JPH07191308A - 液晶表示基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ガラス基板の切断の際において、それによっ
て生じるガラス破片屑の電子回路面への付着を完全に除
去できる。 【構成】 液晶を介して対向配置されるガラス基板のう
ち少なくとも一方のガラス基板の液晶側の面に電子回路
を形成した後に該ガラス基板を切断する工程を含む液晶
表示基板の製造方法において、該ガラス基板の切断を液
体中で行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、たとえばアクティブ・
マトリックス方式の液晶表示基板の製造方法に係り、特
に、液晶表示基板を構成するガラス基板の切断における
液晶表示基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブ・マトリクス方式の液晶表示
装置は、マトリクス状に配列された複数の画素電極のそ
れぞれに対応して非線形素子（スイッチング素子）を設
けたものである。各画素における液晶は理論的には常時
駆動（デューティ比 1.0）されているので、時分割駆動
方式を採用している、いわゆる単純マトリクス方式と比
べてアクティブ方式はコントラストが良く、特にカラー
液晶表示装置では欠かせない技術となりつつある。スイ
ッチング素子として代表的なものとしては薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）がある。

【０００３】なお、薄膜トランジスタを使用したアクテ
ィブ・マトリクス方式の液晶表示装置は、例えば特開昭
６３−３０９９２１号公報や、「冗長構成を採用した1
2.5型アクティブ・マトリクス方式カラー液晶ディスプ
レイ」、日経エレクトロニクス、頁193〜210、1986年12
月15日、日経マグロウヒル社発行、で知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このような構成からな
る液晶表示装置は、液晶を介して対向配置されかつ該液
晶側の面において上述したスイッチング素子等を含む電
子回路が形成された各ガラス基板を有するが、その製造
工程において、一枚のガラス基板面に同一のパターンか
らなる該電子回路を複数形成した後に、必要に応じて該
ガラス基板を各電子回路毎に切断するという工程等が含
まれる場合がある。

【０００５】この場合、通常、ガラス基板の表面の切断
個所に沿って溝を形成するいわゆるスクライブ工程と、
その後に該溝に沿って破断応力を加えて切断するいわゆ
るブレイク工程とを行うが、そのいずれにおいても、工
程中に発生してしまうガラス破片屑がガラス基板の表面
に形成されている電子回路面に付着してしまうというこ
とが指摘されるに到った。

【０００６】このガラス破片屑の電子回路面への付着
は、それが除去されないままに残存することによって、
配線等の断線等の弊害が発生してしまい、その解決策が
要望されていた。

【０００７】それ故、本発明はこのような事情に基づい
てなされたものであり、その目的とするところのもの
は、ガラス基板の切断の際において、それによって生じ
るガラス破片屑の電子回路面への付着を完全に除去でき
る液晶表示基板の製造方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、基本的には次のような各手段を備
えるものである。

【０００９】〔手段１〕液晶を介して対向配置されるガ
ラス基板のうち少なくとも一方のガラス基板の液晶側の
面に電子回路を形成した後に該ガラス基板を切断する工
程を含む液晶表示基板の製造方法において、該ガラス基
板の切断を液体中で行うことを特徴とする液晶表示基板
の製造方法にある。

【００１０】〔手段２〕前記手段１の構成において、液
体にほぼ一方向の流れを形成し、その液体中でガラス基
板の切断を行うことを特徴とする液晶表示基板の製造方
法にある。

【００１１】〔手段３〕前記手段１あるいは手段２の構
成を、ガラス基板の切断個所に沿って溝を形成するスク
ライブに適用させたことを特徴とする液晶表示基板の製
造方法にある。

【００１２】〔手段４〕前記手段１あるいは手段２の構
成を、ガラス基板の切断個所に沿って溝を形成した後、
その溝に沿って切断するブレイクに適用させたことを特
徴とする液晶表示基板の製造方法にある。

【００１３】〔手段５〕槽内に配置されてガラス基板を
真空吸着させる吸着台と、この吸着台に該ガラス基板を
真空吸着させた後に該槽内に液体を供給する液体供給口
と、前記ガラス基板をスクライブするホィールとを備え
たことを特徴とする液晶表示基板の製造装置にある。

【００１４】〔手段６〕前記手段５の構成において、ス
クライブ方向に沿ったホィールの移動方向と逆方向に沿
って液体の流れを形成する手段が備えられていることを
特徴とする液晶表示基板の製造方法にある。

【００１５】〔手段７〕前記手段５あるいは手段６の構
成において、液面から露出されているホィールを液体シ
ャワーによって洗浄する手段が備えられた請求項２記載
の液晶表示基板の製造装置にある。

【００１６】〔手段８〕槽内に配置されてガラス基板を
真空吸着させる吸着台と、この吸着台に該ガラス基板を
真空吸着させた後に該槽内に液体を供給する液体供給口
と、前記ガラス基板をブレイクするスキージとを備えた
ことを特徴とする液晶表示基板の製造装置にある。

【００１７】〔手段９〕前記手段８の構成において、ス
キージの面に沿って液体の流れを形成する手段が備えら
れていることを特徴とする請求項３記載の液晶表示基板
の製造方法にある。

【００１８】〔手段１０〕液晶を介して対向配置される
ガラス基板のうち少なくとも一方のガラス基板を切断す
る工程を含む液晶表示基板の製造方法において、該ガラ
ス基板の切断を比抵抗の小さい液体中で行うことを特徴
とする液晶表示基板の製造方法にある。

【００１９】〔手段１１〕前記手段１０の構成におい
て、比抵抗の小さい液体として水に炭酸ガスを含有させ
たものを用いることを特徴とする液晶表示基板の製造方
法にある。

【００２０】〔手段１２〕前記手段１ないし手段６のう
ち少なくとも一の手段を、一枚のガラス基板の一面に同
パターンの電子回路を形成し、これら各電子回路毎に該
ガラス基板を分離する際の切断において適用させたこと
を特徴とする液晶表示装置の製造方法にある。

【００２１】〔手段１３〕前記手段１ないし手段６、お
よび手段１２のうちの少なくとも一の手段を適用させた
場合、その後の洗浄の工程に到るまではガラス基板を乾
燥させないことを特徴とする液晶表示基板の製造方法に
ある。

【００２２】

【作用】このように手段１に示す構成によれば、ガラス
基板の切断の際に生じるガラスの破片屑が該ガラス基板
上の電子回路面に付着し難くなり、これにより該電子回
路面へのガラス破片屑の付着を防止できるようになる。

【００２３】また、手段２の構成によれば、ガラス基板
の切断の際に生じるガラスの破片屑は流体によって浮遊
され、これによりガラス破片屑の電子回路面への付着を
防止できるようになる。

【００２４】また、手段３の構成によれば、ガラス基板
のいわゆるスクライブによって発生するガラスの破片屑
の電子回路面への付着を防止することができるようにな
る。

【００２５】また、手段４の構成によれば、ガラス基板
のいわゆるブレイクによって発生するガラスの破片屑の
電子回路面への付着を防止することができるようにな
る。

【００２６】また、手段５の構成によれば、吸着台、液
体供給口、およびホィールを順次作動させることによ
り、一連の生産工程におけるスクライブ工程を簡単な構
成によって自動化することができるようになる。

【００２７】また、手段６の構成によれば、スクライブ
によって発生するガラス破片屑が流体中に浮遊され、電
子回路面への付着防止を確保することができるようにな
る。

【００２８】また、手段７の構成によれば、ホィールへ
のガラス破片屑の付着をスクライブの際において即時に
除去でき、該ホィールの長寿命化を図ることができるよ
うになる。

【００２９】また、手段８の構成によれば、、吸着台、
液体供給口、およびスキージを順次作動させることによ
り、一連の生産工程におけるブレイク工程を簡単な構成
によって自動化することができるようになる。

【００３０】また、手段９の構成によれば、ブレイクに
よって発生するガラス破片屑が流体中に浮遊され、電子
回路面への付着防止を確保することができるようにな
る。

【００３１】また、手段１０の構成によれば、ガラス基
板の切断の際に該ガラス基板に蓄積される静電気を液体
中に放電させることができ、該ガラス基板の静電防止を
図ることができるようになる。

【００３２】また、手段１１の構成によれば、簡単な構
成によって比抵抗の小さい流体を得ることができるよう
になる。

【００３３】また、手段１２の構成によれば、液晶表示
基板の製造の過程において、ガラス基板を切断する際に
上述した手段を適用させることにより、ガラス破片屑の
電子回路面への付着、および静電防止を図ることができ
るようになる。

【００３４】さらに、手段１３の構成によれば、洗浄の
前までは、ガラス基板に付着した汚れが乾燥することが
ないので、この汚れによるしみ等を発生させることを防
止することができるようになる。

【００３５】

【実施例】本発明、本発明の更に他の目的及び本発明の
更に他の特徴は図面を参照した以下の説明から明らかと
なるであろう。

【００３６】《アクティブ・マトリクス液晶表示装置》
以下、アクティブ・マトリクス方式のカラー液晶表示装
置にこの発明を適用した実施例を説明する。なお、以下
説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付
け、その繰り返しの説明は省略する。

