JPH07183585A - 超伝導回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 超伝導電源線を超伝導デバイスに対して超伝
導接地面の反対側に設ける構造の超伝導回路において、
超伝導接地面に設けられたモートの機能を有効に発揮
し、超伝導デバイスの磁束トラップによる誤動作を防止
した超伝導回路を提供することを目的とする。 【構成】 超伝導デバイス１３と、超伝導接地面１１
と、超伝導配線１２とを有して構成し、超伝導デバイス
１３と超伝導配線１２が、超伝導接地面１１を挟んで対
向して配置されている超伝導回路において、超伝導配線
１２は、超伝導接地面１１に設けられている超伝導で囲
われた開口部１７と、当該超伝導回路の上部より見て重
なりを持つような開口部１８を備えて構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は超伝導デバイスを用いた
超伝導回路の構造に係り、特に、超伝導電源線を超伝導
デバイスに対して超伝導接地面の反対側に設ける構造の
超伝導回路において、超伝導接地面に設けられたモート
の機能を有効に発揮させ、超伝導回路の誤動作の原因と
なる超伝導デバイスへの磁束トラップを予防した超伝導
回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の超伝導回路、例えばジョセフソン
回路では、共通の超伝導接地面上に接合、抵抗、配線等
の回路構成要素が配置されている。従来の超伝導回路
（第１従来例）の断面図を図６（ａ）に示す。

【０００３】図６（ａ）において、５１は超伝導接地
面、５２は電源線、５３はジョセフソン素子、５４はジ
ョセフソン素子の下部電極、５５はジョセフソン素子の
上部電極、５６はジョセフソン素子のトンネルバリア
層、５７は超伝導接地面に設けられた開口部（モー
ト）、５８はモート５７を貫く外部磁束、５９は基板を
表す。

【０００４】尚、同図では基板５９と超伝導接地面５
１、超伝導接地面５１と電源線５２、超伝導接地面５１
と下部電極５４の間に存在する層間絶縁膜は省略されて
いる。また、実際の回路では、ジョセフソン素子５３以
外に抵抗及び配線、並びに層間絶縁膜の開口部を通した
コンタクト等の回路構成要素が存在するが、同図では省
略している。

【０００５】超伝導接地面５１は、素子電流が最終的に
流れ込む共通グランドとしての役割だけでなく、超伝導
ストリツプ配線の接地面としての役割も果たし、信号の
高速伝搬に寄与している。更に別の重要な役割は、チッ
プの有効領域の殆ど全てを超伝導面で覆うことにより、
外部磁場からジョセフソン素子５３を遮蔽し、ジョセフ
ソン素子５３の磁束トラップによる誤動作を防ぐ点にあ
る。

【０００６】超伝導体は外部磁場を排除するが、ピンホ
ール等のため超伝導性が弱い場所では、磁束５８をトラ
ップする性質を持つ。磁束トラップは磁束量子Φ０（２
×１０^-15 ［Ｗｂ］）単位で起こる。地磁気（０．３
［ガウス］）をμメタル等で遮蔽して外部磁場を弱めて
も、超伝導回路チップの周囲には、地磁気の１／１００
程度の残留磁場が残る。つまり、一辺１００［μｍ］の
正方形の面積内の残留磁場を全て集めると、磁束量子に
相当する磁束になる。

【０００７】超伝導回路を液体ヘリウムで冷却する過程
で、この残留磁場を超伝導接地面５１が排除する必要が
あるが、例えば、５［ｍｍ］角のチップ全面では２５０
０Φ０にもなり、その全てを排除することは確率的に困
難である。

【０００８】そこで、超伝導接地面５１中にモートと呼
ばれる開口部５７を、ジョセフソン素子５３から離れた
場所に複数箇所設け、そこに残留磁場を意図的にトラッ
プさせる方法が取られてきた（IEEE Trans. Magn., Vo
l.MAG-19, p.1160, 1983.参照）。

【０００９】具体的には、図６（ａ）に示すように、各
ゲート（例えば、２０×３０［μｍ ² ］の大きさ）の周
辺部に相当する場所の超伝導接地面５１に、数〜数１０
［μｍ² ］の大きさの開口部（モート）５７を設ける方
法である。

