JPH07183455A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
半導体装置とその製造方法Info
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- JPH07183455A JPH07183455A JP32667193A JP32667193A JPH07183455A JP H07183455 A JPH07183455 A JP H07183455A JP 32667193 A JP32667193 A JP 32667193A JP 32667193 A JP32667193 A JP 32667193A JP H07183455 A JPH07183455 A JP H07183455A
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
対応し、機械的な強度を有する縦方向のチップ間接続方
法と構造を提供する。 【構成】あらかじめ形成された半導体デバイス10の絶
縁膜上にスルーホール71を形成した後、接着剤で支持
基板4を接着し、裏面から研磨して薄膜化し、別のデバ
イスの上に積層し、上層の支持基板と接着層を除去した
後、スルーホールをマスクとして接着層をO2 プラズマ
アッシングで除去して下層の電極を露出させ、全面にめ
っき電極用導電性物質20を被覆し、めっき接続を形成
したい部分が露出するようにフォトレジストをパターニ
ングし、めっき接続を形成したい部分が露出するように
フォトレジストをパターニングし、電極に電流を流しな
がらめっき液に浸すことでめっき膜40を形成し、めっ
き膜をマスクとして導電性物質20をエッチングするこ
とによって、上層と下層の電極を接続するめっき接続を
形成する。
Description
チ・チップ・モジュールにおけるチップ間接続電極の形
成方法およびその構造に関するものである。
界を打破する技術として、従来から3次元ICやマルチ
・チップ・モジュール(MCM)等が知られている。
中でも図15に示すようなチップを積層化する手法は、
シリコンの結晶性が最も良いものとして有力視されてい
る(林ら、1990 VLSI・テクノロジー・シンポ
ジウム P.95〜96)。このチップ積層化による3
次元IC形成技術では、チップ間の電気的接続を高融点
金属であるWバンプ(90)および低融点合金であるA
u−Inプール(91)により行っている。しかし、こ
の方法ではバンプがプールに差し込まれるまでの間は接
着層間に間隙があるため、本質的に接着不良を起こしや
すい構造である。また、バンプの形成に通常の半導体プ
ロセスを適用しているためバンプの高さを数μmより大
きく稼ぐことができず、このため目合わせ積層化の際に
間に数μmのゴミが入ったり、薄膜化後の凹凸が数μm
あるだけでバンプがプールに届かず電気的接続がうまく
いかないという問題がある。
M)技術は、図16に示したようなICベアチップ98
を配線が形成された基板へ直接実装することによって、
チップ間の配線を短くするとともに、実装モジュールに
寄生するインダクタンスやキャパシタンスを除去し、高
密度かつ高速なシステムを実現するものである。近年、
実装されるICの信号バスピン数を大きくしたいという
要求から信号パッドの間隔が狭くなりつつある。現在最
も狭い間隔に対応できる接続技術は、各種合金により形
成されたバンプを用いたフリップ−チップ−ボンディン
グ技術である。この方法の場合チップと配線基板に間隙
があるため、チップの発熱に起因した熱変形による応力
がすべて接続部に集中し、接続が破壊されてしまうとい
う問題がある。また、バンプの形成方法上50μmピッ
チぐらいがフリップ−チップ−ボンディングの限界と言
われている。
に対応し、機械的な強度を有し、かつ3次元的な縦方向
の接続も可能であるチップ間接続の方法および構造を提
供するとともに、3次元ICとMCMを融合した新しい
構造の半導体装置を実現することを目的とするものであ
る。
化しもう一つの別のデバイスに積層した後、各デバイス
の電極をめっきによって接続することを特徴としてい
る。めっきを用いる主な理由は、数μmオーダーの厚い
導電体膜はめっきが最も安定して成長させることができ
るためである。また、デバイスを薄膜化する工程を入れ
たのは、めっき電極導電膜を形成する時に断線してしま
うのを防ぐことおよびリソグラフィーにおけるフォーカ
スマージン内にめっきを形成することを目的として、上
層と下層の電極の段差を減らすためである。
発明では二通りを提案している。一つは上層のデバイス
に形成されたスルーホールを通して接続するもの、もう
一つはチップのエッヂを通って接続されるものである。
前者はさらに、積層化した後スルーホールを形成する方
法と、薄膜化積層する前に予めスルーホールを形成する
方法の二通りを提案している。
後、層間絶縁膜を被覆し上層の電極および下層の電極が
露出するようにパターニングする工程を入れることも本
