JPH07196378A - 炭素/炭素複合材料の製造方法 - Google Patents
炭素/炭素複合材料の製造方法Info
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- JPH07196378A JPH07196378A JP6317738A JP31773894A JPH07196378A JP H07196378 A JPH07196378 A JP H07196378A JP 6317738 A JP6317738 A JP 6317738A JP 31773894 A JP31773894 A JP 31773894A JP H07196378 A JPH07196378 A JP H07196378A
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- pitch
- densification
- composite material
- carbide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 超高圧装置を用いることなく、効率良く炭素
/炭素複合材料を製造する方法を提供する。 【構成】 炭素一次成形体に炭素質ピッチを含浸し、不
活性ガス雰囲気下、500〜3000℃にて焼成して緻
密化処理を行ない炭素/炭素複合材料を製造するに際
し、緻密化処理の圧力が大気圧を越え10Kg/cm2
以下であり、かつ該炭素質ピッチが下記式で示される緻
密化パラメータが0.1以上を満足するピッチであるこ
とを特徴とする炭素/炭素複合材料の製造方法。緻密化
パラメータ=(緻密化処理に用いる焼成条件と同一の焼
成条件で焼成した場合の炭素質ピッチの炭化物重量を該
炭素質ピッチ重量で除した値)×(緻密化処理に用いる
焼成条件と同一の焼成条件で焼成した場合に得られる炭
化物の嵩密度を該炭化物の真密度で除した値)
/炭素複合材料を製造する方法を提供する。 【構成】 炭素一次成形体に炭素質ピッチを含浸し、不
活性ガス雰囲気下、500〜3000℃にて焼成して緻
密化処理を行ない炭素/炭素複合材料を製造するに際
し、緻密化処理の圧力が大気圧を越え10Kg/cm2
以下であり、かつ該炭素質ピッチが下記式で示される緻
密化パラメータが0.1以上を満足するピッチであるこ
とを特徴とする炭素/炭素複合材料の製造方法。緻密化
パラメータ=(緻密化処理に用いる焼成条件と同一の焼
成条件で焼成した場合の炭素質ピッチの炭化物重量を該
炭素質ピッチ重量で除した値)×(緻密化処理に用いる
焼成条件と同一の焼成条件で焼成した場合に得られる炭
化物の嵩密度を該炭化物の真密度で除した値)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は炭素/炭素複合材料の製
造方法に関する。
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】炭素繊維強化/炭素複合材料は、軽量で
耐熱性を有するだけでなく、摺動特性、強度特性、破壊
靭性、熱伝導率等に優れており、耐熱材料、ブレーキお
よび炉材等の工業材料に使用されている。
耐熱性を有するだけでなく、摺動特性、強度特性、破壊
靭性、熱伝導率等に優れており、耐熱材料、ブレーキお
よび炉材等の工業材料に使用されている。
【0003】この炭素繊維強化/炭素複合材料の製造に
おいては、まず炭素繊維を成形し、あるいは炭素繊維を
バインダーとなるピッチや熱硬化性樹脂と共に成形し、
さらに炭化して一次成形体とし、次いでこの一次成形体
を緻密化するという工程が行われる。
おいては、まず炭素繊維を成形し、あるいは炭素繊維を
バインダーとなるピッチや熱硬化性樹脂と共に成形し、
さらに炭化して一次成形体とし、次いでこの一次成形体
を緻密化するという工程が行われる。
【0004】ここで、成形と緻密化を一工程で完結させ
る方法も提案されているが、得られる炭素繊維強化/炭
素複合材料の強度や摺動特性が充分でなく、炉材等には
使用できても宇宙用耐熱構造材料あるいはブレーキ等に
は適用できない。そのため充分な強度や摺動特性を要す
る用途に適応する炭素繊維強化/炭素複合材料は、まず
一次成形体を作製しこれを緻密化する方法がとられてい
るのが一般的である。
る方法も提案されているが、得られる炭素繊維強化/炭
素複合材料の強度や摺動特性が充分でなく、炉材等には
使用できても宇宙用耐熱構造材料あるいはブレーキ等に
