JPH0529759A - レーザはんだ付け方法 - Google Patents
レーザはんだ付け方法Info
- Publication number
- JPH0529759A JPH0529759A JP17797491A JP17797491A JPH0529759A JP H0529759 A JPH0529759 A JP H0529759A JP 17797491 A JP17797491 A JP 17797491A JP 17797491 A JP17797491 A JP 17797491A JP H0529759 A JPH0529759 A JP H0529759A
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- JP
- Japan
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- lead terminal
- package
- lead
- laser
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、細密、多ピンの半導体パッケー
ジを実装基板に高信頼性で、ダメージレスではんだ付け
できるレーザはんだ付け方法を得ることを目的とする。 【構成】 半導体パッケージ１は、パッケージ部２側面
から突き出し、第１屈曲部３ａで下方に折り曲げられ、
第２屈曲部３ｂで略水平方向に折り曲げられて接合部３
ｃが形成されたリード端子３を複数備えている。接合部
３ｃが実装基板４の電極パッド５上にくるように、この
半導体パッケージ１を実装基板４に載置した後、レーザ
光７を照射する。この時、レーザ光７のビーム径は、パ
ッケージ部２からのリード端子３の突き出し部を含む水
平面で、リード端子３の幅の２倍以上、隣接するリード
端子３に当たらないビーム径とし、かつ、電極パッド５
上で、電極パッド５の幅の０．５〜１．０倍のビーム径
としている。
ジを実装基板に高信頼性で、ダメージレスではんだ付け
できるレーザはんだ付け方法を得ることを目的とする。 【構成】 半導体パッケージ１は、パッケージ部２側面
から突き出し、第１屈曲部３ａで下方に折り曲げられ、
第２屈曲部３ｂで略水平方向に折り曲げられて接合部３
ｃが形成されたリード端子３を複数備えている。接合部
３ｃが実装基板４の電極パッド５上にくるように、この
半導体パッケージ１を実装基板４に載置した後、レーザ
光７を照射する。この時、レーザ光７のビーム径は、パ
ッケージ部２からのリード端子３の突き出し部を含む水
平面で、リード端子３の幅の２倍以上、隣接するリード
端子３に当たらないビーム径とし、かつ、電極パッド５
上で、電極パッド５の幅の０．５〜１．０倍のビーム径
としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばＴＣＰ（テー
プキャリアパッケージ）等の細密、多ピンの半導体パッ
ケージを実装基板にはんだ付けするレーザはんだ付け方
法に関するものである。
プキャリアパッケージ）等の細密、多ピンの半導体パッ
ケージを実装基板にはんだ付けするレーザはんだ付け方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は例えば特開昭６０ー１１１７６７
号公報に記載されたレーザはんだ付け方法を示す正面
図、図４は図３の側面図であり、図において１は半導体
チップが樹脂モールドされたパッケージ部２とパッケー
ジ部２の側面から突き出した複数のリード端子３とから
なる半導体パッケージであり、このリード端子３は第１
屈曲部３ａで下方に折り曲げられ、さらに第２屈曲部３
ｂで略水平方向に折り曲げられて接合部３ｃが形成され
ている。４は電極パッド５が形成された実装基板、６は
半導体パッケージ１と実装基板４とを接着する接着剤、
７ははんだ付けするレーザ光である。
号公報に記載されたレーザはんだ付け方法を示す正面
図、図４は図３の側面図であり、図において１は半導体
チップが樹脂モールドされたパッケージ部２とパッケー
ジ部２の側面から突き出した複数のリード端子３とから
なる半導体パッケージであり、このリード端子３は第１
屈曲部３ａで下方に折り曲げられ、さらに第２屈曲部３
ｂで略水平方向に折り曲げられて接合部３ｃが形成され
ている。４は電極パッド５が形成された実装基板、６は
半導体パッケージ１と実装基板４とを接着する接着剤、
７ははんだ付けするレーザ光である。
【０００３】つぎに、上記従来のレーザはんだ付け方法
について説明する。まず、電極パッド５上にリード端子
３の接合部３ｃがくるように半導体パッケージ１を実装
