JPH07193464A - 高周波アッテネータ回路 - Google Patents
高周波アッテネータ回路Info
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- JPH07193464A JPH07193464A JP5332939A JP33293993A JPH07193464A JP H07193464 A JPH07193464 A JP H07193464A JP 5332939 A JP5332939 A JP 5332939A JP 33293993 A JP33293993 A JP 33293993A JP H07193464 A JPH07193464 A JP H07193464A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波アッテネータ回路において、制御電圧
対高周波信号減衰量のデシベル値特性を直線的な変化と
し温度補償を容易にすることを目的とする。 【構成】 抵抗２５、２６をオペアンプ１の出力端子か
らアースの間に接続し、抵抗２５と２６の接続点にダイ
オード２４のアノードを接続し、カソードはオペアンプ
１の−入力端子に接続する。オペアンプ１の出力電圧Ｖ
０の変曲点が制御出力電圧ＶＣ対高周波信号減衰量のデ
ジベル値特性の変曲点になり、これよりＶ０が大きいと
きオペアンプ１の増幅率が適当に低下するよう抵抗２
５、２６の抵抗値を選ぶと制御電圧ＶＣ対高周波信号減
衰量のデシベル値特性を直線的にできる。
対高周波信号減衰量のデシベル値特性を直線的な変化と
し温度補償を容易にすることを目的とする。 【構成】 抵抗２５、２６をオペアンプ１の出力端子か
らアースの間に接続し、抵抗２５と２６の接続点にダイ
オード２４のアノードを接続し、カソードはオペアンプ
１の−入力端子に接続する。オペアンプ１の出力電圧Ｖ
０の変曲点が制御出力電圧ＶＣ対高周波信号減衰量のデ
ジベル値特性の変曲点になり、これよりＶ０が大きいと
きオペアンプ１の増幅率が適当に低下するよう抵抗２
５、２６の抵抗値を選ぶと制御電圧ＶＣ対高周波信号減
衰量のデシベル値特性を直線的にできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＡＴＶ幹線増幅器な
どの高周波機器に用いられる高周波アッテネータ回路に
関するものである。
どの高周波機器に用いられる高周波アッテネータ回路に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子を高周波抵抗として利
用した高周波アッテネータ回路では、外部から加えられ
る制御電圧を増幅して半導体素子に制御電圧に比例した
バイアス電流を流し、減衰量を制御していた。以下、図
面を参照しながら従来の高周波アッテネータ回路につい
て説明する。
用した高周波アッテネータ回路では、外部から加えられ
る制御電圧を増幅して半導体素子に制御電圧に比例した
バイアス電流を流し、減衰量を制御していた。以下、図
面を参照しながら従来の高周波アッテネータ回路につい
て説明する。
【０００３】図３は、従来の高周波アッテネータ回路の
回路図である。図３において、１はオペアンプ、２、
３、５、７、８、２３は抵抗、４は可変抵抗、９はサー
ミスタであり、これらはバイアス回路を構成し高周波抵
抗としての半導体素子にバイアス電流を供給する。次
に、１０、１１はＰＩＮダイオード、１２、１３、１
４、１５は抵抗、１６、１７、１８、１９はコンデン
サ、２０はチョークコイル、２１は入力端子、２２は出
力端子である。高周波信号は入力端子２１に加えられ、
