JPH0720205A - 半導体集積回路の出力信号変化測定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 イネーブル時間あるいはディスエーブル時間
を正確に測定することができる半導体集積回路の出力信
号変化測定方法を得る。 【構成】 負荷容量４を充電し測定電圧ＶO をＶDDに設
定する。そして、出力イネーブル制御信号バーＯＥ
“Ｈ”に反転させ、出力バッファ１をディスエーブル状
態にして、負荷容量４に充電されていた電荷を、定電流
源８を通して放電させ、測定電圧ＶO をＶDDから低下さ
せる。そこで、出力イネーブル制御信号バーＯＥが
“Ｈ”に変化した時刻から、測定電圧ＶO がＶDDから
０．３Ｖ低下する時刻までの時間を、ディスエーブル時
間ＴPHZ として測定する。 【効果】 負荷容量の充放電に要する電流源の供給電流
を十分大きく設定することにより、常に精度の良いディ
スエーブル時間を測定することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体集積回路の出
力信号のイネーブル・ディスエーブル時間を測定する半
導体集積回路の出力信号変化測定方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図５は半導体集積回路の出力信号の従来
のイネーブル・ディスエーブル時間測定方法を示す説明
図である。同図に示すように、測定対象デバイスＤＵＴ
である半導体集積回路の出力信号は出力バッファ１から
出力端子Ｐ２を介して出力される。なお、Ｐ１は出力バ
ッファ１の入力端子である。

【０００３】出力バッファ１は、出力イネーブル制御信
号バーＯＥが“Ｌ”（０Ｖ）のとき、イネーブル状態と
なり、入力端子Ｐ１より得られる入力信号をそのまま出
力端子Ｐ２から出力し、出力イネーブル制御信号バーＯ
Ｅが“Ｈ”（ＶDD）のとき、ディスエーブル状態とな
り、入力信号に関係なく出力端子Ｐ２をハイインピーダ
ンス状態にする。

【０００４】出力端子Ｐから、出力される出力バッファ
１の出力信号はテスタ内に取り込まれる。テスタ内のノ
ードＮ１は抵抗２を介して電源ＶDDに接続されるととも
に抵抗３を介して接地される。また、ノードＮ２は負荷
容量４を介して接地される。負荷容量４は、実使用時に
出力端子Ｐ２にかかる負荷を想定してテスタ側で意図的
に設定されるものである。なお、抵抗２及び抵抗３の抵
抗値はともに２Ｒであり、負荷容量４の容量はＣL であ
る。

【０００５】図６は、半導体集積回路の出力信号の従来
のイネーブル・ディスエーブル時間測定方法の説明用の
タイミング図である。

【０００６】同図を参照して、まず、出力バッファ１の
出力信号の“Ｈ”からハイインピーダンス状態への変化
（以下、「Ｈ→ＨＺ変化」と略す場合あり）を考える。

【０００７】“Ｈ”を出力していた出力バッファ１の出
力イネーブル制御信号バーＯＥが時刻ｔ１に“Ｌ”から
“Ｈ”に反転すると、時刻ｔ１から時間ｔ0 経過後に、
出力バッファ１はハイインピーダンス状態となり、測定
端子Ｐ３の測定電圧ＶO はＶDDから低下し始める。

【０００８】このとき、ノードＮ１が抵抗２及び３によ
り、ＶDD／２に分圧されているため、負荷容量４に充電
された電荷は抵抗３を介して放電され、測定電圧ＶO は
ＶDD／２に向けて指数関数的に降下する。

【０００９】つまり、時刻（ｔ１＋ｔ0 ）を起点とした
ｔ秒後の測定電圧ＶO は下記の数１のように変化する。

【００１０】

【数１】

【００１１】したがって、時間ｔは以下のように決定す
る。

【００１２】

【数２】

【００１３】そこで、出力イネーブル制御信号バーＯＥ
が“Ｈ”に変化した時刻ｔ1 から、測定電圧ＶO がＶDD
から０．３Ｖ低下する時刻ｔ12までの時間ｔを、ディス
エーブル時間ＴPHZ としてテスタで測定する。このと
き、ＶDD＝５Ｖとした場合、ディスエーブル時間ＴPHZ
は下の数３で決定する。