【００３７】《マトリクス部の概要》図２はこの発明が
適用されるアクティブ・マトリクス方式カラー液晶表示
装置の一画素とその周辺を示す平面図、図３は図２の３
−３切断線における断面を示す図、図４は図２の４−４
切断線における断面図である。

【００３８】図２に示すように、各画素は隣接する２本
の走査信号線（ゲート信号線または水平信号線）ＧＬ
と、隣接する２本の映像信号線（ドレイン信号線または
垂直信号線）ＤＬとの交差領域内（４本の信号線で囲ま
れた領域内）に配置されている。各画素は薄膜トランジ
スタＴＦＴ、透明画素電極ＩＴＯ１および保持容量素子
Ｃaddを含む。走査信号線ＧＬは図では左右方向に延在
し、上下方向に複数本配置されている。映像信号線ＤＬ
は上下方向に延在し、左右方向に複数本配置されてい
る。

【００３９】図３に示すように、液晶層ＬＣを基準にし
て下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタ
ＴＦＴおよび透明画素電極ＩＴＯ１が形成され、上部透
明ガラス基板ＳＵＢ２側にはカラーフィルタＦＩＬ、遮
光用ブラックマトリクスパターンＢＭが形成されてい
る。透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の両面にはディ
ップ処理等によって形成された酸化シリコン膜ＳＩＯが
設けられている。

【００４０】上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の内側（液晶
ＬＣ側）の表面には、遮光膜ＢＭ、カラーフィルタＦＩ
Ｌ、保護膜ＰＳＶ２、共通透明画素電極ＩＴＯ２（ＣＯ
Ｍ）および上部配向膜ＯＲＩ２が順次積層して設けられ
ている。

【００４１】《マトリクス周辺の概要》図５は上下のガ
ラス基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２を含む表示パネルＰＮＬの
マトリクス（ＡＲ）周辺の要部平面を、図６はその周辺
部を更に誇張した平面を、図７は図５及び図６のパネル
左上角部に対応するシール部ＳＬ付近の拡大平面を示す
図である。また、図８は図３の断面を中央にして、左側
に図７の８ａ−８ａ切断線における断面を、右側に映像
信号駆動回路が接続されるべき外部接続端子ＤＴＭ付近
の断面を示す図である。同様に図９は、左側に走査回路
が接続されるべき外部接続端子ＧＴＭ付近の断面を、右
側に外部接続端子が無いところのシール部付近の断面を
示す図である。

【００４２】このパネルの製造では、小さいサイズであ
ればスループット向上のため１枚のガラス基板で複数個
分のデバイスを同時に加工してから分割し、大きいサイ
ズであれば製造設備の共用のためどの品種でも標準化さ
れた大きさのガラス基板を加工してから各品種に合った
サイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を経て
からガラスを切断する。図５〜図７は後者の例を示すも
ので、図５、図６の両図とも上下基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ
２の切断後を、図７は切断前を表しており、ＬＮは両基
板の切断前の縁を、ＣＴ１とＣＴ２はそれぞれ基板ＳＵ
Ｂ１，ＳＵＢ２の切断すべき位置を示す。いずれの場合
も、完成状態では外部接続端子群Ｔｇ，Ｔｄ（添字略）
が存在する（図で上下辺と左辺の）部分はそれらを露出
するように上側基板ＳＵＢ２の大きさが下側基板ＳＵＢ
１よりも内側に制限されている。端子群Ｔｇ，Ｔｄはそ
れぞれ後述する走査回路接続用端子ＧＴＭ、映像信号回
路接続用端子ＤＴＭとそれらの引出配線部を集積回路チ
ップＣＨＩが搭載されたテープキャリアパッケージＴＣ
Ｐ（図１８、図１９）の単位に複数本まとめて名付けた
ものである。各群のマトリクス部から外部接続端子部に
至るまでの引出配線は、両端に近づくにつれ傾斜してい
る。これは、パッケージＴＣＰの配列ピッチ及び各パッ
ケージＴＣＰにおける接続端子ピッチに表示パネルＰＮ
Ｌの端子ＤＴＭ，ＧＴＭを合わせるためである。

【００４３】透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間に
はその縁に沿って、液晶封入口ＩＮＪを除き、液晶ＬＣ
を封止するようにシールパターンＳＬが形成される。シ
ール材は例えばエポキシ樹脂から成る。上部透明ガラス
基板ＳＵＢ２側の共通透明画素電極ＩＴＯ２は、少なく
とも一箇所において、本実施例ではパネルの４角で銀ペ
ースト材ＡＧＰによって下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側
に形成されたその引出配線ＩＮＴに接続されている。こ
の引出配線ＩＮＴは後述するゲート端子ＧＴＭ、ドレイ
ン端子ＤＴＭと同一製造工程で形成される。

【００４４】配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２、透明画素電極
ＩＴＯ１、共通透明画素電極ＩＴＯ２、それぞれの層
は、シールパターンＳＬの内側に形成される。偏光板Ｐ
ＯＬ１、ＰＯＬ２はそれぞれ下部透明ガラス基板ＳＵＢ
１、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の外側の表面に形成さ
れている。液晶ＬＣは液晶分子の向きを設定する下部配
向膜ＯＲＩ１と上部配向膜ＯＲＩ２との間でシールパタ
ーンＳＬで仕切られた領域に封入されている。下部配向
膜ＯＲＩ１は下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側の保護膜Ｐ
ＳＶ１の上部に形成される。

【００４５】この液晶表示装置は、下部透明ガラス基板
ＳＵＢ１側、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側で別個に種
々の層を積み重ね、シールパターンＳＬを基板ＳＵＢ２
側に形成し、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１と上部透明ガ
ラス基板ＳＵＢ２とを重ね合わせ、シール材ＳＬの開口
部ＩＮＪから液晶ＬＣを注入し、注入口ＩＮＪをエポキ
シ樹脂などで封止し、上下基板を切断することによって
組み立てられる。

【００４６】《薄膜トランジスタＴＦＴ》次に、図２、
図３に戻り、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１側の構成を詳しく説明
する。

【００４７】薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート電極Ｇ
Ｔに正のバイアスを印加すると、ソース−ドレイン間の
チャネル抵抗が小さくなり、バイアスを零にすると、チ
ャネル抵抗は大きくなるように動作する。

【００４８】各画素には複数（２つ）の薄膜トランジス
タＴＦＴ１、ＴＦＴ２が冗長して設けられる。薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそれぞれは、実質的に同
一サイズ（チャネル長、チャネル幅が同じ）で構成さ
れ、ゲート電極ＧＴ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ｉ型（真性、
intrinsic、導電型決定不純物がドープされていない）
非晶質シリコン（Ｓｉ）からなるｉ型半導体層ＡＳ、一
対のソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２を有す。な
お、ソース、ドレインは本来その間のバイアス極性によ
って決まるもので、この液晶表示装置の回路ではその極
性は動作中反転するので、ソース、ドレインは動作中入
れ替わると理解されたい。しかし、以下の説明では、便
宜上一方をソース、他方をドレインと固定して表現す
る。

【００４９】《ゲート電極ＧＴ》ゲート電極ＧＴは走査
信号線ＧＬから垂直方向に突出する形状で構成されてい
る（Ｔ字形状に分岐されている）。ゲート電極ＧＴは薄
膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそれぞれの能動領
域を越えるよう突出している。薄膜トランジスタＴＦＴ
１、ＴＦＴ２のそれぞれのゲート電極ＧＴは、一体に
（共通のゲート電極として）構成されており、走査信号
線ＧＬに連続して形成されている。本例では、ゲート電
極ＧＴは、単層の第２導電膜ｇ２で形成されている。第
２導電膜ｇ２としては例えばスパッタで形成されたアル
ミニウム（Ａｌ）膜が用いられ、その上にはＡｌの陽極
酸化膜ＡＯＦが設けられている。

【００５０】このゲート電極ＧＴはｉ型半導体層ＡＳを
完全に覆うよう（下方からみて）それより大き目に形成
され、ｉ型半導体層ＡＳに外光やバックライト光が当た
らないよう工夫されている。

【００５１】《走査信号線ＧＬ》走査信号線ＧＬは第２
導電膜ｇ２で構成されている。この走査信号線ＧＬの第
２導電膜ｇ２はゲート電極ＧＴの第２導電膜ｇ２と同一
製造工程で形成され、かつ一体に構成されている。ま
た、走査信号線ＧＬ上にもＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦが設
けられている。

【００５２】《絶縁膜ＧＩ》絶縁膜ＧＩは、薄膜トラン
ジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２において、ゲート電極ＧＴと
共に半導体層ＡＳに電界を与えるためのゲート絶縁膜と
して使用される。絶縁膜ＧＩはゲート電極ＧＴおよび走
査信号線ＧＬの上層に形成されている。絶縁膜ＧＩとし
ては例えばプラズマＣＶＤで形成された窒化シリコン膜
が選ばれ、１２００〜２７００Åの厚さに（本実施例で
は、２０００Å程度）形成される。ゲート絶縁膜ＧＩは
図７に示すように、マトリクス部ＡＲの全体を囲むよう
に形成され、周辺部は外部接続端子ＤＴＭ，ＧＴＭを露
出するよう除去されている。絶縁膜ＧＩは走査信号線Ｇ
Ｌと映像信号線ＤＬの電気的絶縁にも寄与している。