出力端子２２へ出力される。ＰＩＮダイオード１０、１
１と抵抗１２、１３で橋絡Ｔ型アッテネータを構成し、
ＰＩＮダイオード１０には電源電圧ＶＣＣからチョーク
コイル２０、抵抗１４を介してオペアンプ１へ電流が流
れ込むようにバイアス電流が供給され、ＰＩＮダイオー
ド１１にはオペアンプ１から抵抗１５、１２を介してア
ースへ電流が流れ込むようにバイアス電流が供給され
る。コンデンサ１６、１７、１８、１９は、直流電流阻
止用である。
回路図である。図３において、１はオペアンプ、２、
３、５、７、８、２３は抵抗、４は可変抵抗、９はサー
ミスタであり、これらはバイアス回路を構成し高周波抵
抗としての半導体素子にバイアス電流を供給する。次
に、１０、１１はＰＩＮダイオード、１２、１３、１
４、１５は抵抗、１６、１７、１８、１９はコンデン
サ、２０はチョークコイル、２１は入力端子、２２は出
力端子である。高周波信号は入力端子２１に加えられ、
出力端子２２へ出力される。ＰＩＮダイオード１０、１
１と抵抗１２、１３で橋絡Ｔ型アッテネータを構成し、
ＰＩＮダイオード１０には電源電圧ＶＣＣからチョーク
コイル２０、抵抗１４を介してオペアンプ１へ電流が流
れ込むようにバイアス電流が供給され、ＰＩＮダイオー
ド１１にはオペアンプ１から抵抗１５、１２を介してア
ースへ電流が流れ込むようにバイアス電流が供給され
る。コンデンサ１６、１７、１８、１９は、直流電流阻
止用である。
【０００４】以上のように構成された高周波アッテネー
タ回路において、以下その動作について説明する。
タ回路において、以下その動作について説明する。
【０００５】オペアンプ１の＋入力端子へは電源電圧Ｖ
ＣＣを抵抗７、８で分圧した電圧Ｖ１がかかっている。
また、オペアンプ１の−入力端子へは電源電圧ＶＣＣを
抵抗３、５、可変抵抗４、およびサーミスタ９で分圧し
た制御電圧ＶＣが抵抗２を介して接続されており、ま
た、抵抗２３により負帰還がかかっている。ここで、抵
抗３、５、可変抵抗４、およびサーミスタ９の大きさを
抵抗２および２３に対して十分小さく選ぶ。この時、制
御電圧ＶＣとオペアンプ１の出力電圧Ｖ０との比すなわ
ちオペアンプ１の増幅率は抵抗２と負帰還をかけている
抵抗２３との比の符号を反転した値となる。したがっ
て、可変抵抗４を調整するか、または、温度変化により
サーミスタ９の抵抗値が変化して制御電圧ＶＣ変化させ
ると出力電圧Ｖ０はこれに比例して変化する。ＰＩＮダ
イオード１０に流れる電流は、電源電圧ＶＣＣからチョ
ークコイル２０、ダイオード１０、抵抗１４を通りオペ
アンプ１の出力端子へ流れ、その大きさは電源電圧ＶＣ
Ｃと出力電圧Ｖ０との電圧差を抵抗１４の抵抗値で除い
た値にほぼ等しくなる。また、ＰＩＮダイオード１１に
流れる電流は、オペアンプ１の出力端子から抵抗１５、
抵抗１２、ダイオード１１を介してアースへ流れ、その
大きさは出力電圧Ｖ０を抵抗１２と抵抗１５とを直列接
続した抵抗値で除した値にほぼ等しくなる。したがっ
て、出力電圧Ｖ０を増加させるとＰＩＮダイオード１０
に流れる電流およびＰＩＮダイオード１１に流れる電流
は、それぞれ、出力電圧Ｖ０の増加に比例して減少およ
び増加する。ＰＩＮダイオード１０、１１の高周波抵抗
値はＰＩＮダイオード１０、１１に流れる電流に反比例
して変化するため、出力電圧Ｖ０を増加するとＰＩＮダ
イオード１０、１１、抵抗１２、１３で構成する橋絡Ｔ
型アッテネータの減衰量は増加する。したがって、可変
抵抗４を調整するか、または、温度変化によりサーミス
タ９の抵抗値が変化して制御電圧ＶＣを変化させること
により高周波の減衰量を制御することができる。
