JPH07201085A - 光デイスク原盤及びその作成方法 - Google Patents
光デイスク原盤及びその作成方法Info
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- JPH07201085A JPH07201085A JP5354469A JP35446993A JPH07201085A JP H07201085 A JPH07201085 A JP H07201085A JP 5354469 A JP5354469 A JP 5354469A JP 35446993 A JP35446993 A JP 35446993A JP H07201085 A JPH07201085 A JP H07201085A
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- disk
- resin layer
- master
- curable resin
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Abstract
(57)【要約】
【目的】傷等の欠陥が無くかつ容易に作成し得る光デイ
スク原盤を提案する。 【構成】円盤状のプラスチツク盤１０と、プラスチツク
盤１０の第１の面に形成された紫外線硬化樹脂層１５
と、紫外線硬化樹脂層１５を介してプラスチツク盤１０
に形成され、表面に記録信号に応じた凹凸が形成された
レジスト層１９とを設けたことにより、傷等の欠陥が無
くかつ容易に作成し得る光デイスク原盤２０を得ること
ができる。この結果ガラス盤１０を用いた際に必要とな
つた煩雑な手間や大規模な設備を省略することができ
る。
スク原盤を提案する。 【構成】円盤状のプラスチツク盤１０と、プラスチツク
盤１０の第１の面に形成された紫外線硬化樹脂層１５
と、紫外線硬化樹脂層１５を介してプラスチツク盤１０
に形成され、表面に記録信号に応じた凹凸が形成された
レジスト層１９とを設けたことにより、傷等の欠陥が無
くかつ容易に作成し得る光デイスク原盤２０を得ること
ができる。この結果ガラス盤１０を用いた際に必要とな
つた煩雑な手間や大規模な設備を省略することができ
る。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術（図１） 発明が解決しようとする課題（図１） 課題を解決するための手段（図２） 作用（図２） 実施例（図２） 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は光デイスク原盤及びその
作成方法に関し、コンパクトデイスクやビデオデイスク
等の光デイスクのスタンパの型となる光デイスク原盤を
作成する際に適用して好適なものである。
作成方法に関し、コンパクトデイスクやビデオデイスク
等の光デイスクのスタンパの型となる光デイスク原盤を
作成する際に適用して好適なものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、この種の光デイスク原盤において
は、ガラス盤を用いると共に当該ガラス盤上にレジスト
層を形成し、このレジスト層に所望の信号記録面を形成
するようになされている。ここでこの種の光デイスク原
盤においては、一度使用したガラス盤を再び使用するよ
うになされている。
は、ガラス盤を用いると共に当該ガラス盤上にレジスト
層を形成し、このレジスト層に所望の信号記録面を形成
するようになされている。ここでこの種の光デイスク原
盤においては、一度使用したガラス盤を再び使用するよ
うになされている。
【０００４】すなわち図２（Ａ）に示すように使用済み
のガラス盤１上に残ったニツケルやレジスト２を除去し
た後、再び軽度の研磨を施すことにより表面に残つた汚
染物質３を除去する（図２（Ｂ））。次にこれを超音波
洗浄して乾燥させることにより図２（Ｃ）に示すよう
な、平滑に研磨され、両面が平行なガラス盤１が形成さ