【００１０】これにより、残留磁場（外部磁束５８）は
超伝導接地面５１に設けられたモート５７を貫き、ジョ
セフソン素子５３を貫通することがない。また、ジョセ
フソン素子５３に流れる電流や、電源線５２に流れる電
流からも離れており、トラップされた磁束５８が回路動
作中に移動する可能性は少なく、ジョセフソン素子５３
の誤動作を起こさない。

【００１１】ジョセフソン回路の電源線５２は、ある素
子のスイッチングが他の素子に与える影響を小さくする
ため、その配線インピーダンスを低く、即ち線幅を太く
する必要がある。

【００１２】しかしながら、このような線幅の広い電源
線５２（例えば、５０［μｍ］幅）は、回路の集積度を
上げていく場合には障害となる。また、数１０〜数１０
０のゲートに電流を供給するためには、大電流（例え
ば、数１００［ｍＡ］程度の電流）を流す必要があり、
その大電流の作る磁場がジョセフソン素子５３と結合し
て誤動作の原因となる。

【００１３】これら二つの問題を解決するために、回路
内の電源線５２を、超伝導接地面５１に対してジョセフ
ソン素子５３と反対側に設ける方法が提案されている
（特開平３−２２９４７３）。例えば、電源線５２を超
伝導接地面５１の下側に設け、超伝導接地面５１上のジ
ョセフソン素子５３に電流を供給する方法がそれであ
る。図６（ｂ）に電源線を超伝導接地面の下側に設けた
超伝導回路（第２従来例）の断面図を示す。

【００１４】この方法によれば、チツプ面内で、素子及
び抵抗、或いは線幅の細い信号線等に使用出来る面積が
実効的に増えたことになる。また、超伝導接地面６１の
磁気遮蔽効果により、電源線６２を流れる大電流のジョ
セフソン素子への悪影響を防ぐこともできる。

【００１５】しかし、線幅の広い電源線６２を超伝導接
地面６１の下側に移した場合、超伝導接地面６１のモー
ト６７の直下に超伝導の電源線６２が存在する可能性が
ある。この場合、モート６７が超伝導電源線６２の広い
面で下側より蓋をされたことになり、チップ冷却時に磁
束６８をトラップするというモート６７本来の機能を損
ねる恐れがある。この場合は、外部磁束６８が超伝導接
地面６２のモート６７中にトラップされにくく、外部磁
束を捕捉するモートとして機能しにくい。

【００１６】また、図６（ｂ）のように、超伝導電源線
６２が超伝導接地面６１のモート６７の直下にある場合
には、外部磁束６８がモート６７にトラップされた場合
でも、モート６７を突き抜けた外部磁束６８は、超伝導
電源線６２の内部には侵入できないので、超伝導接地面
６１と電源線６２の間の薄い絶縁層内部を抜けて外部に
出ることになる。この場合、電源線６２には大電流が流
れるので、外部磁束６８がその影響を受けて移動するこ
とがあり、ジョセフソン素子６３の誤動作の原因とな
る。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
超伝導回路では、残留磁場を意図的にトラップさせるた
めにモートを複数箇所設け、また、大電流供給するため
に回路内の超伝導電源線を超伝導接地面に対して素子と
反対側に設けた構造を備えているが、超伝導電源線が超
伝導接地面のモートの直下にある場合には、トラップさ
れた外部磁束が超伝導電源線の内部には侵入し難くな
り、外部磁束が移動して素子の誤動作を引き起こす恐れ
があるという問題があった。

【００１８】本発明は、上記問題点を解決するもので、
超伝導電源線を超伝導デバイスに対して超伝導接地面の
反対側に設ける構造の超伝導回路において、超伝導接地
面に設けられたモートの機能を有効に発揮し、超伝導デ
バイスの磁束トラップによる誤動作を防止した超伝導回
路を提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。請求項１に記載の超伝導回路は、超伝導デバ
イス１３と、超伝導接地面１１と、超伝導配線１２とを
有して構成し、前記超伝導デバイス１３と前記超伝導配
線１２が、前記超伝導接地面１１を挟んで対向して配置
されている超伝導回路において、前記超伝導配線１２
は、開口部１８を備えて構成する。