は適用できない。そのため充分な強度や摺動特性を要す
る用途に適応する炭素繊維強化/炭素複合材料は、まず
一次成形体を作製しこれを緻密化する方法がとられてい
るのが一般的である。
【0005】これまでに一次成形体の緻密化方法として
最も広く用いられているのはCVD法(化学気相蒸着
法)であるが、これは長時間を有するプロセスであり、
非常にコスト高となる。一方、一次成形体にフェノール
樹脂あるいはフラン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸し、炭
化する方法もあるが、これらの樹脂の炭化には長時間を
要し、また収率が低いためコスト的にも好ましくなく、
また得られる複合材料の熱伝導率も低くなるという欠点
がある。
最も広く用いられているのはCVD法(化学気相蒸着
法)であるが、これは長時間を有するプロセスであり、
非常にコスト高となる。一方、一次成形体にフェノール
樹脂あるいはフラン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸し、炭
化する方法もあるが、これらの樹脂の炭化には長時間を
要し、また収率が低いためコスト的にも好ましくなく、
また得られる複合材料の熱伝導率も低くなるという欠点
がある。
【0006】また、緻密化にピッチを用いる方法もある
が、ピッチは液相を経て炭化するため、常圧下では熱分
解等により発生するガスにより炭化時に発泡し、得られ
る炭化物のかさ密度が著しく低下するという欠点がある
のが一般的である。またこの際の炭化収率も低い。炭化
時の発泡および炭化収率の低下を防止するために高圧下
で炭化する方法が提案されている。例えばICCM(I
nternational Conference o
n Composite Materials)−2の
第1302〜1319頁(1978年)には、HIP装
置によりピッチを6.9〜68.9MPa(70〜70
3kgf/cm2)の加圧下で炭化し、収率が向上する
ことが報告されている。
が、ピッチは液相を経て炭化するため、常圧下では熱分
解等により発生するガスにより炭化時に発泡し、得られ
る炭化物のかさ密度が著しく低下するという欠点がある
のが一般的である。またこの際の炭化収率も低い。炭化
時の発泡および炭化収率の低下を防止するために高圧下
で炭化する方法が提案されている。例えばICCM(I
nternational Conference o
n Composite Materials)−2の
第1302〜1319頁(1978年)には、HIP装
置によりピッチを6.9〜68.9MPa(70〜70
3kgf/cm2)の加圧下で炭化し、収率が向上する
ことが報告されている。
【0007】またCarbon,Vol.11,第57
0〜574頁(1973年)には、ピッチを100ba
r(102kgf/cm2)までの高圧下で炭化して収
率を検討し、圧力効果は25bar(25.5kgf/
cm2)以上で達成されることが報告されている。
0〜574頁(1973年)には、ピッチを100ba
r(102kgf/cm2)までの高圧下で炭化して収
率を検討し、圧力効果は25bar(25.5kgf/
cm2)以上で達成されることが報告されている。
【0008】しかしながら、これらの方法はHIP装
置、オートクレーブあるいは金属製のボンベ等の特殊な
装置を必要とし、かつ生産性が低く、また大型製品を製
造する際にもこの高圧加圧装置が様々な制約となってい
た。
置、オートクレーブあるいは金属製のボンベ等の特殊な
装置を必要とし、かつ生産性が低く、また大型製品を製
造する際にもこの高圧加圧装置が様々な制約となってい
た。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、超高
圧装置を用いることなく、効率良く炭素/炭素複合材料
を製造する方法を提供することにある。
圧装置を用いることなく、効率良く炭素/炭素複合材料
を製造する方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、次
に示す製造方法によって達成される。
に示す製造方法によって達成される。
【0011】すなわち、本発明は、炭素一次成形体に炭
素質ピッチを含浸し、不活性ガス雰囲気下、500〜3
000℃にて焼成して緻密化処理を行ない炭素/炭素複
合材料を製造するに際し、緻密化処理の圧力が大気圧を
越え10Kg/cm2以下であり、かつ該炭素質ピッチ
が下記式で示される緻密化パラメータが0.1以上を満
