JPH07201861A - バンプ形成装置および微小バンプの形成方法 - Google Patents
バンプ形成装置および微小バンプの形成方法Info
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- JPH07201861A JPH07201861A JP33797393A JP33797393A JPH07201861A JP H07201861 A JPH07201861 A JP H07201861A JP 33797393 A JP33797393 A JP 33797393A JP 33797393 A JP33797393 A JP 33797393A JP H07201861 A JPH07201861 A JP H07201861A
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 均一な半田量で確実に基板に半田を圧着でき
るバンプ形成装置を提供できることにある。 【構成】 本発明によるバンプ形成装置は、微小ポンチ
１及びダイス９により半田シート４を打ち抜いて基板７
にバンプを形成するバンプ形成装置であって、前記ポン
チ１を加熱、温度調整する機構を有することを特徴とす
る。また、前記微小ポンチより打ち抜かれた半田片８が
基板に到達するまでをガイドするテーパ状のホルダー５
を有することを特徴とする。また、本発明による微小バ
ンプの形成方法は、このバンプ形成装置を用いたバンプ
形成方法に於いて、基板に粘着性の物質を塗布しておく
ことを特徴とする。
るバンプ形成装置を提供できることにある。 【構成】 本発明によるバンプ形成装置は、微小ポンチ
１及びダイス９により半田シート４を打ち抜いて基板７
にバンプを形成するバンプ形成装置であって、前記ポン
チ１を加熱、温度調整する機構を有することを特徴とす
る。また、前記微小ポンチより打ち抜かれた半田片８が
基板に到達するまでをガイドするテーパ状のホルダー５
を有することを特徴とする。また、本発明による微小バ
ンプの形成方法は、このバンプ形成装置を用いたバンプ
形成方法に於いて、基板に粘着性の物質を塗布しておく
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子または光素
子の実装に用いられるバンプを形成する、バンプ形成装
置に関する。
子の実装に用いられるバンプを形成する、バンプ形成装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子部品の基板への実装は、ＰＧＡから
ＱＦＰ、ＴＡＢへとより高密度実装可能な方法へと開発
が進んでいる。高密度実装を可能とする実装方法の一つ
として、半導体素子や光素子を半田バンプを介して基板
と接合するＣＯＢ（ＣｈｉｐＯｎ Ｂｏａｒｄ）があ
る。ＣＯＢを実現するには、基板もしくは素子側に半田
バンプを形成する必要がある。半田バンプを形成するに
は、微少量の半田を基板もしくは素子に供給する必要が
あり、供給方法には、メッキによる方法、蒸着による方
法、スパッタによる方法、微小ポンチとダイスにより半
田シートを打ち抜いて供給する方法等がある。微小ポン
チとダイスにより半田シートを打ち抜いて供給する方法
は、メッキ、蒸着、スパッタによる方法のように真空系
や複雑なプロセス、化学薬品などを必要とせず、比較的
容易に半田供給が出来るという特徴がある。微小ポンチ
とダイスにより半田シートを打ち抜いて半田供給する方
法は、 特願平２−２７８０８８号「アレイ状光素子用サブ基板
の作成方法」 特願平２−１７８８５４号「金属突起物の形成方法およ
び治具」 特願平２−２４２１６６号「バンプ形成治具及びバンプ
形成装置」 に記されている。
ＱＦＰ、ＴＡＢへとより高密度実装可能な方法へと開発
が進んでいる。高密度実装を可能とする実装方法の一つ
として、半導体素子や光素子を半田バンプを介して基板
と接合するＣＯＢ（ＣｈｉｐＯｎ Ｂｏａｒｄ）があ
る。ＣＯＢを実現するには、基板もしくは素子側に半田
バンプを形成する必要がある。半田バンプを形成するに
は、微少量の半田を基板もしくは素子に供給する必要が
あり、供給方法には、メッキによる方法、蒸着による方
法、スパッタによる方法、微小ポンチとダイスにより半
田シートを打ち抜いて供給する方法等がある。微小ポン
チとダイスにより半田シートを打ち抜いて供給する方法
は、メッキ、蒸着、スパッタによる方法のように真空系