【００５３】《ｉ型半導体層ＡＳ》ｉ型半導体層ＡＳ
は、本例では薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそ
れぞれに独立した島となるよう形成され、非晶質シリコ
ンで、２００〜２２００Åの厚さに（本実施例では、２
０００Å程度の膜厚）で形成される。層ｄ０はオーミッ
クコンタクト用のリン（Ｐ）をドープしたＮ(＋)型非晶
質シリコン半導体層であり、下側にｉ型半導体層ＡＳが
存在し、上側に導電層ｄ２（ｄ３）が存在するところの
みに残されている。

【００５４】ｉ型半導体層ＡＳは走査信号線ＧＬと映像
信号線ＤＬとの交差部（クロスオーバ部）の両者間にも
設けられている。この交差部のｉ型半導体層ＡＳは交差
部における走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬとの短絡を
低減する。

【００５５】《透明画素電極ＩＴＯ１》透明画素電極Ｉ
ＴＯ１は液晶表示部の画素電極の一方を構成する。

【００５６】透明画素電極ＩＴＯ１は薄膜トランジスタ
ＴＦＴ１のソース電極ＳＤ１および薄膜トランジスタＴ
ＦＴ２のソース電極ＳＤ１の両方に接続されている。こ
のため、薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のうちの
１つに欠陥が発生しても、その欠陥が副作用をもたらす
場合はレーザ光等によって適切な箇所を切断し、そうで
ない場合は他方の薄膜トランジスタが正常に動作してい
るので放置すれば良い。透明画素電極ＩＴＯ１は第１導
電膜ｄ１によって構成されており、この第１導電膜ｄ１
はスパッタリングで形成された透明導電膜（Indium-Tin
-Oxide ＩＴＯ：ネサ膜）からなり、１０００〜２００
０Åの厚さに（本実施例では、１４００Å程度の膜厚）
形成される。

【００５７】《ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ
２》ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２のそれぞれ
は、Ｎ(＋)型半導体層ｄ０に接触する第２導電膜ｄ２と
その上に形成された第３導電膜ｄ３とから構成されてい
る。

【００５８】第２導電膜ｄ２はスパッタで形成したクロ
ム（Ｃｒ）膜を用い、５００〜１０００Åの厚さに（本
実施例では、６００Å程度）で形成される。Ｃｒ膜は膜
厚を厚く形成するとストレスが大きくなるので、２００
０Å程度の膜厚を越えない範囲で形成する。Ｃｒ膜はＮ
(＋)型半導体層ｄ０との接着性を良好にし、第３導電膜
ｄ３のＡｌがＮ(＋)型半導体層ｄ０に拡散することを防
止する（いわゆるバリア層の）目的で使用される。第２
導電膜ｄ２として、Ｃｒ膜の他に高融点金属（Ｍｏ、Ｔ
ｉ、Ｔａ、Ｗ）膜、高融点金属シリサイド（ＭｏＳ
ｉ₂、ＴｉＳｉ₂、ＴａＳｉ₂、ＷＳｉ₂）膜を用いてもよ
い。

【００５９】第３導電膜ｄ３はＡｌのスパッタリングで
３０００〜５０００Åの厚さに（本実施例では、４００
０Å程度）形成される。Ａｌ膜はＣｒ膜に比べてストレ
スが小さく、厚い膜厚に形成することが可能で、ソース
電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２および映像信号線ＤＬ
の抵抗値を低減したり、ゲート電極ＧＴやｉ型半導体層
ＡＳに起因する段差乗り越えを確実にする（ステップカ
バーレッジを良くする）働きがある。

【００６０】第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３を同じマ
スクパターンでパターニングした後、同じマスクを用い
て、あるいは第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３をマスク
として、Ｎ(＋)型半導体層ｄ０が除去される。つまり、
ｉ型半導体層ＡＳ上に残っていたＮ(＋)型半導体層ｄ０
は第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３以外の部分がセルフ
アラインで除去される。このとき、Ｎ(＋)型半導体層ｄ
０はその厚さ分は全て除去されるようエッチングされる
ので、ｉ型半導体層ＡＳも若干その表面部分がエッチン
グされるが、その程度はエッチング時間で制御すればよ
い。

【００６１】《映像信号線ＤＬ》映像信号線ＤＬはソー
ス電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２と同層の第２導電膜
ｄ２、第３導電膜ｄ３で構成されている。

【００６２】《保護膜ＰＳＶ１》薄膜トランジスタＴＦ
Ｔおよび透明画素電極ＩＴＯ１上には保護膜ＰＳＶ１が
設けられている。保護膜ＰＳＶ１は主に薄膜トランジス
タＴＦＴを湿気等から保護するために形成されており、
透明性が高くしかも耐湿性の良いものを使用する。保護
膜ＰＳＶ１はたとえばプラズマＣＶＤ装置で形成した酸
化シリコン膜や窒化シリコン膜で形成されており、１μ
ｍ程度の膜厚で形成する。

【００６３】保護膜ＰＳＶ１は図７に示すように、マト
リクス部ＡＲの全体を囲むように形成され、周辺部は外
部接続端子ＤＴＭ，ＧＴＭを露出するよう除去され、ま
た上基板側ＳＵＢ２の共通電極ＣＯＭを下側基板ＳＵＢ
１の外部接続端子接続用引出配線ＩＮＴに銀ペーストＡ
ＧＰで接続する部分も除去されている。保護膜ＰＳＶ１
とゲート絶縁膜ＧＩの厚さ関係に関しては、前者は保護
効果を考え厚くされ、後者はトランジスタの相互コンダ
クタンスｇｍを薄くされる。従って図７に示すように、
保護効果の高い保護膜ＰＳＶ１は周辺部もできるだけ広
い範囲に亘って保護するようゲート絶縁膜ＧＩよりも大
きく形成されている。

【００６４】《遮光膜ＢＭ》上部透明ガラス基板ＳＵＢ
２側には、外部光又はバックライト光がｉ型半導体層Ａ
Ｓに入射しないよう遮光膜ＢＭが設けられている。図２
に示す遮光膜ＢＭの閉じた多角形の輪郭線は、その内側
が遮光膜ＢＭが形成されない開口を示している。遮光膜
ＢＭは光に対する遮蔽性が高いたとえばアルミニウム膜
やクロム膜等で形成されており、本実施例ではクロム膜
がスパッタリングで１３００Å程度の厚さに形成され
る。

【００６５】従って、薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦ
Ｔ２のｉ型半導体層ＡＳは上下にある遮光膜ＢＭおよび
大き目のゲート電極ＧＴによってサンドイッチにされ、
外部の自然光やバックライト光が当たらなくなる。遮光
膜ＢＭは各画素の周囲に格子状に形成され（いわゆるブ
ラックマトリクス）、この格子で１画素の有効表示領域
が仕切られている。従って、各画素の輪郭が遮光膜ＢＭ
によってはっきりとし、コントラストが向上する。つま
り、遮光膜ＢＭはｉ型半導体層ＡＳに対する遮光とブラ
ックマトリクスとの２つの機能をもつ。

【００６６】透明画素電極ＩＴＯ１のラビング方向の根
本側のエッジ部分（図２右下部分）も遮光膜ＢＭによっ
て遮光されているので、上記部分にドメインが発生した
としても、ドメインが見えないので、表示特性が劣化す
ることはない。

【００６７】遮光膜ＢＭは図６に示すように周辺部にも
額縁状に形成され、そのパターンはドット状に複数の開
口を設けた図２に示すマトリクス部のパターンと連続し
て形成されている。周辺部の遮光膜ＢＭは図６〜図９に
示すように、シール部ＳＬの外側に延長され、パソコン
等の実装機に起因する反射光等の漏れ光がマトリクス部
に入り込むのを防いでいる。他方、この遮光膜ＢＭは基
板ＳＵＢ２の縁よりも約０．３〜１．０ｍｍ程内側に留
められ、基板ＳＵＢ２の切断領域を避けて形成されてい
る。

【００６８】《カラーフィルタＦＩＬ》カラーフィルタ
ＦＩＬは画素に対向する位置に赤、緑、青の繰り返しで
ストライプ状に形成される。カラーフィルタＦＩＬは透
明画素電極ＩＴＯ１の全てを覆うように大き目に形成さ
れ、遮光膜ＢＭはカラーフィルタＦＩＬおよび透明画素
電極ＩＴＯ１のエッジ部分と重なるよう透明画素電極Ｉ
ＴＯ１の周縁部より内側に形成されている。

【００６９】カラーフィルタＦＩＬは次のように形成す
ることができる。まず、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の
表面にアクリル系樹脂等の染色基材を形成し、フォトリ
ソグラフィ技術で赤色フィルタ形成領域以外の染色基材
を除去する。この後、染色基材を赤色染料で染め、固着
処理を施し、赤色フィルタＲを形成する。つぎに、同様
な工程を施すことによって、緑色フィルタＧ、青色フィ
ルタＢを順次形成する。

【００７０】《保護膜ＰＳＶ２》保護膜ＰＳＶ２はカラ
ーフィルタＦＩＬの染料が液晶ＬＣに漏れることを防止
するために設けられている。保護膜ＰＳＶ２はたとえば
アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂材料で形成さ
れている。