足するピッチであることを特徴とする炭素/炭素複合材
料の製造方法に関する。緻密化パラメータ=(緻密化処
理に用いる焼成条件と同一の焼成条件で焼成した場合の
炭素質ピッチの炭化物重量を該炭素質ピッチ重量で除し
た値)×(緻密化処理に用いる焼成条件と同一の焼成条
件で焼成した場合に得られる炭化物の嵩密度を該炭化物
の真密度で除した値)
素質ピッチを含浸し、不活性ガス雰囲気下、500〜3
000℃にて焼成して緻密化処理を行ない炭素/炭素複
合材料を製造するに際し、緻密化処理の圧力が大気圧を
越え10Kg/cm2以下であり、かつ該炭素質ピッチ
が下記式で示される緻密化パラメータが0.1以上を満
足するピッチであることを特徴とする炭素/炭素複合材
料の製造方法に関する。緻密化パラメータ=(緻密化処
理に用いる焼成条件と同一の焼成条件で焼成した場合の
炭素質ピッチの炭化物重量を該炭素質ピッチ重量で除し
た値)×(緻密化処理に用いる焼成条件と同一の焼成条
件で焼成した場合に得られる炭化物の嵩密度を該炭化物
の真密度で除した値)
【0012】以下、本発明の炭素/炭素複合材料の製造
方法について詳述する。本発明でいう炭素一次成形体と
は、炭素繊維および/または炭素繊維の原料繊維を成形
したもの、およびこれらの繊維と炭素マトリックス原料
を複合化して成形したものをいう。
方法について詳述する。本発明でいう炭素一次成形体と
は、炭素繊維および/または炭素繊維の原料繊維を成形
したもの、およびこれらの繊維と炭素マトリックス原料
を複合化して成形したものをいう。
【0013】ここでいう炭素繊維とは、ピッチ系、ポリ
アクリロニトリル系あるいはレーヨン系前駆体繊維を炭
化処理した繊維あるいはさらに黒鉛化した繊維の何れを
も含む。炭化処理は通常1000〜1500℃、黒鉛化
処理は通常2000〜3000℃において実施される。
また炭素繊維の原料繊維とは、前記の炭素繊維の前駆体
をいう。例えばピッチ系炭素繊維の前駆体とはピッチを
紡糸した繊維、これを不融化処理した繊維、もしくは前
炭化処理した繊維である。ここで処理温度は個々のプロ
セスで異なるが、不融化あるいは耐炎化処理は通常20
0〜450℃、前炭化処理は通常400〜1000℃に
おいて実施される。
アクリロニトリル系あるいはレーヨン系前駆体繊維を炭
化処理した繊維あるいはさらに黒鉛化した繊維の何れを
も含む。炭化処理は通常1000〜1500℃、黒鉛化
処理は通常2000〜3000℃において実施される。
また炭素繊維の原料繊維とは、前記の炭素繊維の前駆体
をいう。例えばピッチ系炭素繊維の前駆体とはピッチを
紡糸した繊維、これを不融化処理した繊維、もしくは前
炭化処理した繊維である。ここで処理温度は個々のプロ
セスで異なるが、不融化あるいは耐炎化処理は通常20
0〜450℃、前炭化処理は通常400〜1000℃に
おいて実施される。
【0014】炭素繊維および/または炭素繊維の原料繊
維を成形したものとは、3次元織物、フェルト、マット
等の繊維集合体を2次元あるいは3次元の成形体とした
ものを示す。
維を成形したものとは、3次元織物、フェルト、マット
等の繊維集合体を2次元あるいは3次元の成形体とした
ものを示す。
【0015】また、炭素繊維および/または炭素繊維の
原料繊維と炭素マトリックス原料を複合化成形したもの
とは、炭素繊維および/または炭素繊維の原料繊維の5
00〜25,000本の繊維束、一方向積層物、多方向
積層物、2次元織物あるいはその積層物を、炭素マトリ
クス原料である炭化可能なバインダーにて成形した後、
焼成処理したものを示す。
原料繊維と炭素マトリックス原料を複合化成形したもの
とは、炭素繊維および/または炭素繊維の原料繊維の5
00〜25,000本の繊維束、一方向積層物、多方向
積層物、2次元織物あるいはその積層物を、炭素マトリ
クス原料である炭化可能なバインダーにて成形した後、
焼成処理したものを示す。
【0016】ここで、成形に用いられる炭素マトリクス
原料としては、熱可塑性を有するもの、例えば軟化点1
00−400℃を有するピッチ(バインダーピッチ)等
および、熱硬化性を有するもの、例えばフェノール樹
脂、フラン樹脂等が挙げられる。
原料としては、熱可塑性を有するもの、例えば軟化点1
00−400℃を有するピッチ(バインダーピッチ)等
および、熱硬化性を有するもの、例えばフェノール樹
脂、フラン樹脂等が挙げられる。
【0017】本発明に用いる炭素一次成形体は、空隙率
が、通常5〜80%、好ましくは10〜75%、より好
ましくは20〜75%であることが望ましい。
