JPH07202330A - Ｄｆｂ／ｄｂｒレーザ用の波長選択性電子光グレーティングの形成方法 - Google Patents
Ｄｆｂ／ｄｂｒレーザ用の波長選択性電子光グレーティングの形成方法Info
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- JPH07202330A JPH07202330A JP6335127A JP33512794A JPH07202330A JP H07202330 A JPH07202330 A JP H07202330A JP 6335127 A JP6335127 A JP 6335127A JP 33512794 A JP33512794 A JP 33512794A JP H07202330 A JPH07202330 A JP H07202330A
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- H01S5/1231—Grating growth or overgrowth details
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＤＦＢ／ＤＢＲレーザ用の波長選択性導波路
グレーティングを形成する方法を提供すること。 【構成】 本発明によれば、従来エッチングされて形成
されていたコルゲート状導波路グレーティングは、クラ
ッド材料あるいは導波路層の何れかの屈折率を周期的に
変化させて、形成したグレーティングでもって置換して
いる。この変化させた媒体は、バルク材料、あるいは量
子井戸構造の何れかである。量子井戸構造においては、
量子閉じ込めスタルク（Stark）効果より、屈折率を大
きく変化させるか、あるいは、電界をかけることによ
り、位相空間吸収消滅を行うかである。バルク材料の場
合には、電流の注入が好ましい動作モードであり、その
理由は、屈折率の電解による変化（Franz-Keldysh effe
ct）がより少ないからである。
グレーティングを形成する方法を提供すること。 【構成】 本発明によれば、従来エッチングされて形成
されていたコルゲート状導波路グレーティングは、クラ
ッド材料あるいは導波路層の何れかの屈折率を周期的に
変化させて、形成したグレーティングでもって置換して
いる。この変化させた媒体は、バルク材料、あるいは量
子井戸構造の何れかである。量子井戸構造においては、
量子閉じ込めスタルク（Stark）効果より、屈折率を大
きく変化させるか、あるいは、電界をかけることによ
り、位相空間吸収消滅を行うかである。バルク材料の場
合には、電流の注入が好ましい動作モードであり、その
理由は、屈折率の電解による変化（Franz-Keldysh effe
ct）がより少ないからである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＤＦＢ／ＤＢＲレーザ用
の波長選択性電子光グレーティングの形成方法に関す
る。
の波長選択性電子光グレーティングの形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、急速にレーザ技術が進歩してき
た。この進展により、レーザを他の活性光素子、例え
ば、検知器、光増幅器、光変調器、スイッチ等と１つの
半導体チップ上に集積することが行われている。このた
めに相互接続装置は小型で透明な受動型の導波路で形成
され、これにより、ある素子から他の素子に光を伝送し
ている。さらに、このような技術進展は、結晶成長およ
び広い領域のウェーハ処理の改良によりもたらされたも
のである。
た。この進展により、レーザを他の活性光素子、例え
ば、検知器、光増幅器、光変調器、スイッチ等と１つの
半導体チップ上に集積することが行われている。このた
めに相互接続装置は小型で透明な受動型の導波路で形成
され、これにより、ある素子から他の素子に光を伝送し
ている。さらに、このような技術進展は、結晶成長およ
び広い領域のウェーハ処理の改良によりもたらされたも
のである。
【０００３】光集積回路における近年の技術発展におい
ては、コルゲート型の導波路グレーティングがその代表
例である。分散型フィードバック（ＤＦＢ）レーザが世
界的にも、高スペクトル純度が要求される光通信ソース
として認識されて以来、このグレーティングの形成は、
より一般的なっている。このようなグレーティングによ