【００１４】

【数３】

【００１５】数３から、時間ｔ0 ＞＞０．１２８ＣL ・
Ｒのときは、抵抗３及び負荷容量４の影響を無視できる
が、時間ｔ0 が微小時間になると、時定数ＣL ・Ｒの影
響が無視できなくなり、ディスエーブル時間ＴPHZ の測
定精度を低下させるという問題点があった。

【００１６】一方、出力バッファ１の出力が“Ｌ”から
ハイインピーダンス状態への変化（以下、「Ｌ→ＨＺ変
化」と略す場合あり）する時に、出力イネーブル制御信
号バーＯＥが“Ｈ”に変化した時刻から、測定電圧ＶO
が０Ｖから０．３Ｖ上昇する時刻までの時間を、ディス
エーブル時間ＴPLZ とした場合も、Ｈ→ＨＺ変化と同
様、ディスエーブル時間ＴPLZ の測定精度を低下させる
問題点がある。

【００１７】次に、出力バッファ１の出力がハイインピ
ーダンス状態から“Ｈ”への変化（以下、「ＨＺ→Ｈ変
化」と略す場合あり）を考える。

【００１８】出力バッファ１はハイインピーダンス状態
の時、抵抗２及び抵抗３の抵抗分割により、測定電圧Ｖ
O はＶDD／２にバイアスされている。

【００１９】そして、入力信号Ｓ０を“Ｈ”にした状態
で時刻ｔ２に、出力イネーブル制御信号バーＯＥを
“Ｈ”から“Ｌ”に変化させる。

【００２０】すると、測定電圧ＶO はＶDD／２からＶDD
に向けて変化する。このとき、抵抗２及び３は、出力バ
ッファ１の負荷となり、抵抗２及び３の抵抗値が小さす
ぎると、出力バッファ１が負荷を駆動しきれなくなるた
め、測定電圧ＶO がＶDDへの上昇度合いが抑制される。

【００２１】すなわち、抵抗負荷に出力電流が流れ、負
荷容量４の充電に要する時間が遅くなる。その結果、出
力イネーブル制御信号バーＯＥが“Ｌ”に変化した時刻
ｔ２から、測定電圧ＶO が測定電圧ＶO がＶDD／２から
０．３Ｖ上昇する時刻時刻ｔ２２までの時間をイネーブ
ル時間ｔPHZ として測定した場合、イネーブル時間ｔPH
Z が必要以上に長くなり、イネーブル時間ｔPHZ の測定
精度が低下するという問題点があった。

【００２２】この対策としては、抵抗２及び抵抗３の抵
抗値を大きくすることが当然の如く考えられるが、前述
したように、ディスエーブル時間ＴPHZ （ＴPLZ ）の精
度を良好な値にするには、時定数決定のパラメータであ
る抵抗２及び３の抵抗値を小さくする必要があるため、
抵抗２及び抵抗３の抵抗値を大きくすると、ディスエー
ブル時間ＴPHZ の測定には不適な構成となってしまい実
用性は乏しい。

【００２３】また、抵抗値を大きくすると、出力バッフ
ァ１のディスエーブル状態時に、測定電圧ＶO をＶDD／
２にするのに時間を要するため、出力バッファ１をディ
スエーブル状態に設定する時間が長くなるため、余分に
テスト時間を要してしまうという問題も生じてしまう。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】従来のイネーブル・デ
ィスエーブル時間測定方法は以上のように、微小時間の
ディスエーブル時間及びイネーブル時間をそれぞれ正確
に測定することができないという問題点があった。