れる。
のガラス盤１上に残ったニツケルやレジスト２を除去し
た後、再び軽度の研磨を施すことにより表面に残つた汚
染物質３を除去する（図２（Ｂ））。次にこれを超音波
洗浄して乾燥させることにより図２（Ｃ）に示すよう
な、平滑に研磨され、両面が平行なガラス盤１が形成さ
れる。
【０００５】次にこのガラス盤１に対してシラン系又は
チタン系等の薬品により接着性改良処理を施した後、図
２（Ｄ）に示すように、ポジ型フオトレジスト４を塗布
して乾燥させる。次に図２（Ｅ）に示すように、この一
面にカツテイングマシンにより所望の信号を記録した後
現像することにより、図２（Ｆ）に示すように、表面に
凹凸状の信号記録面５を有する光デイスク原盤６が作成
される。
チタン系等の薬品により接着性改良処理を施した後、図
２（Ｄ）に示すように、ポジ型フオトレジスト４を塗布
して乾燥させる。次に図２（Ｅ）に示すように、この一
面にカツテイングマシンにより所望の信号を記録した後
現像することにより、図２（Ｆ）に示すように、表面に
凹凸状の信号記録面５を有する光デイスク原盤６が作成
される。
【０００６】さらにこの光デイスク原盤６を用いること
によりスタンパが作成される。すなわち図２（Ｇ）に示
すように、信号記録面５上にスパツタリング法等により
導電性被膜７を付着させ、この導電性被膜７を電極とし
てメツキ処理することにより、図２（Ｈ）に示すよう
に、信号記録面５に所望の厚さの金属（例えばニツケ
ル）層８を堆積させ、当該金属層８をガラス盤１より引
き離した後、打ち抜き工程を施すことにより、図２
（Ｊ）に示すようなスタンパ９が作成される。
によりスタンパが作成される。すなわち図２（Ｇ）に示
すように、信号記録面５上にスパツタリング法等により
導電性被膜７を付着させ、この導電性被膜７を電極とし
てメツキ処理することにより、図２（Ｈ）に示すよう
に、信号記録面５に所望の厚さの金属（例えばニツケ
ル）層８を堆積させ、当該金属層８をガラス盤１より引
き離した後、打ち抜き工程を施すことにより、図２
（Ｊ）に示すようなスタンパ９が作成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種のガ
ラス盤を用いた光デイスク原盤においては、上述したよ
うに一度使用したガラス盤を再度研磨して使用する。と
ころがこの場合、ガラス盤上に傷等の欠陥が存在する
と、これがスタンパに転写されて良好なスタンパが得ら
れなくなることにより、ガラス盤の製作や取扱には特別
な注意及び技術が必要であつた。またガラス盤の再研磨
には、研磨機、研磨排水処理装置、超音波洗浄装置及び
純水製造装置等の大規模な設備が必要となる問題があつ
た。
ラス盤を用いた光デイスク原盤においては、上述したよ
うに一度使用したガラス盤を再度研磨して使用する。と
ころがこの場合、ガラス盤上に傷等の欠陥が存在する
と、これがスタンパに転写されて良好なスタンパが得ら
れなくなることにより、ガラス盤の製作や取扱には特別
な注意及び技術が必要であつた。またガラス盤の再研磨
には、研磨機、研磨排水処理装置、超音波洗浄装置及び
純水製造装置等の大規模な設備が必要となる問題があつ
た。
【０００８】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、傷等の欠陥が無くかつ容易に作成し得る光デイスク
原盤を提案しようとするものである。
で、傷等の欠陥が無くかつ容易に作成し得る光デイスク
原盤を提案しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、光デイスクを成形するスタンパの
型となる光デイスク原盤２０において、円盤状のプラス
チツク盤１０と、プラスチツク盤１０の第１の面に形成
された紫外線硬化樹脂層１５と、紫外線硬化樹脂層１５
を介してプラスチツク盤１０に形成され、表面に記録信
号に応じた凹凸が形成されたレジスト層１９とを備える
ようにする。
め本発明においては、光デイスクを成形するスタンパの