り、高品質のオン−チップ共鳴器（レゾネータ）が提供
できる。これにより、半導体レーザで採用されたへき開
ファセットレゾネータに課されていた条件をクリアする
ことができる。さらに、このグレーティングはある種の
受信器、増幅器において、フィルタとしても機能でき
る。
ては、コルゲート型の導波路グレーティングがその代表
例である。分散型フィードバック（ＤＦＢ）レーザが世
界的にも、高スペクトル純度が要求される光通信ソース
として認識されて以来、このグレーティングの形成は、
より一般的なっている。このようなグレーティングによ
り、高品質のオン−チップ共鳴器（レゾネータ）が提供
できる。これにより、半導体レーザで採用されたへき開
ファセットレゾネータに課されていた条件をクリアする
ことができる。さらに、このグレーティングはある種の
受信器、増幅器において、フィルタとしても機能でき
る。
【０００４】分散型フィードバックレーザにおいて、電
子マイクログラフを走査することにより、高屈折率のコ
ア材料と低屈折率のクラッド材料との間のコルゲート状
界面が明らかになってきた。光ビームがこのような導波
路を伝播すると、各バンプは光の一部を反射する。この
ビームの波長がブラグ波長に近似していないと、全ての
反射は離相（out of phase）し、破壊的に干渉する。そ
して、ブラグ波長においては、全ての反射は、同相して
追加され（add in phase）、その結果、より大きく反射
が蓄積される。
子マイクログラフを走査することにより、高屈折率のコ
ア材料と低屈折率のクラッド材料との間のコルゲート状
界面が明らかになってきた。光ビームがこのような導波
路を伝播すると、各バンプは光の一部を反射する。この
ビームの波長がブラグ波長に近似していないと、全ての
反射は離相（out of phase）し、破壊的に干渉する。そ
して、ブラグ波長においては、全ての反射は、同相して
追加され（add in phase）、その結果、より大きく反射
が蓄積される。
【０００５】現在のところ、分散型フィードバック（Ｄ
ＦＢ）の半導体レーザの出力波長の制御と分散型ブラグ
リフレクタ（ＤＢＲ）系のレーザの同調は、上記のコル
ゲート状導波路グレーティングを組み込むことにより行
われている。このＤＢＲ構成においては、この種のグレ
ーティングは、活性層の一部をエッチバックし、その下
の受動型導波路の表面を露出することにより形成されて
いる。別法としては、このグレーティングを導波路を成
長する前に、基板に形成することもできる。その後の処
理においては、紫外線レーザにより形成された干渉パタ
ーンを用いて、露出導波路の上に堆積されたフォトレジ
スト層を露出する。その後、この現像されたフォトレジ
ストは、グレーティング形状をエッチングするマスクを
形成する。その後、基板のこの露出部分に導電層を再成
長し、接点が形成される。このＤＦＢ構成においては、
グレーティングを活性層、すなわち、導波路の成長前に
形成している。これは干渉パターンを用いて、露出した
受動型導波路の上に堆積したフォトレジスト層を露出す
ることにより行われている。この露出したフォトレジス
ト層がコルゲート形状をエッチングするマスクを形成す
る。そして、その後活性層をこのグレーティングの上
に、成長させて、適当な接点を形成して、動作させてい
た。
ＦＢ）の半導体レーザの出力波長の制御と分散型ブラグ
リフレクタ（ＤＢＲ）系のレーザの同調は、上記のコル
ゲート状導波路グレーティングを組み込むことにより行
われている。このＤＢＲ構成においては、この種のグレ
ーティングは、活性層の一部をエッチバックし、その下
の受動型導波路の表面を露出することにより形成されて
いる。別法としては、このグレーティングを導波路を成
長する前に、基板に形成することもできる。その後の処
理においては、紫外線レーザにより形成された干渉パタ
ーンを用いて、露出導波路の上に堆積されたフォトレジ
スト層を露出する。その後、この現像されたフォトレジ
ストは、グレーティング形状をエッチングするマスクを
形成する。その後、基板のこの露出部分に導電層を再成
長し、接点が形成される。このＤＦＢ構成においては、
グレーティングを活性層、すなわち、導波路の成長前に
形成している。これは干渉パターンを用いて、露出した
受動型導波路の上に堆積したフォトレジスト層を露出す
ることにより行われている。この露出したフォトレジス
ト層がコルゲート形状をエッチングするマスクを形成す