が、通常5〜80%、好ましくは10〜75%、より好
ましくは20〜75%であることが望ましい。
【0018】本発明においては、前記炭素一次成形体に
炭素質ピッチを含浸し、不活性ガス雰囲気下、500〜
3000℃にて焼成して成形体を緻密化する。この際、
前述の緻密化パラメータが0.1以上となり、かつ大気
圧を超えかつ10kgf/cm2未満の圧力で行なうこ
とが必要である。
炭素質ピッチを含浸し、不活性ガス雰囲気下、500〜
3000℃にて焼成して成形体を緻密化する。この際、
前述の緻密化パラメータが0.1以上となり、かつ大気
圧を超えかつ10kgf/cm2未満の圧力で行なうこ
とが必要である。
【0019】特に炭素質ピッチは、緻密化処理に用いる
焼成条件と同一の焼成条件で焼成した際の緻密化パラメ
ータが0.10以上かつ1.0以下、好ましくは0.1
5以上かつ1.0以下となるようなピッチを選択するこ
とが必要である。ここで緻密化パラメータが前記範囲に
満たない場合には、緻密化効率が低下し、緻密化に長時
間が必要となる、もしくは含浸・焼成を繰り返す回数が
多くなる、もしくは焼成時に高圧が必要となるために好
ましくない。なお、ここでいう焼成条件とは最高温度、
最高温度保持時間、昇温速度および圧力の4条件のこと
をいう。
焼成条件と同一の焼成条件で焼成した際の緻密化パラメ
ータが0.10以上かつ1.0以下、好ましくは0.1
5以上かつ1.0以下となるようなピッチを選択するこ
とが必要である。ここで緻密化パラメータが前記範囲に
満たない場合には、緻密化効率が低下し、緻密化に長時
間が必要となる、もしくは含浸・焼成を繰り返す回数が
多くなる、もしくは焼成時に高圧が必要となるために好
ましくない。なお、ここでいう焼成条件とは最高温度、
最高温度保持時間、昇温速度および圧力の4条件のこと
をいう。
【0020】本発明に用いられる炭素質ピッチとは、軟
化点40〜400℃、好ましくは50〜250℃を有す
る石炭系あるいは石油系のピッチであり、かつ緻密化処
理に用いる焼成条件と同一の焼成条件で焼成した際の緻
密化パラメータが上記条件を満足するものが用いられ
る。これら炭素質ピッチは、該緻密化パラメータが上記
条件さえを満足していれば光学的に等方性のピッチある
いは異方性のピッチの何れも使用できる。炭素質ピッチ
の水素/炭素原子比は、通常1.6未満、好ましくは
1.0以下、さらに好ましくは0.9以下であり、下限
は0.5以上、好ましくは0.55以上、さらに好まし
くは0.61以上、最も好ましくは0.62以上であ
る。上記範囲以外の水素/炭素原子比の炭素質ピッチで
は緻密化パラメータが0.10以上という条件を満足し
ない場合があるため好ましくない。
化点40〜400℃、好ましくは50〜250℃を有す
る石炭系あるいは石油系のピッチであり、かつ緻密化処
理に用いる焼成条件と同一の焼成条件で焼成した際の緻
密化パラメータが上記条件を満足するものが用いられ
る。これら炭素質ピッチは、該緻密化パラメータが上記
条件さえを満足していれば光学的に等方性のピッチある
いは異方性のピッチの何れも使用できる。炭素質ピッチ
の水素/炭素原子比は、通常1.6未満、好ましくは
1.0以下、さらに好ましくは0.9以下であり、下限
は0.5以上、好ましくは0.55以上、さらに好まし
くは0.61以上、最も好ましくは0.62以上であ
る。上記範囲以外の水素/炭素原子比の炭素質ピッチで
は緻密化パラメータが0.10以上という条件を満足し
ない場合があるため好ましくない。
【0021】炭素質ピッチを一次成形体に含浸させるた
め、減圧下で溶融させたり、溶剤により流動性を上げる
ことも可能である。
め、減圧下で溶融させたり、溶剤により流動性を上げる
ことも可能である。
【0022】加圧下の焼成の温度範囲は上限は3000
℃以下、好ましくは2000℃以下、さらに好ましくは
1000℃以下であり、下限は500℃以上、好ましく
は550℃以上、さらに好ましくは610℃以上、最も
好ましくは650℃以上である。温度が前記範囲に満た
ない場合は加圧焼成の効果が十分発揮できないので好ま
しくない。また昇温速度の下限は通常1℃/時以上、好
ましくは10℃/時以上、さらに好ましくは100℃/
時以上、上限は1000℃/時以下、好ましくは500
℃/時以下、さらに好ましくは300℃以下である。最
高温度保持時間は通常10分以上、好ましくは1時間以
上、より好ましくは2時間以上行なわれる。
℃以下、好ましくは2000℃以下、さらに好ましくは