【００２５】この発明は上記問題点を解決するためにな
されたもので、半導体集積回路の出力信号のイネーブル
時間あるいはディスエーブル時間を正確に測定すること
ができる半導体集積回路の出力信号変化測定方法を得る
ことを目的とする。

【００２６】

【課題を解決するための手段】この発明にかかる請求項
１記載の半導体集積回路の出力信号電位変化測定方法
は、制御信号を受け、該制御信号に基づきイネーブル状
態／ディスエーブル状態が規定され、イネーブル状態時
に第１あるいは第２の電位の出力信号を出力し、ディス
エーブル状態時に前記出力信号をハイインピーダンス状
態にする半導体集積回路に対し、前記半導体集積回路が
イネーブル状態からディスエーブル状態に変化するのに
要するディスエーブル時間を測定する方法であって、電
流源を用いるとともに、一方電極に前記出力信号を受
け、他方電極の電位が固定された負荷容量の前記一方電
極より得られる電位を測定電位とし、(a) イネーブル状
態を指示する前記制御信号を付与した後、前記第１及び
第２の電位うちの一方の電位で前記出力信号を出力さ
せ、前記測定電位を前記一方の電位に設定するステップ
と、(b) 前記ステップ(a) の後、第１の時刻にディスエ
ーブル状態を指示する前記制御信号を付与し、前記測定
電位が、前記第１及び第２の電位のうちの前記一方の電
位から他方の電位に向けて速やかに変化するように、前
記電流源により前記負荷容量を充放電するステップと、
(c) 前記測定電位が、前記第１，第２の電位間の所定電
位に達したときを第２の時刻とし、前記第１の時刻から
前記第２の時刻までの経過時間を前記ディスエーブル時
間とするステップとを備えて構成される。

【００２７】この発明にかかる請求項２記載の半導体集
積回路の出力信号電位変化測定方法は、制御信号を受
け、該制御信号に基づきイネーブル状態／ディスエーブ
ル状態が規定され、イネーブル状態時に第１あるいは第
２の電位の出力信号を出力し、ディスエーブル状態時に
インピーダンス状態の前記出力信号を出力する半導体集
積回路に対し、前記半導体集積回路がディスエーブル状
態からイネーブル状態に変化するのに要するイネーブル
時間を測定する方法であって、前記第１，第２の電位間
の中間電位の電圧発生源を用いるとともに、一方電極に
前記出力信号を受け、他方電極の電位が固定された負荷
容量の前記一方電極より得られる電位を測定電位とし、
(a) ディスエーブル状態を指示する前記制御信号を付与
した後、前記電圧発生源により、前記測定電位を前記中
間電位に設定するステップと、(b)前記ステップ(a) の
後、第１の時刻にイネーブル状態を指示する前記制御信
号を付与し、前記測定電位が前記中間電位から前記第１
及び第２の電位のうちの前記一方の電位に向けて速やか
に変化するように、前記一方の電位で前記出力信号を出
力させるステップと、(c) 前記測定電位が、前記中間電
位より前記一方の電位側にシフトされた所定電位に達し
たときを第２の時刻とし、前記第１の時刻から前記第２
の時刻までの経過時間を前記イネーブル時間とするステ
ップとを備えて構成される。

【００２８】

【作用】この発明における請求項１記載の半導体集積回
路の出力信号変化測定方法において、ステップ(b) は、
ステップ(a) の後、第１の時刻にディスエーブル状態を
指示する制御信号を付与し、測定電位が第１及び第２の
電位のうちの一方の電位から他方の電位に向けて速やか
に変化するように、電流源により負荷容量を充放電する
ため、抵抗成分を用いることなく測定電位を変化させる
ことができる。