【００７１】《共通透明画素電極ＩＴＯ２》共通透明画
素電極ＩＴＯ２は、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側に画
素ごとに設けられた透明画素電極ＩＴＯ１に対向し、液
晶ＬＣの光学的な状態は各画素電極ＩＴＯ１と共通透明
画素電極ＩＴＯ２との間の電位差（電界）に応答して変
化する。この共通透明画素電極ＩＴＯ２にはコモン電圧
Ｖcomが印加されるように構成されている。本実施例で
は、コモン電圧Ｖcomは映像信号線ＤＬに印加される最
小レベルの駆動電圧Ｖｄminと最大レベルの駆動電圧Ｖ
ｄmaxとの中間直流電位に設定されるが、映像信号駆動
回路で使用される集積回路の電源電圧を約半分に低減し
たい場合は、交流電圧を印加すれば良い。なお、共通透
明画素電極ＩＴＯ２の平面形状は図６、図７を参照され
たい。

【００７２】《保持容量素子Ｃaddの構造》透明画素電
極ＩＴＯ１は、薄膜トランジスタＴＦＴと接続される端
部と反対側の端部において、隣りの走査信号線ＧＬと重
なるように形成されている。この重ね合わせは、図４か
らも明らかなように、透明画素電極ＩＴＯ１を一方の電
極ＰＬ２とし、隣りの走査信号線ＧＬを他方の電極ＰＬ
１とする保持容量素子（静電容量素子）Ｃaddを構成す
る。この保持容量素子Ｃaddの誘電体膜は、薄膜トラン
ジスタＴＦＴのゲート絶縁膜として使用される絶縁膜Ｇ
Ｉおよび陽極酸化膜ＡＯＦで構成されている。

【００７３】保持容量素子Ｃaddは走査信号線ＧＬの第
２導電膜ｇ２の幅を広げた部分に形成されている。な
お、映像信号線ＤＬと交差する部分の第２導電膜ｇ２は
映像信号線ＤＬとの短絡の確率を小さくするため細くさ
れている。

【００７４】保持容量素子Ｃaddの電極ＰＬ１の段差部
において透明画素電極ＩＴＯ１が断線しても、その段差
をまたがるように形成された第２導電膜ｄ２および第３
導電膜ｄ３で構成された島領域によってその不良は補償
される。

【００７５】《ゲート端子部》図１０は表示マトリクス
の走査信号線ＧＬからその外部接続端子ＧＴＭまでの接
続構造を示す図であり、（Ａ）は平面であり（Ｂ）は
（Ａ）のＢ−Ｂ切断線における断面を示している。な
お、同図は図７下方付近に対応し、斜め配線の部分は便
宜状一直線状で表した。

【００７６】ＡＯは写真処理用のマスクパターン、言い
換えれば選択的陽極酸化のホトレジストパターンであ
る。従って、このホトレジストは陽極酸化後除去され、
図に示すパターンＡＯは完成品としては残らないが、ゲ
ート配線ＧＬには断面図に示すように酸化膜ＡＯＦが選
択的に形成されるのでその軌跡が残る。平面図におい
て、ホトレジストの境界線ＡＯを基準にして左側はレジ
ストで覆い陽極酸化をしない領域、右側はレジストから
露出され陽極酸化される領域である。陽極酸化されたＡ
Ｌ層ｇ２は表面にその酸化物Ａｌ₂Ｏ₃膜ＡＯＦが形成さ
れ下方の導電部は体積が減少する。勿論、陽極酸化はそ
の導電部が残るように適切な時間、電圧などを設定して
行われる。マスクパターンＡＯは走査線ＧＬに単一の直
線では交差せず、クランク状に折れ曲がって交差させて
いる。

【００７７】図中ＡＬ層ｇ２は、判り易くするためハッ
チを施してあるが、陽極化成されない領域は櫛状にパタ
ーニングされている。これは、Ａｌ層の幅が広いと表面
にホイスカが発生するので、１本１本の幅は狭くし、そ
れらを複数本並列に束ねた構成とすることにより、ホイ
スカの発生を防ぎつつ、断線の確率や導電率の犠牲を最
低限に押さえる狙いである。従って、本例では櫛の根本
に相当する部分もマスクＡＯに沿ってずらしている。

【００７８】ゲート端子ＧＴＭは酸化珪素ＳＩＯ層と接
着性が良くＡｌ等よりも耐電触性の高いＣｒ層ｇ１と、
更にその表面を保護し画素電極ＩＴＯ１と同レベル（同
層、同時形成）の透明導電層ｄ１とで構成されている。
なお、ゲート絶縁膜ＧＩ上及びその側面部に形成された
導電層ｄ２及びｄ３は、導電層ｄ３やｄ２のエッチング
時ピンホール等が原因で導電層ｇ２やｇ１が一緒にエッ
チングされないようその領域をホトレジストで覆ってい
た結果として残っているものである。又、ゲート絶縁膜
ＧＩを乗り越えて右方向に延長されたＩＴＯ層ｄ１は同
様な対策を更に万全とさせたものである。

【００７９】平面図において、ゲート絶縁膜ＧＩはその
境界線よりも右側に、保護膜ＰＳＶ１もその境界線より
も右側に形成されており、左端に位置する端子部ＧＴＭ
はそれらから露出し外部回路との電気的接触ができるよ
うになっている。図では、ゲート線ＧＬとゲート端子の
一つの対のみが示されているが、実際はこのような対が
図７に示すように上下に複数本並べられ端子群Ｔｇ（図
６、図７）が構成され、ゲート端子の左端は、製造過程
では、基板の切断領域ＣＴ１を越えて延長され配線ＳＨ
ｇによって短絡される。製造過程におけるこのような短
絡線ＳＨｇは陽極化成時の給電と、配向膜ＯＲＩ１のラ
ビング時等の静電破壊防止に役立つ。

【００８０】《ドレイン端子ＤＴＭ》図１１は映像信号
線ＤＬからその外部接続端子ＤＴＭまでの接続を示す図
であり、（Ａ）はその平面を示し、（Ｂ）は（Ａ）のＢ
−Ｂ切断線における断面を示す。なお、同図は図７右上
付近に対応し、図面の向きは便宜上変えてあるが右端方
向が基板ＳＵＢ１の上端部（又は下端部）に該当する。

【００８１】ＴＳＴｄは検査端子でありここには外部回
路は接続されないが、プローブ針等を接触できるよう配
線部より幅が広げられている。同様に、ドレイン端子Ｄ
ＴＭも外部回路との接続ができるよう配線部より幅が広
げられている。検査端子ＴＳＴｄと外部接続ドレイン端
子ＤＴＭは上下方向に千鳥状に複数交互に配列され、検
査端子ＴＳＴｄは図に示すとおり基板ＳＵＢ１の端部に
到達することなく終端しているが、ドレイン端子ＤＴＭ
は、図７に示すように端子群Ｔｄ（添字省略）を構成し
基板ＳＵＢ１の切断線ＣＴ１を越えて更に延長され、製
造過程中は静電破壊防止のためその全てが互いに配線Ｓ
Ｈｄによって短絡される。検査端子ＴＳＴｄが存在する
映像信号線ＤＬのマトリクスを挟んで反対側にはドレイ
ン接続端子が接続され、逆にドレイン接続端子ＤＴＭが
存在する映像信号線ＤＬのマトリクスを挟んで反対側に
は検査端子が接続される。

【００８２】ドレイン接続端子ＤＴＭは前述したゲート
端子ＧＴＭと同様な理由でＣｒ層ｇ１及びＩＴＯ層ｄ１
の２層で形成されており、ゲート絶縁膜ＧＩを除去した
部分で映像信号線ＤＬと接続されている。ゲート絶縁膜
ＧＩの端部上に形成された半導体層ＡＳはゲート絶縁膜
ＧＩの縁をテーパ状にエッチングするためのものであ
る。端子ＤＴＭ上では外部回路との接続を行うため保護
膜ＰＳＶ１は勿論のこと取り除かれている。ＡＯは前述
した陽極酸化マスクでありその境界線はマトリクス全体
をを大きく囲むように形成され、図ではその境界線から
左側がマスクで覆われるが、この図で覆われない部分に
は層ｇ２が存在しないのでこのパターンは直接は関係し
ない。

【００８３】マトリクス部からドレイン端子部ＤＴＭま
での引出配線は図８の（Ｃ）部にも示されるように、ド
レイン端子部ＤＴＭと同じレベルの層ｄ１，ｇ１のすぐ
上に映像信号線ＤＬと同じレベルの層ｄ２，ｄ３がシー
ルパターンＳＬの途中まで積層された構造になっている
が、これは断線の確率を最小限に押さえ、電触し易いＡ
ｌ層ｄ３を保護膜ＰＳＶ１やシールパターンＳＬででき
るだけ保護する狙いである。

【００８４】《表示装置全体等価回路》表示マトリクス
部の等価回路とその周辺回路の結線図を図１２に示す。
同図は回路図ではあるが、実際の幾何学的配置に対応し
て描かれている。ＡＲは複数の画素を二次元状に配列し
たマトリクス・アレイである。

【００８５】図中、Ｘは映像信号線ＤＬを意味し、添字
Ｇ、ＢおよびＲがそれぞれ緑、青および赤画素に対応し
て付加されている。Ｙは走査信号線ＧＬを意味し、添字
１，２，３，…，endは走査タイミングの順序に従って
付加されている。

