JPH0719865B2 - 半導体装置のリ−ドフレ−ム製造方法 - Google Patents
半導体装置のリ−ドフレ−ム製造方法Info
- Publication number
- JPH0719865B2 JPH0719865B2 JP60074300A JP7430085A JPH0719865B2 JP H0719865 B2 JPH0719865 B2 JP H0719865B2 JP 60074300 A JP60074300 A JP 60074300A JP 7430085 A JP7430085 A JP 7430085A JP H0719865 B2 JPH0719865 B2 JP H0719865B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- finger
- lead frame
- semiconductor chip
- fingers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 claims description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 4
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はIC、LSI等の半導体チツプを固定するのに用い
るリードフレームの製造方法に関する。
るリードフレームの製造方法に関する。
従来より半導体チツプを樹脂モールドで一体化して複数
ピンを突設した半導体装置の組立てには金属製のリード
フレームが用いられている。このリードフレームは薄い
金属板をプレスで打ち抜いたり、エツチングなどによつ
て形成されており、その形状は第４図に示すように、半
導体チツプ１を取り付ける矩形のタブ２をその４隅にお
いて支持するタブリード３と、タブ２の周縁に内端を臨
ませる複数のフインガ４と、これらフインガ４及びタブ
リード３の外端を支持する枠部５と、枠部５の両側縁に
沿つて定間隔に設けられたスプロケツト孔６とからなつ
ている。
ピンを突設した半導体装置の組立てには金属製のリード
フレームが用いられている。このリードフレームは薄い
金属板をプレスで打ち抜いたり、エツチングなどによつ
て形成されており、その形状は第４図に示すように、半
導体チツプ１を取り付ける矩形のタブ２をその４隅にお
いて支持するタブリード３と、タブ２の周縁に内端を臨
ませる複数のフインガ４と、これらフインガ４及びタブ
リード３の外端を支持する枠部５と、枠部５の両側縁に
沿つて定間隔に設けられたスプロケツト孔６とからなつ
ている。
このようなリードフレーム７を用いて半導体装置を組み
立てるには、まずタブ２上に半導体チツプ１を取り付け
た後、半導体チツプ１の各電極とこれに対応するフイン
ガ４の内端をワイヤあるいはワイヤを用いず直接に接続
し、その後矩形枠部５の内側領域を合成樹脂でモールド
し半導体チツプ１を被覆し、次いで枠部５を切除し、フ
ラツトリードあるいはインライン型の半導体装置を得る
のである。
立てるには、まずタブ２上に半導体チツプ１を取り付け
た後、半導体チツプ１の各電極とこれに対応するフイン
ガ４の内端をワイヤあるいはワイヤを用いず直接に接続
し、その後矩形枠部５の内側領域を合成樹脂でモールド
し半導体チツプ１を被覆し、次いで枠部５を切除し、フ
ラツトリードあるいはインライン型の半導体装置を得る
のである。
ところで、リードフレーム７のフインガ４の先端には半
導体チツプ１の電極に接続するためのバンプが形成され
るが、近年多数のピンを有する半導体装置が要求される
ようになり、フインガの幅が極めて小さいものとなつて
くると、フインガを含むリードフレームの接続そのもの
が非常に難しく、ましてやフインガが先端にバンプを一
体に形成するのは困難である。
導体チツプ１の電極に接続するためのバンプが形成され
るが、近年多数のピンを有する半導体装置が要求される
ようになり、フインガの幅が極めて小さいものとなつて
くると、フインガを含むリードフレームの接続そのもの
が非常に難しく、ましてやフインガが先端にバンプを一
体に形成するのは困難である。
従来、上記の如き非常に微細な加工を施すには、フオト
エツチング等の手段が用いられているが、エツチング加
工は製造装置等が高価であり、コストをさげるのが難し
い。
エツチング等の手段が用いられているが、エツチング加
工は製造装置等が高価であり、コストをさげるのが難し
い。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、多数のバン
プ付フインガを備えたリードフレームを容易に成形でき
るリードフレームの製造方法の提供を目的としている。
プ付フインガを備えたリードフレームを容易に成形でき
るリードフレームの製造方法の提供を目的としている。
上記目的を達成するための手段として、本発明は、半導
体チツプの電極と接続されるフインガを導電性金属薄箔
にて形成したリードフレームの製造方法であつて、少な
くとも表面に導電性を有する基板に所望パターンのレジ
スト層を形成し、レジスト層が形成されていない基板の
表面に電鋳により金属層を積層してフインガを形成する
工程と、そのフインガの先端部を基板とともに基板側が
部分的に突出するようにプレスで折曲加工してフインガ
の先端部に基板表面に沿って圧延折曲されたバンプを形
成する工程と、基板よりフインガを剥離して、基板と接
していたバンプ面を電極接合面とする工程とからなるこ
とを特徴とするものである。
体チツプの電極と接続されるフインガを導電性金属薄箔
にて形成したリードフレームの製造方法であつて、少な