【００２０】また、請求項２に記載の超伝導回路は、請
求項１に記載の超伝導回路において、前記超伝導配線１
２の開口部１８は、前記超伝導接地面１１に設けられて
いる超伝導で囲われた開口部１７と、当該超伝導回路の
上部より見て重なりを持つ。

【００２１】また、請求項３に記載の超伝導回路は、請
求項１または２に記載の超伝導回路において、前記超伝
導配線１２は、当該超伝導配線１２内の複数の開口部１
８が連結され、１つの超伝導ループで囲われている。

【００２２】また、請求項４に記載の超伝導回路は、請
求項１または２に記載の超伝導回路において、前記超伝
導配線１２は、当該超伝導配線１２内の複数の開口部１
８が連結され、且つ当該超伝導配線１２の一端で該開口
部１８が開放され、超伝導ループで囲われない。

【００２３】

【作用】図１は、本発明の原理を示す超伝導回路の構造
断面図である。図中、１１は例えばＮｂからなる超伝導
接地面、１２は例えばＮｂからなる電源配線層（超伝導
配線）、１３はジョセフソン素子（超伝導デバイス）、
１４は例えばＮｂからなるジョセフソン接合の下部電
極、１５は例えばＮｂからなるジョセフソン接合の上部
電極、１６は例えばＡｌ０ｘからなるジョセフソン接合
のトンネルバリア層である。１７は超伝導接地面１１に
設けられたモート（開口部）、１８は電源配線層１２に
設けられた開口部、１９はモート１７にトラップされた
外部磁束である。

【００２４】尚、従来例と同様に、同図では基板２０と
電源配線層１２、超伝導接地面１１と電源配線層１２、
超伝導接地面１１と下部電極１４の間に存在する層間絶
縁膜は省略されている。また、実際の回路では、ジョセ
フソン素子１３以外に抵抗及び配線、並びに層間絶縁膜
の開口部を通したコンタクト等の回路構成要素が存在す
るが、同図では省略している。

【００２５】本発明の特徴の超伝導回路では、超伝導接
地面１１も挟んで、ジョセフソン素子１３と反対側の面
に設けられた電源配線層１２に開口部１８を設け、該開
口部１８を超伝導接地面１１のモート１７と重なる部分
があるように配置させている。

【００２６】これにより、超伝導接地面１１のモート１
７が超伝導面１２で覆われることがないので、超伝導接
地面１１のモート１７への磁束トラップを有効に起こ
し、モートとしての機能を効果的に発揮させることがで
きる。尚、図１では超伝導接地面１１の上側にジョセフ
ソン素子１３があり、下側に電源配線層１２があるが、
配置が上下逆であっても同様の効果がある。

【００２７】このように、電源配線層１２を超伝導デバ
イス１３に対して超伝導接地面１１の反対側に設ける構
造の超伝導回路において、超伝導接地面１１に設けられ
たモート１７の機能を有効に発揮し、超伝導デバイス１
３の磁束トラップによる誤動作を防止することができ
る。また、電源配線層１２の開口部１８を連結したり、
更に、開口部１８の一端を電源線の端部で開放すること
により、開口部１８の周囲の円電流と電源電流の重畳に
よる問題を防止することができる。

【００２８】

【実施例】次に、本発明に係る好適な実施例を図面に基
づいて説明する。ここでは、Ｎｂを超伝導電極とする超
伝導回路、特にジョセフソン回路の場合を例として述べ
る。しかし、Ｎｂ以外のＮｂＮ等の金属超伝導体やＹＢ
ＣＯ等の酸化物系超伝導体からなる超伝導回路において
も同様の効果が期待出来る。

【００２９】また、ここでは、超伝導接地面の上側に超
伝導デバイスを含む超伝導回路が、下側に電源線がそれ
ぞれ配置される場合の実施例を述べるが、上下が逆の構
成でも本発明の効果は同様に期待できる。第１実施例 図２に本発明の第１実施例に係る超伝導回路の平面図及
び断面図を示す。図２（ａ）は超伝導回路の平面図、同
図（ｂ）は切断線Ａ−Ａ’での断面図である。