1000℃以下であり、下限は500℃以上、好ましく
は550℃以上、さらに好ましくは610℃以上、最も
好ましくは650℃以上である。温度が前記範囲に満た
ない場合は加圧焼成の効果が十分発揮できないので好ま
しくない。また昇温速度の下限は通常1℃/時以上、好
ましくは10℃/時以上、さらに好ましくは100℃/
時以上、上限は1000℃/時以下、好ましくは500
℃/時以下、さらに好ましくは300℃以下である。最
高温度保持時間は通常10分以上、好ましくは1時間以
上、より好ましくは2時間以上行なわれる。
【0023】焼成時の圧力は、大気圧を超えかつ10k
gf/cm2以下、好ましくは2kgf/cm2以上、さ
らに好ましくは7kgf/cm2以上であり、10kg
f/cm2未満が好ましい。前記範囲に満たない場合
は、炭化収率および緻密化が不十分となる。また前記範
囲を超えても炭化収率の大きな増加は認められず、また
装置が極めて高価となる。なお、所定の圧力よりも低く
ガスを充填しておき、昇温に伴う炉内ガスの体積膨張を
利用して所定圧力まで昇圧する方法もあるが、所定圧力
に達する前にピッチ中の低分子量成分が気化あるいは分
解を開始するため、加圧下での焼成当初より、所定の圧
力にしておくことが好ましい。
gf/cm2以下、好ましくは2kgf/cm2以上、さ
らに好ましくは7kgf/cm2以上であり、10kg
f/cm2未満が好ましい。前記範囲に満たない場合
は、炭化収率および緻密化が不十分となる。また前記範
囲を超えても炭化収率の大きな増加は認められず、また
装置が極めて高価となる。なお、所定の圧力よりも低く
ガスを充填しておき、昇温に伴う炉内ガスの体積膨張を
利用して所定圧力まで昇圧する方法もあるが、所定圧力
に達する前にピッチ中の低分子量成分が気化あるいは分
解を開始するため、加圧下での焼成当初より、所定の圧
力にしておくことが好ましい。
【0024】加圧する際のガスは、非酸化性であれば特
に限定されず、通常は窒素ガスあるいはアルゴンガスが
使用できる。
に限定されず、通常は窒素ガスあるいはアルゴンガスが
使用できる。
【0025】かくして炭素一次成形体を緻密化すること
により炭素/炭素複合材料を製造することができるが、
必要に応じ、再度緻密化を行って密度をさらに向上させ
たり、常圧下で500〜3000℃の焼成を行って複合
材料の特性を改善することができる。
により炭素/炭素複合材料を製造することができるが、
必要に応じ、再度緻密化を行って密度をさらに向上させ
たり、常圧下で500〜3000℃の焼成を行って複合
材料の特性を改善することができる。
【0026】前記緻密化パラメータの測定法について述
べる。緻密化に使用しようとする炭素質ピッチ約2gを
予め重量を測定した直径10mm×高さ150mmの円
筒形磁性ルツボ(重量A)に入れ、容器および炭素質ピ
ッチの重量Bを測定する。次に該ピッチをルツボ中で緻
密化処理に用いる温度および圧力と同一の温度、昇温速
度、最高温度保持時間および圧力で焼成した後室温まで
放冷し、ルツボおよび炭化物の重量Cを測定すること
で、緻密化処理に用いる焼成条件と同一の焼成条件で焼
成した場合の炭素質ピッチの炭化物重量を該炭素質ピッ
チ重量で除した値、即ち K=(C−A)/(B−A) を計算する。
べる。緻密化に使用しようとする炭素質ピッチ約2gを
予め重量を測定した直径10mm×高さ150mmの円
筒形磁性ルツボ(重量A)に入れ、容器および炭素質ピ
ッチの重量Bを測定する。次に該ピッチをルツボ中で緻
密化処理に用いる温度および圧力と同一の温度、昇温速
度、最高温度保持時間および圧力で焼成した後室温まで
放冷し、ルツボおよび炭化物の重量Cを測定すること
で、緻密化処理に用いる焼成条件と同一の焼成条件で焼
成した場合の炭素質ピッチの炭化物重量を該炭素質ピッ
チ重量で除した値、即ち K=(C−A)/(B−A) を計算する。
【0027】さらに該炭化物をルツボから取り出して円
筒形に切り出し、該炭化物の体積Vを測定する。また、
上記炭素質ピッチと同一のピッチを溶融紡糸して200
〜450℃で不融化した後、上記炭化物と同じ焼成条件
で焼成することで製造した炭素繊維を3〜5mmに切断
した後粉砕し、JIS R7601に記載の密度勾配管
法(浸漬液;エチルアルコール/ブロモホルム)によっ
て作製した23±0.5℃の液中に投入し平衡位置に達
した液の密度から該炭素繊維の真密度Tを測定し、これ
を上記炭化物の真密度とする。以上の測定結果から、緻
密化処理に用いる焼成条件と同一の焼成条件で焼成した
