KR100243737B1 - 화합물 반도체 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 화합물 반도체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 레이저 다이오드의 그레이팅 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 제 1 전도 타입의 화합물 기판; 상기 화합물 기판상에 형성되는 제 1 전도 타입의 제 1 클래드층; 상기 제 1 클래드층 상에 형성되고, 파장이 도파되는 활성층; 상기 활성층상에 형성되는 제 2 전도 타입의 제 2 클레드층을 포함하며, 상기 활성층에 인접한 제 1 클래드층 부분 또는 활성층에 인접한 제 2 클레드층 부분에는 유효 굴절율이 상이한 두 물질이 적층된 그레이팅이 형성된 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 화합물 반도체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 레이저 다이오드의 그레이팅(grating) 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 단일 모드 발진하는 분포 궤환형 레이저 다이오드(이하 DFB레이저 다이오드 : distributed feedback)는 선폭이 미세하고, 빛의 분산이 적으며, 신호의 왜곡이 적고, 선폭이 미세하며, 파장이 안정되어 있어, 초고속 광통신용 소자로 이용된다.
이러한 DFB 레이저 다이오드는 레이저가 발생되는 액티브층과 클래드층 사이에 특정 주기를 갖는 그레이트층을 형성하여, 단일 모드 발진을 실현한다.
여기서, 종래의 그레이팅은, 화합물 반도체 기판(11), N형의 클레드층(12), 활성층(13), P형의 클래드층(14)이 적층된 구조물 상에 그레이팅이 형성되어질 화합물층 예를들어, P형의 InGaAsP층을 형성한다. 이어, P형의 InGaAsP층 상에 공지의 홀로그라피 시스템을 이용한 포토리소그라피 공정에 의하여, 레지스트 패턴(도시되지 않음)을 형성한다. 이어, 레지스트 패턴의 형태로 P형의 InGaAsP층을 식각하여, 그레이팅(15)을 형성한다.
상기와 같은 종래의 기술에 의하여 형성된 그레이팅은 주기를 부분적으로 상이하게 하여 굴절율을 변화시킴으로써, 해당하는 하나의 파장만을 셀렉팅하는 역할을 한다.
그러나, 상기한 그레이팅에 의하여 빛을 셀렉팅하고자 할때, 빛은 위상차에 따른 (+)방향과 (-) 방향의 두 개의 전달 방향을 지니므로, 소정의 파장을 셀렉팅할 때, 위상차가 상이한 두 개의 파형의 동시에 선택된다.
이로 인하여, 단일 모드 발진을 하는데 어려움이 있다.
따라서, 본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 단일 모드 발진을 할 수 있는 화합물 반도체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 상기한 화합물 반도체의 제조방법을 제공하는 것이다.
제1도는 종래의 회절 격자 형성방법을 설명하기 위한 레이저 다이오드의 단면도.
제2a 내지 2c도는 본 발명의 일실시예를 설명하기 위한 레이저 다이오드의 단면도.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
1 : 화합물 기판 2, 4 : 클래드층
3 : 활성층 7 : 그레이팅
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 또는, 본 발명은, 제 1 전도 타입의 화합물 기판을 제공하는 단계; 상기 화합물 기판 상부에 제 1 전도 타입의 제 1 클래드층과, 활성층 및 제 2 클레드층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 제 2 클래드층 상부에 그레이팅용 화합물층을 형성하는 단계; 상기 그레이팅용 화합물층 상부에 소정 간격을 갖는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴의 형태로 그레이팅용 화합물층을 식각하여, 그레이팅을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 그레이트용 화합물층을 형성하는 단계는, 제 1 전도 타입의 InP층을 형성하는 단계와, 상기 InP층 상부에 InGaAs을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 그레이팅층을 InP층과 InGaAs층을 적층하여 형성하므로써, 도파되는 파장을 제한하고, 산란되는 파장은 흡수하며, 도파 파장중 게인 위치에 해당하는 파장만을 셀렉팅하여, 단일 모드 발진을 하는 레이저 다이오드를 형성할 수 있다.
[실시예]
이하 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.
첨부한 도면 도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일실시예를 설명하기 위한 단면도이다.
본 발명은 하나의 파장 셀렉팅시, 하나의 파장이 도파될 수 있도록, 그레이팅을 2중 구조로 형성한다.
보다 구체적으로는 도 2a에 도시된 바와 같이, N형의 화합물 반도체 기판(1)상에 N형의 클레드층(2)과 활성층(3), P형의 클래드층(4) 및 그레이팅용 화합물층이 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 방식에 의하여 순차적으로 에피택셜 성장된다. 본 발명의 그레이팅용 화합물층은 P형의 클래드층(4) 상부에 N형의 InP층(5)과 N형의 InGaAs층(6)의 적층 구조물을 이용한다.
이어서, N형의 InGaAs층(6) 상부에는 공지의 홀로그라피 시스템을 이용한 포토리소그라피 공정에 의하여, 일정 간격을 갖는 레지스트 패턴(도시되지 않음)을 형성한다. 이어, 레지스트 패턴의 형태로 N형의 InP층(5)과 N형의 InGaAs층(6)을 식각하여, 그레이팅(7)을 형성한다.