【００３０】図中、２１は超伝導接地面、２２は超伝導
接地面の下側に設けられた電源線（電源供給線）、２３
は超伝導接地面上に設けられる回路のゲートまたはセル
等の構成要素、２４は超伝導接地面に設けられたモート
（開口部）、２５は電源線２２に設けられた開口部、２
６はモート２４と開口部２５にトラップされた外部磁束
を表す。

【００３１】同図に示すように、超伝導接地面２１のモ
ート２４に位置する場所の直下の電源線２２に開口部２
５を設けることにより、モート２４を貫通する外部磁束
２６は、電源線２２の開口部２５を通過して外部へ抜け
る。このため、電源線２２が超伝導接地面２１の下に存
在しても、チップ冷却時にモート２４が外部磁束２６を
トラップする効果を妨げることはない。

【００３２】同図では、超伝導接地面２１上に設けられ
た回路（素子、抵抗配線等）は省略し、ゲート２３の大
きさを示す点線の正方形で代表させている。接地線、電
源線、及びジョセフソン素子の電極は全てＮｂ膜、抵抗
はＭｏやＺｒ膜、層間絶縁膜はＳｉ０₂ でそれぞれ形成
される。ジョセフソン素子のバリアにはＡｌの表面を自
然酸化したＡｌ０ｘを用いる。また、Ｎｂ，Ａｌ，Ｍ
ｏ，及びＺｒ膜は直流又は交流スパッタ法により、Ｓｉ
０₂ 膜は交流スパッタ法によりそれぞれ成膜する。

【００３３】また、接地面、電源線、及び層間絶縁膜の
膜厚は、２００〜４００［ｎｍ］程度である。抵抗の膜
厚は１００［ｎｍ］、ジョセフソン素子の下部Ｎｂ電極
は１００〜３００ｎｍ，上部Ｎｂ電極は１００〜２００
［ｎｍ］、Ａｌは５〜１０［ｎｍ］、Ａｌ０ｘは約２
［ｎｍ］である。尚、パターン加工は、フォトプロセス
により作成されたレジストをマスクとしてＲＩＥ（反応
性イオンエッチング）で行う。エッチングガスは、Ｎｂ
にはＣＦ₄ を、Ｓｉ０₂ にはＣＨＦ₃ 等をそれぞれ用い
る。

【００３４】尚、従来技術でも述べたように、ジョセフ
ソン回路は、ジョセフソン素子、抵抗、及び配線インダ
クタンス等を含むゲートや、ユニツトセルと呼ばれる構
成要素２３から作られる。これら構成要素２３を配置
し、各要素への電源供給線や、各要素間の信号線を配す
ることにより、回路が構成される。

【００３５】ゲート２３は、数１００［μｍ² ］の面積
（例えばＭＶＴＬゲートの場合、２０×３０［μ
ｍ² ］）を有するため、チップ冷却時に残留磁場により
磁束トラップの可能性がある。そこで、超伝導接地面２
１の各ゲートの周囲又は内部に相当する箇所に数カ所、
モート２４を設けている。

【００３６】図２に示す構造は、各ゲート２３の外周部
に１個の長方形のモート２４を設けた構成例である。通
常、モート２４の大きさは、幅１〜２［μｍ］、長さは
数〜２０［μｍ］程度である。図２では、モート２４の
直下の、電源線２２に設けた開口部２５は、モート２４
より小さな面積を有し、当該超伝導回路の上部より見
て、モート２４に含まれる形状となっている。

【００３７】しかし、二つの開口部２４及び２５の大小
関係はあまり重要ではない。位置関係に関しては、超伝
導接地面２１のモート（開口部）２４と電源線２２の開
口部２５は、当該超伝導回路の真上から見た場合に、少
なくとも両者の開口部２４及び２５に重なりがあること
が望ましい。真上から見て両開口部２４及び２５に重な
りが全くない場合には、本発明の効果はやや減少するこ
とが予想される。

【００３８】次に図４（ａ）及び（ｂ）を参照して、本
実施例の電源線上における電流について考察する。先
ず、図４（ａ）に示す第２従来例の電源線６２上では、
電源線６２は幅広であっても、超伝導接地面６１と対向
している限り、供給電流は線幅に対して均一に流れる。
図中、７２は電源電流の流れを表す。流しうる最大の電
流は、超伝導膜の膜質や膜厚で決まる（単位幅当たり
の）臨界電流密度と線幅の積とで決定される。

