JPH0720243B2 - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置Info
- Publication number
- JPH0720243B2 JPH0720243B2 JP61062111A JP6211186A JPH0720243B2 JP H0720243 B2 JPH0720243 B2 JP H0720243B2 JP 61062111 A JP61062111 A JP 61062111A JP 6211186 A JP6211186 A JP 6211186A JP H0720243 B2 JPH0720243 B2 JP H0720243B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- voltage comparator
- output terminal
- terminal
- resistor
- Prior art date
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- Optical Communication System (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明では、撮像装置からの映像信号を光ファイバで伝
送する映像光伝送システムに用いることができる撮像装
置に関するものである。
送する映像光伝送システムに用いることができる撮像装
置に関するものである。
従来の技術 撮像装置からの映像信号を光ファイバで伝送する映像光
伝送システムは、電磁誘導雑音や電波障害が問題となる
所で広く利用されるようになってきた。映像光伝送シス
テムを構成する映像光送信装置は、撮像装置の出力信号
を光送信器で光信号に変換し、光ファイバと結合させる
ものであるが、小形化が望まれている。
伝送システムは、電磁誘導雑音や電波障害が問題となる
所で広く利用されるようになってきた。映像光伝送シス
テムを構成する映像光送信装置は、撮像装置の出力信号
を光送信器で光信号に変換し、光ファイバと結合させる
ものであるが、小形化が望まれている。
従来の映像光送信装置は、撮像装置と光送信器の給電
は、各々別の電源で行なっていた。
は、各々別の電源で行なっていた。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような構成では、撮像装置と光送信
器の給電を各々別の電源で行なっているので、映像光送
信装置の小形化が望めないと言う欠点を有していた。
器の給電を各々別の電源で行なっているので、映像光送
信装置の小形化が望めないと言う欠点を有していた。
本発明は上記欠点に鑑み、撮像装置の信号出力端子から
映像信号だけでなく、光送信器への給電も行なえるよう
にすることで光送信器用の電源を省くことができ、小形
の映像光送信装置を提供するものである。
映像信号だけでなく、光送信器への給電も行なえるよう
にすることで光送信器用の電源を省くことができ、小形
の映像光送信装置を提供するものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明の撮像装置は、映像
信号を入力する入力バッファと、エミッタが撮像装置の
出力端子に接続された第１のトランジスタと、コレクタ
電源に、エミッタが第１の抵抗を介して第１のトランジ
スタのコレクタに接続された第２のトランジスタと、非
反転入力端子が第２の抵抗を介して第１のトランジスタ
のコレクタに接続され、出力端子が第２のトランジスタ
のベースに接続された電圧比較器と、前記電圧比較器の
反転入力端子に接続され、前記電圧比較器のしきい値を
発生させ、電源の投入に対し、ある遅延時間を持って所
定のしきい値に立ち上がるしきい値発生回路と、前記電
圧比較器の出力端子と前記入力バッファの出力端子間に
接続された第３の抵抗と、前記入力バッファの出力端子
と接地間に接続された第４の抵抗と、入力端子が前記入
力バッファの出力端子に、出力端子が前記第１のトラン
ジスタのベースに接続され、前記電圧比較器の出力で制
御され、前記電圧比較器の出力がハイレベルの時のみ前
記入力端子と前記出力端子を接続する半導体アナログス
イッチと、PNPトランジスタを用いたエミッタフォロワ
と、前記PNPトランジスタのベースに接続され、前記電
圧比較器の出力がハイレベルの時、前記PNPトランジス
タを遮断状態にし、前記電圧比較器の出力がローレベル
の時、前記PNPトランジスタを動作状態にするバイアス