くとも表面に導電性を有する基板に所望パターンのレジ
スト層を形成し、レジスト層が形成されていない基板の
表面に電鋳により金属層を積層してフインガを形成する
工程と、そのフインガの先端部を基板とともに基板側が
部分的に突出するようにプレスで折曲加工してフインガ
の先端部に基板表面に沿って圧延折曲されたバンプを形
成する工程と、基板よりフインガを剥離して、基板と接
していたバンプ面を電極接合面とする工程とからなるこ
とを特徴とするものである。
第１図は本発明の実施例におけるリードフレームの製造
工程を説明するものである。
工程を説明するものである。
まず第１図（ａ）の如くステンレス等の導電性金属から
なる基板８上に所望パターンのレジスト層９を形成す
る。このレジスト層９はリードフレーム７を形成しない
位置のみに積層されるものであつて、非レジスト部8aの
形状は所望パターンのリードフレーム形状である。
なる基板８上に所望パターンのレジスト層９を形成す
る。このレジスト層９はリードフレーム７を形成しない
位置のみに積層されるものであつて、非レジスト部8aの
形状は所望パターンのリードフレーム形状である。
次にこのレジスト層９が形成された基板８上を、レジス
トがアルカリ現像タイプではカセイソーダを、溶剤タイ
プの場合は塩化メチレン等の溶剤を用いて剥離処理を行
い、その後電鋳により銅、ニツケル、金等の導電性金属
を積層させる。
トがアルカリ現像タイプではカセイソーダを、溶剤タイ
プの場合は塩化メチレン等の溶剤を用いて剥離処理を行
い、その後電鋳により銅、ニツケル、金等の導電性金属
を積層させる。
これにより（ｂ）図の如くレジスト層９を除く非レジス
ト部8a上にのみ金属層が形状される。更にレジスト９を
メチルイソブチルケトンのような溶剤で洗浄除去して
（ｃ）の如き積層体を得る。
ト部8a上にのみ金属層が形状される。更にレジスト９を
メチルイソブチルケトンのような溶剤で洗浄除去して
（ｃ）の如き積層体を得る。
このようにして一枚の板状に成形された基板８及び金属
層10の積層体の一部をプレス成形により（ｄ）図の如く
基板８側に突出するように折曲加工する。この成形部分
はリードフレーム７のフインガ先端部であり、図ではタ
ブ２に向つて対向延出する一対のフインガ４を示してい
る。この場合、レジスト層を残したままプレス成形する
ことにより、フインガ先端部を取り囲むレジスト層がフ
インガの横ずれ防止作用をするとともに、過剰プレス力
の緩衝機能をもたせることができる。なおタブ２は特に
必要としない。
層10の積層体の一部をプレス成形により（ｄ）図の如く
基板８側に突出するように折曲加工する。この成形部分
はリードフレーム７のフインガ先端部であり、図ではタ
ブ２に向つて対向延出する一対のフインガ４を示してい
る。この場合、レジスト層を残したままプレス成形する
ことにより、フインガ先端部を取り囲むレジスト層がフ
インガの横ずれ防止作用をするとともに、過剰プレス力
の緩衝機能をもたせることができる。なおタブ２は特に
必要としない。
次いで基板８から金属層10を剥離して（ｅ）図の如き断
面形状を有するフインガ４を得る。
面形状を有するフインガ４を得る。
第２図は上述の方法によつて得られたリードフレーム７
のフインガ４部分を拡大して示した斜視図である。図か
ら明らかなように、リードフレーム７の枠部５から内方
へ延出する多数のフインガ４の先端部は下方へ湾曲さ
れ、その先端は頸部4aを介して円形のバンプ4bが薄く圧
延形成される。
のフインガ４部分を拡大して示した斜視図である。図か
ら明らかなように、リードフレーム７の枠部５から内方
へ延出する多数のフインガ４の先端部は下方へ湾曲さ
れ、その先端は頸部4aを介して円形のバンプ4bが薄く圧
延形成される。
先端部形状を円形にすることにより、半導体チツプ１の
凹入した電極との接合位置をフインガ４の横ずれに対し
て許容することができ、組立性を向上させることができ
るが、円形に限らず矩形もしては多角形状等種々変更で
きる。
凹入した電極との接合位置をフインガ４の横ずれに対し
て許容することができ、組立性を向上させることができ
るが、円形に限らず矩形もしては多角形状等種々変更で
きる。
第３図はリードフレームを用いて半導体チツプを配線基
板に取り付けた状態を示したもので、リードフレーム７
はプリント配線板11の上面に載置固定されており、リー
ドフレーム７のフインガ４が延出する部分のプリント配
線板11にはデイバイス孔11aが設けられている。このデ
イバイス孔11a内には半導体チツプ１が配され、フイン
ガ４の先端の前記基板８と接していた方のバンプ4bの面
が半導体チツプ１の上面に設けられた電極に半田で固着
されるのである。
板に取り付けた状態を示したもので、リードフレーム７
はプリント配線板11の上面に載置固定されており、リー
ドフレーム７のフインガ４が延出する部分のプリント配
線板11にはデイバイス孔11aが設けられている。このデ
イバイス孔11a内には半導体チツプ１が配され、フイン
ガ４の先端の前記基板８と接していた方のバンプ4bの面
が半導体チツプ１の上面に設けられた電極に半田で固着
されるのである。
電鋳用基板８として、上記実施例ではそれ自体導電性を
有するステンレス薄鋼板を用い、フインガ４の先端プレ
ス成形時にこの基板８とフインガ４とを同時プレス加工
することにより、フインガ４のちぎれや不要変形を回避
するようにしたが、基板８はそれ自体が導電性を有しな
いもしくは抵抗値が高い材質例えばポリエステルやポリ
イミド樹脂のような合成樹脂フイルムや表面に導電性を
有しないようなアルミニウム薄板等も用いることがで
き、合成樹脂フイルムの場合には、蒸着やスパツタリン
グ、無電解メツキ等によりその表面に導電性を付与せし