型となる光デイスク原盤２０において、円盤状のプラス
チツク盤１０と、プラスチツク盤１０の第１の面に形成
された紫外線硬化樹脂層１５と、紫外線硬化樹脂層１５
を介してプラスチツク盤１０に形成され、表面に記録信
号に応じた凹凸が形成されたレジスト層１９とを備える
ようにする。
【００１０】また本発明においては、紫外線硬化樹脂層
１５は、ラジカル重合型の紫外線硬化樹脂でなるように
する。
１５は、ラジカル重合型の紫外線硬化樹脂でなるように
する。
【００１１】さらに本発明においては、プラスチツク盤
１０は、予め表面に保護膜１１が形成され、当該保護膜
１１を、紫外線硬化樹脂層１５を形成する前に取り除い
たプラスチツク盤１０であるようにする。
１０は、予め表面に保護膜１１が形成され、当該保護膜
１１を、紫外線硬化樹脂層１５を形成する前に取り除い
たプラスチツク盤１０であるようにする。
【００１２】さらに本発明においては、光デイスクを成
形するスタンパの型となる光デイスク原盤２０を作成す
る光デイスク原盤作成方法において、円盤状のプラスチ
ツク盤１０の第１の面に紫外線硬化樹脂層１５を形成
し、紫外線硬化樹脂層１５に紫外線Ｌ１を照射すること
により紫外線硬化樹脂層１５を重合させ、紫外線硬化樹
脂層１５の表面を所定の溶剤１７により洗浄し、洗浄さ
れた紫外線樹脂層１５の表面にレジスト１８を塗布し、
レジスト１８の所望の位置に照射光束を照射してレジス
ト１８を部分露光し、レジスト１８を現像してレジスト
１８に記録信号に応じた凹凸１９を形成することにより
光デイスク原盤２０を作成するようにする。
形するスタンパの型となる光デイスク原盤２０を作成す
る光デイスク原盤作成方法において、円盤状のプラスチ
ツク盤１０の第１の面に紫外線硬化樹脂層１５を形成
し、紫外線硬化樹脂層１５に紫外線Ｌ１を照射すること
により紫外線硬化樹脂層１５を重合させ、紫外線硬化樹
脂層１５の表面を所定の溶剤１７により洗浄し、洗浄さ
れた紫外線樹脂層１５の表面にレジスト１８を塗布し、
レジスト１８の所望の位置に照射光束を照射してレジス
ト１８を部分露光し、レジスト１８を現像してレジスト
１８に記録信号に応じた凹凸１９を形成することにより
光デイスク原盤２０を作成するようにする。
【００１３】さらに本発明においては、紫外線硬化樹脂
層１５への紫外線Ｌ１の照射を、酸素を含む空気中で行
うようにする。
層１５への紫外線Ｌ１の照射を、酸素を含む空気中で行
うようにする。
【００１４】
【作用】プラスチツク盤１０の第１の面に形成された紫
外線硬化樹脂層１５が、プラスチツク盤１０表面の微細
な傷等を吸収する。この結果信号記録面に傷等の欠陥が
無い光デイスク原盤２０を容易に作成することができ
る。またプラスチツク盤１０を用いたことにより、ガラ
ス盤を用いた場合に必要となる研磨や洗浄に係る手間や
設備を省略することができる。
外線硬化樹脂層１５が、プラスチツク盤１０表面の微細
な傷等を吸収する。この結果信号記録面に傷等の欠陥が
無い光デイスク原盤２０を容易に作成することができ
る。またプラスチツク盤１０を用いたことにより、ガラ
ス盤を用いた場合に必要となる研磨や洗浄に係る手間や
設備を省略することができる。
【００１５】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００１６】図１は実施例による光デイスク原盤の作成
方法を示し、従来のガラス盤に代えてプラスチツク盤１
０を用いるようになされている。実施例の場合、プラス
チツク盤１０としては、押出し成形により製造された厚
さ 1.2〔mm〕のアクリル板を直径 220〔mm〕の円盤状に
切り出したものを用いるようになされている。
方法を示し、従来のガラス盤に代えてプラスチツク盤１
０を用いるようになされている。実施例の場合、プラス
チツク盤１０としては、押出し成形により製造された厚
さ 1.2〔mm〕のアクリル板を直径 220〔mm〕の円盤状に
切り出したものを用いるようになされている。