回路と、前記エミッタフォロワの出力端子と撮像装置の
出力端子間に接続された第１のコンデンサと、映像信号
入力端子に第２のコンデンサを介して接続された第１の
共通入力端子と２つの出力端子を備え、この２つの出力
端子のうち一方が前記入力バッファの入力端子に接続さ
れ、他方が前記エミッタフォロワを構成するPNPトラン
ジスタのベースに接続されており、前記電圧比較器の出
力で制御され、前記電圧比較器の出力がハイレベルの
時、前記第１の共通入力端子と前記入力バッファの入力
端子に接続された出力端子が接続され、前記電圧比較器
の出力がローレベルの時、前記第１の共通入力端子と前
記エミッタフォロワを構成するPNPトランジスタのベー
スに接続された出力端子が接続される第１の２チャンネ
ルマルチプレクサと、前記電圧比較器の出力端子と接地
間に接続された第３のコンデンサから構成される重畳回
路を有している。
信号を入力する入力バッファと、エミッタが撮像装置の
出力端子に接続された第１のトランジスタと、コレクタ
電源に、エミッタが第１の抵抗を介して第１のトランジ
スタのコレクタに接続された第２のトランジスタと、非
反転入力端子が第２の抵抗を介して第１のトランジスタ
のコレクタに接続され、出力端子が第２のトランジスタ
のベースに接続された電圧比較器と、前記電圧比較器の
反転入力端子に接続され、前記電圧比較器のしきい値を
発生させ、電源の投入に対し、ある遅延時間を持って所
定のしきい値に立ち上がるしきい値発生回路と、前記電
圧比較器の出力端子と前記入力バッファの出力端子間に
接続された第３の抵抗と、前記入力バッファの出力端子
と接地間に接続された第４の抵抗と、入力端子が前記入
力バッファの出力端子に、出力端子が前記第１のトラン
ジスタのベースに接続され、前記電圧比較器の出力で制
御され、前記電圧比較器の出力がハイレベルの時のみ前
記入力端子と前記出力端子を接続する半導体アナログス
イッチと、PNPトランジスタを用いたエミッタフォロワ
と、前記PNPトランジスタのベースに接続され、前記電
圧比較器の出力がハイレベルの時、前記PNPトランジス
タを遮断状態にし、前記電圧比較器の出力がローレベル
の時、前記PNPトランジスタを動作状態にするバイアス
回路と、前記エミッタフォロワの出力端子と撮像装置の
出力端子間に接続された第１のコンデンサと、映像信号
入力端子に第２のコンデンサを介して接続された第１の
共通入力端子と２つの出力端子を備え、この２つの出力
端子のうち一方が前記入力バッファの入力端子に接続さ
れ、他方が前記エミッタフォロワを構成するPNPトラン
ジスタのベースに接続されており、前記電圧比較器の出
力で制御され、前記電圧比較器の出力がハイレベルの
時、前記第１の共通入力端子と前記入力バッファの入力
端子に接続された出力端子が接続され、前記電圧比較器
の出力がローレベルの時、前記第１の共通入力端子と前
記エミッタフォロワを構成するPNPトランジスタのベー
スに接続された出力端子が接続される第１の２チャンネ
ルマルチプレクサと、前記電圧比較器の出力端子と接地
間に接続された第３のコンデンサから構成される重畳回
路を有している。
作用 この構成により、撮像装置は、重畳回路によって直流を
重畳した映像信号を出力することで、撮像装置の出力端
子から映像信号だけでなく、光送信器への給電も行なえ
るとともに、75Ω負荷（例えばテレビモニタなど）が撮
像装置出力端子に接続された時には、自動的に直流の重
量を止め、映像信号のみを出力することができる。
重畳した映像信号を出力することで、撮像装置の出力端
子から映像信号だけでなく、光送信器への給電も行なえ
るとともに、75Ω負荷（例えばテレビモニタなど）が撮
像装置出力端子に接続された時には、自動的に直流の重
量を止め、映像信号のみを出力することができる。
実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
図は、本発明の撮像装置の構成を示すものである。
図において、１は入力バッファで、可変抵抗VR1、抵抗R
7、結合コンデンサC4,C5およびトランジスタQ4、抵抗R8
〜R10から成るエミッタフォロワで構成されている。可
変抵抗VR1は、映像信号の振幅を調整し、光送信器にお
ける発光素子の変調度を調整するためのものである。
7、結合コンデンサC4,C5およびトランジスタQ4、抵抗R8
〜R10から成るエミッタフォロワで構成されている。可
変抵抗VR1は、映像信号の振幅を調整し、光送信器にお
ける発光素子の変調度を調整するためのものである。
Q1は、第１のトランジスタで、エミッタは、撮像装置の