【００２９】この発明における請求項２記載の半導体集
積回路の出力信号変化測定方法は、ステップ(a) で、デ
ィスエーブル状態を指示する制御信号を付与した後、電
圧発生源により、測定電位を中間電位に設定し、ステッ
プ(b) で、ステップ(a) の後、第１の時刻にイネーブル
状態を指示する制御信号を付与し、測定電位が中間電位
から一方の電位に向けて速やかに変化するように、一方
の電位で出力信号を出力させる。

【００３０】すなわち、抵抗成分を用いることなく、デ
ィスエーブル状態時に測定電位を中間電位に設定すると
ともに、イネーブル状態時に測定電位を一方電位に変化
させている。

【００３１】

【実施例】

＜第１の実施例＞図１はこの発明の第１の実施例である
ディスエーブル時間測定方法を示す説明図である。同図
に示すように、測定対象デバイスＤＵＴである半導体集
積回路の出力信号は出力バッファ１から出力端子Ｐ２を
介して出力される。なお、Ｐ１は入力端子である。

【００３２】出力バッファ１は、出力イネーブル制御信
号バーＯＥが“Ｌ”（０Ｖ）のとき、イネーブル状態と
なり、入力端子Ｐ１より得られる入力信号Ｓ０をそのま
ま出力信号として出力端子Ｐ２から出力し、出力イネー
ブル制御信号バーＯＥが“Ｈ”（ＶDD）のとき、ディス
エーブル状態となり、信号Ｓ０に関係なく出力端子Ｐ２
をハイインピーダンス状態にする。なお、入力信号Ｓ０
の付与はテスタによって行うことが可能である。

【００３３】出力端子Ｐ２から出力される出力バッファ
１の出力信号は、テスタ内に取り込まれる。テスタ内の
ノードＮ３は負荷容量４を介して接地される。負荷容量
４は、実使用時に出力端子Ｐ２にかかる負荷を想定して
テスタ側で意図的に設定されるものである。

【００３４】テスタは、出力バッファ１の出力信号をノ
ードＮ４を介して測定端子Ｐ３に取り込む。ノードＮ４
はスイッチ５及び吸い込み電流Ｉ0 の定電流源８を介し
て接地される。吸い込み電流Ｉ0 は、出力バッファ１の
出力信号が“Ｈ”のとき、負荷容量４の充電が完了した
ときの出力バッファ１の出力電流ＩOHと等しくなる値に
設定される。

【００３５】以下、図６を参照して、第１の実施例のデ
ィスエーブル時間測定方法の説明をする。まず、出力バ
ッファ１の出力信号の“Ｈ”からハイインピーダンス状
態への変化であるＨ→ＨＺ変化を考える。

【００３６】このとき、スイッチ５をオン状態にし、定
電流源８をノードＮ４に電気的に接続しておく。そし
て、イネーブル状態の出力バッファ１に対し、テスタよ
り“Ｈ”の入力信号Ｓ０を付与する。

【００３７】すると、負荷容量４は充電され、負荷容量
４の充電が完了すると、“Ｈ”を出力する出力バッファ
１の出力電流ＩOHと定電流源８の吸い込み電流Ｉ0 とが
等しくなり、測定端子Ｐ３より得られる測定電圧ＶO は
ＶDDに設定される。

【００３８】そして、出力イネーブル制御信号バーＯＥ
が時刻ｔ１に“Ｌ”から“Ｈ”に反転すると、時刻ｔ１
から時間ｔ0 経過後に、出力バッファ１はハイインピー
ダンス状態となる。

【００３９】その結果、負荷容量４に充電されていた電
荷は、定電流源８を通して放電され、測定電圧ＶO はＶ
OH（ＶDD）から低下する。すなわち、時刻（ｔ１＋ｔ0
）を起点としたｔ秒後の測定電圧ＶO は下記の数４の
ように変化する。

【００４０】

【数４】

【００４１】そこで、出力イネーブル制御信号バーＯＥ
が“Ｈ”に変化した時刻ｔ１から、測定電圧ＶO がＶOH
から０．３Ｖ低下する時刻ｔ１３までの時間ｔ（図６参
照）を、ディスエーブル時間ＴPHZ としてテスタで測定
する。このとき、ディスエーブル時間ＴPHZ は下の数５
で決定する。

