーネントで構成したが、これは半導体で全てを構成
することが可能である。また、実施例に於けるマッハツ
ェンダー回路は一対の３ｄＢカプラーにより構成されて
いるが、これはＹ分岐型の分波・合波光回路でもよい。
さらに、波長選択カプラーも機能的に満足できるもので
あえば、その形態は問題ではない。
【００３１】
【発明の効果】本発明により、スイッチング速度が非線
形材料の緩和時間により制限されづ、低パワー・超高速
スイッチングが可能な全光素子可能である。
形材料の緩和時間により制限されづ、低パワー・超高速
スイッチングが可能な全光素子可能である。
【図１】本発明の全光素子の基本形の模式図である。
【図２】図１の本発明の全光素子の各部の動作時間変化
の説明図である。
の説明図である。
【図３】本発明の全光素子の動作のシミュレーションの
結果を示す。
結果を示す。
【図４】本発明の全光素子の、一変形を示す図。
【図５】本発明の全光素子の、他の形態を示す図。
【図６】本発明の全光素子の超高繰り返し動作に望まし
い非線形材料の飽和特性を示す図。
い非線形材料の飽和特性を示す図。
【図７】図６の非線形材料からなる非線形導波路の動作
を概念的に示す図である。
を概念的に示す図である。
【図８】従来のマッハツェンダー型全光素子の模式図で
ある。
ある。
【図９】図８の従来のマッハツェンダー型全光素子の各
部の動作や時間変化の説明図である。
部の動作や時間変化の説明図である。
１ アームＡ ２ アームＢ
Claims (5)
- 【請求項１】 制御光で非制御光を制御するマッハツェ
ンダー型全光スイッチにおいて、マッハツェンダー系を
構成する両アームの各々の少なくとも一部が３次の光学
非線形性を示す材料により構成され、かつ該マッハツェ
ンダー系の両アームの各々の光学非線形性発現部に制御
光を導入する手段を有することを特徴とする全光素子。 - 【請求項２】 制御光で非制御光を制御するマッハツェ
ンダー型全光スイッチにおいて、マッハツェンダー系を
構成する両アームの各々の少なくとも一部が吸収飽和特
性とそれに伴う非線形屈折率変化を示す材料により構成
され、かつ該マッハツェンダー系の両アームの各々の光
学非線形性発現部に制御光を導入する手段を有すること
を特徴とする全光素子。 - 【請求項３】構成素子であるマッハツェンダー系の両ア
ームが３次の光学非線形性を示す材料からなり、かつ該
マッハツェンダー系の両アームの各々の光学非線形性発
現部に制御光を導入する手段を有する請求項１のマッハ
ツェンダー型全光素子において、前記両アームの光学非
線形性の特性がほぼ等しいことを特徴とする請求項１記
載の全光素子。 - 【請求項４】 構成要素であるマッハツェンダー系の両
アームが３次の光学非線形性を示す材料により構成され
る請求項１のマッハツェンダー型全光素子において、単
一の制御光をほぼ２分し、これらを前記２ヵ所の光学非
線形性発現部に有限の時間差をもって導入する手段を有
する事を特徴とする請求項１記載の全光素子。 - 【請求項５】 制御光で非制御光を制御するマッハツェ
ンダー型全光スイッチにおいて、マッハツェンダー系を
構成する両アームの複数部が３次の光学非線形性を示す
材料により構成され、かつ該マッハツェンダー系の両ア
ームの複数の光学非線形性発現部のそれぞれに独立して
制御光を導入する手段を有することを特徴とする全光素
子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5164455A JP2531443B2 (ja) | 1993-07-02 | 1993-07-02 | 全光素子 |
| EP94110086A EP0632313B1 (en) | 1993-07-02 | 1994-06-29 | All-optical device |
| DE69420628T DE69420628T2 (de) | 1993-07-02 | 1994-06-29 | Rein optische Vorrichtung |
| US08/269,575 US5535001A (en) | 1993-07-02 | 1994-07-01 | Symmetric Mach-Zehnder all-optical device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5164455A JP2531443B2 (ja) | 1993-07-02 | 1993-07-02 | 全光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0720510A true JPH0720510A (ja) | 1995-01-24 |
| JP2531443B2 JP2531443B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=15793508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5164455A Expired - Fee Related JP2531443B2 (ja) | 1993-07-02 | 1993-07-02 | 全光素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5535001A (ja) |
| EP (1) | EP0632313B1 (ja) |
| JP (1) | JP2531443B2 (ja) |
| DE (1) | DE69420628T2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5710845A (en) * | 1994-12-22 | 1998-01-20 | Nec Corporation | All-optical switch |
| US6049642A (en) * | 1996-10-09 | 2000-04-11 | Nec Corporation | Nonlinear optical switch |
| US6323992B1 (en) | 1998-06-29 | 2001-11-27 | Nec Corporation | Wavelength converter and wavelength conversion method |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0632313B1 (en) | 1999-09-15 |
| US5535001A (en) | 1996-07-09 |
| EP0632313A1 (en) | 1995-01-04 |
| JP2531443B2 (ja) | 1996-09-04 |
| DE69420628D1 (de) | 1999-10-21 |
| DE69420628T2 (de) | 2000-04-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960507 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080627 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090627 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130627 Year of fee payment: 17 |
|
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