【００１７】このプラスチツク盤１０の表面には、図１
（Ａ）に示すように、予め傷等の損傷を防ぐための保護
フイルム１１が貼着されており、図１で示す光デイスク
原盤作成工程直前にこの保護フイルム１１を剥がすよう
になされている。
（Ａ）に示すように、予め傷等の損傷を防ぐための保護
フイルム１１が貼着されており、図１で示す光デイスク
原盤作成工程直前にこの保護フイルム１１を剥がすよう
になされている。
【００１８】次にプラスチツク盤１０は静電気除去処理
が施された後、図１（Ｂ）に示すように、ターンテーブ
ル１２上に取り付けられて回転され、この状態でプラス
チツク盤１０の中心上方に設けられたノズル１３から
0.2〔μm 〕のフイルタを通して濾過されたラジカル重
合型紫外線硬化樹脂１４を滴下する。
が施された後、図１（Ｂ）に示すように、ターンテーブ
ル１２上に取り付けられて回転され、この状態でプラス
チツク盤１０の中心上方に設けられたノズル１３から
0.2〔μm 〕のフイルタを通して濾過されたラジカル重
合型紫外線硬化樹脂１４を滴下する。
【００１９】実施例の場合、約30〔CC〕のラジカル重合
型紫外線硬化樹脂１４を滴下すると共に、プラスチツク
盤１０を30〔rpm 〕の回転速度で約30秒間回転させて紫
外線硬化樹脂１４をプラスチツク盤１０の全表面に広げ
た後、 300〔rpm 〕の回転速度で 1分間回転させること
により余分なラジカル重合型紫外線樹脂１４を振り切
る。この後このプラスチツク盤１０を30秒間放置する。
因に、ラジカル重合型紫外線硬化樹脂１４としては、プ
ラスチツク盤１０上に一様に広がるように粘性度が数10
0 〜数センチポイズのものが用いられている。
型紫外線硬化樹脂１４を滴下すると共に、プラスチツク
盤１０を30〔rpm 〕の回転速度で約30秒間回転させて紫
外線硬化樹脂１４をプラスチツク盤１０の全表面に広げ
た後、 300〔rpm 〕の回転速度で 1分間回転させること
により余分なラジカル重合型紫外線樹脂１４を振り切
る。この後このプラスチツク盤１０を30秒間放置する。
因に、ラジカル重合型紫外線硬化樹脂１４としては、プ
ラスチツク盤１０上に一様に広がるように粘性度が数10
0 〜数センチポイズのものが用いられている。
【００２０】この結果プラスチツク盤１０の表面には 1
〔μm 〕〜10〔μm 〕程度のラジカル重合型紫外線硬化
樹脂膜１５が形成され、これによりプラスチツク盤１０
の表面に傷等の微細な凹凸があつた場合でも、ラジカル
重合型紫外線硬化樹脂膜１５により表面を平滑化するこ
とができる。
〔μm 〕〜10〔μm 〕程度のラジカル重合型紫外線硬化
樹脂膜１５が形成され、これによりプラスチツク盤１０
の表面に傷等の微細な凹凸があつた場合でも、ラジカル
重合型紫外線硬化樹脂膜１５により表面を平滑化するこ
とができる。
【００２１】次に図１（Ｃ）に示すように、空気中で紫
外線Ｌ１を照射することにより、ラジカル重合型紫外線
硬化樹脂膜１５を重合させる。このときラジカル重合型
紫外線硬化樹脂膜１５の表面部分は酸素障害と呼ばれる
効果のため硬化しない一方、表面直下部分では低重合度
を保つて硬化する。ここで例えば酸素の無い空間中で紫
外線Ｌ１を照射すると、ラジカル重合型紫外線硬化樹脂
膜１５が完全に硬化してしまい、次工程でレジストをは
じいてしまう。すなわち実施例においては、酸素障害を
逆に利用することにより次工程でのレジストのはじきを
防止するようになされている。
外線Ｌ１を照射することにより、ラジカル重合型紫外線
硬化樹脂膜１５を重合させる。このときラジカル重合型
紫外線硬化樹脂膜１５の表面部分は酸素障害と呼ばれる
効果のため硬化しない一方、表面直下部分では低重合度
を保つて硬化する。ここで例えば酸素の無い空間中で紫
外線Ｌ１を照射すると、ラジカル重合型紫外線硬化樹脂
膜１５が完全に硬化してしまい、次工程でレジストをは
じいてしまう。すなわち実施例においては、酸素障害を
逆に利用することにより次工程でのレジストのはじきを
防止するようになされている。