【００８６】映像信号線Ｘ（添字省略）は交互に上側
（または奇数）映像信号駆動回路Ｈｅ、下側（または偶
数）映像信号駆動回路Ｈｏに接続されている。

【００８７】走査信号線Ｙ（添字省略）は垂直走査回路
Ｖに接続されている。

【００８８】ＳＵＰは１つの電圧源から複数の分圧した
安定化された電圧源を得るための電源回路やホスト（上
位演算処理装置）からのＣＲＴ（陰極線管）用の情報を
ＴＦＴ液晶表示装置用の情報に交換する回路を含む回路
である。

【００８９】《保持容量素子Ｃaddの働き》保持容量素
子Ｃaddは、薄膜トランジスタＴＦＴがスイッチングす
るとき、中点電位（画素電極電位）Ｖlcに対するゲート
電位変化ΔＶgの影響を低減するように働く。この様子
を式で表すと、次のようになる。

【００９０】

【数１】 ΔＶlc＝{Ｃgs/(Ｃgs+Ｃadd+Ｃpix)}×
ΔＶg ここで、Ｃgsは薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極Ｇ
Ｔとソース電極ＳＤ１との間に形成される寄生容量、Ｃ
pixは透明画素電極ＩＴＯ１（ＰＩＸ）と共通透明画素
電極ＩＴＯ２（ＣＯＭ）との間に形成される容量、ΔＶ
lcはΔＶgによる画素電極電位の変化分を表わす。この
変化分ΔＶlcは液晶ＬＣに加わる直流成分の原因となる
が、保持容量Ｃaddを大きくすればする程、その値を小
さくすることができる。また、保持容量素子Ｃaddは放
電時間を長くする作用もあり、薄膜トランジスタＴＦＴ
がオフした後の映像情報を長く蓄積する。液晶ＬＣに印
加される直流成分の低減は、液晶ＬＣの寿命を向上し、
液晶表示画面の切り替え時に前の画像が残るいわゆる焼
き付きを低減することができる。

【００９１】前述したように、ゲート電極ＧＴはｉ型半
導体層ＡＳを完全に覆うよう大きくされている分、ソー
ス電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２とのオーバラップ面
積が増え、従って寄生容量Ｃgsが大きくなり、中点電位
Ｖlcはゲート（走査）信号Ｖgの影響を受け易くなると
いう逆効果が生じる。しかし、保持容量素子Ｃaddを設
けることによりこのデメリットも解消することができ
る。

【００９２】保持容量素子Ｃaddの保持容量は、画素の
書込特性から、液晶容量Ｃpixに対して４〜８倍（４・Ｃ
pix＜Ｃadd＜８・Ｃpix）、寄生容量Ｃgsに対して８〜３
２倍（８・Ｃgs＜Ｃadd＜３２・Ｃgs）程度の値に設定す
る。

【００９３】保持容量電極線としてのみ使用される初段
の走査信号線ＧＬ（Ｙ₀）は共通透明画素電極ＩＴＯ２
（Ｖcom）と同じ電位にする。図７の例では、初段の走
査信号線は端子ＧＴ０、引出線ＩＮＴ、端子ＤＴ０及び
外部配線を通じて共通電極ＣＯＭに短絡される。或い
は、初段の保持容量電極線Ｙ₀は最終段の走査信号線Ｙe
ndに接続、Ｖcom以外の直流電位点（交流接地点）に接
続するかまたは垂直走査回路Ｖから１つ余分に走査パル
スＹ₀を受けるように接続してもよい。

【００９４】《製造方法》つぎに、上述した液晶表示装
置の基板ＳＵＢ１側の製造方法について図１３〜図１５
を参照して説明する。なお同図において、中央の文字は
工程名の略称であり、左側は図３に示す画素部分、右側
は図１０に示すゲート端子付近の断面形状でみた加工の
流れを示す。工程Ｄを除き工程Ａ〜工程Ｉは各写真処理
に対応して区分けしたもので、各工程のいずれの断面図
も写真処理後の加工が終わりフォトレジストを除去した
段階を示している。なお、写真処理とは本説明ではフォ
トレジストの塗布からマスクを使用した選択露光を経て
それを現像するまでの一連の作業を示すものとし、繰返
しの説明は避ける。以下区分けした工程に従って、説明
する。

【００９５】工程Ａ、図１３ ７０５９ガラス（商品名）からなる下部透明ガラス基板
ＳＵＢ１の両面に酸化シリコン膜ＳＩＯをディップ処理
により設けたのち、５００℃、６０分間のベークを行な
う。下部透明ガラス基板ＳＵＢ１上に膜厚が１１００Å
のクロムからなる第１導電膜ｇ１をスパッタリングによ
り設け、写真処理後、エッチング液として硝酸第２セリ
ウムアンモニウム溶液で第１導電膜ｇ１を選択的にエッ
チングする。それによって、ゲート端子ＧＴＭ、ドレイ
ン端子ＤＴＭ、ゲート端子ＧＴＭを接続する陽極酸化バ
スラインＳＨｇ、ドレイン端子ＤＴＭを短絡するバスラ
インＳＨｄ、陽極酸化バスラインＳＨｇに接続された陽
極酸化パッド（図示せず）を形成する。

【００９６】工程Ｂ、図１３ 膜厚が２８００ÅのＡｌ−Ｐｄ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓ
ｉ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等からなる第２導電膜ｇ２
をスパッタリングにより設ける。写真処理後、リン酸と
硝酸と氷酢酸との混酸液で第２導電膜ｇ２を選択的にエ
ッチングする。

【００９７】工程Ｃ、図１３ 写真処理後（前述した陽極酸化マスクＡＯ形成後）、３
％酒石酸をアンモニアによりＰＨ６.２５±０.０５に調
整した溶液をエチレングリコール液で１：９に稀釈した
液からなる陽極酸化液中に基板ＳＵＢ１を浸漬し、化成
電流密度が０.５ｍＡ／ｃｍ²になるように調整する（定
電流化成）。次に所定のＡｌ₂Ｏ₃膜厚が得られるのに必
要な化成電圧１２５Ｖに達するまで陽極酸化を行う。そ
の後この状態で数１０分保持することが望ましい（定電
圧化成）。これは均一なＡｌ₂Ｏ₃膜を得る上で大事なこ
とである。それによって、導電膜ｇ２を陽極酸化され、
走査信号線ＧＬ、ゲート電極ＧＴおよび電極ＰＬ１上に
膜厚が１８００Åの陽極酸化膜ＡＯＦが形成される。

【００９８】工程Ｄ、図１４ プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が２０００Åの窒化Ｓｉ膜を設
け、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガスを導入
して、膜厚が２０００Åのｉ型非晶質Ｓｉ膜を設けたの
ち、プラズマＣＶＤ装置に水素ガス、ホスフィンガスを
導入して、膜厚が３００ÅのＮ(＋)型非晶質Ｓｉ膜を設
ける。

【００９９】工程Ｅ、図１４ 写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ₆、ＣＣ
ｌ₄を使用してＮ(＋)型非晶質Ｓｉ膜、ｉ型非晶質Ｓｉ
膜を選択的にエッチングすることにより、ｉ型半導体層
ＡＳの島を形成する。

【０１００】工程Ｆ、図１４ 写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ₆を使用
して、窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチングする。

【０１０１】工程Ｇ、図１５ 膜厚が１４００ÅのＩＴＯ膜からなる第１導電膜ｄ１を
スパッタリングにより設ける。写真処理後、エッチング
液として塩酸と硝酸との混酸液で第１導電膜ｄ１を選択
的にエッチングすることにより、ゲート端子ＧＴＭ、ド
レイン端子ＤＴＭの最上層および透明画素電極ＩＴＯ１
を形成する。

【０１０２】工程Ｈ、図１５ 膜厚が６００ÅのＣｒからなる第２導電膜ｄ２をスパッ
タリングにより設け、さらに膜厚が４０００ÅのＡｌ−
Ｐｄ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ等からなる第３導電膜ｄ３をスパッタリングにより設
ける。写真処理後、第３導電膜ｄ３を工程Ｂと同様な液
でエッチングし、第２導電膜ｄ２を工程Ａと同様な液で
エッチングし、映像信号線ＤＬ、ソース電極ＳＤ１、ド
レイン電極ＳＤ２を形成する。つぎに、ドライエッチン
グ装置にＣＣｌ₄、ＳＦ₆を導入して、Ｎ(＋)型非晶質Ｓ
ｉ膜をエッチングすることにより、ソースとドレイン間
のＮ(＋)型半導体層ｄ０を選択的に除去する。

【０１０３】工程Ｉ、図１５ プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が１μｍの窒化Ｓｉ膜を設け
る。写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ₆を
使用した写真蝕刻技術で窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチン
グすることによって、保護膜ＰＳＶ１を形成する。

【０１０４】《透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の組
立て工程》図２２は、透明ガラス基板ＳＵＢ１およびＳ
ＵＢ２をそれぞれ上述したように加工した後に、それら
を互いに組み合わせて液晶表示基板を構成する組立て工
程図である。