ＣＣを抵抗７、８で分圧した電圧Ｖ１がかかっている。
また、オペアンプ１の−入力端子へは電源電圧ＶＣＣを
抵抗３、５、可変抵抗４、およびサーミスタ９で分圧し
た制御電圧ＶＣが抵抗２を介して接続されており、ま
た、抵抗２３により負帰還がかかっている。ここで、抵
抗３、５、可変抵抗４、およびサーミスタ９の大きさを
抵抗２および２３に対して十分小さく選ぶ。この時、制
御電圧ＶＣとオペアンプ１の出力電圧Ｖ０との比すなわ
ちオペアンプ１の増幅率は抵抗２と負帰還をかけている
抵抗２３との比の符号を反転した値となる。したがっ
て、可変抵抗４を調整するか、または、温度変化により
サーミスタ９の抵抗値が変化して制御電圧ＶＣ変化させ
ると出力電圧Ｖ０はこれに比例して変化する。ＰＩＮダ
イオード１０に流れる電流は、電源電圧ＶＣＣからチョ
ークコイル２０、ダイオード１０、抵抗１４を通りオペ
アンプ１の出力端子へ流れ、その大きさは電源電圧ＶＣ
Ｃと出力電圧Ｖ０との電圧差を抵抗１４の抵抗値で除い
た値にほぼ等しくなる。また、ＰＩＮダイオード１１に
流れる電流は、オペアンプ１の出力端子から抵抗１５、
抵抗１２、ダイオード１１を介してアースへ流れ、その
大きさは出力電圧Ｖ０を抵抗１２と抵抗１５とを直列接
続した抵抗値で除した値にほぼ等しくなる。したがっ
て、出力電圧Ｖ０を増加させるとＰＩＮダイオード１０
に流れる電流およびＰＩＮダイオード１１に流れる電流
は、それぞれ、出力電圧Ｖ０の増加に比例して減少およ
び増加する。ＰＩＮダイオード１０、１１の高周波抵抗
値はＰＩＮダイオード１０、１１に流れる電流に反比例
して変化するため、出力電圧Ｖ０を増加するとＰＩＮダ
イオード１０、１１、抵抗１２、１３で構成する橋絡Ｔ
型アッテネータの減衰量は増加する。したがって、可変
抵抗４を調整するか、または、温度変化によりサーミス
タ９の抵抗値が変化して制御電圧ＶＣを変化させること
により高周波の減衰量を制御することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
よな構成においては、制御電圧ＶＣの変化に対してＰＩ
Ｎダイオード１０、１１の高周波抵抗値は比例するが、
高周波信号の減衰量をデシベル値で表した量は制御電圧
ＶＣに対して直線的は変化とはならず、むしろ指数的に
変化するため、制御電圧ＶＣ対高周波信号減衰量のデシ
ベル値特性は、図２Ａに示すような非直線的な変化とな
る。これは、サーミスタ９などの温度補償素子を用いて
減衰量の温度補償を行う際に、温度補償素子が温度に対
する直線性を有していても、減衰量の変化は非直線的と
なり、高温側と低温側とでの補償量が異なり、温度補償
素子を取り替えながら任意の温度補償量を得るのが困難
であったためである。
よな構成においては、制御電圧ＶＣの変化に対してＰＩ
Ｎダイオード１０、１１の高周波抵抗値は比例するが、
高周波信号の減衰量をデシベル値で表した量は制御電圧
ＶＣに対して直線的は変化とはならず、むしろ指数的に
変化するため、制御電圧ＶＣ対高周波信号減衰量のデシ
ベル値特性は、図２Ａに示すような非直線的な変化とな
る。これは、サーミスタ９などの温度補償素子を用いて
減衰量の温度補償を行う際に、温度補償素子が温度に対
する直線性を有していても、減衰量の変化は非直線的と
なり、高温側と低温側とでの補償量が異なり、温度補償
素子を取り替えながら任意の温度補償量を得るのが困難
であったためである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するた
め、本発明の高周波アッテネータ回路は、半導体素子を
高周波抵抗として利用した高周波アッテネータ回路の半