めれば良く、またアルミニウム薄板の場合には、その表
面に亜鉛等による置換反応で導電性を持たせれば良い。
有するステンレス薄鋼板を用い、フインガ４の先端プレ
ス成形時にこの基板８とフインガ４とを同時プレス加工
することにより、フインガ４のちぎれや不要変形を回避
するようにしたが、基板８はそれ自体が導電性を有しな
いもしくは抵抗値が高い材質例えばポリエステルやポリ
イミド樹脂のような合成樹脂フイルムや表面に導電性を
有しないようなアルミニウム薄板等も用いることがで
き、合成樹脂フイルムの場合には、蒸着やスパツタリン
グ、無電解メツキ等によりその表面に導電性を付与せし
めれば良く、またアルミニウム薄板の場合には、その表
面に亜鉛等による置換反応で導電性を持たせれば良い。
特にこのような合成樹脂やアルミニウム薄板の場合には
材質自体が柔軟性や展性、延性に富むため、フインガ４
のプレス加工時の加工圧のばらつきを吸収させることが
でき、バンプ部分の寸法管理を容易にすることができ
る。
材質自体が柔軟性や展性、延性に富むため、フインガ４
のプレス加工時の加工圧のばらつきを吸収させることが
でき、バンプ部分の寸法管理を容易にすることができ
る。
以上のように本発明によれば、 ．フインガ先端のバンプを部分的に折曲加工するのに
基板とともになされるから、極細のフインガであっても
十分にプレス加工が可能であり、薄くても亀裂の生じな
いバンプを容易に形成することができる。
基板とともになされるから、極細のフインガであっても
十分にプレス加工が可能であり、薄くても亀裂の生じな
いバンプを容易に形成することができる。
．フインガ先端のバンプが圧延加工されてフインガ基
部よりも部分的に薄くできるから、この部分がバッハア
領域として機能し、半導体チップとの接合時の加圧力が
緩和でき、フインガ基部の変形、横ずれが防止できる。
部よりも部分的に薄くできるから、この部分がバッハア
領域として機能し、半導体チップとの接合時の加圧力が
緩和でき、フインガ基部の変形、横ずれが防止できる。
．プレス成形によってフインガ先端にバンプを形成す
る際、そのフインガが直接金型に接触する場合には、型
面に生じる微細な傷（金型を繰り返して使用していると
型面に微細な傷が生じる）がそのままバンプに転写され
て表面に凹凸を生じ、そのために半導体チップの電極と
の接合が不確実になる。
る際、そのフインガが直接金型に接触する場合には、型
面に生じる微細な傷（金型を繰り返して使用していると
型面に微細な傷が生じる）がそのままバンプに転写され
て表面に凹凸を生じ、そのために半導体チップの電極と
の接合が不確実になる。
その点本発明は、繰り返して使用しない基板の表面に沿
ってバンプを形成し、その基板と接していたバンプ面を
電極接合面としているから、そのバンプ面は平坦で、電
極との接合が確実であるなどの特長を有している。。
ってバンプを形成し、その基板と接していたバンプ面を
電極接合面としているから、そのバンプ面は平坦で、電
極との接合が確実であるなどの特長を有している。。
第１図は本発明実施例におけるリードフレームの製造工
程を示す図、第２図は本発明によつて製造したリードフ
レームのフインガ部を拡大して示す斜視図、第３図はリ
ードフレームを用いて半導体チツプを配線基板に取り付
けた状態を示す図、第４図は一般的なリードフレームの
平面図である。 １…半導体チツプ、1a…電極、２…タブ、４…フイン
ガ、4b…バンプ、７…リードフレーム、８…金属基板、
8a…非レジスト部。
程を示す図、第２図は本発明によつて製造したリードフ
レームのフインガ部を拡大して示す斜視図、第３図はリ
ードフレームを用いて半導体チツプを配線基板に取り付
けた状態を示す図、第４図は一般的なリードフレームの
平面図である。 １…半導体チツプ、1a…電極、２…タブ、４…フイン
ガ、4b…バンプ、７…リードフレーム、８…金属基板、
8a…非レジスト部。
フロントページの続き (72)発明者 坂田 栄二 福岡県田川郡方城町大字伊方4680番地 九 州日立マクセル株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−171681（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−110051（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−114353（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】半導体チツプの電極と接続されるフインガ
を導電性金属薄箔にて形成したリードフレームの製造方
法であつて、 少なくとも表面に導電性を有する基板に所望パターンの
レジスト層を形成し、レジスト層が形成されていない基
板の表面に電鋳により金属層を積層してフインガを形成
する工程と、 そのフインガの先端部を基板とともに基板側が部分的に
突出するようにプレスで折曲加工して、フインガの先端
部に基板表面に沿って圧延折曲されたバンプを形成する
工程と、 基板よりフインガを剥離して、基板と接していたバンプ
面を電極接合面とする工程とからなる半導体装置のリー