基板４に位置決めし、接着剤６で接着固定する。つぎ
に、半導体パッケージ１を搭載した実装基板４を移動テ
ーブル（図示せず）上に配置する。その際、接合部３ｃ
におけるレーザ光７のビーム径がリード端子３のリード
幅と同等となるように、移動テーブルの高さを調節する
とともに、レーザ光７を集光する集光レンズ（図示せ
ず）を選択する。そして、移動テーブルを移動して、図
３のＡの範囲でレーザ光７を照射し、電極パッド５に接
合部３ｃをはんだ付けし、半導体パッケージ１を実装基
板４に実装している。
について説明する。まず、電極パッド５上にリード端子
３の接合部３ｃがくるように半導体パッケージ１を実装
基板４に位置決めし、接着剤６で接着固定する。つぎ
に、半導体パッケージ１を搭載した実装基板４を移動テ
ーブル（図示せず）上に配置する。その際、接合部３ｃ
におけるレーザ光７のビーム径がリード端子３のリード
幅と同等となるように、移動テーブルの高さを調節する
とともに、レーザ光７を集光する集光レンズ（図示せ
ず）を選択する。そして、移動テーブルを移動して、図
３のＡの範囲でレーザ光７を照射し、電極パッド５に接
合部３ｃをはんだ付けし、半導体パッケージ１を実装基
板４に実装している。
【０００４】この種半導体パッケージ１は、電子機器の
小型化、高機能化にともないリード端子３のリードピッ
チの微細化が進んでいる。そして、リード端子３を所定
の形状に曲げるリードフォーミング工程にも高精度化が
一層要求されてきているが、リード形状がばらついてい
るのが現状である。このレーザはんだ付け方法は、ビー
ムの集光性が優れているため高いエネルギ密度が得られ
て微小箇所の接続ができ、しかも素子に対する熱影響が
少ないので、リードピッチの微細化が進んだ半導体パッ
ケージ１のはんだ付けに適用されている。
小型化、高機能化にともないリード端子３のリードピッ
チの微細化が進んでいる。そして、リード端子３を所定
の形状に曲げるリードフォーミング工程にも高精度化が
一層要求されてきているが、リード形状がばらついてい
るのが現状である。このレーザはんだ付け方法は、ビー
ムの集光性が優れているため高いエネルギ密度が得られ
て微小箇所の接続ができ、しかも素子に対する熱影響が
少ないので、リードピッチの微細化が進んだ半導体パッ
ケージ１のはんだ付けに適用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のレーザはんだ付
け方法は以上のように、リード端子３の接合部３ｃにお
けるレーザ光７のビーム径が、リード幅と同等となって
いるので、形状のばらついたリード端子３をはんだ付け
する場合には、リード端子３の接合部３ｃと電極パッド
５との接触状態にもばらつきが生じ、電極パッド５の先
端部以外ではレーザ光７が直接当たらず、電極パッド５
には接合部３ｃからの熱伝導によって大部分の熱が供給
されることになり、接合部３ｃと電極パッド５との接触
状態のばらつきによっては電極パッド５への伝導熱量が
不足し、接合部３ｃと電極パッド５とが均一に加熱され
ず、はんだ付け不良が発生するという課題があった。
け方法は以上のように、リード端子３の接合部３ｃにお
けるレーザ光７のビーム径が、リード幅と同等となって
いるので、形状のばらついたリード端子３をはんだ付け
する場合には、リード端子３の接合部３ｃと電極パッド
５との接触状態にもばらつきが生じ、電極パッド５の先
端部以外ではレーザ光７が直接当たらず、電極パッド５
には接合部３ｃからの熱伝導によって大部分の熱が供給
されることになり、接合部３ｃと電極パッド５との接触
状態のばらつきによっては電極パッド５への伝導熱量が
不足し、接合部３ｃと電極パッド５とが均一に加熱され
ず、はんだ付け不良が発生するという課題があった。
【０００６】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたもので、リード端子形状のばらつきによ
らず、リード端子と電極パッドとを均一に加熱して良好
なはんだ付けを行うレーザはんだ付け方法を得ることを
目的とする。
ためになされたもので、リード端子形状のばらつきによ
らず、リード端子と電極パッドとを均一に加熱して良好
なはんだ付けを行うレーザはんだ付け方法を得ることを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係るレーザは
んだ付け方法は、パッケージ部側面からのリード端子の
突き出し部を含む水平面では、リード端子のリード幅の
２倍以上で、隣接するリード端子に当たらないビーム径
とし、実装基板上の電極パッド上では、電極パッド幅の
０．５〜１．０倍のビーム径とするレーザ光を照射し