出力端子に接続されており、映像信号と直流を足し合わ
せる役割をする。Q2は、第２のトランジスタで、コクタ
が電源Vccに、エミッタが第１の抵抗R1を介して第１の
トランジスタQ1のコレクタに接続されており、電源Vcc
と第１のトランジスタQ1のコレクタの接続を開閉するス
イッチの役割をする。
出力端子に接続されており、映像信号と直流を足し合わ
せる役割をする。Q2は、第２のトランジスタで、コクタ
が電源Vccに、エミッタが第１の抵抗R1を介して第１の
トランジスタQ1のコレクタに接続されており、電源Vcc
と第１のトランジスタQ1のコレクタの接続を開閉するス
イッチの役割をする。
２は、電圧比較器で、非反転入力端子は、第２の抵抗R2
を介して、第１のトランジスタQ1のコレクタに接続され
ている。C3（＝33μＦ）は、第３のコンデンサで、電圧
比較器２の出力端子と接地間に接続されており、電圧比
較器２の出力を安定化する。
を介して、第１のトランジスタQ1のコレクタに接続され
ている。C3（＝33μＦ）は、第３のコンデンサで、電圧
比較器２の出力端子と接地間に接続されており、電圧比
較器２の出力を安定化する。
３は、しきい値発生回路で、抵抗R11,R12およびコンデ
ンサC6から構成され、電圧比較器２の反転入力端子にし
きい値Vthを与えているとともにコンデンサC3の値を選
ぶことでしきい値Vthに立ち上がるまでの遅延時間を設
定している。
ンサC6から構成され、電圧比較器２の反転入力端子にし
きい値Vthを与えているとともにコンデンサC3の値を選
ぶことでしきい値Vthに立ち上がるまでの遅延時間を設
定している。
R3は、第３の抵抗で、入力バッファ１の出力端子と電圧
比較器２の出力端子間に接続されている。R4は、第４の
抵抗で、入力バッファ１の出力端子と接地間に接続され
ている。第３の抵抗R3と第４の抵抗R4で、第１のトラン
ジスタQ1のベースに半導体アナログスイッチSW1を介し
て、バイアスを与える。SW1は、半導体アナログスイッ
チで、入力端子ZAが入力バッファ１の出力端子に、出力
端子Y1Aが第１のトランジスタQ1のベースに接続され、
電圧比較器２の出力で制御され、電圧比較器２の出力が
ハイレベル（Vcc）の時のみ、入力端子ZAと出力端子Y
1Aを接続する。
比較器２の出力端子間に接続されている。R4は、第４の
抵抗で、入力バッファ１の出力端子と接地間に接続され
ている。第３の抵抗R3と第４の抵抗R4で、第１のトラン
ジスタQ1のベースに半導体アナログスイッチSW1を介し
て、バイアスを与える。SW1は、半導体アナログスイッ
チで、入力端子ZAが入力バッファ１の出力端子に、出力
端子Y1Aが第１のトランジスタQ1のベースに接続され、
電圧比較器２の出力で制御され、電圧比較器２の出力が
ハイレベル（Vcc）の時のみ、入力端子ZAと出力端子Y
1Aを接続する。
４は、出力インピーダンス75ΩのエミッタフォロワでPN
PトランジスタQ3、エミッタ抵抗R13（1KΩ）、出力抵抗
R14（68Ω）から構成される。
PトランジスタQ3、エミッタ抵抗R13（1KΩ）、出力抵抗
R14（68Ω）から構成される。
５は、電圧比較器２の出力がハイレベル（Vcc）の
時、PNPトランジスタQ3を遮断状態にし、電圧比較器２
の出力がローレベル（0v）の時、PNPトランジスタQ3
を動作状態にするバイアス回路で、２つの出力端子
Y0B，Y1Bのうち出力端子Y1Bが電源Vccに接続され、出力
端子Y0Bが接地されており、電圧比較器２の出力で制御
され、電圧比較器２の出力がハイレベル（Vcc）の
時、共通入力端子ZBと電源Vccに接続された出力端子Y1B
が接続され、電圧比較器２の出力がローレベル（0v）
の時、共通入力端子ZBと接地されている出力端子Y0Bが
接続される第２の２チャンネルマルチプレクサSW3と、
第２の２チャンネルマルチプレクサSW3の共通入力端子Z
Bとエミッタフォロワ４を構成するPNPトランジスタQ3の
ベース間に接続された第５の抵抗R5およびエミッタフォ
ロワ４を構成するPNPトランジスタQ3のベースと電源Vcc
間に接続された第６の抵抗R6とから構成されている。C1
は、第１のコンデンサで、エミッタフォロワ４の出力端
子と撮像装置の出力端子間に接続されている。
時、PNPトランジスタQ3を遮断状態にし、電圧比較器２
の出力がローレベル（0v）の時、PNPトランジスタQ3
を動作状態にするバイアス回路で、２つの出力端子
Y0B，Y1Bのうち出力端子Y1Bが電源Vccに接続され、出力
端子Y0Bが接地されており、電圧比較器２の出力で制御