【０１０５】ここで、透明ガラス基板ＳＵＢ１は、図２
３に示すように、一枚のガラス基板の一面に上記薄膜ト
ランジスタＴＦＴ、走査信号線ＧＬ、映像信号線ＤＬ等
からなる同一の電子回路を４個所（２×２個所）に形成
したものである（図２３ではＴＦＴで示している）。

【０１０６】また、透明ガラス基板ＳＵＢ２は、図２４
に示すように、前記透明ガラス基板ＳＵＢ１と対応した
ものであり、したがって、同様の大きさのガラス基板の
一面に共通電極、フィルタ等からなる同一の電子回路を
４個所（２×２個所）に形成したものである（図２４で
はＣＦで示している）。

【０１０７】工程１ 前記透明ガラス基板ＳＵＢ１およびＳＵＢ２のそれぞれ
を図２３および図２４の一点鎖線ＣＴ１Ａ、ＣＴ２Ａに
示す個所で切断し、各透明ガラス基板ＳＵＢ１およびＳ
ＵＢ２を２個の電子回路が形成された基板に分割する。

【０１０８】この場合における透明ガラス基板ＳＵＢ１
およびＳＵＢ２のそれぞれの切断の方法については後に
詳述する。

【０１０９】工程２ 分割された各透明ガラス基板ＳＵＢ１およびＳＵＢ２を
洗浄し、その後に配向膜を形成する。

【０１１０】この配向膜形成は、まず、オゾン処理（Ｕ
Ｖ／Ｏ₂）によって異物を取り除いた後に、たとえばレ
ジスト膜を印刷により形成し、焼成によって硬化させ
る。そして、その後に該レジスト膜の表面をラビングす
ることによって配向膜を形成する。

【０１１１】工程３ その後、透明ガラス基板ＳＵＢ２の配向膜が形成された
面にビーズを分散させ、電子回路の周辺にシールＳＬを
形成する。

【０１１２】工程４ 透明ガラス基板ＳＵＢ１およびＳＵＢ２をそれぞれその
電子回路が形成された面を向き合わせて組立てを行う。

【０１１３】工程５ 透明ガラス基板ＳＵＢ１およびＳＵＢ２との間における
ギャップを設定どおりにするＧａｐ出しを行い、その後
上記シールＳＬを硬化させる。

【０１１４】工程６ 透明ガラス基板ＳＵＢ１およびＳＵＢ２を切断すること
によって、それぞれ対応する電子回路を組み込んだ一の
液晶表示基板を構成する。

【０１１５】工程７ 液晶表示基板内に液晶を封入し、その後封止する。

【０１１６】工程８ 液晶表示基板の外側に付着した液晶を洗浄する。

【０１１７】工程９ 透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の周辺を切断するこ
とにより、これにより各端子の共通接続がなされた部分
を切り落す。この工程における切断個所は、図７のＣＴ
１、ＣＴ２に示している。

【０１１８】この場合における透明ガラス基板ＳＵＢ１
の切断の方法については後に詳述する。

【０１１９】《透明ガラス基板ＳＵＢ１あるいはＳＵＢ
２の切断工程》図２５は、図２２の工程１および工程９
のそれぞれにおける透明ガラス基板ＳＵＢ１およびＳＵ
Ｂ２の切断を行う際の工程を示した装置図である。

【０１２０】同図は、移載、搬送式に一連の処理ができ
るように、各工程がなされる装置を順次配置して構成さ
れている。

【０１２１】まず、切断前の透明ガラス基板ＳＵＢを装
置内に搬送するための入口となるローダ装置（１）があ
り、このローダ装置（１）に配置された透明ガラス基板
ＳＵＢは、搬送移載装置（２）によってスクライブ装置
（３）にまで移載されるようになっている。

【０１２２】このスクライブ装置（３）における透明ガ
ラス基板ＳＵＢのスクライブについては後に詳述する。

【０１２３】スクライブされた透明ガラス基板ＳＵＢは
移載装置（４）によってブレイク装置（５）にまで移載
されるようになっている。

【０１２４】このブレイク装置（５）における透明ガラ
ス基板ＳＵＢのブレイクについては後に詳述する。

【０１２５】ブレイクによって透明ガラス基板ＳＵＢか
ら切断された破材は破材除去装置（６）によって除去さ
れ、その装置に備えられている破材受（７）に蓄積され
るようになつている。

【０１２６】その後、ブレイクによって切断がなされた
透明ガラス基板ＳＵＢは、面取りコーナカット装置
（８）に搬送され、純水供給槽（１３）から供給される
純水によって面取りがなされるようになっている。

【０１２７】さらに、透明ガラス基板ＳＵＢは、移載装
置（９）によって移載されて洗浄装置（１０）によって
洗浄され、分別移載装置（１１）によって水中アンロー
ダ（１２）上に配列されるようになっている。

【０１２８】これらの工程中における透明ガラス基板Ｓ
ＵＢの状態を図２６に示す。同図において、各装置にお
ける透明ガラス基板ＳＵＢの状態は、各装置の番号に対
応づけて記載している。

【０１２９】なお、この図では、図２２における工程１
の切断工程に対応づけて説明しているものであるが、工
程９においても同様である。

【０１３０】なお、上記スクライブおよびブレイクの各
工程では、後に詳述するように液体中でなされるように
なっており、これによって湿った状態にある透明ガラス
基板ＳＵＢは、製品として完成される前の洗浄工程に到
るまでは乾燥させないようになっている。その理由は、
途中の段階における乾燥によって汚れによるしみ等が透
明ガラス基板に発生するのを防止するためである。

【０１３１】《スクライブ装置とその動作説明》図１
（ａ）ないし（ｃ）は、図２５に示したスクライブ装置
の一実施例を示した構成図である。同図において、ま
ず、水槽１があり、この水槽１の底面には吸着ベース２
が配置されている。

【０１３２】この吸着ベース２には、その内部に組み込
まれている真空吸着機構によって透明ガラス基板ＳＵＢ
（厚さ：ｔ）が吸着保持されている。

【０１３３】そして、該吸着ベース２および透明ガラス
基板ＳＵＢは水３に浸積され、該透明ガラス基板ＳＵＢ
面には、その切断個所に沿ってホィール４が走行するよ
うになっている。

【０１３４】すなわち、該ホィール４はその支持体によ
って支持され、水槽１外に取り付けられた図示しない駆
動機構によって該ホィール４を速度Ｖの速さで走行させ
るようになっている。これにより、該ホィール４は回転
速度ｎで回転しながら透明ガラス基板ＳＵＢ面に深さｈ
（ｈ＜ｔ）の溝を形成するようになっている。

【０１３５】また、水槽内の水は、図１（ｃ）に示すよ
うに一定方向の流れが形成されるようになっている。同
図（ｃ）に示すように、主としてホィール４の進行方向
と反対側に水流Ｑ₃が形成され、さらに、ホィール４の
前方側において、その歯面を形成するテーパ面にほぼ垂
直となるように水流Ｑ₁が形成され、また、ホィールの
後方側において、その歯面を形成するテーパ面にほぼ沿
うようにして水流Ｑ₂が形成されるようになっている。

【０１３６】このような水流は、たとえば水槽内に取り
付けたノズルから高圧水流を噴射させることによって容
易に形成することができるようになる。

【０１３７】さらに、図２１に示すように、水面上にお
けるホィールの近傍には、その前方部における歯面にジ
ェット水流Ｑ₄が形成されるようになっている。

【０１３８】このようなジェット水流は、たとえばホィ
ールの近傍に取り付けたノズルから高圧水流を噴射させ
ることによって容易に形成することができるようにな
る。

【０１３９】図２７（ａ）ないし（ｄ）は、このような
スクライブ装置を用いて透明ガラス基板ＳＵＢをスクラ
イブする手順を示した説明図である。

【０１４０】工程１ 図２７（ａ）に示すように、透明ガラス基板ＳＵＢを水
槽１の上方に移動させ、該水槽１内に配置されている吸
着ベース２に対向させる。

【０１４１】工程２ 図２７（ｂ）に示すように、透明ガラス基板ＳＵＢを下
降させ、吸着ベース１に載置すると同時に、該吸着ベー
ス２を真空に引くことにより、該透明ガラス基板ＳＵＢ
を吸着ベース２に吸着させる。その後、吸着ベース２お
よび透明ガラス基板ＳＵＢが浸積されるように水３を供
給する。この水３は比抵抗の小さい液体からなり、たと
えば炭酸ガスが含有された水溶液が用いられる。

【０１４２】工程３ 図２７（ｃ）に示すように、水面上からホィール４を下
降させ、該ホィール４の歯面を透明ガラス基板ＳＵＢの
切断個所に一致させる。

【０１４３】工程４ 図２７（ｄ）に示すように、該ホィール４を透明ガラス
基板ＳＵＢの切断個所に沿って移動させる。これによ
り、ホィール４それ自体は回転をともなって移動し、該
透明ガラス基板ＳＵＢの切断個所に溝を形成するように
なる。

【０１４４】この場合、水槽１内に配置されている図示
しないノズルによって、図１（ｃ）に示したように、高
圧水流Ｑが液内に形成されるようになっている。

【０１４５】このような手順を踏むことにより、一連の
生産工程におけるスクライブ工程を簡単な構成によって
自動化することができるようになる。

【０１４６】また、透明ガラス基板ＳＵＢのスクライブ
を液中で行うことによって、その際に生じるガラスの破
片屑が該透明ガラス基板上の電子回路面に付着し難くな
り、これにより該電子回路面へのガラス破片屑の付着を
防止できるようになる。