や複雑なプロセス、化学薬品などを必要とせず、比較的
容易に半田供給が出来るという特徴がある。微小ポンチ
とダイスにより半田シートを打ち抜いて半田供給する方
法は、 特願平２−２７８０８８号「アレイ状光素子用サブ基板
の作成方法」 特願平２−１７８８５４号「金属突起物の形成方法およ
び治具」 特願平２−２４２１６６号「バンプ形成治具及びバンプ
形成装置」 に記されている。
【０００３】微小ポンチとダイスにより半田シートを打
ち抜いてバンプ形成するための装置は、図２（ａ）に示
すように、ポンチガイド２にガイドされたポンチ１とダ
イス９上に置かれた半田シート４と前記半田シート４を
半田の軟化点に加熱、温度調整するための前記ダイス９
内部にあるヒーター１０で構成されている。ポンチ１が
押し下げられることにより半田シート４はダイス９の穴
の部分で打ち抜かれる。このとき、半田シート４は、ヒ
ーター１０により、軟化点まで加熱、温度調整されてい
るので容易に打ち抜ける。打ち抜かれた半田片は、その
ままポンチにより基板７上の金属電極部分に打ち着けら
れて基板と圧着接合する。このようにして半田バンプが
形成されていた。
ち抜いてバンプ形成するための装置は、図２（ａ）に示
すように、ポンチガイド２にガイドされたポンチ１とダ
イス９上に置かれた半田シート４と前記半田シート４を
半田の軟化点に加熱、温度調整するための前記ダイス９
内部にあるヒーター１０で構成されている。ポンチ１が
押し下げられることにより半田シート４はダイス９の穴
の部分で打ち抜かれる。このとき、半田シート４は、ヒ
ーター１０により、軟化点まで加熱、温度調整されてい
るので容易に打ち抜ける。打ち抜かれた半田片は、その
ままポンチにより基板７上の金属電極部分に打ち着けら
れて基板と圧着接合する。このようにして半田バンプが
形成されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のバンプ形成装置
では、ポンチの温度を制御せず室温で半田シートを打ち
抜いていた。このため、半田シートは加熱されて軟化し
ているが、ポンチが室温のため、打ち抜き時に半田シー
ト温度が下がり打ち抜き難くなる問題があった、また、
打ち抜かれた半田片もバリなどが出やすいという問題が
あった。
では、ポンチの温度を制御せず室温で半田シートを打ち
抜いていた。このため、半田シートは加熱されて軟化し
ているが、ポンチが室温のため、打ち抜き時に半田シー
ト温度が下がり打ち抜き難くなる問題があった、また、
打ち抜かれた半田片もバリなどが出やすいという問題が
あった。
【０００５】また、図２（ｂ）に示すように、打ち抜か
れた半田片８が基板に打ち着けられるまえにポンチ１の
下端からはずれて、ずれた位置に圧着されたり、或い
は、ポンチ１の下端から完全に離れてポンチが基板を空
打ちするという問題があった。この問題を解決するため
に、図２（ｃ）のように打ち抜かれた半田片８が基板に
打ち着けられるまでの間をガイドするホルダー５を付け
る方法がある。（特願平２−２４２１６６号「バンプ形
成治具及びバンプ形成装置」参照）しかし、この方法で
は、半田バンプを基板上に高密度に形成しようとした場
合、ホルダー５の下端に過去に打ち抜いた半田片８が接
触して、打ち抜き時の振動によりホルダー５と半田片８
がこすれ合い、半田片８がとれるという問題があった。
れた半田片８が基板に打ち着けられるまえにポンチ１の
下端からはずれて、ずれた位置に圧着されたり、或い
は、ポンチ１の下端から完全に離れてポンチが基板を空
打ちするという問題があった。この問題を解決するため
に、図２（ｃ）のように打ち抜かれた半田片８が基板に
打ち着けられるまでの間をガイドするホルダー５を付け
る方法がある。（特願平２−２４２１６６号「バンプ形
成治具及びバンプ形成装置」参照）しかし、この方法で
は、半田バンプを基板上に高密度に形成しようとした場
合、ホルダー５の下端に過去に打ち抜いた半田片８が接
触して、打ち抜き時の振動によりホルダー５と半田片８
がこすれ合い、半田片８がとれるという問題があった。
【０００６】また、図２（ｄ）に示すように、基板７に
圧着しても、圧着性のばらつきによりポンチ１を持ち上
げたとき、ポンチ１下端に付着して、一緒に持ち上がる
という問題があった。
圧着しても、圧着性のばらつきによりポンチ１を持ち上
げたとき、ポンチ１下端に付着して、一緒に持ち上がる
という問題があった。
【０００７】本発明の目的は、これらの課題を解決し、
均一な半田量でかつ確実に基板に半田を圧着できるバン