【００２２】次に図１（Ｄ）に示すように、ターンテー
ブル１２によりプラスチツク盤１０を回転させながら、
プラスチツク盤１０の中心上方に設けられたノズル１６
から例えばイソプロピルアルコールのような半硬物は膨
潤させない溶剤１７を滴下することにより、未硬化状態
で表面に残存しているラジカル重合型紫外線硬化樹脂を
除去する。
ブル１２によりプラスチツク盤１０を回転させながら、
プラスチツク盤１０の中心上方に設けられたノズル１６
から例えばイソプロピルアルコールのような半硬物は膨
潤させない溶剤１７を滴下することにより、未硬化状態
で表面に残存しているラジカル重合型紫外線硬化樹脂を
除去する。
【００２３】実施例の場合、プラスチツク盤１０を30
〔rpm 〕で回転させながら 0.2〔μm〕のフイルタで濾
過した溶剤１７を滴下した後、 300〔rpm 〕で 2分間回
転させることによりこれを振り切り、この後溶剤１７を
乾燥するようにした。因に、以上の工程は、静電気の発
生によつてプラスチツク盤１０及びラジカル重合型紫外
線硬化樹脂膜１５にダストが付着することを回避するた
め、静電気除去ノズル（図示せず）からイオン化した空
気を導入した雰囲気中で行うようになされている。
〔rpm 〕で回転させながら 0.2〔μm〕のフイルタで濾
過した溶剤１７を滴下した後、 300〔rpm 〕で 2分間回
転させることによりこれを振り切り、この後溶剤１７を
乾燥するようにした。因に、以上の工程は、静電気の発
生によつてプラスチツク盤１０及びラジカル重合型紫外
線硬化樹脂膜１５にダストが付着することを回避するた
め、静電気除去ノズル（図示せず）からイオン化した空
気を導入した雰囲気中で行うようになされている。
【００２４】次に、このプラスチツク盤１０をターンテ
ーブル（図示せず）に取付けて回転させながら所定のレ
ジストを滴下することにより、図１（Ｅ）に示すよう
に、ラジカル重合型紫外線硬化樹脂膜１５の表面にレジ
スト層１８を形成し、この後レジスト層１８を60〔°〕
の温度で30分加熱して乾燥させる。このときも徐電ブロ
ーのエアーを少しずつ導入することにより、乾燥空気と
の摩擦による帯電を防止する。実施例の場合、このレジ
スト層１８の厚さは 120〔nm〕となるように選定されて
いる。
ーブル（図示せず）に取付けて回転させながら所定のレ
ジストを滴下することにより、図１（Ｅ）に示すよう
に、ラジカル重合型紫外線硬化樹脂膜１５の表面にレジ
スト層１８を形成し、この後レジスト層１８を60〔°〕
の温度で30分加熱して乾燥させる。このときも徐電ブロ
ーのエアーを少しずつ導入することにより、乾燥空気と
の摩擦による帯電を防止する。実施例の場合、このレジ
スト層１８の厚さは 120〔nm〕となるように選定されて
いる。
【００２５】ここで溶剤１７で表面を洗浄された硬化し
たラジカル重合型紫外線硬化樹脂層１５はレジスト１８
の成分と比較的濡れ性が良いことにより、レジスト１８
は紫外線硬化樹脂層によつてはじかれることなくラジカ
ル重合型紫外線硬化樹脂層１５に密着する。次に、カツ
テイングマシーンにレジスト層１８が形成されたプラス
チツク盤１０を取付け、レーザ光を照射することにより
レジスト層１８の所望位置を露光する（図１（Ｆ））。
次に、これを現像して記録信号に応じた凹凸状の信号記
録面１９を形成することにより、光デイスク原盤２０が
作成される。
たラジカル重合型紫外線硬化樹脂層１５はレジスト１８
の成分と比較的濡れ性が良いことにより、レジスト１８
は紫外線硬化樹脂層によつてはじかれることなくラジカ
ル重合型紫外線硬化樹脂層１５に密着する。次に、カツ
テイングマシーンにレジスト層１８が形成されたプラス
チツク盤１０を取付け、レーザ光を照射することにより
レジスト層１８の所望位置を露光する（図１（Ｆ））。
次に、これを現像して記録信号に応じた凹凸状の信号記
録面１９を形成することにより、光デイスク原盤２０が
作成される。
【００２６】次に、この光デイスク原盤２０上にニツケ