導体素子に、外部から加えられる制御電圧により決定さ
れるバイアス電流を加えるバイアス回路を接続し、制御
電圧に対して高周波アッテネータ回路の減衰量が直線的
に変化するようにバイアス回路を構成したものである。
め、本発明の高周波アッテネータ回路は、半導体素子を
高周波抵抗として利用した高周波アッテネータ回路の半
導体素子に、外部から加えられる制御電圧により決定さ
れるバイアス電流を加えるバイアス回路を接続し、制御
電圧に対して高周波アッテネータ回路の減衰量が直線的
に変化するようにバイアス回路を構成したものである。
【０００８】
【作用】本発明は、上記した構成によって、制御電圧Ｖ
Ｃ対高周波信号減衰量のデシベル値特性が、図２Ａに示
すような非直線的な変化となり、サーミスタ９などの温
度補償素子を用いて減衰量の温度補償を行う際に、温度
補償素子が温度に対する直線性を有していても、減衰量
の変化は非直線的となり、高温側と低温側とでの補償量
が異なり、温度補償素子を取り替えながら任意の温度補
償量を得るのが困難であるのを、半導体素子を高周波抵
抗として利用した高周波アッテネータ回路の半導体素子
に、外部から加えられる制御電圧により決定されるバイ
アス電流を加えるバイアス回路を接続し、制御電圧に対
して高周波アッテネータ回路の減衰量が直線的に変化す
るようにし、高温側と低温側とでの補償量が異なり、温
度補償素子を取り替えながら任意の温度補償量を得るの
が困難であるのを防止することが可能となる。
Ｃ対高周波信号減衰量のデシベル値特性が、図２Ａに示
すような非直線的な変化となり、サーミスタ９などの温
度補償素子を用いて減衰量の温度補償を行う際に、温度
補償素子が温度に対する直線性を有していても、減衰量
の変化は非直線的となり、高温側と低温側とでの補償量
が異なり、温度補償素子を取り替えながら任意の温度補
償量を得るのが困難であるのを、半導体素子を高周波抵
抗として利用した高周波アッテネータ回路の半導体素子
に、外部から加えられる制御電圧により決定されるバイ
アス電流を加えるバイアス回路を接続し、制御電圧に対
して高周波アッテネータ回路の減衰量が直線的に変化す
るようにし、高温側と低温側とでの補償量が異なり、温
度補償素子を取り替えながら任意の温度補償量を得るの
が困難であるのを防止することが可能となる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例の高周波アッテネータ
回路について図面を参照しながら説明する。
回路について図面を参照しながら説明する。
【００１０】図１において、１はオペアンプ、２、３、
５、７、８、２３は抵抗、４は可変抵抗、９はサーミス
タであり、これらはバイアス回路を構成し高周波抵抗と
しての半導体素子にバイアス電流を供給する。次に、１
０、１１はＰＩＮダイオード、１２、１３、１４、１５
は抵抗、１６、１７、１８、１９はコンデンサ、２０は
チョークコイル、２１は入力端子、２２は出力端子であ
る。高周波信号は入力端子２１に加えられ、出力端子２
２へ出力される。ＰＩＮダイオード１０、１１と抵抗１
２、１３で橋絡Ｔ型アッテネータを構成し、ＰＩＮダイ
オード１０には電源電圧ＶＣＣからチョークコイル２
０、抵抗１４を介してオペアンプ１へ電流が流れ込むよ
うにバイアス電流が供給され、ＰＩＮダイオード１１に
はオペアンプ１から抵抗１５、１２を介してアースへ電
流が流れ込むようにバイアス電流が供給される。コンデ
ンサ１６、１７、１８、１９は、直流電流阻止用で、以
上は図３の構成と同じものである。
５、７、８、２３は抵抗、４は可変抵抗、９はサーミス