プ形成装置を提供することにある。
均一な半田量でかつ確実に基板に半田を圧着できるバン
プ形成装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によるバンプ形成
装置は、微小ポンチおよびダイスにより半田シートを打
ち抜いて基板にバンプを形成するバンプ形成装置であっ
て、前記ポンチを加熱、温度調整する機構を有すること
を特徴とする。また、前記微小ポンチより打ち抜かれた
半田片が基板に到着するまでをガイドするテーパー状の
ホルダーを有することを特徴とする。
装置は、微小ポンチおよびダイスにより半田シートを打
ち抜いて基板にバンプを形成するバンプ形成装置であっ
て、前記ポンチを加熱、温度調整する機構を有すること
を特徴とする。また、前記微小ポンチより打ち抜かれた
半田片が基板に到着するまでをガイドするテーパー状の
ホルダーを有することを特徴とする。
【０００９】また、本発明による微小バンプの形成方法
は、このバンプ形成装置を用いたバンプ形成方法におい
て、基板上に粘着性の物質を塗布しておくことを特徴と
する。
は、このバンプ形成装置を用いたバンプ形成方法におい
て、基板上に粘着性の物質を塗布しておくことを特徴と
する。
【００１０】
【作用】本発明によれば、まずポンチを加熱し温度調整
するためのヒーターを有しているため、ポンチ温度は常
に半田シートの軟化温度に一定に保つことができる。こ
のため、軟化点まで加熱された半田シートを打ち抜く
際、半田シート温度を下げることなく打ち抜くことがで
きるので、打ち抜きやすく、バリもでにくい。
するためのヒーターを有しているため、ポンチ温度は常
に半田シートの軟化温度に一定に保つことができる。こ
のため、軟化点まで加熱された半田シートを打ち抜く
際、半田シート温度を下げることなく打ち抜くことがで
きるので、打ち抜きやすく、バリもでにくい。
【００１１】また、打ち抜かれた半田片が基板に到着す
るまでの間をガイドするホルダーを有しているので、半
田片がずれた位置に圧着されたり、半田片がポンチ先端
から完全に離れて空打ちすることもなくなる。また、ホ
ルダーがテーパー形状をしているため、基板上に半田バ
ンプを高密度に形成する場合でも過去に打ち抜いた半田
片にホルダー先端部が接触することもないので、狭ピッ
チの高密度バンプ形成が可能となる。
るまでの間をガイドするホルダーを有しているので、半
田片がずれた位置に圧着されたり、半田片がポンチ先端
から完全に離れて空打ちすることもなくなる。また、ホ
ルダーがテーパー形状をしているため、基板上に半田バ
ンプを高密度に形成する場合でも過去に打ち抜いた半田
片にホルダー先端部が接触することもないので、狭ピッ
チの高密度バンプ形成が可能となる。
【００１２】また、基板上に粘着物質を塗布しているた
め、圧着性のばらつきにより打ち抜いた半田片が取れた
り、あるいは、十分な強度で付着しないという問題もな
くなる。
め、圧着性のばらつきにより打ち抜いた半田片が取れた
り、あるいは、十分な強度で付着しないという問題もな
くなる。
【００１３】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１４】図１に本発明の概略図を示す。直径９０μ
ｍのポンチ１は、内径１００μｍの穴の開いたポンチガ
イド２に挿入されている（図１（ａ））。ポンチガイド
２には、温度調整できるヒーター３が内蔵されている。
ポンチガイド２の穴と穴の中心が同一直線上にあるよう
に、内径１００μｍの穴を有するダイス９と内径１００
μｍの穴を有する先端がテーパー状の先細り形状をした
ホルダー５が接続されている。ダイス９とポンチガイド
２の間に形成されている挿入穴に、厚み５０μｍ、幅１
ｍｍ、長さ１ｃｍのＡｕＳｎ半田シート４が挿入されて
いる。また、基板７上には、粘着物質として、半田接続
時に使用するフラックス６が塗布されている。ここで
は、粘着物質として、半田付けに使用するフラックスを
使用しているが、これに限定するものではない。ポンチ
１は、ポンチガイド２に内蔵されたヒーター３により、
２００℃に温度調整されている。また、半田シート４も
ダイス９内部のヒーター１０により２００℃に温度調整
されている。
ｍのポンチ１は、内径１００μｍの穴の開いたポンチガ
イド２に挿入されている（図１（ａ））。ポンチガイド
２には、温度調整できるヒーター３が内蔵されている。
ポンチガイド２の穴と穴の中心が同一直線上にあるよう
に、内径１００μｍの穴を有するダイス９と内径１００