ルをほぼ50〔nm〕の厚さにスパツタリングした後、電鋳
法によつてニツケルの厚さが 0.3〔mm〕±0.01〔mm〕に
なるまでメツキ処理を施しメツキ層を形成する。次に光
デイスク原盤２０からメツキ層を引き離し、当該メツキ
層に対して所定の洗浄、打抜き工程を施すことにより、
スタンパが作成される。
ルをほぼ50〔nm〕の厚さにスパツタリングした後、電鋳
法によつてニツケルの厚さが 0.3〔mm〕±0.01〔mm〕に
なるまでメツキ処理を施しメツキ層を形成する。次に光
デイスク原盤２０からメツキ層を引き離し、当該メツキ
層に対して所定の洗浄、打抜き工程を施すことにより、
スタンパが作成される。
【００２７】ここでこのスタンパを射出成形機に取付
け、光デイスクを作成し、この光デイスクの品質を評価
したところ以下のような評価結果が得られた。すなわち
この光デイスクのエラーレートは、ランダムエラー訂正
後のＣ１符号で平均15.2〔％〕、最大68〔％〕、バース
トエラー訂正後のＣ２符号で平均、最大共に 0〔％〕で
あつた。またプツシユプルは 0.042〜0.75の範囲であつ
た。さらに変調度は、１１Ｔで72〜75〔％〕、３Ｔで31
〜35〔％〕であつた。このように従来のようにガラス盤
を用いた場合とほぼ等しい品質を有する光デイスクを得
ることができた。
け、光デイスクを作成し、この光デイスクの品質を評価
したところ以下のような評価結果が得られた。すなわち
この光デイスクのエラーレートは、ランダムエラー訂正
後のＣ１符号で平均15.2〔％〕、最大68〔％〕、バース
トエラー訂正後のＣ２符号で平均、最大共に 0〔％〕で
あつた。またプツシユプルは 0.042〜0.75の範囲であつ
た。さらに変調度は、１１Ｔで72〜75〔％〕、３Ｔで31
〜35〔％〕であつた。このように従来のようにガラス盤
を用いた場合とほぼ等しい品質を有する光デイスクを得
ることができた。
【００２８】かくして、プラスチツク盤１０の一面にラ
ジカル重合型紫外線硬化樹脂層１５を形成し、当該ラジ
カル重合型紫外線硬化樹脂層１５を酸素を含んだ空気中
で紫外線Ｌ１を照射して硬化させ、この表面を所定の溶
剤１７で洗浄した後、レジスト層１８を形成し、当該レ
ジスト層１８の所望位置を露光及び現像して所望の信号
記録面１９を形成したことにより、容易かつ廉価に傷等
の欠陥の無い光デイスク原盤２０を実現することができ
る。
ジカル重合型紫外線硬化樹脂層１５を形成し、当該ラジ
カル重合型紫外線硬化樹脂層１５を酸素を含んだ空気中
で紫外線Ｌ１を照射して硬化させ、この表面を所定の溶
剤１７で洗浄した後、レジスト層１８を形成し、当該レ
ジスト層１８の所望位置を露光及び現像して所望の信号
記録面１９を形成したことにより、容易かつ廉価に傷等
の欠陥の無い光デイスク原盤２０を実現することができ
る。
【００２９】なお上述の実施例においては、プラスチツ
ク盤１０として押出し成形により製造されたアクリル板
を用いた場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、プラスチツク盤１０としては紫外線硬化樹脂との接
着性を有するものであれば種々のものを適用することが
できる。
ク盤１０として押出し成形により製造されたアクリル板
を用いた場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、プラスチツク盤１０としては紫外線硬化樹脂との接
着性を有するものであれば種々のものを適用することが
できる。
【００３０】例えば押出し成形により製造されたポリカ
ーボネート板を用いるようにしてもよい。ここで厚さ 2
〔mm〕のポリカーボネート板を用い、上述の実施例の場
合と同様の工程を経ることによりスタンパを作成し、こ
のスタンパを評価したところ、エラーレートは、ランダ
ムエラー訂正後のＣ１符号で平均18.9〔％〕、最大 121
〔％〕、バーストエラー訂正後のＣ２符号で平均、最大
共に 0〔％〕であつた。またプツシユプルは 0.042〜0.