発明で提案している。この工程には二つの目的がある。
一つは、上層のデバイスの薄膜化の際にデバイスの劣化
を避けるためにわざと薄膜化を途中で止めて基板を絶縁
層の下に少し残した場合、基板を介して電極がショート
することを防ぐために、絶縁膜を基板とめっき膜の間に
介在させることを目的とする。もう一つは、上層のデバ
イスあるいは接着層が厚く上層の電極と下層の電極の段
差が大きい場合、めっき電極用導電性膜の断線を避ける
ため、テーパーのついた絶縁膜を形成することを目的と
する。
デバイス層の電極を、一度のめっき工程で同時に接続す
る方法も提案している。この方法を用いれば大幅なTA
T(ターン・アラウンド・タイム)の短縮が実現できる
だけでなく、この後に説明するチップの縦方向接続と横
方向接続を同時に形成する、3次元ICとMCMを融合
したような新しい半導体装置の製造に応用することが可
能となる。
法を用いて、チップの縦方向接続と横方向接続を同時に
形成した半導体装置も提案している。縦方向の接続はス
ルーホールを用いた接続でも、チップのエッヂを這わせ
た配線でもどちらでもよい。また、3層以上の積層デバ
イスを接続するには、あらかじめ前述した方法を用いて
3次元ICを形成したものでもよいし、各層の電極を露
出させた後同時に接続することも可能である。
械的な強度を有し、かつ3次元的な縦方向の接続も可能
であるチップ間接続が実現することができ、しかも、3
次元ICとMCMを融合した新しい構造の半導体装置を
実現することも可能となる。
る。
施例を示す断面図である。この図ではデバイスが形成さ
れている部分は省略し電極部分だけを示している。まず
予め積層するためのデバイス10を形成する(図1
(a))。接着剤50を用いて支持基板4に固定した後
(図1(b))。デバイス10の裏面から研磨によって
薄膜化し(図1(c))、この薄膜化されたデバイス1
1をもう一つのデバイスに接着剤52を用いて圧着する
(図1(d))。支持基板を研磨、ドライエッチングあ
るいはウェットエッチングなどで除去した後(図1
(e))、上層の接着層を除去する(図1(f))。こ
こで、例えば基板1にはSiを、絶縁膜3にSiO2 膜
を、電極2、6にアルミニウム、接着剤51、52にポ
リイミドを用いれば、O2 プロズマアッシングによって
接着層51は容易に除去でき、しかも絶縁膜や配線層は
エッチングされないようにすることができる。パターニ
ングおよびエッチングによって絶縁膜にスルーホールを
形成した後、ふたたびO2 プロズマアッシングによって
下層の電極表面が露出するまで接着層をエッチングし、
スルーホール70を形成する(図1(g))。オーバー
アッシングによって配線表面に絶縁膜が形成されてしま
う恐れがあるが、Arスパッタリングなどによって表面
処理を行えば問題ない。その後、めっき用電極膜20を
形成し(図1(h))、めっき接続を形成したい部分を
抜くようにレジストパターニングを行い(図2
(a))、例えば図2(b)のようにしてめっき膜40
を成長させる(図2c))。レジストを除去した後(図
2(d))、めっき電極用膜20をめっき接続をマスク
としてエッチングすれば出来上がる(図2(e))。
の一部を示す断面図である。この図でもデバイスが形成
されている部分は省略し電極部分だけを示している。図
1,2で示した例との違いは、絶縁膜のスルーホール7
1の形成(図3(b))を、支持基板の圧着(図3
(c))の前に行っていることである。これにより、図
3(g)でスルーホールの形成をO2 プロズマアッシン
グによって下層の接着層の除去と同時に行うことができ
る。この後は、図2(a)〜(e)に従って接続電極を
形成すればよい。
を示す断面図である。ここでは上層の電極と下層の電極
の接続をスルーホールを介したものでなく、チップのエ
ッジをまたいで形成したものである(図4(e))。必
然的に上層のデバイスのチップの大きさは下層のそれよ
りも小さくなる。
用いた接続の実施例を示す断面図である。薄膜積層化し
た後、図5(b)のように絶縁膜を被覆し、電極表面が
露出するようにパターニングする工程を設ける例であ
る。図5はスルーホールを介した接続に適用した例、図
6はチップのエッジをまたいだ接続に適用した例であ
る。これにより、めっき電極20が基板を介して別のめ
っき電極にショートすることを防ぐことができる。ま
た、絶縁膜にテーパーがつくようにエッチングすること
によって急峻な段差によるめっき電極膜20の断線を防
ぐことができる。例えば絶縁膜9として感光性ポリイミ
ド膜を用いればパターニングを直接行うことができ、か
つ熱処理してポリイミドを軟化させることでテーパー形
状も容易に得られる。
極の形成方法の実施例を示す断面図である。図7では3
層の層間電極を接続した例を示している。まず、2層の
デバイス202が積層された3次元IC(図7(a))
に3層目の薄膜デバイス203を積層する(図7
(b))。3層目の薄膜デバイスの電極と2層目の薄膜
デバイスの電極をめっきによって接続する(図7
(c))。この工程を繰り返し行うことによって、何層