μｍの穴を有する先端がテーパー状の先細り形状をした
ホルダー５が接続されている。ダイス９とポンチガイド
２の間に形成されている挿入穴に、厚み５０μｍ、幅１
ｍｍ、長さ１ｃｍのＡｕＳｎ半田シート４が挿入されて
いる。また、基板７上には、粘着物質として、半田接続
時に使用するフラックス６が塗布されている。ここで
は、粘着物質として、半田付けに使用するフラックスを
使用しているが、これに限定するものではない。ポンチ
１は、ポンチガイド２に内蔵されたヒーター３により、
２００℃に温度調整されている。また、半田シート４も
ダイス９内部のヒーター１０により２００℃に温度調整
されている。
【００１５】ポンチ１は、ダイス９の穴で、ＡｕＳｎ半
田４を打ち抜く。（図１（ｂ）この際、ＡｕＳｎ半田は
ダイス９内部のヒーター１０により２００℃に加熱され
ているので軟化している。また、ポンチ１もポンチガイ
ド２に内蔵されたヒーター３により２００℃に加熱され
ているので、打ち抜く際、半田シート４と接触しても半
田シート４の温度を下げることがなく、容易に打ち抜け
て、バリもでにくい。打ち抜かれた半田片８は、ホルダ
ー５にガイドされて基板７上に打ちつけられる。この
際、半田片８はホルダー５にガイドされているので、基
板に打ちつけられるまでの間にポンチ１の端面からずれ
ることが無い。そのため、基板上のずれた位置に打ちつ
けられることもなく、ポンチ端面から半田片８が完全に
離れて、ポンチが空打ちすることもない。また、基板上
の半田片を打ちつける位置には、粘着性のあるフラック
ス６が塗布されているので、半田片８は基板に強く付着
する。そのため、ポンチ１を引き上げる際、ポンチ１の
端面に付着して、図２（ｄ）のようにポンチと一緒に持
ち上がることはない。また、ホルダー５はテーパー状の
先細り形状なので、打ちつける際に、図２（ｃ）のよう
に、過去に打ちつけた半田片とホルダーの先端が接触し
て、打ちつける際の振動により半田片が取れることもな
い。このため、半田バンプを高密度に形成することがで
きる。
田４を打ち抜く。（図１（ｂ）この際、ＡｕＳｎ半田は
ダイス９内部のヒーター１０により２００℃に加熱され
ているので軟化している。また、ポンチ１もポンチガイ
ド２に内蔵されたヒーター３により２００℃に加熱され
ているので、打ち抜く際、半田シート４と接触しても半
田シート４の温度を下げることがなく、容易に打ち抜け
て、バリもでにくい。打ち抜かれた半田片８は、ホルダ
ー５にガイドされて基板７上に打ちつけられる。この
際、半田片８はホルダー５にガイドされているので、基
板に打ちつけられるまでの間にポンチ１の端面からずれ
ることが無い。そのため、基板上のずれた位置に打ちつ
けられることもなく、ポンチ端面から半田片８が完全に
離れて、ポンチが空打ちすることもない。また、基板上
の半田片を打ちつける位置には、粘着性のあるフラック
ス６が塗布されているので、半田片８は基板に強く付着
する。そのため、ポンチ１を引き上げる際、ポンチ１の
端面に付着して、図２（ｄ）のようにポンチと一緒に持
ち上がることはない。また、ホルダー５はテーパー状の
先細り形状なので、打ちつける際に、図２（ｃ）のよう
に、過去に打ちつけた半田片とホルダーの先端が接触し
て、打ちつける際の振動により半田片が取れることもな
い。このため、半田バンプを高密度に形成することがで
きる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半田量を均一に、かつ適切な強度で高密度に半田バンプ
を基板上に形成できる。
半田量を均一に、かつ適切な強度で高密度に半田バンプ
を基板上に形成できる。
【図１】（ａ）は本発明の概略図、（ｂ）は本発明の一
実施例の概略図
実施例の概略図
【図２】（ａ）は従来のバンプ形成装置の概略図、
（ｂ）は従来のバンプ形成装置の概略図、（ｃ）は従来
のバンプ形成装置の概略図、（ｄ）は従来のバンプ形成
装置の概略図
（ｂ）は従来のバンプ形成装置の概略図、（ｃ）は従来
のバンプ形成装置の概略図、（ｄ）は従来のバンプ形成
装置の概略図
１ ポンチ ２ ポンチガイド ３ ヒーター ４ 半田シート ５ ホルダー ６ フラックス ７ 基板 ８ 半田片 ９ ダイス １０ ヒーター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 純一 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 微小ポンチおよびダイスにより半田シー