され、電圧比較器２の出力がハイレベル（Vcc）の
時、共通入力端子ZBと電源Vccに接続された出力端子Y1B
が接続され、電圧比較器２の出力がローレベル（0v）
の時、共通入力端子ZBと接地されている出力端子Y0Bが
接続される第２の２チャンネルマルチプレクサSW3と、
第２の２チャンネルマルチプレクサSW3の共通入力端子Z
Bとエミッタフォロワ４を構成するPNPトランジスタQ3の
ベース間に接続された第５の抵抗R5およびエミッタフォ
ロワ４を構成するPNPトランジスタQ3のベースと電源Vcc
間に接続された第６の抵抗R6とから構成されている。C1
は、第１のコンデンサで、エミッタフォロワ４の出力端
子と撮像装置の出力端子間に接続されている。
SW2は、第１の２チャンネルマルチプレクサで、共通入
力端子ZCが第２のコンデンサC2を介して映像信号の入力
端子に接続され、２つの出力端子Y0C，Y1Cのうち、出力
端子Y1Cが入力バッファ１の入力端子に接続され、出力
端子Y0Cがエミッタフォロワ４を構成するPNPトランジス
タQ3のベースに接続されており、電圧比較器２の出力で
制御され、電圧比較器２の出力がハイレベル（Vcc）
の時、共通入力端子ZCと入力バッファ１の入力端子に接
続された出力端子Y1Cが接続され、電圧比較器２の出力
がローレベル（0v）の時、共通入力端子ZCとエミッタ
フォロワ４を構成するPNPトランジスタQ3のベースに接
続された出力端子Y0Cが接続される。
力端子ZCが第２のコンデンサC2を介して映像信号の入力
端子に接続され、２つの出力端子Y0C，Y1Cのうち、出力
端子Y1Cが入力バッファ１の入力端子に接続され、出力
端子Y0Cがエミッタフォロワ４を構成するPNPトランジス
タQ3のベースに接続されており、電圧比較器２の出力で
制御され、電圧比較器２の出力がハイレベル（Vcc）
の時、共通入力端子ZCと入力バッファ１の入力端子に接
続された出力端子Y1Cが接続され、電圧比較器２の出力
がローレベル（0v）の時、共通入力端子ZCとエミッタ
フォロワ４を構成するPNPトランジスタQ3のベースに接
続された出力端子Y0Cが接続される。
なお、半導体アナログスイッチSW1、第１の２チャンネ
ルマルチプレクサSW2、第２の２チャンネルマルチプレ
クサSW3は、CMOSロジックICトリプル２チャンネルアナ
ログマルチプレクサ−（例えば松下電子工業製のMN4053
B）を用いることで、ワンICで実現した。
ルマルチプレクサSW2、第２の２チャンネルマルチプレ
クサSW3は、CMOSロジックICトリプル２チャンネルアナ
ログマルチプレクサ−（例えば松下電子工業製のMN4053
B）を用いることで、ワンICで実現した。
以上のように、構成された撮像装置について以下、その
動作を説明する。
動作を説明する。
撮像装置の出力端子に負荷が接続されると、第２のトラ
ンジスタQ2、第１の抵抗R1、第１のトランジスタQ1を介
して電流が流れ、第１の抵抗R1で電圧降下が生じる。従
って、この電圧降下量を検出することで、撮像装置の出
力端子に光送信器が接続されたか、75Ω負荷が接続され
たかを検出でき、直流の重畳された映像信号を出力する
か、映像信号のみを出力するかを自動的に判断できる。
ンジスタQ2、第１の抵抗R1、第１のトランジスタQ1を介
して電流が流れ、第１の抵抗R1で電圧降下が生じる。従
って、この電圧降下量を検出することで、撮像装置の出
力端子に光送信器が接続されたか、75Ω負荷が接続され
たかを検出でき、直流の重畳された映像信号を出力する
か、映像信号のみを出力するかを自動的に判断できる。
本発明では、第１のトランジスタQ1のコレクタ電位Vcol
と電圧比較器２のしきい値Vthを比較することによっ
て、光送信器が接続されたか、75Ω負荷が接続されたか
を検出し、映像信号に直流を重畳するか否かを判断して
いる。
と電圧比較器２のしきい値Vthを比較することによっ
て、光送信器が接続されたか、75Ω負荷が接続されたか
を検出し、映像信号に直流を重畳するか否かを判断して
いる。
本実施例に用いた光送信器は、消費電流25mAtypであ
り、 Vcc＝＋16Vで、R11＝5KΩ、 Ｒ＝12＝11KΩとすることで、Vth＝＋11Vに設定した。
又第１の抵抗Ｒ＝１＝18Ωとしており、本実施例に用い
た光送信器を接続した時、第１のトランジスタQ1のコレ
クタ電位Vcolは、＋12V程度である。
り、 Vcc＝＋16Vで、R11＝5KΩ、 Ｒ＝12＝11KΩとすることで、Vth＝＋11Vに設定した。
又第１の抵抗Ｒ＝１＝18Ωとしており、本実施例に用い