【００３９】一方、本実施例の（超伝導体内の開口部２
４及び２５が外部磁束２６をトラップした）場合には、
図４（ｂ）に示すように、その開口部２５の周りには超
伝導の円電流が流れる。ここで、（円電流の作る磁束密
度）×開口面積＝磁束の関係となる。また図中、２５は
開口部、２６は開口部にトラップされた外部磁束、７３
は電源電流の流れ、７５は磁束を保持する円電流であ
る。

【００４０】従って、電源線２２を流れる供給電流７３
と円電流７５の向きが同じ場所では、両方の電流が重畳
される。このため、大きな外部磁束２６をトラップして
いる場合（即ち、大きな円電流が流れている場合）に
は、局部的に重畳された電流が、電源線２２の臨界電流
密度を越えて、膜の超伝導性が破壊されて発熱を起こす
恐れがある。

【００４１】更に、一ヶ所の超伝導性が破壊されれば、
その発熱により周辺が加熱され、超伝導の破壊は周囲に
広がっていき、結果として、回路全体が超伝導性を失っ
て回路動作しなくなる。この問題を解決する方法とし
て、次の二つの方法（第２及び第３実施例）がある。第２実施例 図３に本発明の第２実施例に係る超伝導回路の平面図及
び断面図を示す。図３（ａ）は超伝導回路の平面図、同
図（ｂ）は切断線Ａ−Ａ’での断面図を示す。

【００４２】同図において、３１は超伝導接地面、３２
は超伝導接地面３１の下側に設けられた電源線（電源供
給線）、３３は超伝導接地面３１上に設けられる超伝導
回路のゲートまたはセル等の構成要素、３４は超伝導接
地面３１に設けられた開口部（モート）、３５は電源線
３２に設けられた開口部を示す。

【００４３】本実施例では、電源線３２に設けられた複
数の開口部同士が連結され、大きな開口部３５が形成さ
れている。つまり、開口部を連結して開口面積を大きく
することにより、磁束トラップに伴う円電流を小さく
し、電源電流との重畳による電流密度が臨界電流密度を
越えることを防いでいるものである。

【００４４】その原理を図４（ｃ）に示す電源線上にお
ける電流の流れの説明図を参照して説明する。図４
（ｃ）では、２つの開口部が連結され、面積がｎ倍にな
っているとする。図中、３５は連結された開口部、３６
は連結された開口部３５にトラップされた外部磁束、７
４は電源電流の流れ、７６は外部磁束を保持する円電流
である。

【００４５】第１実施例（図４（ｂ）参照）の場合で
は、２つの開口部の内１つが磁束量子Ｘ個に相当する量
の外部磁束２６をトラップし、他の１つはトラップして
いない状態であるのに対し、図４（ｃ）の本実施例で
は、それら連結された開口部３５も同様の量の外部磁束
３６をトラップしたと仮定する。

【００４６】トラップされた外部磁束３６は、電源線３
２の真上の超伝導接地面３１のモート３４にトラップさ
れた磁束量で決まるので、電源線３２の連結された開口
部３５についても第１実施例と比べて全磁束量は変わら
ない。即ち、同じ外部磁束をｎ倍の面積の開口部３５で
保持することになり、周囲に流れる円電流７６の大きさ
は１／ｎになる。

【００４７】従って、連結された開口部３５により開口
部の面積を大きくすることで、磁束トラップに伴う円電
流７６を小さくし、電源電流７４との重畳による電流密
度が臨界電流密度を越えることを防ぐ効果がある。第３実施例 図５に本発明の第３実施例に係る超伝導回路の平面図及
び断面図を示す。図５（ａ）は超伝導回路の平面図、同
図（ｂ）は切断面Ａ−Ａ’での断面図を示す。

【００４８】図中、４１は超伝導接地面、４２は超伝導
接地面４１の下側に設けられた電源線（電源供給線）、
４３は超伝導接地面４１上に設けられる超伝導回路のゲ
ートまたはセル等の構成要素、４４は超伝導接地面４１
に設けられた開口部（モート）、４５は電源線４２に設
けられた開口部を示す。