トを打ち抜いて基板にバンプを形成するバンプ形成装置
において、前記ポンチを加熱、温度調整する手段を設け
たことを特徴とするバンプ形成装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のバンプ形成装置におい
て、前記微小ポンチより打ち抜かれた半田片が基板に到
着するまでをガイドするテーパー状のホルダーを有する
ことを特徴とするバンプ形成装置。 - 【請求項３】 請求項１記載のバンプ形成装置を用いた
バンプ形成方法において、基板上のバンプを形成する位
置に粘着性の物質を塗布しておくことを特徴とする微小
バンプの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5337973A JP2734361B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 微小バンプの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5337973A JP2734361B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 微小バンプの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201861A true JPH07201861A (ja) | 1995-08-04 |
| JP2734361B2 JP2734361B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=18313743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5337973A Expired - Lifetime JP2734361B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 微小バンプの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2734361B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015192053A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 日本電気株式会社 | バンプ形成装置、およびバンプ付部品の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0465847A (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-02 | Nec Corp | 金属突起物の形成方法および治具 |
| JPH05291260A (ja) * | 1992-04-09 | 1993-11-05 | Toshiba Corp | バンプ形成方法 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP5337973A patent/JP2734361B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0465847A (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-02 | Nec Corp | 金属突起物の形成方法および治具 |
| JPH05291260A (ja) * | 1992-04-09 | 1993-11-05 | Toshiba Corp | バンプ形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015192053A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 日本電気株式会社 | バンプ形成装置、およびバンプ付部品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2734361B2 (ja) | 1998-03-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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