のデバイスでも積層することが可能である。
層間電極の接続を一度のめっき工程で実現する方法の実
施例示した断面図である。ここでは4層の層間電極を接
続した例を示している。3層目デバイスには2層目デバ
イスの電極102と2層目デバイスのスルーホール30
2を含んだスルーホール303を形成する。同様に4層
目デバイスには3層目デバイスの電極103と3層目デ
バイスのスルーホール303を含んだスルーホール30
4を形成する。こうすることにより、図7の方法よりも
少ない工程で多層の層間接続を行うことができる。た
だ、この方法ではめっきパターンを形成する際のフォト
レジスト工程のフォーカスマージンで一度に接続できる
層数が制限されるが、積層したい層数がこれを越える場
合は図7の工程を図6のように繰り返せばよい。
元ICをMCM実装する方法の実施例を示す断面図であ
る。図10(d)で薄膜デバイスを目合わせ積層するこ
とを除いて図1,2や図3の工程をほぼそのまま適用で
きる。本実施例では、水平方向に2チップ、縦方向にも
2チップを積層実装した例を示したが、この数に限られ
ずめっき接続ができる限り水平方向にも縦方向にも何チ
ップでも実装することができる。
された基板上に薄膜デバイスを3層積層し、縦方向のチ
ップ間接続44および横方向のチップ間接続43をチッ
プエッヂをまたいで同時に形成した実施例を示す。
膜デバイスを4層積層し、縦方向のチップ間接続45
を、スルーホールを通して行った実施例を示す。このよ
うに1層目の配線基板に形成された横方向チップ間配線
46を用いて、横方向の接続を行ってもよい。
モリ501、2次キャッシュメモリ502を配線基板5
03上に3次元−MCM実装したシステムの実施例を示
す。この図では縦方向の層間配線および横方向のチップ
間配設は省略している。高速の信号のやり取りが必要な
CPU−1次キャッシュ間は配線長が短くなるように積
層し、大容量の2次キャッシュはCPU−1次キャッシ
ュのまわりに配置することによって、高速の動作を実現
できる。
MC220をさらに薄膜化し、MCM間を接続する配線
基板211上に積層し、めっきにより接続したハイブリ
ッドMCMを形成した実施例を示す。この他に3次元I
CによるMCMをさらに縦方向に積層して接続してもよ
いし、複数のハイブリッドMCMをさらに大きな領域を
有した配線基板にMCM的に実装して巨大なシステムを
一つの基板に集積することも可能である。このように、
積層数、実装数が増えれば増えるほど、本発明の長所で
あるチップ間配線長が短いという特性が活かされる。
チに対応し、機械的な強度を有し、かつ3次元的な縦方
向の接続も可能であるチップ間接続を実現するととも
に、3次元ICとMCMを融合した新しい構造の半導体
装置を実現することを可能とする。
る。
実施例を示す断面図である。
である。
る。
す断面図である。
である。
断面図である。
で実現する方法の実施例を示した断面図である。
で実現する方法の実施例を示す断面図である。
M実装する方法の実施例を示す断面図である。
チップ間接続をチップエッジをまたいで同時に形成した
実施例を示す断面図である。
方向のチップ間接続をスルーホールを通して行った実施
例を示す断面図である。
を示す斜視図である。
断面図である。
法を示す断面図である。
ングによるMCMの接続構造を示す断面図である。
リッドMCM 302 2層目デバイスに形成したスルーホール 303 3層目デバイスに形成したスルーホール 304 4層目デバイスに形成したスルーホール 400 3次元デバイス 500 CPU 501 1次キャッシュメモリ 502 2次キャッシュメモリ 503 配線基板
Claims (9)
- 【請求項1】 あらかじめ形成された半導体デバイスに
接着剤を用いて支持基板を接着し、デバイスの裏面から
研磨によって薄膜化し、別のもう一つのデバイスの上に
積層し、上層の支持基板および上層の接着層を除去した
後、パターニングおよびエッチングにより下層の電極を
露出させた後、全面にめっき電極用導電性物質を被覆
し、めっき接続を形成したい部分が露出するようにマス
クパターンを形成した後、電極に電流を流しながらめっ
き液に浸すおとによりめっき膜を形成し、このめっきを
マスクとしてめっき電極用導電性物質をエッチングする
ことによって、上層デバイスの電極と下層デバイスの電
極を接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 支持基板を接着する前に配線のない領域
の層間絶縁膜あるいは層間絶縁膜と半導体基板にあらか
じめスルーホールを形成し、支持基板を接着しデバイス
を薄膜化し別のもう一つのデバイスに積層する際、下層
の配線領域上にスルーホールが位置するように目合わせ
して積層し、支持基板および上層の接着層を除去した
後、スルーホールをマスクとして接着層を除去すること
によって、下層デバイスの電極を露出させた後、全面に
めっき電極用導電性物質を被覆し、めっき接続を形成し
たい部分が露出するようにマスクパターンを形成した