て、半導体パッケージと実装基板とをはんだ付けするも
のである。
んだ付け方法は、パッケージ部側面からのリード端子の
突き出し部を含む水平面では、リード端子のリード幅の
２倍以上で、隣接するリード端子に当たらないビーム径
とし、実装基板上の電極パッド上では、電極パッド幅の
０．５〜１．０倍のビーム径とするレーザ光を照射し
て、半導体パッケージと実装基板とをはんだ付けするも
のである。
【０００８】
【作用】この発明においては、照射するレーザ光のビー
ム径が、パッケージ部側面からのリード端子の突き出し
部を含む水平面では、リード端子のリード幅の２倍以上
で、隣接するリード端子に当たらないビーム径とし、実
装基板上の電極パッド上では、電極パッド幅の０．５〜
１．０倍のビーム径としているので、リード端子の陰と
なる電極パッド上にもレーザ光が照射されてリード端子
と同等の入熱が可能となり、リード端子と電極パッドと
の接触状態がばらついても電極パッドに十分な熱量が供
給でき、リード端子と電極パッドとを均一に加熱する。
ム径が、パッケージ部側面からのリード端子の突き出し
部を含む水平面では、リード端子のリード幅の２倍以上
で、隣接するリード端子に当たらないビーム径とし、実
装基板上の電極パッド上では、電極パッド幅の０．５〜
１．０倍のビーム径としているので、リード端子の陰と
なる電極パッド上にもレーザ光が照射されてリード端子
と同等の入熱が可能となり、リード端子と電極パッドと
の接触状態がばらついても電極パッドに十分な熱量が供
給でき、リード端子と電極パッドとを均一に加熱する。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１はこの発明の実施例１を示すレーザはんだ付け
方法の側面図であり、図において図３および図４に示し
た従来のレーザはんだ付け方法と同一または相当部分に
は同一符号を付し、その説明を省略する。上記実施例１
では、半導体チップを搭載したＴＡＢテープを樹脂モー
ルドした構成の半導体パッケージ１を用い、そのリード
端子３は幅１００μｍ、厚さ５０μｍ、リードピッチ２
５０μｍとしている。また、実装基板４上には、幅１５
０μｍの電極パッド５を形成している。
る。図１はこの発明の実施例１を示すレーザはんだ付け
方法の側面図であり、図において図３および図４に示し
た従来のレーザはんだ付け方法と同一または相当部分に
は同一符号を付し、その説明を省略する。上記実施例１
では、半導体チップを搭載したＴＡＢテープを樹脂モー
ルドした構成の半導体パッケージ１を用い、そのリード
端子３は幅１００μｍ、厚さ５０μｍ、リードピッチ２
５０μｍとしている。また、実装基板４上には、幅１５
０μｍの電極パッド５を形成している。
【００１０】ここで、上記実施例１のレーザはんだ付け
方法について説明する。まず、半導体パッケージ１のリ
ード端子３の接合部３Ｃ表面に１０μｍのはんだめっき
を施す。また、実装基板４の電極パッド５にも、１０μ
ｍのはんだめっきを施す。つぎに、図３および図４に示
した従来のレーザはんだ付け方法と同様に、接合部３ｃ
と電極パッド５とを位置合わせし、接着剤６で半導体パ
ッケージ１と実装基板４とを固定した後、移動テーブル
上に実装基板４を載置する。そこで、移動テーブルの高
さ調整と集光レンズの選択により、レーザ光のビーム径
を、パッケージ部２側面からのリード端子３の突き出し
部を含む水平面（図１のＢーＢ平面）で３９０μｍ、電
極パッド４上で１５０μｍとなるように調整する。そし
て、移動テーブルを移動して、従来のレーザはんだ付け
方法と同様に、図３のＡの範囲でレーザ光７を照射し、
電極パッド５に接合部３ｃをはんだ付けし、半導体パッ
ケージ１を実装基板４に実装している。
方法について説明する。まず、半導体パッケージ１のリ
ード端子３の接合部３Ｃ表面に１０μｍのはんだめっき
を施す。また、実装基板４の電極パッド５にも、１０μ
ｍのはんだめっきを施す。つぎに、図３および図４に示
した従来のレーザはんだ付け方法と同様に、接合部３ｃ
と電極パッド５とを位置合わせし、接着剤６で半導体パ
ッケージ１と実装基板４とを固定した後、移動テーブル
上に実装基板４を載置する。そこで、移動テーブルの高
さ調整と集光レンズの選択により、レーザ光のビーム径
を、パッケージ部２側面からのリード端子３の突き出し
部を含む水平面（図１のＢーＢ平面）で３９０μｍ、電
極パッド４上で１５０μｍとなるように調整する。そし
て、移動テーブルを移動して、従来のレーザはんだ付け
方法と同様に、図３のＡの範囲でレーザ光７を照射し、
電極パッド５に接合部３ｃをはんだ付けし、半導体パッ
ケージ１を実装基板４に実装している。