た光送信器を接続した時、第１のトランジスタQ1のコレ
クタ電位Vcolは、＋12V程度である。
従って、Vcol＞Vthであり、電圧比較器２の出力はハイ
レベル（Vcc）となり、第２のトランジスタQ2は動作
状態となる。又、半導体アナログスイッチSW1の入力端
子ZAと出力端子Y1Aが導通状態となり、第３の抵抗R3と
第４の抵抗R4によって、第１のトランジスタQ1にバイア
スが与えられ、第１のトランジスタQ1も動作状態とな
る。
レベル（Vcc）となり、第２のトランジスタQ2は動作
状態となる。又、半導体アナログスイッチSW1の入力端
子ZAと出力端子Y1Aが導通状態となり、第３の抵抗R3と
第４の抵抗R4によって、第１のトランジスタQ1にバイア
スが与えられ、第１のトランジスタQ1も動作状態とな
る。
さらに、第１の２チャンネルマルチプレクサSW2は、共
通入力端子ZCと出力端子Y1Cが導通状態となり、映像信
号が入力バッファ１、半導体アナログスイッチSW1を通
って、第１のトランジスタQ1のベースへ入力し、第１の
トランジスタQ1で、映像信号と直流が足し合わされる。
通入力端子ZCと出力端子Y1Cが導通状態となり、映像信
号が入力バッファ１、半導体アナログスイッチSW1を通
って、第１のトランジスタQ1のベースへ入力し、第１の
トランジスタQ1で、映像信号と直流が足し合わされる。
PNPトランジスタQ3のバイアス回路５を構成する第２の
２チャンネルマルチプレクサSW3は、共通入力端子ZBと
出力端子Y1Bが導通状態になり、PNPトランジスタQ3のベ
ース電位は、ほぼVccとなり、PNPトランジスタQ3は遮断
状態となり、第１のトランジスタQ1の動作に影響しな
い。
２チャンネルマルチプレクサSW3は、共通入力端子ZBと
出力端子Y1Bが導通状態になり、PNPトランジスタQ3のベ
ース電位は、ほぼVccとなり、PNPトランジスタQ3は遮断
状態となり、第１のトランジスタQ1の動作に影響しな
い。
一方、撮像装置の出力端子に75Ω負荷が接続された時に
は、100mAくらいの電流が流れ、第１の抵抗R1（18Ω）
で1.8V以上の電圧降下を生じ、第１のトランジスタQ1の
コレクタ電位Vcolは＋11V以下となる。
は、100mAくらいの電流が流れ、第１の抵抗R1（18Ω）
で1.8V以上の電圧降下を生じ、第１のトランジスタQ1の
コレクタ電位Vcolは＋11V以下となる。
従ってVcol＜Vthが生じ、電圧比較器２の出力はローレ
ベル（0v）となり、第２のトランジスタQ2は遮断状態
となる。又、半導体アナログスイッチSW1の入力端子ZA
と出力端子Y1Aは遮断状態となり第１のトランジスタQ1
のベースは、第３の抵抗R3と第４の抵抗R4で構成される
バイアス回路から切り離され、第１のシランジスタQ1も
遮断状態となり、直流の重畳は行なわれなくなる。
ベル（0v）となり、第２のトランジスタQ2は遮断状態
となる。又、半導体アナログスイッチSW1の入力端子ZA
と出力端子Y1Aは遮断状態となり第１のトランジスタQ1
のベースは、第３の抵抗R3と第４の抵抗R4で構成される
バイアス回路から切り離され、第１のシランジスタQ1も
遮断状態となり、直流の重畳は行なわれなくなる。
PNPトランジスタQ3のバイアス回路５を構成する第２の
２チャンネルマルチプレクサSW3は、共通入力端子ZBと
出力端子Y0Bが導通状態になり、第５の抵抗R5と第６の
抵抗R6によって、PNPトランジスタQ3のベースにバイア
スが与えられ、PNPトランジスタQ3は導通状態となる。
２チャンネルマルチプレクサSW3は、共通入力端子ZBと
出力端子Y0Bが導通状態になり、第５の抵抗R5と第６の
抵抗R6によって、PNPトランジスタQ3のベースにバイア
スが与えられ、PNPトランジスタQ3は導通状態となる。
さらに、第１の２チャンネルマルチプレクサSW2は、共
通入力端子ZCと出力端子Y0Cが導通状態となり、映像信
号がPNPトランジスタQ3のベースに入力され、出力イン
ピーダンス75Ωのエミッタフォロワ４から第１のコンデ
ンサを通して撮像装置の出力端子に出力される。この
時、第１のトランジスタQ1のベースは、第３の抵抗R3と
第４の抵抗R4から成るバイアス回路と切り離されている
のでエミッタフォロワ４の動作に影響を与えない。
通入力端子ZCと出力端子Y0Cが導通状態となり、映像信
号がPNPトランジスタQ3のベースに入力され、出力イン
ピーダンス75Ωのエミッタフォロワ４から第１のコンデ
ンサを通して撮像装置の出力端子に出力される。この
時、第１のトランジスタQ1のベースは、第３の抵抗R3と