이때, 상기와 같이, N형의 InP층(5)과 N형의 InGaAs층(6)의 적층하여 형성하는 것은, 서로 유효 굴절율의 차에 의하여 셀렉팅된 두 개의 파장을 하나의 파장으로 제한하기 위함이다. 또한, N형의 InGaAs층(6)은 2개의 진행 방향을 갖는 광의 산란을 흡수하고, N형의 InP층(5)은 전극으로부터 인가되는 전류를 차단하여, 빛의 결함을 방지한다. 따라서, 도파 파장중에 이득 위치에 달하는 파장만을 셀렉트 하게 된다.
그후에, 도 2c에 도시된 바와 같이, 화합물 기판 구조물상에 P형의 InP 클래드층(8)을 재성장하여, 그레이팅(7)이 P형의 InP 클래드층내부에 존재하도록 한다.
이러한 적층 구조의 그레이팅(7)을 형성하게 되면, 최상부(P형의 InP 클레드층:8)의 전도 타입이 P형이고, 그레이팅(7)부분에서 식각되지 않고 남아있는 부분이 N형이므로, 전체적인 구조로 볼 때 P-N-P-N 형 접합이 형성된다. 따라서, 구동 전압에 이를때까지 전류가 흐르지 못하도록 하는 전류 차단층의 역할을 하여, 상기 그레이팅(7) 하부의 활성층 부분에 빛이 발생되지 않고, 식각되지 않고 남아있는 P형의 InP층(4)에만 전류가 흘러 빛이 발생된다. 즉, 활성층내에서 일정한 주기를 갖으며, 빛이 발생된다. 이러한 경우, 빛의 발생이 주기적이므로, 발생된 빛의 게인 프로파일중에서 공간적인 주기가 그레이팅 형태와 일치하는 파장이 선택되고, 산란된 나머지 빛은 N형의 InGaAs층(6)에서 흡수하게 된다. (N형의 InGaAs층(6)의 밴드갭이 발진 파장보다 작으므로 흡수됨)
또한, 외부의 N형의 InP층(5)과 N형의 InGaAs층(6)가 주기적으로 식각되어 있으므로, 활성층 상부의 일정 부분에서는 유효 굴절율이 주기적으로 변화된다. 이는 일반적인 DFB 레이저 다이오드와 같으므로, 두가지 진행방향의 빛이 활성층내에 존재하게 되어, 그중 빛이 발생되는 활성층내 주기에 가까운 것이 발진된다. 따라서, 단일 모드 발진이 가능하여 진다.
본 발명은 상기한 실시예에 국한되는 것만은 아니다.
본 발명에서는 그레이팅의 위치를 활성층 상부의 P형 클래드층내에 형성하였지만, 이에 한정되지 않고, 활성층 하부의 N형 클래드층내에서도 형성할 수 있다.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명에 의하면, 그레이팅층을 InP층과 InGaAs층을 적층하여 형성하므로써, 도파되는 파장을 제한하고, 산란되는 파장은 흡수하며, 도파 파장중 주기적 게인 위치에 해당하는 파장만을 셀렉팅하여, 단일 모드 발진을 하는 레이저 다이오드를 형성할 수 있다.
기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
Claims (7)
- 제 1 전도 타입의 화합물 기판; 상기 화합물 기판상에 형성되는 제 1 전도 타입의 제 1 클래드층; 상기 제 1 클래드층 상에 형성되고, 파장이 도파되는 활성층; 상기 활성층상에 형성되는 제 2 전도 타입의 제 2 클레드층을 포함하며, 상기 활성층에 인접한 제 1 클래드층 부분 또는 활성층에 인접한 제 2 클레드층 부분에는 유효 굴절율이 상이한 두 물질이 적층된 그레이팅이 형성된 것을 특징으로 하는 화합물 반도체.
- 제1항에 있어서, 상기 그레이팅은, 전류를 차단하는 InP층과, 산란광을 흡수하는 InGaAs층의 적층구조로 된 것을 특징으로 하는 화합물 반도체.
- 제1항에 있어서, 상기 제 1 전도 타입은 N형의 불순물 타입이고, 제 2 전도 타입은 P형의 불순물 타입인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체.
- 제 1 전도 타입의 화합물 기판을 제공하는 단계; 상기 화합물 기판 상부에 제 1 전도 타입의 제1 클래드층과, 활성층 및 제 2 클레드층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 제 2 클래드층 상부에 그레이팅용 화합물층을 형성하는 단계; 상기 그레이팅용 화합물층 상부에 소정 간격을 갖는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴의 형태로 그레이팅용 화합물층을 식각하여, 그레이팅을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 그레이트용 화합물층을 형성하는 단계는, 제 1 전도 타입의 InP층을 형성하는 단계와, 상기 InP층 상부에 InGaAs을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제 1 전도 타입의 제 1 클래드층과, 활성층 및 제 2 클레드층은 MOCVD 방식에 의하여 성장된 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 마스크 패턴을 형성하는 단계는, 화합물층 상에 포토레지스트막을 도포하는 단계; 상기 포토레지스트막을 홀로그라피 광원 또는 전자 빔 광원에 의하여 노광하는 단계; 상기 노광된 포토레지스트막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제 1 전도 타입은 N형의 불순물 타입이고, 제 2 전도 타입은 P형의 불순물 타입인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 제조방법.
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