【０１４７】また、水槽１内の水に流れを形成すること
により、透明ガラス基板ＳＵＢのスクライブの際に生じ
るガラスの破片屑は流れによって浮遊され、これにより
ガラス破片屑の電子回路への付着を防止できるようにな
る。

【０１４８】また、水槽１内の水３には炭酸ガスを含有
させて比抵抗を小さくしていることから、透明ガラス基
板ＳＵＢへの静電気の蓄積を防止することができるよう
になる。

【０１４９】《ブレイク装置とその動作説明》図２８
（ａ）ないし（ｃ）は、図２５に示したブレイク装置の
一実施例を示した構成図である。同図に示すブレイク装
置は、上述したスクライブ装置とほぼ同様の構成をと
り、該スクライブ装置と異なる構成は、ホィール４の代
わりにスキージ６を備えていることにある。

【０１５０】すなわち、このスキージ６は、水槽１の上
方に位置づけられるようになっており、そのスキージ６
が下降することによって、その刃先が透明ガラス基板Ｓ
ＵＢの既にスクライブされた個所に位置づけられること
になり、そのまま透明ガラス基板側に押圧力が働くこと
になる。

【０１５１】また、スクライブ装置と同様に、水槽１内
の水は、図２８（ｃ）に示すように一定方向の流れが形
成されるようになっている。同図に示すように、主とし
てスキージの長手方向に沿って水流Ｑ₂が形成され、さ
らに、その流れ方向に対して鋭角となる斜め方向に水流
Ｑ₁が形成されるようになっている。

【０１５２】このような水流は、たとえば水槽内に取り
付けたノズルから高圧水流を噴射させることによって容
易に形成することができるようになる。

【０１５３】図２９（ａ）ないし（ｄ）は、このような
ブレイク装置を用いて透明ガラス基板ＳＵＢをブレイク
する手順を示した説明図である。

【０１５４】工程１ 図２９（ａ）に示すように、既にスクライブ工程を経た
透明ガラス基板ＳＵＢを水槽１の上方に移動させ、該水
槽１内に配置されている吸着ベース２に対向させる。

【０１５５】工程２ 図２９（ｂ）に示すように、透明ガラス基板ＳＵＢを下
降させ、吸着ベース２に載置すると同時に、該吸着ベー
ス２を真空に引くことにより、該透明ガラス基板ＳＵＢ
を吸着ベース２に吸着させる。その後、吸着ベース２お
よび透明ガラス基板ＳＵＢが浸積されるように水を供給
する。この水は比抵抗の小さい液体からなり、たとえば
炭酸ガスが含有された水溶液が用いられる。

【０１５６】工程３ 図２９（ｃ）に示すように、液面上からスキージ６を下
降させる。

【０１５７】工程４ 該スキージ６の歯面を透明ガラス基板ＳＵＢのスクライ
ブされた個所に一致させ、該透明ガラス基板ＳＵＢ側に
押圧力を加える。

【０１５８】この場合、水槽内に配置されている図示し
ないノズルによって、図２８（ｃ）に示したように、高
圧水流が液内に形成されるようになっている。

【０１５９】このような手順を踏むことにより、一連の
生産工程におけるブレイク工程を簡単な構成によって自
動化することができるようになる。

【０１６０】また、透明ガラス基板ＳＵＢのブレイクを
液中内で行っていることから、その際に生じるガラスの
破片屑が該透明ガラス基板ＳＵＢ上の電子回路面に付着
し難くなり、これにより該電子回路面へのガラス破片屑
の付着を防止できるようになる。

【０１６１】また、水槽１内の水に流れを形成すること
により、透明ガラス基板ＳＵＢのブレイクの際に生じる
ガラスの破片屑は流れによって浮遊され、これによりガ
ラス破片屑の電子回路への付着を防止できるようにな
る。

【０１６２】また、水槽１内の水３には炭酸ガスを含有
させて比抵抗を小さくしていることから、透明ガラス基
板ＳＵＢへの静電気の蓄積を防止することができるよう
になる。

【０１６３】《液晶表示モジュールの全体構成》図１６
は、液晶表示モジュールＭＤＬの各構成部品を示す分解
斜視図である。

【０１６４】ＳＨＤは金属板から成る枠状のシールドケ
ース（メタルフレーム）、ＬＣＷその表示窓、ＰＮＬは
液晶表示パネル、ＳＰＢは光拡散板、ＭＦＲは中間フレ
ーム、ＢＬはバックライト、ＢＬＳはバックライト支持
体、ＬＣＡは下側ケースであり、図に示すような上下の
配置関係で各部材が積み重ねられてモジュールＭＤＬが
組み立てられる。

【０１６５】モジュールＭＤＬは、シールドケースＳＨ
Ｄに設けられた爪ＣＬとフックＦＫによって全体が固定
されるようになっている。

【０１６６】中間フレームＭＦＲは表示窓ＬＣＷに対応
する開口が設けられるように枠状に形成され、その枠部
分には拡散板ＳＰＢ、バックライト支持体ＢＬＳ並びに
各種回路部品の形状や厚みに応じた凹凸や、放熱用の開
口が設けられている。

【０１６７】下側ケースＬＣＡはバックライト光の反射
体も兼ねており、効率のよい反射ができるよう、蛍光管
ＢＬに対応して反射山ＲＭが形成されている。

【０１６８】《表示パネルＰＮＬと駆動回路基板ＰＣＢ
１》図１７は、図５等に示した表示パネルＰＮＬに映像
信号駆動回路Ｈｅ、Ｈｏと垂直走査回路Ｖを接続した状
態を示す上面図である。

【０１６９】ＣＨＩは表示パネルＰＮＬを駆動させる駆
動ＩＣチップ（下側の３個は垂直走査回路側の駆動ＩＣ
チップ、左右の６個ずつは映像信号駆動回路側の駆動Ｉ
Ｃチップ）である。ＴＣＰは図１８、図１９で後述する
ように駆動用ＩＣチップＣＨＩがテープ・オートメイテ
ィド・ボンディング法（ＴＡＢ）により実装されたテー
プキャリアパッケージ、ＰＣＢ１は上記ＴＣＰやコンデ
ンサＣＤＳ等が実装された駆動回路基板で、３つに分割
されている。ＦＧＰはフレームグランドパッドであり、
シールドケースＳＨＤに切り込んで設けられたバネ状の
破片ＦＧが半田付けされる。ＦＣは下側の駆動回路基板
ＰＣＢ１と左側の駆動回路基板ＰＣＢ１、および下側の
駆動回路基板ＰＣＢ１と右側の駆動回路基板ＰＣＢ１と
を電気的に接続するフラットケーブルである。フラット
ケーブルＦＣとしては図に示すように、複数のリード線
（りん青銅の素材にＳｎ鍍金を施したもの）をストライ
プ状のポリエチレン層とポリビニルアルコール層とでサ
ンドイッチして支持したものを使用する。

【０１７０】《ＴＣＰの接続構造》図１８は走査信号駆
動回路Ｖや映像信号駆動回路Ｈｅ，Ｈｏを構成する、集
積回路チップＣＨＩがフレキシブル配線基板に搭載され
たテープキャリアパッケージＴＣＰの断面構造を示す図
であり、図１９はそれを液晶表示パネルの、本例では映
像信号回路用端子ＤＴＭに接続した状態を示す要部断面
図である。

【０１７１】同図において、ＴＴＢは集積回路ＣＨＩの
入力端子・配線部であり、ＴＴＭは集積回路ＣＨＩの出
力端子・配線部であり、例えばＣｕから成り、それぞれ
の内側の先端部（通称インナーリード）には集積回路Ｃ
ＨＩのボンディングパッドＰＡＤがいわゆるフェースダ
ウンボンディング法により接続される。端子ＴＴＢ，Ｔ
ＴＭの外側の先端部（通称アウターリード）はそれぞれ
半導体集積回路チップＣＨＩの入力及び出力に対応し、
半田付け等によりＣＲＴ／ＴＦＴ変換回路・電源回路Ｓ
ＵＰに、異方性導電膜ＡＣＦによって液晶表示パネルＰ
ＮＬに接続される。パッケージＴＣＰは、その先端部が
パネルＰＮＬ側の接続端子ＤＴＭを露出した保護膜ＰＳ
Ｖ１を覆うようにパネルに接続されており、従って、外
部接続端子ＤＴＭ（ＧＴＭ）は保護膜ＰＳＶ１かパッケ
ージＴＣＰの少なくとも一方で覆われるので電触に対し
て強くなる。

【０１７２】ＢＦ１はポリイミド等からなるベースフィ
ルムであり、ＳＲＳは半田付けの際半田が余計なところ
へつかないようにマスクするためのソルダレジスト膜で
ある。シールパターンＳＬの外側の上下ガラス基板の隙
間は洗浄後エポキシ樹脂ＥＰＸ等により保護され、パッ
ケージＴＣＰと上側基板ＳＵＢ２の間には更にシリコー
ン樹脂ＳＩＬが充填され保護が多重化されている。