第４の抵抗R4から成るバイアス回路と切り離されている
のでエミッタフォロワ４の動作に影響を与えない。
本発明の回路構成では、撮像装置の電源オン時、電圧比
較器２のしきい値Vthの立ち上がりが、第１のトランジ
スタQ1のコレクタ電位Vcolより早いと電圧比較器２の出
力は、ローレベル（0v）に固定され、第１のトランジ
スタQ1と第２のトランジスタQ2は遮断したままとなり、
直流が重畳されず、Q2は遮断したままとなり、直流が重
畳されず、光送信器が動作しない。従って、しきい値発
生回路３のしきい値Vthの立ち上がりに遅延時間を持た
せている。この遅延時間は、コンデンサC6の値を選択す
ることで行なっており、本実施例では33μＦとしてい
る。
較器２のしきい値Vthの立ち上がりが、第１のトランジ
スタQ1のコレクタ電位Vcolより早いと電圧比較器２の出
力は、ローレベル（0v）に固定され、第１のトランジ
スタQ1と第２のトランジスタQ2は遮断したままとなり、
直流が重畳されず、Q2は遮断したままとなり、直流が重
畳されず、光送信器が動作しない。従って、しきい値発
生回路３のしきい値Vthの立ち上がりに遅延時間を持た
せている。この遅延時間は、コンデンサC6の値を選択す
ることで行なっており、本実施例では33μＦとしてい
る。
ところで、第１のコンデンサC1は、出力インピーダンス
75Ωのエミッタフォロワ４と75Ω負荷を結合するもの
で、容量として1000μＦ程度のものが必要とされる。エ
ミッタフォロワ４をNPNトランジスタや固定バイアスさ
れたPNPトランジスタで構成すると直流が重畳されると
時とされない時では、第１のコンデンサC1の両端の電位
が逆転するので、第１のコンデンサC1としてバイポーラ
コンデンサを用いる必要がある。ところが、バイポーラ
コンデンサで耐圧が16V以上、容量が1000μＦと言うも
のは形状が非常に大きくなる。
75Ωのエミッタフォロワ４と75Ω負荷を結合するもの
で、容量として1000μＦ程度のものが必要とされる。エ
ミッタフォロワ４をNPNトランジスタや固定バイアスさ
れたPNPトランジスタで構成すると直流が重畳されると
時とされない時では、第１のコンデンサC1の両端の電位
が逆転するので、第１のコンデンサC1としてバイポーラ
コンデンサを用いる必要がある。ところが、バイポーラ
コンデンサで耐圧が16V以上、容量が1000μＦと言うも
のは形状が非常に大きくなる。
しかしながら、本発明のような、PNPトランジスタQ3を
用いたエミッタフォロワ４とバイアス回路５の組合わせ
では、直流が重畳される時は、PNPトランジスタQ3は遮
断状態で、そのエミッタ電位はVcc（＋16V）となり、
又、第１のトランジスタQ1のエミッタ電位は10.5V程度
となり、第１のコンデンサC1の両端の電位は5.5V程度と
なる。一方、直流が重畳されない時、PNPトランジスタQ
3のエミッタ電位が４〜5V程度となるように、バイアス
回路５を構成する第５の抵抗R5と第６の抵抗を選択する
と、第１のコンデンサC1の両端の電位は４〜5V程度とな
る。
用いたエミッタフォロワ４とバイアス回路５の組合わせ
では、直流が重畳される時は、PNPトランジスタQ3は遮
断状態で、そのエミッタ電位はVcc（＋16V）となり、
又、第１のトランジスタQ1のエミッタ電位は10.5V程度
となり、第１のコンデンサC1の両端の電位は5.5V程度と
なる。一方、直流が重畳されない時、PNPトランジスタQ
3のエミッタ電位が４〜5V程度となるように、バイアス
回路５を構成する第５の抵抗R5と第６の抵抗を選択する
と、第１のコンデンサC1の両端の電位は４〜5V程度とな
る。
従って、直流が重畳される時、されない時でも、PNPト
ランジスタQ3のエミッタ電位が、撮像装置の出力端子電
位より高いので、第１のコンデンサC1としてユニポーラ
コンデンサが使え、しかもコンデンサの両端の電位差が
小さい（４〜5V程度）ので、耐圧の低いコンデンサでよ
く、第１のコンデンサC1の形状が非常に小さくなる。
ランジスタQ3のエミッタ電位が、撮像装置の出力端子電
位より高いので、第１のコンデンサC1としてユニポーラ
コンデンサが使え、しかもコンデンサの両端の電位差が
小さい（４〜5V程度）ので、耐圧の低いコンデンサでよ
く、第１のコンデンサC1の形状が非常に小さくなる。
本発明の撮像装置は、直流を重畳した映像信号を出力
し、信号出力端子から映像信号だけでなく、光送信器へ
の給電も行なうことによって、光送信器用の電源が不用
となり、映像光送信装置の小形化が図られる。さらに、
75Ω負荷が信号出力端子に接続された時には、自動的に