場合に得られる炭化物の嵩密度を該炭化物の真密度で除
した値、即ち L=(C−A)/(V×T) を計算する。上記計算結果から、 緻密化パラメータ=K×L を求めることができる。
筒形に切り出し、該炭化物の体積Vを測定する。また、
上記炭素質ピッチと同一のピッチを溶融紡糸して200
〜450℃で不融化した後、上記炭化物と同じ焼成条件
で焼成することで製造した炭素繊維を3〜5mmに切断
した後粉砕し、JIS R7601に記載の密度勾配管
法(浸漬液;エチルアルコール/ブロモホルム)によっ
て作製した23±0.5℃の液中に投入し平衡位置に達
した液の密度から該炭素繊維の真密度Tを測定し、これ
を上記炭化物の真密度とする。以上の測定結果から、緻
密化処理に用いる焼成条件と同一の焼成条件で焼成した
場合に得られる炭化物の嵩密度を該炭化物の真密度で除
した値、即ち L=(C−A)/(V×T) を計算する。上記計算結果から、 緻密化パラメータ=K×L を求めることができる。
【0028】
【実施例】以下に実施例等をあげ、本発明を具体的に説
明する。
明する。
【0029】実施例1 (緻密化パラメータの測定)炭素分93.4重量%、水
素分6.6重量%、水素/炭素原子比=0.847であ
り、光学的異方性相を含まないピッチAを磁性ルツボに
入れ、窒素により9.5kgf/cm2に加圧した焼成
炉において、2℃/分で1000℃まで昇温し、100
0℃において120分保持して加圧炭化を行ったとこ
ろ、緻密化パラメータは0.18であった。
素分6.6重量%、水素/炭素原子比=0.847であ
り、光学的異方性相を含まないピッチAを磁性ルツボに
入れ、窒素により9.5kgf/cm2に加圧した焼成
炉において、2℃/分で1000℃まで昇温し、100
0℃において120分保持して加圧炭化を行ったとこ
ろ、緻密化パラメータは0.18であった。
【0030】(炭素/炭素複合材料の製造)軟化点28
0℃を有する光学的異方性ピッチを溶融紡糸し、これを
不融化および700℃で炭化したものをフェルト状に成
型した空隙率70%を有する炭素一次成形体に前記ピッ
チAを減圧下で溶融含浸し、これを窒素により9.5k
gf/cm2に加圧した焼成炉において、2℃/分で1
000℃まで昇温し、1000℃において120分保持
して加圧炭化を行ったところ、空隙率40%の炭素/炭
素複合材料成形体となった。
0℃を有する光学的異方性ピッチを溶融紡糸し、これを
不融化および700℃で炭化したものをフェルト状に成
型した空隙率70%を有する炭素一次成形体に前記ピッ
チAを減圧下で溶融含浸し、これを窒素により9.5k
gf/cm2に加圧した焼成炉において、2℃/分で1
000℃まで昇温し、1000℃において120分保持
して加圧炭化を行ったところ、空隙率40%の炭素/炭
素複合材料成形体となった。
【0031】比較例1 (緻密化パラメータの測定)炭素分95.1重量%、水
素分4.9重量%、水素/炭素原子比=0.617であ
る光学的異方性ピッチBを磁性ルツボに入れ、窒素によ
り9.5kgf/cm2に加圧した焼成炉において、2
℃/分で1000℃まで昇温し、1000℃において6
0分保持して加圧下での炭化を行ったところ、緻密化パ
ラメータは0.01であった。
素分4.9重量%、水素/炭素原子比=0.617であ
る光学的異方性ピッチBを磁性ルツボに入れ、窒素によ
り9.5kgf/cm2に加圧した焼成炉において、2
℃/分で1000℃まで昇温し、1000℃において6
0分保持して加圧下での炭化を行ったところ、緻密化パ
ラメータは0.01であった。
【0032】(炭素/炭素複合材料の製造)前記ピッチ
Bを空隙率70%を有する炭素一次成形体に含浸し、こ
れを窒素により9.5kgf/cm2に加圧した焼成炉
において、2℃/分で1000℃まで昇温し、1000
℃において120分保持して加圧下での炭化を行ったと
ころ、空隙率は70%から50%に減少したのみであ
り、緻密化効率は十分でなかった。
Bを空隙率70%を有する炭素一次成形体に含浸し、こ
れを窒素により9.5kgf/cm2に加圧した焼成炉
において、2℃/分で1000℃まで昇温し、1000
℃において120分保持して加圧下での炭化を行ったと
ころ、空隙率は70%から50%に減少したのみであ
り、緻密化効率は十分でなかった。
【0033】なお、このピッチBの緻密化パラメータを
ピッチAと同等レベルにするためには、100kgf/
cm2の加圧を必要とした。
ピッチAと同等レベルにするためには、100kgf/