後、電極に電流を流しながらめっき液に浸すことにより
めっき膜を形成し、このめっき膜をマスクとしてめっき
電極用導電性物質をエッチングすることによって、上層
デバイスの電極と下層デバイスの電極を接続することを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 上層の薄膜デバイスを積層する際に下層
デバイスの電極が露出するように、下層の電極の位置を
初めからずらして設け、積層した後、上層デバイスの電
極から上層チップのエッジを通って下層デバイスの電極
までをめっきで接続することを特徴とする請求項1記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項4】 下層の電極が露出した後、層間絶縁膜を
被覆し、上層の電極および下層の電極が露出するように
パターニングした後、めっきにより上層の電極と下層の
電極を接続することを特徴とする請求項1、2または3
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項5】 テーパーのついた層間絶縁膜を形成する
請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項6】 3層以上のデバイス層を縦方向に積層し
層間の電極を接続する方法において、ある層のスルーホ
ールを形成する際に、その層以下の電極およびスルーホ
ールを全て含んだスルーホールを形成することによっ
て、最上層のスルーホールをマスクとして接着層をエッ
チングした時、全層の電極を露出させることができ、か
つ段差が1層分のデバイスおよび接着層であることによ
って、めっき電極用導電体膜を形成する時に断線が生じ
るのを防ぐことを特徴とする請求項1、2、3、4また
は5に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項7】 3層以上のデバイス層を縦方向に積層し
層間の電極が接続された半導体装置において、各層のス
ルーホールがその層以下の電極およびスルーホールを全
て含んだ領域を有し、かつ段差が1層分のデバイスおよ
び接着層であるとを特徴とする半導体装置。 - 【請求項8】 請求項7記載の半導体装置を製造する方
法であって、複数のデバイスあるいは配線層が形成され
た第1層の基板に、薄膜化されたデバイスを1個以上縦
方向や横方向に積層し、各電極を露出させた後、めっき
により縦方向の接続と横方向の接続を同時に形成するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項9】 複数のデバイスあるいは配線層が形成さ
れた第1層の基板上に、薄膜化されたデバイスが1個以
上縦方向や横方向に積層され、各電極が縦方向や横方向
に接続されたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5326671A JP2755143B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5326671A JP2755143B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9213272A Division JPH1074891A (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07183455A true JPH07183455A (ja) | 1995-07-21 |
JP2755143B2 JP2755143B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=18190369
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5326671A Expired - Lifetime JP2755143B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2755143B2 (ja) |
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- 1993-12-24 JP JP5326671A patent/JP2755143B2/ja not_active Expired - Lifetime
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US11631692B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
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JP2755143B2 (ja) | 1998-05-20 |
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