直流の重畳を止め、映像信号のみを出力することがで
き、75Ω出力インピーダンスのエミッタフォロワと75Ω
負荷を結合するコンデンサも耐圧の低いユニポーラコン
デンサを使用でき、重畳回路の小形化も図られる。
し、信号出力端子から映像信号だけでなく、光送信器へ
の給電も行なうことによって、光送信器用の電源が不用
となり、映像光送信装置の小形化が図られる。さらに、
75Ω負荷が信号出力端子に接続された時には、自動的に
直流の重畳を止め、映像信号のみを出力することがで
き、75Ω出力インピーダンスのエミッタフォロワと75Ω
負荷を結合するコンデンサも耐圧の低いユニポーラコン
デンサを使用でき、重畳回路の小形化も図られる。
なお、バイアス回路５を電圧比較器の出力端子とエミッ
タフォロワを構成するPNPトランジスタのベース間に接
続された第７の抵抗とエミッタフォロワを構成するPNP
トランジスタのベースと電源間に接続された第６の抵抗
によって構成しても同様の効果が得られる。
タフォロワを構成するPNPトランジスタのベース間に接
続された第７の抵抗とエミッタフォロワを構成するPNP
トランジスタのベースと電源間に接続された第６の抵抗
によって構成しても同様の効果が得られる。
発明の効果 本発明によれば直流を重畳した映像信号を出力し、撮像
装置出力端子から映像信号だけでなく、光送信器への給
電も行なうことによって、光送信器用の電源が不用とな
り、映像光送信装置の小形化が可能となる上、75Ω負荷
が撮像装置出力端子に接続された時には、自動的に直流
の重畳を止め、映像信号のみを出力することができ、75
Ω出力インピーダンスのエミッタフォロワと75Ω負荷を
結合するコンデンサも耐圧の低いユニポーラコンデンサ
を使用でき、重畳回路の小形化も図られ、その実用的効
果は大なるものがある。
装置出力端子から映像信号だけでなく、光送信器への給
電も行なうことによって、光送信器用の電源が不用とな
り、映像光送信装置の小形化が可能となる上、75Ω負荷
が撮像装置出力端子に接続された時には、自動的に直流
の重畳を止め、映像信号のみを出力することができ、75
Ω出力インピーダンスのエミッタフォロワと75Ω負荷を
結合するコンデンサも耐圧の低いユニポーラコンデンサ
を使用でき、重畳回路の小形化も図られ、その実用的効
果は大なるものがある。
図は、本発明の撮像装置の構成図である。 Q1……第１のトランジスタ、Q2……第２のトランジス
タ、Q3……PNPトランジスタ、R1……第１の抵抗、R2…
…第２の抵抗、R3……第３の抵抗、R4……第４の抵抗、
R5……第５の抵抗、R6……第６の抵抗、C1……第１のコ
ンデンサ、C2……第２のコンデンサ、C3……第３のコン
デンサ、SW1……半導体アナログスイッチ、SW2……第１
の２チャンネルマルチプレクサ、SW3……第２の２チャ
ンネルマルチプレクサ、１……入力バッファ、２……電
圧比較器、３……しきい値発生回路、４……エミッタフ
ォロワ、５……バイアス回路。
タ、Q3……PNPトランジスタ、R1……第１の抵抗、R2…
…第２の抵抗、R3……第３の抵抗、R4……第４の抵抗、
R5……第５の抵抗、R6……第６の抵抗、C1……第１のコ
ンデンサ、C2……第２のコンデンサ、C3……第３のコン
デンサ、SW1……半導体アナログスイッチ、SW2……第１
の２チャンネルマルチプレクサ、SW3……第２の２チャ
ンネルマルチプレクサ、１……入力バッファ、２……電
圧比較器、３……しきい値発生回路、４……エミッタフ
ォロワ、５……バイアス回路。
Claims (3)
- 【請求項１】撮像部と前記撮像部の映像信号を入力する
バッファと、エミッタが撮像装置の出力端子に接続され
た第１のトランジスタと、コレクタが電源に、エミッタ
が第１の抵抗を介してトランジスタのコレクタに接続さ
れた第２のトランジスタと、非反転入力端子が第２の抵
抗を介して第１のトランジスタのコレクタに接続され、
出力端子が第２のトランジスタのベースに接続された電
圧比較器と、前記電圧比較器の反転入力端子に接続さ
れ、撮像装置出力端子に75オーム負荷が接続された時に
前記電圧比較器の出力をローレベルにするしきい値を発
生させ、電源の投入に対し、ある遅延時間を持って所定
のしきい値に立ち上がるしきい値発生回路と、前記電圧
比較器の出力端子と前記入力バッファの出力端子間に接
続された第３の抵抗と、前記入力バッファの出力端子と
接地間に接続された第４の抵抗と、入力端子が前記入力
バッファの出力端子に、出力端子が前記第１のトランジ
スタのベースに接続され、前記電圧比較器の出力で制御