【００４２】

【数５】

【００４３】ここで、吸い込み電流Ｉ0 は１ｍＡ程度の
十分大きな量を確保できるため、負荷容量４の容量値Ｃ
L を５０ｐＦとすれば、（１．３ＣL ）／ＩO は１５ｎ
Ｓの微小時間となる。したがって、時間ｔ0 が微小時間
となっても、常に精度の良いディスエーブル時間ＴPHZ
を測定することができる。

【００４４】加えて、出力バッファ１の出力がハイイン
ピーダンス状態に設定されている時、負荷容量４の電荷
を引き抜くとき以外は電流が流れないため、測定中に貫
通電流が流れることはない。

【００４５】また、出力バッファ１の出力が“Ｌ”から
ハイインピーダンス状態への変化するＬ→ＨＺ変化のデ
ィスエーブル時間の測定を行うには、図２に示すよう
に、ノードＮ４からスイッチ６及び供給電流Ｉi の定電
流源７を介して電源ＶDDに接続するようにテスタを構成
する。

【００４６】そして、スイッチ５をオン状態にし、定電
流源８をノードＮ４に電気的に接続しておく。そして、
イネーブル状態の出力バッファ１に対し、テスタより
“Ｌ”の入力信号Ｓ０を付与する。すると、負荷容量４
は放電され、測定電圧ＶO はＶOL（０Ｖ）に設定され
る。

【００４７】そして、出力イネーブル制御信号バーＯＥ
が時刻ｔ１に“Ｌ”から“Ｈ”に反転すると、しかる後
に、出力バッファ１はハイインピーダンス状態となる。

【００４８】その結果、放電状態であった負荷容量４
は、定電流源７より充電され、測定電圧ＶO はＶOLから
上昇する。

【００４９】そこで、出力イネーブル制御信号バーＯＥ
が“Ｈ”に変化した時刻から、測定電圧ＶO がＶOLから
０．３Ｖ上昇するまでの時間を、ディスエーブル時間Ｔ
PLZとしてテスタで測定する。

【００５０】その結果、Ｈ→ＨＺ変化と全く同様の原理
で、供給電流Ｉi を十分大きな値に設定することによ
り、常に精度の良いディスエーブル時間ＴPLZ を測定す
ることができる。

【００５１】＜第２の実施例＞図３はこの発明の第２の
実施例であるイネーブル時間測定方法を示す説明図であ
る。同図に示すように、出力端子Ｐ２から出力される出
力バッファ１の出力信号は、テスタ内に取り込まれる。

【００５２】テスタは、出力バッファ１の出力信号をノ
ードＮ５を介して測定端子Ｐ３に取り込む。ノードＮ５
はスイッチ９を介して出力電圧ＶDD／２の定電圧源１０
の正極に接続され、定電圧源１０の負極が接地される。

【００５３】なお、ＤＵＴ内の出力バッファ１や負荷容
量４等については、第１の実施例と同様であるため、説
明を省略する。

【００５４】以下、第２の実施例のイネーブル時間測定
方法の説明を行う。まず、出力バッファ１の出力のハイ
インピーダンス状態から“Ｈ”への変化であるＨＺ→Ｈ
変化を考える。

【００５５】このとき、スイッチ９をオン状態にし、Ｖ
DD／２定電圧源１０により負荷容量４をＶDD／２でプリ
チャージした後、スイッチ９をオフ状態にする。

【００５６】そして、入力端子Ｐ１に“Ｈ”の入力信号
Ｓ０を与えた状態で、出力イネーブル制御信号バーＯＥ
を時刻ｔ２に“Ｈ”から“Ｌ”に反転させると、時刻ｔ
２から時間ｔ10経過後に、出力バッファ１はイネーブル
状態となる。