043 の範囲であつた。さらに変調度は、Ｔ１１で73〜75
〔％〕、Ｔ３で32〜35〔％〕であつた。この結果実用上
十分な品質の光デイスクを作成し得ることが分かつた。
ーボネート板を用いるようにしてもよい。ここで厚さ 2
〔mm〕のポリカーボネート板を用い、上述の実施例の場
合と同様の工程を経ることによりスタンパを作成し、こ
のスタンパを評価したところ、エラーレートは、ランダ
ムエラー訂正後のＣ１符号で平均18.9〔％〕、最大 121
〔％〕、バーストエラー訂正後のＣ２符号で平均、最大
共に 0〔％〕であつた。またプツシユプルは 0.042〜0.
043 の範囲であつた。さらに変調度は、Ｔ１１で73〜75
〔％〕、Ｔ３で32〜35〔％〕であつた。この結果実用上
十分な品質の光デイスクを作成し得ることが分かつた。
【００３１】さらにプラスチツク盤１０として、所謂セ
ルキヤストアクリル板を用いるようにしてもよい。ここ
で厚さ 1.2〔mm〕のセルキヤストアクリル板を用い、上
述の実施例の場合と同様の工程を経ることによりスタン
パを作成し、このスタンパを評価したところ、エラーレ
ートは、ランダムエラー訂正後のＣ１符号で平均 7.3
〔％〕、最大34〔％〕、バーストエラー訂正後のＣ２符
号で平均、最大共に 0〔％〕であつた。またプツシユプ
ルは 0.043〜0.045 の範囲であつた。さらに変調度は、
１１Ｔで68〜73〔％〕、３Ｔで33〜35〔％〕であつた。
この結果十分な品質の光デイスクを作成し得ることが分
かつた。
ルキヤストアクリル板を用いるようにしてもよい。ここ
で厚さ 1.2〔mm〕のセルキヤストアクリル板を用い、上
述の実施例の場合と同様の工程を経ることによりスタン
パを作成し、このスタンパを評価したところ、エラーレ
ートは、ランダムエラー訂正後のＣ１符号で平均 7.3
〔％〕、最大34〔％〕、バーストエラー訂正後のＣ２符
号で平均、最大共に 0〔％〕であつた。またプツシユプ
ルは 0.043〜0.045 の範囲であつた。さらに変調度は、
１１Ｔで68〜73〔％〕、３Ｔで33〜35〔％〕であつた。
この結果十分な品質の光デイスクを作成し得ることが分
かつた。
【００３２】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、円盤状の
プラスチツク盤と、プラスチツク盤の第１の面に形成さ
れた紫外線硬化樹脂層と、紫外線硬化樹脂層を介してプ
ラスチツク盤に形成され、表面に記録信号に応じた凹凸
が形成されたレジスト層とを設けたことにより、傷等の
欠陥が無くかつ容易に作成し得る光デイスク原盤を得る
ことができる。この結果ガラス盤を用いた際に必要とな
つた煩雑な手間や大規模な設備を省略することができ
る。
プラスチツク盤と、プラスチツク盤の第１の面に形成さ
れた紫外線硬化樹脂層と、紫外線硬化樹脂層を介してプ
ラスチツク盤に形成され、表面に記録信号に応じた凹凸
が形成されたレジスト層とを設けたことにより、傷等の
欠陥が無くかつ容易に作成し得る光デイスク原盤を得る
ことができる。この結果ガラス盤を用いた際に必要とな
つた煩雑な手間や大規模な設備を省略することができ
る。
【図１】本発明による光デイスク原盤を作成する際の工
程の一実施例を示す略線的断面図である。
程の一実施例を示す略線的断面図である。
【図２】従来のガラス盤を用いた光デイスク原盤及びス
タンパの作成工程を示す略線的断面図である。
タンパの作成工程を示す略線的断面図である。
１……ガラス盤、４、１８……レジスト層、５、１０…
…信号記録面、６、２０……光デイスク原盤、８……メ
ツキ層、９……スタンパ、１０……プラスチツク盤、１
１……保護フイルム、１４……ラジカル重合型紫外線硬
化樹脂、１５……ラジカル重合型紫外線硬化樹脂層、１
７……溶剤、Ｌ１……紫外線。
…信号記録面、６、２０……光デイスク原盤、８……メ
ツキ層、９……スタンパ、１０……プラスチツク盤、１
１……保護フイルム、１４……ラジカル重合型紫外線硬
化樹脂、１５……ラジカル重合型紫外線硬化樹脂層、１
７……溶剤、Ｌ１……紫外線。
Claims (5)
- 【請求項１】光デイスクを成形するスタンパの型となる
光デイスク原盤において、 円盤状のプラスチツク盤と、 上記プラスチツク盤の第１の面に形成された紫外線硬化