タであり、これらはバイアス回路を構成し高周波抵抗と
しての半導体素子にバイアス電流を供給する。次に、１
０、１１はＰＩＮダイオード、１２、１３、１４、１５
は抵抗、１６、１７、１８、１９はコンデンサ、２０は
チョークコイル、２１は入力端子、２２は出力端子であ
る。高周波信号は入力端子２１に加えられ、出力端子２
２へ出力される。ＰＩＮダイオード１０、１１と抵抗１
２、１３で橋絡Ｔ型アッテネータを構成し、ＰＩＮダイ
オード１０には電源電圧ＶＣＣからチョークコイル２
０、抵抗１４を介してオペアンプ１へ電流が流れ込むよ
うにバイアス電流が供給され、ＰＩＮダイオード１１に
はオペアンプ１から抵抗１５、１２を介してアースへ電
流が流れ込むようにバイアス電流が供給される。コンデ
ンサ１６、１７、１８、１９は、直流電流阻止用で、以
上は図３の構成と同じものである。
【００１１】２４はダイオード、２５、２６は抵抗であ
り、抵抗２５、２６はオペアンプ１の出力端子からアー
スの間に接続され、抵抗２５と２６の接続点にダイオー
ド２４のアノードが接続され、カソードはオペアンプ１
の−入力端子に接続されている。
り、抵抗２５、２６はオペアンプ１の出力端子からアー
スの間に接続され、抵抗２５と２６の接続点にダイオー
ド２４のアノードが接続され、カソードはオペアンプ１
の−入力端子に接続されている。
【００１２】以上のように構成された高周波アッテネー
タ回路について、以下図１を用いてその動作を説明す
る。
タ回路について、以下図１を用いてその動作を説明す
る。
【００１３】オペアンプ１の＋入力端子へは電源電圧Ｖ
ＣＣを抵抗、７、８で分圧した電圧Ｖ１がかかってい
る。また、オペアンプ１の−入力端子へは電源電圧ＶＣ
Ｃを抵抗、３、５、可変抵抗４、およびサーミスタ９で
分圧した制御電圧ＶＣが抵抗２を介して接続されてお
り、また、抵抗２３により負帰還がかかっている。ここ
で、抵抗３、５、可変抵抗４、およびサーミスタ９の大
きさを抵抗２および２３に対して十分小さく選ぶ。ま
た、ダイオード２４の順方向降下電圧をＶＦ、抵抗２
５、２６の抵抗値をそれぞれＲ２５、Ｒ２６とする。
ＣＣを抵抗、７、８で分圧した電圧Ｖ１がかかってい
る。また、オペアンプ１の−入力端子へは電源電圧ＶＣ
Ｃを抵抗、３、５、可変抵抗４、およびサーミスタ９で
分圧した制御電圧ＶＣが抵抗２を介して接続されてお
り、また、抵抗２３により負帰還がかかっている。ここ
で、抵抗３、５、可変抵抗４、およびサーミスタ９の大
きさを抵抗２および２３に対して十分小さく選ぶ。ま
た、ダイオード２４の順方向降下電圧をＶＦ、抵抗２
５、２６の抵抗値をそれぞれＲ２５、Ｒ２６とする。
【００１４】まず、出力電圧Ｖ０が 変曲点電圧Ｖ０ＴＨ＝（Ｖ１＋ＶＦ）・（Ｒ２５＋Ｒ２
６）／Ｒ２６ より小さい時はダイオード２４は導通せず、制御電圧Ｖ
Ｃとオペアンプ１の出力電圧Ｖ０との比すなわちオペア
ンプ１の増幅率は抵抗２と負帰還をかけている抵抗２３
との比の符号を反転した値となる。次に、出力電圧Ｖ０
を増加して行き、変曲点電圧Ｖ０ＴＨより大きくなった
時はダイオード２４が導通し、負帰還は抵抗２３と抵抗
２５との並列回路でかかるようになるので、制御電圧Ｖ
Ｃとオペアンプ１の出力電圧Ｖ０との比すなわちオペア
ンプ１の増幅率は抵抗２と負帰還をかけている抵抗２３
と抵抗２５との並列抵抗値との比の符号を反転した値と
なる。したがって、出力電圧Ｖ０の値が変曲点電圧Ｖ０
ＴＨより大きくなると、変曲点電圧Ｖ０ＴＨより小さい
ときに比べオペアンプ１の増幅率は低下する。従って、
可変抵抗４を調整するか、または、温度変化によりサー
ミスタ９の抵抗値が変化して制御電圧ＶＣを変化させる