【００５７】その結果、出力バッファ１から“Ｈ”が出
力されるため、ＶDD／２で充電されていた負荷容量４が
さらに充電され、測定電圧ＶO はＶDD／２からＶDDに向
けて上昇する。

【００５８】そこで、出力イネーブル制御信号バーＯＥ
が“Ｌ”に変化した時刻ｔ２から、測定電圧ＶO がＶDD
／２から０．３Ｖ上昇する時刻ｔ２３までの時間ｔを、
イネーブル時間ＴPZH として測定する。

【００５９】この測定方法は、出力バッファ１がディス
エーブル状態の時の測定電圧ＶO のプリチャージ動作を
抵抗を用いることなく定電圧源１０で行っており、イネ
ーブル状態時においても余分な負荷を駆動する必要はな
く、出力バッファ１は負荷容量４のみを駆動すればよい
ため、負荷容量４の充電を速やかに行うことができ、イ
ネーブル時間ＴPZH の測定精度は向上する。

【００６０】加えて、テスタのドライバをスイッチ９と
定電圧源１０の代用として用いれば、高速スイッチング
動作が可能となるため、ファンクションテスト中にイネ
ーブル時間を測定することもできる。

【００６１】また、出力バッファ１の出力のハイインピ
ーダンス状態から“Ｌ”への変化であるＨＺ→Ｌ変化
も、図３で示した構成で実現することができる。以下、
その方法を示す。

【００６２】まず、スイッチ９をオン状態にし、ＶDD／
２定電圧源１０により負荷容量４をＶDD／２でプリチャ
ージした後、スイッチ９をオフ状態にする。

【００６３】そして、入力端子Ｐ１に“Ｌ”の入力信号
Ｓ０を与えた状態で、出力イネーブル制御信号バーＯＥ
を時刻ｔ２に“Ｈ”から“Ｌ”に反転させると、しかる
後、出力バッファ１はイネーブル状態となる。

【００６４】その結果、出力バッファ１から“Ｌ”が出
力されるため、ＶDD／２で充電されていた負荷容量４が
放電され、測定電圧ＶO はＶDD／２から０Ｖに向けて降
下する。

【００６５】そこで、出力イネーブル制御信号バーＯＥ
が“Ｌ”に変化した時刻から、測定電圧ＶO がＶDD／２
から０．３Ｖ降下する時刻までの時間を、イネーブル時
間ＴPZL として測定する。

【００６６】その結果、ＨＺ→Ｈ変化と全く同様の原理
で、イネーブル時間ＴPZL を正確に測定することができ
る。

【００６７】＜テスタの構成＞図４は第１及び第２の実
施例で用いるテスタの一構成例を示す回路図である。同
図に示すように、テスタ３０は、負荷容量４、ＰＭＵ
（フ゜ロク゛ラマフ゛ル・メシ゛ャ-メント・ユニット）２０、ドライバ１１及び
電圧測定用コンパレータ１２を備えている。

【００６８】ＰＭＵ２０により、図２〜図４で示した構
成が実現する。ＰＭＵ２０は、定電流源７、定電流源８
及び定電圧源１０を内蔵しており、スイッチ５、６及び
９のオン，オフにより、ノードＮ４あるいはノードＮ５
への電気的接続／遮断が行われる。

【００６９】ディスエーブル測定制御端子Ｐ４から得ら
れる信号がスイッチ６の制御信号として付与され、ディ
スエーブル測定制御端子Ｐ５から得られる信号がスイッ
チ５の制御信号として付与され、イネーブル測定制御端
子Ｐ６から得られる信号がスイッチ９の制御信号として
付与される。これらの制御信号によりスイッチ５、６及
び９のオン，オフが制御される。ＰＭＵ２０は、通常の
構成であれば、定電流源や定電圧源を内部に構成できる
ため、既存のＰＭＵを用いて、図４のような構成が比較
的容易に実現する。