る。そして、その後活性層をこのグレーティングの上
に、成長させて、適当な接点を形成して、動作させてい
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来のコルゲート状グレーティングをエッチングで形成す
る方法は、極めてその工程が煩雑である。従って、本発
明の目的は、エッチングで形成されたコルゲート状の導
波路グレーティングをクラッド層、あるいは、導波路層
の屈折率を周期的に変化させて形成したグレーティング
でもって、置換することである。
来のコルゲート状グレーティングをエッチングで形成す
る方法は、極めてその工程が煩雑である。従って、本発
明の目的は、エッチングで形成されたコルゲート状の導
波路グレーティングをクラッド層、あるいは、導波路層
の屈折率を周期的に変化させて形成したグレーティング
でもって、置換することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】従って、本発明によれ
ば、この従来エッチングされて形成されていたコルゲー
ト状導波路グレーティングは、クラッド材料あるいは導
波路層の何れかの屈折率を周期的に変化させて形成した
グレーティングでもって置換している。この変化させた
媒体は、バルク材料、あるいは量子井戸構造の何れかで
ある。量子井戸構造においては、量子閉じ込めスタルク
（Stark）効果より、屈折率を大きく変化させるか、あ
るいは、電界をかけることにより、位相空間吸収消滅を
行うかである。バルク材料の場合には、電流の注入が好
ましい動作モードであり、その理由は、屈折率の電界に
よる変化（Franz-Keldysh effect）がより少ないからで
ある。上記の素子の周期性は導電性材料、例えば、金
属、導電性ポリマ等により行われる。この導電性媒体を
ストリップラインの形態で用いて、そこに電流を流す
が、あるいは、電界をこの導電性媒体をかけて形成す
る。別法として、この周期性は、周期的に離間した導電
性ストリップラインと導電性媒体とのプラズモン（plas
mon）干渉によって得ることもできる。
ば、この従来エッチングされて形成されていたコルゲー
ト状導波路グレーティングは、クラッド材料あるいは導
波路層の何れかの屈折率を周期的に変化させて形成した
グレーティングでもって置換している。この変化させた
媒体は、バルク材料、あるいは量子井戸構造の何れかで
ある。量子井戸構造においては、量子閉じ込めスタルク
（Stark）効果より、屈折率を大きく変化させるか、あ
るいは、電界をかけることにより、位相空間吸収消滅を
行うかである。バルク材料の場合には、電流の注入が好
ましい動作モードであり、その理由は、屈折率の電界に
よる変化（Franz-Keldysh effect）がより少ないからで
ある。上記の素子の周期性は導電性材料、例えば、金
属、導電性ポリマ等により行われる。この導電性媒体を
ストリップラインの形態で用いて、そこに電流を流す
が、あるいは、電界をこの導電性媒体をかけて形成す
る。別法として、この周期性は、周期的に離間した導電
性ストリップラインと導電性媒体とのプラズモン（plas
mon）干渉によって得ることもできる。
【０００８】
【実施例】本発明の方法の第１ステップは、適当な基板
材料の選択である。現在製造されている多くの光電子部
品は、長波長システム（１．３μｍと１．５５μｍ）用
で、一般的には、ＩｎＰ基板の上にＩｎＧａＡｓＰを形
成することにより製造されている。しかし、ある種の応
用においては、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ基板も短波長シ
ステムにおいては用いられている。このようにして選択
した基板は、通常ｎ型でドープしている。図１は本発明
に用いられる半絶縁性ｎ型ＩｎＰ基板１１の断面図であ
る。
材料の選択である。現在製造されている多くの光電子部
品は、長波長システム（１．３μｍと１．５５μｍ）用
で、一般的には、ＩｎＰ基板の上にＩｎＧａＡｓＰを形
成することにより製造されている。しかし、ある種の応
用においては、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ基板も短波長シ
ステムにおいては用いられている。このようにして選択
した基板は、通常ｎ型でドープしている。図１は本発明
に用いられる半絶縁性ｎ型ＩｎＰ基板１１の断面図であ