と、出力電圧Ｖ０は変曲点電圧Ｖ０ＴＨを変曲点とし、
制御電圧ＶＣに対して非直線的に変化する。ＰＩＮダイ
オード１０に流れる電流は、電源電圧ＶＣＣからチョー
クコイル２０、ＰＩＮダイオード１０、抵抗１４を通り
オペアンプ１の出力端子へ流れ、その大きさは電源電圧
ＶＣＣと出力電圧Ｖ０との電圧差を抵抗１４の抵抗値で
除した値にほぼ等しくなる。また、ＰＩＮダイオード１
１に流れる電流は、オペアンプ１の出力端子から抵抗１
５、抵抗１２、ＰＩＮダイオード１１を通りアースへ流
れ、その大きさは出力電圧Ｖ０を抵抗１２と抵抗１５と
を直列接続した抵抗値で除した値にほぼ等しくなる。従
って、出力電圧Ｖ０を増加させるとＰＩＮダイオード１
０に流れる電流およびＰＩＮダイオード１１に流れる電
流は、それぞれ、出力電圧Ｖ０の増加に比例して減少お
よび増加する。ＰＩＮダイオード１０、１１の高周波抵
抗値はＰＩＮダイオード１０、１１に流れる電流に反比
例して変化するため、出力電圧Ｖ０を増加するとＰＩＮ
ダイオード１０、１１、抵抗１２、１３で構成する橋絡
Ｔ型アッテネータの減衰量は増加する。従って、可変抵
抗４を調整するか、または、温度変化によりサーミスタ
９の抵抗値が変化して制御電圧ＶＣを変化させることに
より高周波信号の減衰量を制御することができる。
６）／Ｒ２６ より小さい時はダイオード２４は導通せず、制御電圧Ｖ
Ｃとオペアンプ１の出力電圧Ｖ０との比すなわちオペア
ンプ１の増幅率は抵抗２と負帰還をかけている抵抗２３
との比の符号を反転した値となる。次に、出力電圧Ｖ０
を増加して行き、変曲点電圧Ｖ０ＴＨより大きくなった
時はダイオード２４が導通し、負帰還は抵抗２３と抵抗
２５との並列回路でかかるようになるので、制御電圧Ｖ
Ｃとオペアンプ１の出力電圧Ｖ０との比すなわちオペア
ンプ１の増幅率は抵抗２と負帰還をかけている抵抗２３
と抵抗２５との並列抵抗値との比の符号を反転した値と
なる。したがって、出力電圧Ｖ０の値が変曲点電圧Ｖ０
ＴＨより大きくなると、変曲点電圧Ｖ０ＴＨより小さい
ときに比べオペアンプ１の増幅率は低下する。従って、
可変抵抗４を調整するか、または、温度変化によりサー
ミスタ９の抵抗値が変化して制御電圧ＶＣを変化させる
と、出力電圧Ｖ０は変曲点電圧Ｖ０ＴＨを変曲点とし、
制御電圧ＶＣに対して非直線的に変化する。ＰＩＮダイ
オード１０に流れる電流は、電源電圧ＶＣＣからチョー
クコイル２０、ＰＩＮダイオード１０、抵抗１４を通り
オペアンプ１の出力端子へ流れ、その大きさは電源電圧
ＶＣＣと出力電圧Ｖ０との電圧差を抵抗１４の抵抗値で
除した値にほぼ等しくなる。また、ＰＩＮダイオード１
１に流れる電流は、オペアンプ１の出力端子から抵抗１
５、抵抗１２、ＰＩＮダイオード１１を通りアースへ流
れ、その大きさは出力電圧Ｖ０を抵抗１２と抵抗１５と
を直列接続した抵抗値で除した値にほぼ等しくなる。従
って、出力電圧Ｖ０を増加させるとＰＩＮダイオード１
０に流れる電流およびＰＩＮダイオード１１に流れる電
流は、それぞれ、出力電圧Ｖ０の増加に比例して減少お
よび増加する。ＰＩＮダイオード１０、１１の高周波抵
抗値はＰＩＮダイオード１０、１１に流れる電流に反比
例して変化するため、出力電圧Ｖ０を増加するとＰＩＮ
ダイオード１０、１１、抵抗１２、１３で構成する橋絡
Ｔ型アッテネータの減衰量は増加する。従って、可変抵
抗４を調整するか、または、温度変化によりサーミスタ
９の抵抗値が変化して制御電圧ＶＣを変化させることに
より高周波信号の減衰量を制御することができる。
【００１５】ここで、出力電圧Ｖ０の変曲点電圧Ｖ０Ｔ
Ｈが、図２Ａの制御電圧ＶＣ対高周波信号減衰量のデシ