ドフレーム製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60074300A JPH0719865B2 (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | 半導体装置のリ−ドフレ−ム製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60074300A JPH0719865B2 (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | 半導体装置のリ−ドフレ−ム製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4117984A Division JP2528766B2 (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61234061A JPS61234061A (ja) | 1986-10-18 |
| JPH0719865B2 true JPH0719865B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=13543141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60074300A Expired - Lifetime JPH0719865B2 (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | 半導体装置のリ−ドフレ−ム製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719865B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5001545A (en) * | 1988-09-09 | 1991-03-19 | Motorola, Inc. | Formed top contact for non-flat semiconductor devices |
| JP2521417B2 (ja) * | 1994-08-22 | 1996-08-07 | 九州日立マクセル株式会社 | 電鋳方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS556115B2 (ja) * | 1974-02-20 | 1980-02-13 | ||
| JPS55110051A (en) * | 1979-02-15 | 1980-08-25 | Nec Corp | Lead frame and semiconductor device |
| JPS57171681A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-22 | Toshiba Corp | Lead frame and its manufacture |
-
1985
- 1985-04-10 JP JP60074300A patent/JPH0719865B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61234061A (ja) | 1986-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10256416A (ja) | 配線基板における導電バンプの構造 | |
| JP2004207275A (ja) | 回路装置およびその製造方法 | |
| JPH0719865B2 (ja) | 半導体装置のリ−ドフレ−ム製造方法 | |
| JPH0722191B2 (ja) | 半導体装置のリ−ドフレ−ム製造方法 | |
| JP2509882B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0656872B2 (ja) | 半導体装置のリ−ドフレ−ム | |
| JP2528766B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05267546A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2549277B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3932689B2 (ja) | Ｔａｂ用フィルムキャリアテープ | |
| JPH07106481A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2528765B2 (ja) | 半導体装置のリ―ドフレ―ム | |
| JP3936060B2 (ja) | グリッドアレイの製造方法 | |
| JPS62128132A (ja) | 電子部品実装回路およびその製作方法 | |
| JP2663789B2 (ja) | バンプ付きキャリアテープの製造方法 | |
| JPH0738400B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2745860B2 (ja) | 多ピンリードフレーム | |
| JP3858396B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04216660A (ja) | 半導体素子用リードフレーム | |
| JPH069216B2 (ja) | リ−ドキヤリアフイルム | |
| JP3314516B2 (ja) | 前成形ずみフィルムキャリアおよびその製造方法ならびに電子素子およびその製造方法 | |
| JP2985584B2 (ja) | 折曲実装型ｔａｂ用フィルムキャリア及びその製造方法 | |
| JPH05315531A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
| JPH0423321Y2 (ja) | ||
| JPH0423322Y2 (ja) |