【００７０】ドライバ１１は出力バッファ１の入力端子
Ｐ１に“Ｈ”あるいは“Ｌ”の入力信号Ｓ０として出力
するために用いられる。電圧測定用コンパレータ１２
は、出力イネーブル制御信号バーＯＥの“Ｈ”立ち上が
り、“Ｌ”立ち下がりをトリガとして、測定端子Ｐ３の
電位が所定電位（ＶDD＋０．３Ｖ，ＶDD／２±０．３Ｖ
等）を上回る（下回る）までの時間を測定することによ
り、イネーブル時間やディスエーブル時間を測定する。

【００７１】＜その他＞上記第１及び第２の実施例で
は、ロジックの出力バッファについて説明したが、ハイ
インピーダンス状態に設定可能な演算増幅器により出力
信号を出力する構成の半導体集積回路に対しても、本発
明の測定方法が適用可能なのは勿論である。

【００７２】

【発明の効果】以上説明したように、この発明の請求項
１記載の半導体集積回路の出力信号変化測定方法のステ
ップ(b) は、ステップ(a) の後、第１の時刻にディスエ
ーブル状態を指示する制御信号を付与し、測定電位が第
１及び第２の電位のうちの一方の電位から他方の電位に
向けて速やかに変化するように、電流源により負荷容量
を充放電するため、抵抗成分を用いることなく測定電位
を変化させることができる。

【００７３】その結果、充放電に要する電流源による供
給電流を比較的大きな量に設定することにより、ディス
エーブル変化時に生じる測定電位の変化を高速にするこ
とができるため、正確なディスエーブル時間を測定する
ことができる。

【００７４】この発明における請求項２記載の半導体集
積回路の出力信号変化測定方法は、ステップ(a) で、デ
ィスエーブル状態を指示する制御信号を付与した後、電
圧発生源により、測定電位を中間電位に設定し、ステッ
プ(b) で、ステップ(a) の後、第１の時刻にイネーブル
状態を指示する制御信号を付与し、測定電位が中間電位
から一方の電位に向けて速やかに変化するように、一方
の電位で出力信号を出力させる。

【００７５】すなわち、抵抗成分を用いることなく、デ
ィスエーブル状態時に測定電位を中間電位に設定すると
ともに、イネーブル状態変化時に測定電位を一方電位に
変化させている。

【００７６】その結果、イネーブル状態変化時に出力信
号は、負荷容量のみを駆動すればよく、イネーブル変化
時に生じる測定電位の変化を高速にすることができるた
め、正確なイネーブル時間を測定することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施例であるディスエーブル
時間測定方法を示す説明図である。

【図２】この発明の第１の実施例であるディスエーブル
時間測定方法を示す説明図である。

【図３】この発明の第２の実施例であるイネーブル時間
測定方法を示す説明図である。

【図４】第１及び第２の実施例の測定方法で用いられる
テスタの一構成例を示す回路図である。

【図５】従来のイネーブル・ディスエーブル時間測定方
法を示す説明図である。

【図６】従来及び実施例のイネーブル・ディスエーブル
時間測定動作説明用タイミング図である。

【符号の説明】

１ 出力バッファ ４ 負荷容量 ５ スイッチ ６ スイッチ ７ 定電流源 ８ 定電流源 ９ スイッチ １０ 定電圧源

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成５年１０月７日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２１】すなわち、抵抗負荷に出力電流が流れ、負
荷容量４の充電に要する時間が遅くなる。その結果、出
力イネーブル制御信号バーＯＥが“Ｌ”に変化した時刻
ｔ２から、測定電圧ＶO がＶDD／２から０．３Ｖ上昇す
る時刻時刻ｔ２２までの時間をイネーブル時間ｔPHZ と
して測定した場合、イネーブル時間ｔPHZ が必要以上に
長くなり、イネーブル時間ｔPHZ の測定精度が低下する
という問題点があった。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４２】