ベル値特性の変曲点に相当し、出力電圧Ｖ０が変曲点電
圧Ｖ０ＴＨより大きい時、図２Ｂの制御電圧ＶＣ対高周
波信号減衰量のデシベル値特性となるよう抵抗２５、２
６の抵抗値を選べば、制御電圧ＶＣ対高周波信号減衰量
のデシベル値特性を直線的にできる。
Ｈが、図２Ａの制御電圧ＶＣ対高周波信号減衰量のデシ
ベル値特性の変曲点に相当し、出力電圧Ｖ０が変曲点電
圧Ｖ０ＴＨより大きい時、図２Ｂの制御電圧ＶＣ対高周
波信号減衰量のデシベル値特性となるよう抵抗２５、２
６の抵抗値を選べば、制御電圧ＶＣ対高周波信号減衰量
のデシベル値特性を直線的にできる。
【００１６】以上のように、本実施例によれば、出力電
圧Ｖ０の値が変曲点電圧Ｖ０ＴＨより大きくなると、変
曲点電圧Ｖ０ＴＨより小さいときに比べオペアンプ１の
増幅率は低下し、可変抵抗４を調整するか、または、温
度変化によりサーミスタ９の抵抗値が変化して制御電圧
ＶＣを変化させると、出力電圧Ｖ０は変曲点電圧Ｖ０Ｔ
Ｈを変曲点とし、制御電圧ＶＣに対して非直線的に変化
し、出力電圧Ｖ０の変曲点電圧Ｖ０ＴＨが、図２Ａの制
御電圧ＶＣ対高周波信号減衰量のデシベル値特性の変曲
点に相当し、出力電圧Ｖ０が変曲点電圧Ｖ０ＴＨより大
きい時、図２Ｂの制御電圧ＶＣ対高周波信号減衰量のデ
シベル値特性となるよう抵抗２５、２６の抵抗値を選べ
ば、制御電圧ＶＣ対高周波信号減衰量のデシベル値特性
を直線的にでき、高温側と低温側とで補償量が異なり、
温度補償素子を取り替えながら任意の温度補償量を得る
のが困難であるのを防止することが可能となる。
圧Ｖ０の値が変曲点電圧Ｖ０ＴＨより大きくなると、変
曲点電圧Ｖ０ＴＨより小さいときに比べオペアンプ１の
増幅率は低下し、可変抵抗４を調整するか、または、温
度変化によりサーミスタ９の抵抗値が変化して制御電圧
ＶＣを変化させると、出力電圧Ｖ０は変曲点電圧Ｖ０Ｔ
Ｈを変曲点とし、制御電圧ＶＣに対して非直線的に変化
し、出力電圧Ｖ０の変曲点電圧Ｖ０ＴＨが、図２Ａの制
御電圧ＶＣ対高周波信号減衰量のデシベル値特性の変曲
点に相当し、出力電圧Ｖ０が変曲点電圧Ｖ０ＴＨより大
きい時、図２Ｂの制御電圧ＶＣ対高周波信号減衰量のデ
シベル値特性となるよう抵抗２５、２６の抵抗値を選べ
ば、制御電圧ＶＣ対高周波信号減衰量のデシベル値特性
を直線的にでき、高温側と低温側とで補償量が異なり、
温度補償素子を取り替えながら任意の温度補償量を得る
のが困難であるのを防止することが可能となる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、半導体素子を高周波抵
抗として利用した高周波アッテネータ回路の半導体素子
に、外部から加えられる制御電圧により決定されるバイ
アス電流を加えるバイアス回路を接続し、制御電圧に対
して高周波アッテネータ回路の減衰量が直線的に変化す
るようにし、高温側と低温側とでの補償量が異なり、温
度補償素子を取り替えながら任意の温度補償量を得るの
が困難であるのを防止することができ、その実用的効果
は大なるものである。
抗として利用した高周波アッテネータ回路の半導体素子
に、外部から加えられる制御電圧により決定されるバイ
アス電流を加えるバイアス回路を接続し、制御電圧に対
して高周波アッテネータ回路の減衰量が直線的に変化す
るようにし、高温側と低温側とでの補償量が異なり、温
度補償素子を取り替えながら任意の温度補償量を得るの
が困難であるのを防止することができ、その実用的効果
は大なるものである。
【図１】本発明の一実施例における高周波アッテネータ
回路の回路図
回路の回路図
【図２】高周波アッテネータ回路の制御電圧ＶＣ対高周