る。
【０００９】次に、ｎ型バッファ層（導電性プレーン）
１２が半絶縁性ｎ型ＩｎＰ基板１１の上に従来のエピタ
キシャル成長により堆積される。このｎ型バッファ層
（導電性プレーン）１２は半絶縁性基板を用いて、必要
な導電性を確保する場合に必要である。このエピタキシ
ャル成長プロセスにより、基板の結晶対称を保持する。
このようなエピタキシャル成長に適切なものは、単一元
素ソースを用いた分子線エピタキシ、あるいは、容易に
気化する分子ソースを用いた有機金属ＣＶＤ法である。
１２が半絶縁性ｎ型ＩｎＰ基板１１の上に従来のエピタ
キシャル成長により堆積される。このｎ型バッファ層
（導電性プレーン）１２は半絶縁性基板を用いて、必要
な導電性を確保する場合に必要である。このエピタキシ
ャル成長プロセスにより、基板の結晶対称を保持する。
このようなエピタキシャル成長に適切なものは、単一元
素ソースを用いた分子線エピタキシ、あるいは、容易に
気化する分子ソースを用いた有機金属ＣＶＤ法である。
【００１０】図３において、次に、ｎ型バッファ層（導
電性プレーン）１２の上に導波路層１３を堆積する。本
発明に用いられる導波路層１３は、従来の材料から選択
されたもので、バルク材料、あるいは、量子井戸層を含
む。この導波路層１３は、導波路特性に適した特定の波
長を伝播するための化学量論的組成のベース構造体とし
て、成長される。この導波路層１３の厚さは、必要な光
学モードに関連して決定される。
電性プレーン）１２の上に導波路層１３を堆積する。本
発明に用いられる導波路層１３は、従来の材料から選択
されたもので、バルク材料、あるいは、量子井戸層を含
む。この導波路層１３は、導波路特性に適した特定の波
長を伝播するための化学量論的組成のベース構造体とし
て、成長される。この導波路層１３の厚さは、必要な光
学モードに関連して決定される。
【００１１】その後、図４に示すように、導波路層１３
の上にｎ型接点層（導電性プレーン）１４が堆積され
る。さらに、図５に示すように、レーザ層１５はｎ型接
点層（導電性プレーン）１４の上に通常のエピタキシ成
長法を用いて堆積される。このレーザは分散型フィード
バック（ＤＦＢ）レーザ、あるいは、分散型ブラグリフ
レクタ（ＤＢＲ）レーザで用いられる材料でもって形成
される。このような材料は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料
で、例えば、ＩｎＧａＡｓＰである。
の上にｎ型接点層（導電性プレーン）１４が堆積され
る。さらに、図５に示すように、レーザ層１５はｎ型接
点層（導電性プレーン）１４の上に通常のエピタキシ成
長法を用いて堆積される。このレーザは分散型フィード
バック（ＤＦＢ）レーザ、あるいは、分散型ブラグリフ
レクタ（ＤＢＲ）レーザで用いられる材料でもって形成
される。このような材料は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料
で、例えば、ＩｎＧａＡｓＰである。
【００１２】この所望の構造体を形成するために、次の
ステップは、この構造体をエッチングして、導波路材料
を露出することである。これは、例えば、異方性ドライ
エッチング、あるいは、低周波プラズマエッチングで行
われ、イオンの注入方向がエッチング速度を早める。こ
のために、様々なエッチャントが存在するが、その代表
例としては、ＨＣｌ、Ｂｒ：ＣＨ3ＯＨ、Ｈ2ＳＯ4：Ｈ2
Ｏ2、ＨＢｒ：Ｈ2Ｏ2がウェットエッチング用に、ＣＦ2
Ｃｌ2、Ｃｌ4：Ｈ2、ＣＨ4Ｈ2ドライエッチング用に用
いられる。
ステップは、この構造体をエッチングして、導波路材料
を露出することである。これは、例えば、異方性ドライ
エッチング、あるいは、低周波プラズマエッチングで行
われ、イオンの注入方向がエッチング速度を早める。こ
のために、様々なエッチャントが存在するが、その代表
例としては、ＨＣｌ、Ｂｒ：ＣＨ3ＯＨ、Ｈ2ＳＯ4：Ｈ2
Ｏ2、ＨＢｒ：Ｈ2Ｏ2がウェットエッチング用に、ＣＦ2
Ｃｌ2、Ｃｌ4：Ｈ2、ＣＨ4Ｈ2ドライエッチング用に用
いられる。
【００１３】表面処理が接点の形成接着性に対して関し
て重要であり、その結果、再現性のある表面処理技術が
必要である。このような表面処理技術が複数の有機溶剤
クリーニングと、その後のこの材料の光エッチングと表
面酸化物の除去が含まれる。このようにして得られたエ
ッチング処理後の構造体を図６に示す。