【数５】

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４３】ここで、吸い込み電流Ｉ0 は１ｍＡ程度の
十分大きな量を確保できるため、負荷容量４の容量値Ｃ
L を５０ｐＦとすれば、（０．３ＣL ）／ＩO は１５ｎ
Ｓの微小時間となる。したがって、時間ｔ0 が微小時間
となっても、常に精度の良いディスエーブル時間ＴPHZ
を測定することができる。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４６】そして、スイッチ６をオン状態にし、定電
流源７をノードＮ４に電気的に接続しておく。そして、
イネーブル状態の出力バッファ１に対し、テスタより
“Ｌ”の入力信号Ｓ０を付与する。すると、負荷容量４
は放電され、測定電圧ＶO はＶOL（０Ｖ）に設定され
る。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 制御信号を受け、該制御信号に基づきイ
   ネーブル状態／ディスエーブル状態が規定され、イネー
   ブル状態時に第１あるいは第２の電位の出力信号を出力
   し、ディスエーブル状態時に前記出力信号をハイインピ
   ーダンス状態にする半導体集積回路に対し、前記半導体
   集積回路がイネーブル状態からディスエーブル状態に変
   化するのに要するディスエーブル時間を測定する半導体
   集積回路の出力信号変化測定方法であって、 電流源を用いるとともに、一方電極に前記出力信号を受
   け、他方電極の電位が固定された負荷容量の前記一方電
   極より得られる電位を測定電位とし、 (a) イネーブル状態を指示する前記制御信号を付与した
   後、前記第１及び第２の電位うちの一方の電位で前記出
   力信号を出力させ、前記測定電位を前記一方の電位に設
   定するステップと、 (b) 前記ステップ(a) の後、第１の時刻にディスエーブ
   ル状態を指示する前記制御信号を付与し、前記測定電位
   が、前記第１及び第２の電位のうちの前記一方の電位か
   ら他方の電位に向けて速やかに変化するように、前記電
   流源により前記負荷容量を充放電するステップと、 (c) 前記測定電位が、前記第１，第２の電位間の所定電
   位に達したときを第２の時刻とし、前記第１の時刻から
   前記第２の時刻までの経過時間を前記ディスエーブル時
   間とするステップとを備えた半導体集積回路の出力信号
   変化測定方法。
2. 【請求項２】 制御信号を受け、該制御信号に基づきイ
   ネーブル状態／ディスエーブル状態が規定され、イネー
   ブル状態時に第１あるいは第２の電位の出力信号を出力
   し、ディスエーブル状態時にインピーダンス状態の前記
   出力信号を出力する半導体集積回路に対し、前記半導体
   集積回路がディスエーブル状態からイネーブル状態に変
   化するのに要するイネーブル時間を測定する半導体集積
   回路の出力信号変化測定方法であって、 前記第１，第２の電位間の中間電位の電圧発生源を用い
   るとともに、一方電極に前記出力信号を受け、他方電極
   の電位が固定された負荷容量の前記一方電極より得られ
   る電位を測定電位とし、 (a) ディスエーブル状態を指示する前記制御信号を付与
   した後、前記電圧発生源により、前記測定電位を前記中
   間電位に設定するステップと、 (b) 前記ステップ(a) の後、第１の時刻にイネーブル状
   態を指示する前記制御信号を付与し、前記測定電位が前
   記中間電位から前記第１及び第２の電位のうちの前記一
   方の電位に向けて速やかに変化するように、前記一方の
   電位で前記出力信号を出力させるステップと、 (c) 前記測定電位が、前記中間電位より前記一方の電位
   側にシフトされた所定電位に達したときを第２の時刻と
   し、前記第１の時刻から前記第２の時刻までの経過時間
   を前記イネーブル時間とするステップとを備えた半導体
   集積回路の出力信号変化測定方法。