波信号減衰量のデシベル値特性図
波信号減衰量のデシベル値特性図
【図３】従来例の高周波アッテネータ回路の回路図
１ オペアンプ ２、３、５、６、７、８、１２、１３、１４、１５、２
３、２５、２６ 抵抗 ４ 可変抵抗 ９ サーミスタ １０、１１ ＰＩＮダイオード １６、１７、１８、１９ コンデンサ ２０ チョークコイル ２１ 入力端子 ２２ 出力端子 ２４ ダイオード
３、２５、２６ 抵抗 ４ 可変抵抗 ９ サーミスタ １０、１１ ＰＩＮダイオード １６、１７、１８、１９ コンデンサ ２０ チョークコイル ２１ 入力端子 ２２ 出力端子 ２４ ダイオード
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子を高周波抵抗として利用した
高周波アッテネータ回路の前記半導体素子に、外部から
加えられる制御電圧により決定されるバイアス電流を加
えるバイアス回路を接続し、前記制御電圧に対して前記
高周波アッテネータ回路の減衰量が直線的に変化するよ
うに前記バイアス回路を構成したことを特徴とする高周
波アッテネータ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5332939A JPH07193464A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 高周波アッテネータ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5332939A JPH07193464A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 高周波アッテネータ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193464A true JPH07193464A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18260503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5332939A Pending JPH07193464A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 高周波アッテネータ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07193464A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007306265A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Nec Corp | 高周波用可変減衰回路 |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP5332939A patent/JPH07193464A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007306265A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Nec Corp | 高周波用可変減衰回路 |
| JP4506719B2 (ja) * | 2006-05-11 | 2010-07-21 | 日本電気株式会社 | 高周波用可変減衰回路 |
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