【００４９】本実施例では、電源線４２に設けられた複
数の開口部が連結され、更にその開口部の一端４６が電
源線４２の端部で開放された構造を備えている。この構
造では、電源線４２の開口部４５を取り囲む超伝導ルー
プは存在しないので、開口部４５を外部磁束が貫通して
も円電流は電源線４２内に発生しない。従って、円電流
と電源電流の重畳による問題は発生しない。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電源線を超伝導デバイスに対して超伝導接地面の反対側
に設ける構造の超伝導回路において、超伝導接地面に挟
んで、素子と反対側の面に設けられた電源配線層に開口
部を設け、該開口部を超伝導接地面のモートと重なる部
分があるように配置させることとしたので、超伝導接地
面に設けられたモートの機能を有効に発揮し、素子の磁
束トラップによる誤動作を防止することができ、また、
電源線の開口部を連結したり、更に開口部の一端を電源
線の端部で開放することにより、開口部周囲の円電流と
電源電流の重畳により発生する発熱による回路動作停止
の問題を防止しうる超伝導回路を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理説明図（回路構造断面図）であ
る。

【図２】本発明の第１実施例に係る超伝導回路に関し、
図２（ａ）は超伝導回路の平面図、図２（ｂ）は切断線
Ａ−Ａ’での断面図である。

【図３】本発明の第２実施例に係る超伝導回路に関し、
図３（ａ）は超伝導回路の平面図、図３（ｂ）は切断線
Ａ−Ａ’での断面図である。

【図４】電源線上における電流の説明図であり、図４
（ａ）は第２従来例、図４（ｂ）は第１実施例、図４
（ｃ）は第２実施例である。

【図５】本発明の第３実施例に係る超伝導回路に関し、
図５（ａ）は超伝導回路の平面図、図５（ｂ）は切断線
Ａ−Ａ’での断面図である。

【図６】従来の超伝導回路の断面図（動作説明図）であ
り、図６（ａ）は第１従来例、図６（ｂ）は第２従来例
である。

【符号の説明】

１１，２１，３１，４１，５１，６１…超伝導接地面 １２，２２，３２，４２，５２，６２…電源線（電源供
給線），電源配線層（超伝導配線） １３，５３，６３…ジョセフソン素子 １４，５４，６４…ジョセフソン素子の下部電極 １５，５５，６５…ジョセフソン素子の上部電極 １６，５６，６６…ジョセフソン素子のトンネルバリア
層 １７，５７，６７…モート（超伝導接地面の開口部） １８…配線層の開口部 １９，２６，３６，４６，５８，６８…トラップされた
外部磁束 ２０，５９，６９…基板 ２３，３３，４３…ゲートまたはセル等の構成要素 ２４，３４，４４，５７，６７…モート（超伝導接地面
の開口部） ２５…電源線の開口部 ３５…連結された開口部 ４５…一端が開放された開口部 ７２，７３，７４…電源電流の流れ ７５，７６…磁束を保持する円電流

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 超伝導デバイス（１３）と、超伝導接地
   面（１１）と、超伝導配線（１２）とを有し、前記超伝
   導デバイス（１３）と前記超伝導配線（１２）が、前記
   超伝導接地面（１１）を挟んで対向して配置されている
   超伝導回路において、 前記超伝導配線（１２）は、開口部（１８）を備えるこ
   とを特徴とする超伝導回路。
2. 【請求項２】 前記超伝導配線（１２）の開口部（１
   ８）は、前記超伝導接地面（１１）に設けられている超
   伝導で囲われた開口部（１７）と、当該超伝導回路の上
   部より見て重なりを持つことを特徴とする請求項１に記
   載の超伝導回路。
3. 【請求項３】 前記超伝導配線（１２）は、当該超伝導
   配線（１２）内の複数の開口部（１８）が連結され、１
   つの超伝導ループで囲われていることを特徴とする請求
   項１または２に記載の超伝導回路。
4. 【請求項４】 前記超伝導配線（１２）は、当該超伝導
   配線（１２）内の複数の開口部（１８）が連結され、且
   つ当該超伝導配線（１２）の一端で該開口部（１８）が
   開放され、超伝導ループで囲われないことを特徴とする
   請求項１または２に記載の超伝導回路。