て重要であり、その結果、再現性のある表面処理技術が
必要である。このような表面処理技術が複数の有機溶剤
クリーニングと、その後のこの材料の光エッチングと表
面酸化物の除去が含まれる。このようにして得られたエ
ッチング処理後の構造体を図６に示す。
【００１４】このエッチングプロセスの後、導波路材料
が露出し、図７に示すように、クラッド層１６がその上
に堆積される。その後、導電性材料がクラッド層１６の
上に光リソグラフ技術により、図８に示すように、グレ
ーティング１７を形成する。図８の構造体の斜視図を図
９に示す。
が露出し、図７に示すように、クラッド層１６がその上
に堆積される。その後、導電性材料がクラッド層１６の
上に光リソグラフ技術により、図８に示すように、グレ
ーティング１７を形成する。図８の構造体の斜視図を図
９に示す。
【００１５】本発明を実施するに際し、用いられる導電
性材料は、従来の導電性材料、例えば、金属、半導体、
ポリマ等から選択される。このような金属導電性を示す
ようなポリマ系は可溶で、処理可能で、環境的にも安定
しているものである。このような多くのポリマ材料とし
ては、一般式が次式のポリアニリン（polyaniline）で
ある。
性材料は、従来の導電性材料、例えば、金属、半導体、
ポリマ等から選択される。このような金属導電性を示す
ようなポリマ系は可溶で、処理可能で、環境的にも安定
しているものである。このような多くのポリマ材料とし
ては、一般式が次式のポリアニリン（polyaniline）で
ある。
【化１】
【００１６】この材料の様々な酸化状態の内、このエメ
ラルド形態（emeraldine form）（ｙ＝０．５）が最も
広く用いられている。このポリマはドープしない形態
で、有機酸溶液および水酸溶液から処理可能な溶剤であ
る。このポリアニリンの導電性は、大気に露出した時に
劣化しない。この材料の様々な発生物が考えられるが、
アルキル（alkyl）グループのような置換剤は、芳香リ
ングあるいは窒素原子の何れかに容易に組み込むことが
できる。これにより、ポリアニリンの好ましい特性を形
成することができる。
ラルド形態（emeraldine form）（ｙ＝０．５）が最も
広く用いられている。このポリマはドープしない形態
で、有機酸溶液および水酸溶液から処理可能な溶剤であ
る。このポリアニリンの導電性は、大気に露出した時に
劣化しない。この材料の様々な発生物が考えられるが、
アルキル（alkyl）グループのような置換剤は、芳香リ
ングあるいは窒素原子の何れかに容易に組み込むことが
できる。これにより、ポリアニリンの好ましい特性を形
成することができる。
【００１７】この分野の最近の技術進歩により、ポリア
ニリン内にオニオム塩（onium salts）、あるいは、ア
ミントリフレート塩（amine triflate salts）を組み込
むことにより、ポリマをドーピングできる。これによ
り、放射処理あるいは熱処理に曝すことにより、活性ド
ーパント種、すなわち、プロトニック酸を生成する。
ニリン内にオニオム塩（onium salts）、あるいは、ア
ミントリフレート塩（amine triflate salts）を組み込
むことにより、ポリマをドーピングできる。これによ
り、放射処理あるいは熱処理に曝すことにより、活性ド
ーパント種、すなわち、プロトニック酸を生成する。
【００１８】この導電性材料用のクラッド層／スペーサ
層の厚さと屈折率は、必要な光学モードによって決定さ
れる。
層の厚さと屈折率は、必要な光学モードによって決定さ
れる。
【００１９】
【発明の効果】以上述べたような方法により構成された
構造体は、ＤＢＲレーザ系の使用に適している。クラッ
ドに周期的に電位差をかけるにより、屈折率を制御した
グレーティングが得られ、電圧バイアスを調整すること
により、このような制御が可能である。本発明に述べた
製造方法の利点は、従来のグレーティングを電子光グレ
ーティングでもって置換し、それにより、素子の寿命を
伸ばし、処理コストを上げることなく、歩留まりを改良
する。
構造体は、ＤＢＲレーザ系の使用に適している。クラッ
ドに周期的に電位差をかけるにより、屈折率を制御した
グレーティングが得られ、電圧バイアスを調整すること
により、このような制御が可能である。本発明に述べた
製造方法の利点は、従来のグレーティングを電子光グレ
ーティングでもって置換し、それにより、素子の寿命を