され、前記電圧比較器の出力がハイレベルの時のみ前記
入力端子と前記出力端子を接続する半導体アナログスイ
ッチと、PNPトランジスタを用いたエミッタフォロワ
と、前記PNPトランジスタのベースに接続され、前記電
圧比較器の出力がハイレベルの時、前記PNPトランジス
タを遮断状態にし、前記電圧比較器の出力がローレベル
の時、前記PNPトランジスタを動作状態にするバイアス
回路と、前記エミッタフォロアの出力端子と撮像装置の
出力端子間に接続された第１のコンデンサと、映像信号
入力端子に第２のコンデンサを介して接続された第１の
共通入力端子と２つの出力端子を備え、この２つの出力
端子のうち一方が前記入力バッファの入力端子に接続さ
れ、他方が前記エミッタフォロアを構成するPNPトラン
ジスタのベースに接続されており、前記電圧比較器の出
力で制御され、前記電圧比較器の出力がハイレベルの
時、前記第１の共通入力端子と前記入力バッファの入力
端子に接続された出力端子が接続され、前記電圧比較器
の出力がローレベルの時、前記第１の共通入力端子と前
記エミッタフォロワを構成するPNPトランジスタのベー
スに接続された出力端子が接続される第１の２チャンネ
ルマルチプレクサと、前記電圧比較器の出力端子と接地
間に接続された第３のコンデンサから構成される映像信
号に直流を重畳することを特徴とする撮像装置。 - 【請求項２】バイアス回路が、第２の共通入力端子と２
つの出力端子を備え、この２つの出力端子のうち一方が
電源に接続され、他方が接地されており、電圧比較器の
出力で制御され、電圧比較器の出力がハイレベルの時、
前記第２の共通入力端子と電源に接続された出力端子が
接続され、電圧比較器の出力がローレベルの時、前記第
２の共通入力端子と接地されている出力端子が接続され
る第２の２チャンネルマルチプレクサと、前記第２の２
チャンネルマルチプレクサの前記第２の共通入力端子と
エミッタフォロワを構成するPNPトランジスタのベース
間に接続された第５の抵抗と、エミッタフォロワを構成
するPNPトランジスタのベースと電源間に接続された第
６の抵抗から構成されていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の撮像装置。 - 【請求項３】バイアス回路が、電圧比較器の出力端子と
エミッタフォロワを構成するPNPトランジスタのベース
間に接続された第７の抵抗と、エミッタフォロワを構成
するPNPトランジスタのベースと電源間に接続された第
６の抵抗から構成されていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61062111A JPH0720243B2 (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61062111A JPH0720243B2 (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62219775A JPS62219775A (ja) | 1987-09-28 |
| JPH0720243B2 true JPH0720243B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=13190618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61062111A Expired - Lifetime JPH0720243B2 (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0720243B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5598036B2 (ja) * | 2010-03-16 | 2014-10-01 | 株式会社リコー | 制御基板、画像読取装置、画像形成装置、撮像装置および制御方法 |
| JP7251333B2 (ja) * | 2019-06-07 | 2023-04-04 | 富士通株式会社 | 伝送装置、伝送システム、及び伝送方法 |
-
1986
- 1986-03-19 JP JP61062111A patent/JPH0720243B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62219775A (ja) | 1987-09-28 |
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