樹脂層と、 上記紫外線硬化樹脂層を介して上記プラスチツク盤に形
成され、表面に記録信号に応じた凹凸が形成されたレジ
スト層とを具えたことを特徴とする光デイスク原盤。 - 【請求項２】上記紫外線硬化樹脂層は、ラジカル重合型
の紫外線硬化樹脂でなることを特徴とする請求項１に記
載の光デイスク原盤。 - 【請求項３】上記プラスチツク盤は、 予め表面に保護膜が形成され、当該保護膜を、上記紫外
線硬化樹脂層を形成する前に取り除いたプラスチツク盤
であることを特徴とする請求項１に記載の光デイスク原
盤。 - 【請求項４】光デイスクを成形するスタンパの型となる
光デイスク原盤を作成する光デイスク原盤作成方法にお
いて、 円盤状のプラスチツク盤の第１の面に紫外線硬化樹脂層
を形成し、 上記紫外線硬化樹脂層に紫外線を照射することにより上
記紫外線硬化樹脂層を重合させ、 上記紫外線硬化樹脂層の表面を所定の溶剤により洗浄
し、 洗浄された上記紫外線樹脂層の表面にレジストを塗布
し、 上記レジストの所望の位置に照射光束を照射して上記レ
ジストを部分露光し、 上記レジストを現像して上記レジストに記録信号に応じ
た凹凸を形成することにより上記光デイスク原盤を作成
することを特徴とする光デイスク原盤作成方法。 - 【請求項５】上記紫外線硬化樹脂層への上記紫外線の照
射を、酸素を含む空気中で行うようにしたことを特徴と
する請求項４に記載の光デイスク原盤作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35446993A JP3344602B2 (ja) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 光デイスク原盤及びその作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35446993A JP3344602B2 (ja) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 光デイスク原盤及びその作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201085A true JPH07201085A (ja) | 1995-08-04 |
| JP3344602B2 JP3344602B2 (ja) | 2002-11-11 |
Family
ID=18437774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35446993A Expired - Fee Related JP3344602B2 (ja) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 光デイスク原盤及びその作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3344602B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6927016B2 (en) | 2001-10-23 | 2005-08-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Blank disc and direct stamper and its manufacturing method |
-
1993
- 1993-12-30 JP JP35446993A patent/JP3344602B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6927016B2 (en) | 2001-10-23 | 2005-08-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Blank disc and direct stamper and its manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3344602B2 (ja) | 2002-11-11 |
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