【０１７３】《駆動回路基板ＰＣＢ２》中間フレームＭ
ＦＲに保持・収納される液晶表示部ＬＣＤの駆動回路基
板ＰＣＢ２は、図３１に示すように、Ｌ字形をしてお
り、ＩＣ、コンデンサ、抵抗等の電子部品が搭載されて
いる。この駆動回路基板ＰＣＢ２には、１つの電圧源か
ら複数の分圧した安定化された電圧源を得るための電源
回路や、ホスト（上位演算処理装置）からのＣＲＴ（陰
極線管）用の情報をＴＦＴ液晶表示装置用の情報に変換
する回路を含む回路ＳＵＰが搭載されている。ＣＪは外
部と接続される図示しないコネクタが接続されるコネク
タ接続部である。駆動回路基板ＰＣＢ２とインバータ回
路基板ＰＣＢ３とはバックライトケーブルにより中間フ
レームＭＦＲに設けたコネクタ穴を介して電気的に接続
される。

【０１７４】駆動回路基板ＰＣＢ１と駆動回路基板ＰＣ
Ｂ２とは折り曲げ可能なフラットケーブルＦＣにより電
気的に接続されている。組立て時、駆動回路基板ＰＣＢ
２は、フラットケーブルＦＣを180°折り曲げることに
より駆動回路基板ＰＣＢ１の裏側に重ねられ、中間フレ
ームＭＦＲの所定の凹部に嵌合される。

【０１７５】

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示基板の製造方法によれば、ガラス
基板の切断の際において、それによって生じるガラス破
片屑の電子回路面への付着を完全に除去できるようにな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示基板の製造方法に適用さ
れるスクライブ装置の一実施例を示す構成図である。

【図２】この発明が適用されるアクティブ・マトリック
ス方式のカラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素とそ
の周辺を示す要部平面図である。

【図３】図２の３−３切断線における１画素とその周辺
を示す断面図である。

【図４】図２の４−４切断線における付加容量Ｃaddの
断面図である。

【図５】表示パネルのマトリクス周辺部の構成を説明す
るための平面図である。

【図６】図５の周辺部をやや誇張し更に具体的に説明す
るためのパネル平面図である。

【図７】上下基板の電気的接続部を含む表示パネルの角
部の拡大平面図である。

【図８】マトリクスの画素部を中央に、両側にパネル角
付近と映像信号端子部付近を示す断面図である。

【図９】左側に走査信号端子、右側に外部接続端子の無
いパネル縁部分を示す断面図である。

【図１０】ゲート端子ＧＴＭとゲート配線ＧＬの接続部
近辺を示す平面と断面の図である。

【図１１】ドレイン端子ＤＴＭと映像信号線ＤＬとの接
続部付近を示す平面と断面の図である。

【図１２】アクティブ・マトリックス方式のカラー液晶
表示装置のマトリクス部とその周辺を含む回路図であ
る。

【図１３】基板ＳＵＢ１側の工程Ａ〜Ｃの製造工程を示
す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。

【図１４】基板ＳＵＢ１側の工程Ｄ〜Ｆの製造工程を示
す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。

【図１５】基板ＳＵＢ１側の工程Ｇ〜Ｉの製造工程を示
す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。

【図１６】液晶表示モジュールの分解斜視図である。

【図１７】液晶表示パネルに周辺の駆動回路を実装した
状態を示す上面図である。

【図１８】駆動回路を構成する集積回路チップＣＨＩが
フレキシブル配線基板に搭載されたテープキャリアパッ
ケージＴＣＰの断面構造を示す図である。

【図１９】テープキャリアパッケージＴＣＰを液晶表示
パネルＰＮＬの映像信号回路用端子ＤＴＭに接続した状
態を示す要部断面図である。

【図２０】周辺駆動回路基板ＰＣＢ１（上面が見える）
と電源回路回路基板ＰＣＢ２（下面が見える）との接続
状態を示す上面図である。

【図２１】本発明に適用されるスクライブ装置の構成を
示す要部構成図である。

【図２２】本発明による液晶表示基板の組立ての一実施
例を示す工程図である。

【図２３】本発明による液晶表示基板の組立ての際の一
工程における一方の液晶表示基板の状態を示す平面図で
ある。

【図２４】本発明が適用される液晶表示基板の組立ての
際の一工程における他方の液晶表示基板の状態を示す平
面図である。

【図２５】本発明が適用される液晶表示基板の切断の工
程を示す装置図である。

【図２６】図２５の工程に対応づけて示した液晶表示基
板の状態を示す説明図である。

【図２７】本発明に適用されるスクライブ装置の動作手
順を示す動作図である。

【図２８】本発明に適用されるブレイク装置の一実施例
を示す構成図である。

【図２９】本発明に適用されるブレイク装置の動作手順
を示す動作図である。

【符号の説明】

ＳＵＢ…透明ガラス基板、ＧＬ…走査信号線、ＤＬ…映
像信号線 ＧＩ…絶縁膜、ＧＴ…ゲート電極、ＡＳ…ｉ型半導体層 ＳＤ…ソース電極またはドレイン電極、ＰＳＶ…保護
膜、ＢＭ…遮光膜 ＬＣ…液晶、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ＩＴＯ…透明
画素電極 ｇ、ｄ…導電膜、Ｃadd…保持容量素子、ＡＯＦ…陽極
酸化膜 ＡＯ…陽極酸化マスク、ＧＴＭ…ゲート端子、ＤＴＭ…
ドレイン端子 ＳＨＤ…シールドケース、ＰＮＬ…液晶表示パネル、Ｓ
ＰＢ…光拡散板、ＭＦＲ…中間フレーム、ＢＬ…バック
ライト、ＢＬＳ…バックライト支持体、ＬＣＡ…下側ケ
ース、ＲＭ…バックライト光反射山、（以上添字省略）
１…水槽、２…吸着ベース、３…水、４…ホィール、６
…スキージ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三谷 英男 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 藤田 主税 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 都竹 進 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 大和田 淳一 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 望月 雅彦 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】液晶を介して対向配置されるガラス基板の
   うち少なくとも一方のガラス基板の液晶側の面に電子回
   路を形成した後に該ガラス基板を切断する工程を含む液
   晶表示基板の製造方法において、該ガラス基板の切断を
   液体中で行うことを特徴とする液晶表示基板の製造方
   法。
2. 【請求項２】液体にほぼ一方向の流れを形成し、その液
   体中でガラス基板の切断を行うことを特徴とする請求項
   １記載の液晶表示基板の製造方法。
3. 【請求項３】ガラス基板の切断個所に沿って溝を形成す
   るスクライブに請求項１あるいは請求項２記載の発明を
   適用させたことを特徴とする液晶表示基板の製造方法。
4. 【請求項４】ガラス基板の切断個所に沿って溝を形成し
   た後、その溝に沿って切断するブレイクに請求項１ある
   いは請求項２記載の発明を適用させたことを特徴とする
   液晶表示基板の製造方法。
5. 【請求項５】槽内に配置されてガラス基板を真空吸着さ
   せる吸着台と、この吸着台に該ガラス基板を真空吸着さ
   せた後に該槽内に液体を供給する液体供給口と、前記ガ
   ラス基板をスクライブするホィールとを備えたことを特
   徴とする液晶表示基板の製造装置。
6. 【請求項６】スクライブ方向に沿ったホィールの移動方
   向と逆方向に沿って液体の流れを形成する手段が備えら
   れていることを特徴とする請求項５記載の液晶表示基板
   の製造方法。
7. 【請求項７】液面から露出されているホィールを液体シ
   ャワーによって洗浄する手段が備えられたことを特徴と
   する請求項５あるいは請求項６記載の液晶表示基板の製
   造装置。
8. 【請求項８】槽内に配置されてガラス基板を真空吸着さ
   せる吸着台と、この吸着台に該ガラス基板を真空吸着さ
   せた後に該槽内に液体を供給する液体供給口と、前記ガ
   ラス基板をブレイクするスキージとを備えたことを特徴
   とする液晶表示基板の製造装置。
9. 【請求項９】スキージの面に沿って液体の流れを形成す
   る手段が備えられていることを特徴とする請求項８記載
   の液晶表示基板の製造方法。
10. 【請求項１０】液晶を介して対向配置されるガラス基板
    のうち少なくとも一方のガラス基板を切断する工程を含
    む液晶表示基板の製造方法において、該ガラス基板の切
    断を比抵抗の小さい液体中で行うことを特徴とする液晶
    表示基板の製造方法。
11. 【請求項１１】比抵抗の小さい液体として水に炭酸ガス
    を含有させたものを用いることを特徴とする請求項１０
    記載の液晶表示基板の製造方法。
12. 【請求項１２】一枚のガラス基板の一面に同パターンの
    電子回路を形成し、これら各電子回路毎に該ガラス基板
    を分離する際の切断において、請求項１ないし請求項
    ６、請求項１０および請求項１１の発明のうちの少なく
    とも一の発明を適用させたことを特徴とする液晶表示装
    置の製造方法。
13. 【請求項１３】請求項１ないし請求項６、請求項１２記
    載の発明のうちの少なくとも一の発明を適用させた場
    合、その後の洗浄の工程に到るまではガラス基板を乾燥
    させないことを特徴とする液晶表示基板の製造方法。