【００１１】このように、上記実施例１では、リード端
子３の陰となる電極パッド５にもレーザ光が照射され、
接合部３ｃと電極パッド５との接触状態がばらついても
電極パッド５には十分な熱量が供給でき、リード端子３
の接合部３ｃと電極パッド５とが均一に加熱され、ダメ
ージレスで高信頼性のはんだ付けができる。
子３の陰となる電極パッド５にもレーザ光が照射され、
接合部３ｃと電極パッド５との接触状態がばらついても
電極パッド５には十分な熱量が供給でき、リード端子３
の接合部３ｃと電極パッド５とが均一に加熱され、ダメ
ージレスで高信頼性のはんだ付けができる。
【００１２】ここで、パッケージ部２側面からのリード
端子３の突き出し部を含む水平面におけるレーザ光７の
ビーム径がリード端子３の幅の２倍未満であると、リー
ド端子３の陰となる電極パッド５への照射量が減り、電
極パッド５への入熱量が不足し、リード端子３と電極パ
ッド５とを均一に加熱することができなくなり、また隣
接するリード端子３に当たるビーム径であると、隣接す
るリード端子３を加熱することになり不都合が生じるの
で、パッケージ部２側面からのリード端子３の突き出し
部を含む水平面におけるレーザ光７のビーム径はリード
端子３の幅の２倍以上、隣接するリード端子３に当たら
ないビーム径であることが望ましい。
端子３の突き出し部を含む水平面におけるレーザ光７の
ビーム径がリード端子３の幅の２倍未満であると、リー
ド端子３の陰となる電極パッド５への照射量が減り、電
極パッド５への入熱量が不足し、リード端子３と電極パ
ッド５とを均一に加熱することができなくなり、また隣
接するリード端子３に当たるビーム径であると、隣接す
るリード端子３を加熱することになり不都合が生じるの
で、パッケージ部２側面からのリード端子３の突き出し
部を含む水平面におけるレーザ光７のビーム径はリード
端子３の幅の２倍以上、隣接するリード端子３に当たら
ないビーム径であることが望ましい。
【００１３】また、電極パッド５上でのレーザ光７のビ
ーム径が、電極パッド５の幅の０．５倍未満であると、
局所加熱となりリード端子３と電極パッド５とを均一に
加熱できず、はんだ付け不良が発生する危険性が増大
し、電極パッド５の幅を越えると、実装基板４を照射し
て実装基板４の損傷が発生するので、電極パッド５上で
のレーザ光７のビーム径は、電極パッド５の幅の０．５
〜１．０倍であることが望ましい。
ーム径が、電極パッド５の幅の０．５倍未満であると、
局所加熱となりリード端子３と電極パッド５とを均一に
加熱できず、はんだ付け不良が発生する危険性が増大
し、電極パッド５の幅を越えると、実装基板４を照射し
て実装基板４の損傷が発生するので、電極パッド５上で
のレーザ光７のビーム径は、電極パッド５の幅の０．５
〜１．０倍であることが望ましい。
【００１４】図２はこの発明の実施例２を示すレーザは
んだ付け方法の側面図である。上記実施例１では、レー
ザ光７が電極パッド５の下側に集光するように照射する
ものであるが、この実施例２では、移動テーブルの高さ
を調整し、さらに集光レンズを選択することによって、
レーザ光７の集光点が電極パッド５と第１屈曲部３ａと
の間にあり、かつレーザ光７のビーム径が、パッケージ
部２側面からのリード端子３の突き出し部を含む水平面
（図２のＢ−Ｂ平面）で３９０μｍ、電極パッド５上で
１５０μｍとなるようにするもので、同様の効果を奏す
る。
んだ付け方法の側面図である。上記実施例１では、レー
ザ光７が電極パッド５の下側に集光するように照射する
ものであるが、この実施例２では、移動テーブルの高さ
を調整し、さらに集光レンズを選択することによって、
レーザ光７の集光点が電極パッド５と第１屈曲部３ａと
の間にあり、かつレーザ光７のビーム径が、パッケージ
部２側面からのリード端子３の突き出し部を含む水平面
（図２のＢ−Ｂ平面）で３９０μｍ、電極パッド５上で
１５０μｍとなるようにするもので、同様の効果を奏す
る。
【００１５】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、パッケ
ージ部側面からのリード端子の突き出し部を含む水平面
では、リード端子のリード幅の２倍以上で、隣接するリ
ード端子に当たらないビーム径とし、実装基板上の電極
パッド上では、電極パッド幅の０．５〜１．０倍のビー
ム径とするレーザ光を照射するので、リード端子と電極
パッドとを均一に加熱でき、高信頼性のはんだ付けがで
きるレーザはんだ付け方法が得られる効果がある。
ージ部側面からのリード端子の突き出し部を含む水平面
では、リード端子のリード幅の２倍以上で、隣接するリ
ード端子に当たらないビーム径とし、実装基板上の電極