伸ばし、処理コストを上げることなく、歩留まりを改良
する。
【図１】本発明に用いられる半導体基板の断面図。
【図２】図１の基板の上に導電性プレーンが成長した後
の断面図。
の断面図。
【図３】図２の基板の上に多重量子井戸の導波路を成長
させた後の基板の断面図。
させた後の基板の断面図。
【図４】図３の基板の上の導波路の上に導電性プレーン
を成長させた後の断面図。
を成長させた後の断面図。
【図５】図４の基板の上の活性量子井戸レーザ層を成長
させた後の断面図。
させた後の断面図。
【図６】図５の基板の上のレーザ層と導電材料層とを部
分的に除去した後の断面図。
分的に除去した後の断面図。
【図７】図６の基板の上のクラッド／スペーサ材料層を
堆積した後の断面図。
堆積した後の断面図。
【図８】図７の基板の上に光電子グレーティングの形成
と導電性ポリマフィルムの堆積を行った後の断面図。
と導電性ポリマフィルムの堆積を行った後の断面図。
【図９】図８の基板の斜視図。
１１ 半絶縁性ｎ型ＩｎＰ基板 １２ ｎ型バッファ層（導電性プレーン） １３ 導波路層 １４ ｎ型接点層（導電性プレーン） １５ レーザ層 １６ クラッド層 １７ グレーティング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マイケル ディー．ウィリアムズ アメリカ合衆国、07728 ニュージャージ ー、フリーホールド、スワン レイク パ ーク ９
Claims (11)
- 【請求項１】 （ａ）半絶縁性、あるいはドープしたＩ
ＩＩ−Ｖ族半導体基板（１１）の表面の上に第１のｎ型
接点層（１２）を堆積するステップ（図２）と、 （ｂ）前記ｎ型接点層（１２）の上に導波路（１３）を
堆積するステップ（図３）と、 （ｃ）前記導波路（１３）の上に第２のｎ型接点層（１
４）を堆積するステップ（図４）と、 （ｄ）前記第２のｎ型接点層（１４）の上に活性層（１
５）を堆積するステップ（図５）と、 （ｅ）前記基板のグレーティングを形成すべき領域にお
いて、前記活性層（１５）を導波路層（１３）の上まで
選択的にエッチングするステップ（図６）と、 （ｆ）グレーティング形成用の領域の上にクラッド層
（１６）を成長させるステップ（図７）と、 （ｇ）前記ステップにより得られた構造体の上にフォト
レジストを堆積し、パターン化するステップと、 （ｈ）光リソグラフ技術によりグレーティングの形態
で、前記クラッド領域（１６）の上に導電材料層を堆積
するステップ（図８）と、 からなることを特徴とするＤＦＢ／ＤＢＲレーザ用の波
長選択性電子光グレーティングの形成方法。 - 【請求項２】 前記基板（１１）は、ＩｎＰ製であるこ
とを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項３】 前記導波路（１３）は、量子井戸層を含
むことを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項４】 前記導波路（１３）は、バルク材料を含
むことを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項５】 前記ｎ型接点層（１２，１４）は、元素
ソース、有機金属ソースを用いた分子線エピタキシによ
り堆積することを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項６】 前記ｎ型接点層（１２、１４）は、有機
金属ＣＶＤ法により堆積することを特徴とする請求項１
の方法。 - 【請求項７】 前記活性層（１５）は、ＤＢＲレーザ、
ＤＦＢレーザの何れかであることを特徴とする請求項１
の方法。 - 【請求項８】 前記活性層（１５）のエッチングは、異
方性ドライエッチングにより行うことを特徴とする請求
項１の方法。 - 【請求項９】 前記導電材料層は、ポリアニリン（poly
aniline）であることを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項１０】 前記クラッド層（１６）は、バルク材
料を含むことを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項１１】 前記クラッド層（１６）は、量子井戸
層を含むことを特徴とする請求項１の方法。
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