cm2の加圧を必要とした。
【0034】実施例2 (緻密化パラメータの測定)炭素分93.4重量%、水
素分6.6重量%、水素/炭素原子比=0.847であ
り、光学的異方性相を含まないピッチAを磁性ルツボに
入れ、窒素により9.5kgf/cm2に加圧した焼成
炉において、2℃/分で1000℃まで昇温し、100
0℃において120分保持して加圧下での炭化を行った
ところ、緻密化パラメータは0.18であった。
素分6.6重量%、水素/炭素原子比=0.847であ
り、光学的異方性相を含まないピッチAを磁性ルツボに
入れ、窒素により9.5kgf/cm2に加圧した焼成
炉において、2℃/分で1000℃まで昇温し、100
0℃において120分保持して加圧下での炭化を行った
ところ、緻密化パラメータは0.18であった。
【0035】(炭素/炭素複合材料の製造)弾性率25
ton/mm2を有するピッチ系炭素繊維を平織とし、
これを軟化点280℃のピッチを用いて700℃にて成
型し、繊維体積含有率55%、マトリクス体積含有率2
0%および空隙率25%を有する炭素一次成形体に前記
ピッチAを含浸し、これを窒素により9.5kgf/c
m2に加圧した焼成炉において、2℃/分で1000℃
まで昇温し、1000℃において120分保持して加圧
下での炭化を行ったところ、空隙率15%の炭素/炭素
複合材料成形体となった。
ton/mm2を有するピッチ系炭素繊維を平織とし、
これを軟化点280℃のピッチを用いて700℃にて成
型し、繊維体積含有率55%、マトリクス体積含有率2
0%および空隙率25%を有する炭素一次成形体に前記
ピッチAを含浸し、これを窒素により9.5kgf/c
m2に加圧した焼成炉において、2℃/分で1000℃
まで昇温し、1000℃において120分保持して加圧
下での炭化を行ったところ、空隙率15%の炭素/炭素
複合材料成形体となった。
【0036】比較例2 (緻密化パラメータの測定)炭素分95.1重量%、水
素分4.9重量%、水素/炭素原子比=0.617であ
る光学的異方性ピッチBを磁性ルツボに入れ、窒素によ
り9.5kgf/cm2に加圧した焼成炉において、2
℃/分で1000℃まで昇温し、1000℃において1
20分保持して加圧下での炭化を行ったところ、緻密化
パラメータは0.01であった。
素分4.9重量%、水素/炭素原子比=0.617であ
る光学的異方性ピッチBを磁性ルツボに入れ、窒素によ
り9.5kgf/cm2に加圧した焼成炉において、2
℃/分で1000℃まで昇温し、1000℃において1
20分保持して加圧下での炭化を行ったところ、緻密化
パラメータは0.01であった。
【0037】(炭素/炭素複合材料の製造)前記ピッチ
Bを空隙率25%を有する実施例2に記載の炭素一次成
形体に含浸し、これを窒素により9.5kgf/cm2
に加圧した焼成炉において、2℃/分で1000℃まで
昇温し、1000℃において120分保持して加圧下で
の炭化を行ったところ、空隙率は20%にとどまった。
Bを空隙率25%を有する実施例2に記載の炭素一次成
形体に含浸し、これを窒素により9.5kgf/cm2
に加圧した焼成炉において、2℃/分で1000℃まで
昇温し、1000℃において120分保持して加圧下で
の炭化を行ったところ、空隙率は20%にとどまった。
【0038】なお、このピッチBの緻密化パラメータを
ピッチAと同等レベルにするためには、100kgf/
cm2の加圧を必要とした。
ピッチAと同等レベルにするためには、100kgf/
cm2の加圧を必要とした。
【0039】実施例3 (緻密化パラメータの測定)炭素分95.0重量%、水
素分5.0重量%、水素/炭素原子比=0.633であ
り、光学的異方性を含まないピッチCを磁性ルツボに入
れ、窒素により9.5kgf/cm2に加圧した焼成炉
において、2℃/分で800℃まで昇温し、800℃に
おいて60分保持して加圧下での炭化を行ったところ、
緻密化パラメータは0.12であった。
素分5.0重量%、水素/炭素原子比=0.633であ
り、光学的異方性を含まないピッチCを磁性ルツボに入
れ、窒素により9.5kgf/cm2に加圧した焼成炉
において、2℃/分で800℃まで昇温し、800℃に
おいて60分保持して加圧下での炭化を行ったところ、
緻密化パラメータは0.12であった。
【0040】(炭素/炭素複合材料の製造)前記ピッチ
Cを空隙率25%を有する炭素一次成形体に含浸し、こ
れを窒素により9.5kgf/cm2に加圧した焼成炉
において、2℃/分で800℃まで昇温し、800℃に