パッド上では、電極パッド幅の０．５〜１．０倍のビー
ム径とするレーザ光を照射するので、リード端子と電極
パッドとを均一に加熱でき、高信頼性のはんだ付けがで
きるレーザはんだ付け方法が得られる効果がある。
【図１】この発明の実施例１を示すレーザはんだ付け方
法の側面図である。
法の側面図である。
【図２】この発明の実施例２を示すレーザはんだ付け方
法の側面図である。
法の側面図である。
【図３】従来のレーザはんだ付け方法の一例を示す正面
図である。
図である。
【図４】図３に示す従来のレーザはんだ付け方法の側面
図である。
図である。
１ 半導体パッケージ ２ パッケージ部 ３ リード端子 ４ 実装基板 ５ 電極パッド ７ レーザ光
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 パッケージ部側面から突き出し、下方へ
の屈曲部を介して略水平方向に伸長したリード端子を備
える半導体パッケージをレーザ光により実装基板にはん
だ付けするレーザはんだ付け方法において、前記パッケ
ージ部側面からの前記リード端子の突き出し部を含む水
平面では、前記リード端子のリード幅の２倍以上で、隣
接する前記リード端子に当たらないビーム径とし、前記
実装基板上の電極パッド上では、前記電極パッド幅の
０．５〜１．０倍のビーム径とする前記レーザ光を照射
して、前記半導体パッケージと前記実装基板とをはんだ
付けすることを特徴とするレーザはんだ付け方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17797491A JPH0529759A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | レーザはんだ付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17797491A JPH0529759A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | レーザはんだ付け方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529759A true JPH0529759A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16040336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17797491A Pending JPH0529759A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | レーザはんだ付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529759A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9610693B2 (en) | 2012-01-17 | 2017-04-04 | The Boeing Company | Robot for clamping onto upright frame members |
| CN114535734A (zh) * | 2020-11-25 | 2022-05-27 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 一种led的激光焊接方法 |
-
1991
- 1991-07-18 JP JP17797491A patent/JPH0529759A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9610693B2 (en) | 2012-01-17 | 2017-04-04 | The Boeing Company | Robot for clamping onto upright frame members |
| CN114535734A (zh) * | 2020-11-25 | 2022-05-27 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 一种led的激光焊接方法 |
| CN114535734B (zh) * | 2020-11-25 | 2024-01-26 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 一种led的激光焊接方法 |
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