おいて120分保持して加圧下での炭化を行ったとこ
ろ、空隙率17%の炭素/炭素複合材料の成形体となっ
た。
Cを空隙率25%を有する炭素一次成形体に含浸し、こ
れを窒素により9.5kgf/cm2に加圧した焼成炉
において、2℃/分で800℃まで昇温し、800℃に
おいて120分保持して加圧下での炭化を行ったとこ
ろ、空隙率17%の炭素/炭素複合材料の成形体となっ
た。
【0041】比較例3 (緻密化パラメータの測定)炭素分88.0重量%、水
素分12.0重量%、水素/炭素原子比=1.64であ
る光学的異方性ピッチDを磁性ルツボに入れ、窒素によ
り9.5kgf/cm2に加圧した焼成炉において12
0分保持して加圧炭化を行ったところ緻密化パラメータ
は0.05であった。
素分12.0重量%、水素/炭素原子比=1.64であ
る光学的異方性ピッチDを磁性ルツボに入れ、窒素によ
り9.5kgf/cm2に加圧した焼成炉において12
0分保持して加圧炭化を行ったところ緻密化パラメータ
は0.05であった。
【0042】(炭素/炭素複合材料の製造)前記ピッチ
Dを空隙率25%を有する実施例2に記載の炭素一次成
形体に含浸し、これを窒素により9.5kgf/cm2
に加圧した焼成炉において、2℃/分で1000℃まで
昇温し、1000℃において120分保持して加圧下で
の炭化を行ったところ空隙率22%にとどまった。
Dを空隙率25%を有する実施例2に記載の炭素一次成
形体に含浸し、これを窒素により9.5kgf/cm2
に加圧した焼成炉において、2℃/分で1000℃まで
昇温し、1000℃において120分保持して加圧下で
の炭化を行ったところ空隙率22%にとどまった。
【発明の効果】本発明の製造方法により、超高圧装置を
用いることなく、効率良く炭素一次成形体を緻密化する
ことができる。
用いることなく、効率良く炭素一次成形体を緻密化する
ことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木内 規之 神奈川県横浜市中区千鳥町8番地日本石油 株式会社中央技術研究所内
Claims (1)
- 【請求項1】 炭素一次成形体に炭素質ピッチを含浸
し、不活性ガス雰囲気下、500〜3000℃にて焼成
して緻密化処理を行ない炭素/炭素複合材料を製造する
に際し、緻密化処理の圧力が大気圧を越え10Kg/c
m2以下であり、かつ該炭素質ピッチが下記式で示され
る緻密化パラメータが0.1以上を満足するピッチであ
ることを特徴とする炭素/炭素複合材料の製造方法。緻
密化パラメータ=(緻密化処理に用いる焼成条件と同一
の焼成条件で焼成した場合の炭素質ピッチの炭化物重量
を該炭素質ピッチ重量で除した値)×(緻密化処理に用
いる焼成条件と同一の焼成条件で焼成した場合に得られ
る炭化物の嵩密度を該炭化物の真密度で除した値)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6317738A JPH07196378A (ja) | 1993-11-29 | 1994-11-29 | 炭素/炭素複合材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32081793 | 1993-11-29 | ||
JP5-320817 | 1993-11-29 | ||
JP6317738A JPH07196378A (ja) | 1993-11-29 | 1994-11-29 | 炭素/炭素複合材料の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07196378A true JPH07196378A (ja) | 1995-08-01 |
Family
ID=26569127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6317738A Pending JPH07196378A (ja) | 1993-11-29 | 1994-11-29 | 炭素/炭素複合材料の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07196378A (ja) |
-
1994
- 1994-11-29 JP JP6317738A patent/JPH07196378A/ja active Pending
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